CN112209626A - 一种高阻膜及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高阻膜及其制备方法与应用，所述高阻膜的膜层方阻在107Ω/□～1010Ω/□之间且在550nm下透光率不低于97％。本发明方案的高阻膜具有较好的抗静电作用，同时还具备在可见光区内的良好透光性，且不影响器件的触控功能；本发明方案的高阻膜可较好地满足In‑cell方式液晶盒减薄后屏蔽层的性能需求，从而更好地促进显示屏尤其是内嵌式触摸屏领域的发展。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件领域，具体涉及一种高阻膜的制备方法与应用。
背景技术
随着电子、通信技术的发展，各种电子显示设备层出不穷，液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)是电子显示设备的重要元器件。其中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor liquid crystal display，TFT-LCD)是利用液晶材料的特性来显示图像的一种平板显示装置，其相较于其它显示装置而言更具轻薄、低驱动电压及低功耗等优点，已经成为目前整个消费市场上的主流产品。TFT-LCD是一类由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)和彩色滤光片基板(Color Filter，CF)组成的液晶盒，随着人们对设备小型化的要求越来越高，人们对液晶盒厚度的要求越来越高。
为降低液晶盒厚度，需要将TFT和CF玻璃背面减薄，并在减薄后的CF玻璃背面镀ITO屏蔽层，现有技术中的ITO屏蔽层的方阻通常在300～1000Ω/□之间。然而，上述方式仍难以满足人们的需求，因此，为进一步降低显示屏厚度，工业应用过程中通常采用将触摸面板和液晶面板一体化处理，包括“内嵌式(In-cell)”和“外嵌式(On-cell)”两种方式。In-cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，该工艺是在TFT玻璃上直接形成ITO导电膜(高阻膜)及传感器，不仅节约了一片玻璃基板，还省略了贴合工序，降低了生产成本，且提高了产品合格率，同时还能更好地满足智能终端超薄化需求。其中，高阻膜的性能直接关系着内嵌式触摸屏的触摸效果，因此，其不仅要能更好地抗静电作用，同时，还要具备良好的透光性且不影响器件的触控功能。然而，现有技术中的高阻膜存在表面电阻小，抗干扰效果差、防静电效果差、透光性低等诸多缺陷，导致现有技术中内嵌式触摸屏的触摸效果较差，限制了内嵌式触摸屏的发展。
基于此，开发一种电阻率高且可见光区透光率高的高阻膜具有重要意义。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种高阻膜，既具有高电阻率，又具有高透光率。
本发明还提出上述高阻膜的制备方法。
本发明还提出上述高阻膜的应用。
根据本发明的第一方面实施方式的高阻膜，所述高阻膜的膜层方阻在107Ω/□～1010Ω/□之间且在550nm下透光率不低于97％。
根据本发明的一些实施方式，所述高阻膜在550nm下的透光率为99％。
根据本发明的一些实施方式，所述高阻膜的厚度为5～30nm。
根据本发明实施方式的高阻膜，至少具有如下有益效果：本发明方案的高阻膜具有较好的抗静电作用，同时还具备在可见光区内的良好透光性，且不影响器件的触控功能；本发明方案的高阻膜可较好地满足In-cell方式液晶盒减薄后屏蔽层的性能需求，从而更好地促进显示屏尤其是内嵌式触摸屏领域的发展。
根据本发明的第二方面实施方式的制备方法，包括以下步骤：
采用氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，通过真空溅射法溅射得到所述高阻膜；
其中，真空溅射法采用的溅射气压为0.05～0.5Pa，采用的气体组成为：Ar和O2，其中，O2分压为0.01～0.04Pa。
根据本发明的一些实施方式，所述氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材中铟与锆的物质的量之比为1:(0.3～0.5)。
根据本发明的一些实施方式，所述真空溅射法采用的溅射电源为直流电源或直流脉冲电源；优选为直流脉冲电源。采用直流脉冲电源可以减少连续生产过程中的异常放电，提高生产稳定性。
根据本发明的一些实施方式，所述真空溅射法的基底温度不超过150℃；优选为60℃～150℃。本发明方案的成膜温度低，对LCD液晶盒的影响小。
根据本发明的一些实施方式，所述真空溅射法的溅射功率为0.25～2.5w/cm2。
根据本发明实施方式的制备方法，至少具有如下有益效果：本发明的制备方法工艺简单，条件温和，适宜大规模生产，具有良好的工业应用前景。
根据本发明的第三方面实施方式的应用，一种内嵌式触摸显示屏的制备方法，所述内嵌式触摸显示屏包括TFT层和CF层，所述制备方法包括以下步骤：在所述CF层背面沉积形成上述高阻膜。在In-cell液晶盒的CF背面沉积高阻膜，既可起到较好的抗静电作用，同时，又具备良好的透光性，且不影响器件的触控功能。
根据本发明的一些实施方式，一种内嵌式触摸显示屏，包括上述高阻膜。
根据本发明的一些实施方式，一种显示装置，包括上述内嵌式触摸显示屏。
根据本发明的一些实施方式，所述显示装置为手机或PAD。
根据本发明实施方式的应用，至少具有如下有益效果：本发明方案的高阻膜具有较高的方阻，可满足减薄后液晶盒屏蔽层的性能要求，在显示装置领域具有良好的应用前景。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到的试剂和材料。本发明中的4N是指99.99％。本发明所称“靶面”是指“靶材上表面”。
本发明的实施例一为：一种高阻膜，通过如下方法制备而得：采用氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，在基片上通过真空溅射法溅射得到所述高阻膜。其中，真空溅射过程中的参数如下：
1、靶材：氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，铟:锆＝1摩尔:0.35摩尔。
2、工艺参数：
(1)溅射室本底真空：≤1.33×10-3Pa
(2)溅射阴极靶面磁场强度：800高斯
(3)靶基距：80mm
(4)基片温度：60℃
(5)工艺气氛：高纯氩(99.999％)和高纯氧(99.999％)组成，其中，Ar压力：0.40Pa、O2压力：0.025～0.031Pa
(6)溅射电源：直流脉冲电源；溅射功率：0.75w/cm2
(7)镀膜区域走速(即传动速度)：0.4～0.8m/min
(8)基片：无碱玻璃(LCD液晶盒用玻璃基片)
3、镀膜走速对照：
其他工艺参数相同，氧分压为0.027Pa；调整镀膜区域走速，制作不同厚度的膜层，膜层方阻、透过率如下表1所示：
表1
在本发明实施例方案范围内，随镀膜区域走速的增加，镀膜时间缩短，制作的膜层透过率增加、方阻增加。
4、氧流量对照：
其他工艺参数相同，走速0.6m/min，调整氧流量制作不同膜层，膜层方阻、透过率如下表2所示：
表2
在本发明实施例范围内，随氧流量的增加，制作的膜层方阻变大、变化趋势明显，透过率变化不明显。
本发明的实施例二为：一种高阻膜，通过如下方法制备而得：采用氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，在基片上通过真空溅射法溅射得到所述高阻膜。其中，真空溅射过程中的参数如下：
1、靶材：氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，铟:锆＝1摩尔:0.40摩尔。
2、工艺参数：
(1)溅射室本底真空：≤1.33×10-3Pa
(2)溅射阴极靶面磁场强度：800高斯
(3)靶基距：80mm左右
(4)基片温度：60℃
(5)工艺气氛：高纯氩(99.999％)和高纯氧(99.999％)组成，其中，Ar压力：0.40Pa、O2压力：0.025～0.031Pa
(6)溅射电源：直流脉冲电源；溅射功率：0.75w/cm2
(7)镀膜区域走速：0.4～0.8m/min
(8)基片：无碱玻璃(LCD液晶盒用玻璃基片)
3、镀膜走速对照：
其他工艺参数相同，O2压力：0.027Pa，调整镀膜区域走速，制作不同厚度的膜层，膜层方阻、透过率如下表3所示：
表3
在本发明实施例方案范围内，随镀膜区域走速的增加，镀膜时间缩短，制作的膜层透过率增加、方阻增加。
4、氧流量对照：
其他工艺参数相同，走速0.6m/min，调整氧流量制作不同膜层，膜层方阻、透过率如下表4所示：
表4
在本发明实施例方案范围内，随氧流量的增加，制作的膜层方阻变大、变化趋势明显，透过率变化不明显。
上述工艺可直接采用现有技术中的在LCD液晶盒减薄生产线配置的ITO磁控溅射镀膜连续式生产线，通过直流磁控溅射方式，溅射高纯度的氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材在产品表面镀高阻膜。磁控溅射镀膜连续式生产线包含装片室、1#缓冲室、镀膜室、2#缓冲室、卸片室，镀膜室包含1#过渡段、镀膜段、2#过渡段。也可根据需要采用带有多个镀膜段的产线进行生产，若有多个镀膜段，为减小镀膜段之间气氛干扰，镀膜段与镀膜段之间用过渡段间隔。靶位可采用多段布气，提高溅射区域的气氛均匀性。靶位溅射区域可增加修正板，调整修正板遮挡尺寸，提高溅射有效区域膜厚均匀性。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种高阻膜，其特征在于：所述高阻膜的膜层方阻在107Ω/□～1010Ω/□之间且在550nm下透光率不低于97％。
2.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于：所述高阻膜在550nm下的透光率为99％。
3.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于：所述高阻膜的厚度为5～30nm。
4.一种如权利要求1至3任一项所述的高阻膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
采用氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材，通过真空溅射法溅射得到所述高阻膜；
其中，真空溅射法采用的溅射气压为0.05～0.5Pa，采用的气体组成为：Ar和O2，其中，O2分压为0.01～0.04Pa。
5.根据权利要求4所述的高阻膜的制备方法，其特征在于：所述氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材中铟与锆的物质的量之比为1:(0.3～0.5)。
6.根据权利要求4所述的高阻膜的制备方法，其特征在于：所述真空溅射法采用的溅射电源为直流电源或直流脉冲电源。
7.根据权利要求4所述的高阻膜的制备方法，其特征在于：所述真空溅射法的溅射功率为0.25～2.5w/cm2。
8.一种内嵌式触摸显示屏的制备方法，其特征在于：所述内嵌式触摸显示屏包括TFT层和CF层，所述制备方法包括以下步骤：在所述CF层背面沉积形成如权利要求1至3任一项所述的高阻膜，成膜过程中基底温度不超过150℃。
9.一种内嵌式触摸显示屏，其特征在于：包括如权利要求1至3任一项所述的高阻膜。
10.一种显示装置，其特征在于：包括如权利要求9所述的内嵌式触摸显示屏。
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| CN113981372A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置 |
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| CN109935386A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 南昌欧菲光学技术有限公司 | 高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210112 |