CN101475317A - 触摸屏用高透过率导电玻璃及其生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸屏用高透过率导电玻璃及其生产工艺，触摸屏用高透过率导电玻璃包括玻璃基片，玻璃基片表面依次设置有二氧化硅镀膜层和氧化铟锡镀膜层，二氧化硅镀膜层位于内层，氧化铟锡镀膜层位于外层，在玻璃基片和二氧化硅镀膜层之间设置有五氧化二铌镀膜层；工艺流程为：选择合格的玻璃基片进行清洗，将清洗干净的玻璃基片送入镀膜机内，对玻璃基片表面进行镀膜加工，将镀好膜的成品从镀膜机取出，对成品进行性能检测，合格的包装入库。本发明利用五氧化二铌和二氧化硅良好的绝缘性和稳定的折射率，可使导电玻璃的可见光透过率提高到94％以上，合理的工艺过程有利于提高操作的可控性和产品质量的稳定性，可满足大批量生产的要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜导电玻璃及其生产工艺，尤其是一种触摸屏用高透过率导电玻璃及其生产工艺。
背景技术
氧化铟锡导电玻璃，即ITO导电玻璃，尤其是采用平面磁控溅射技术沉积的ITO导电玻璃，自上世纪九十年代以来，主要应用在液晶显示器行业的液晶面板玻璃和冰柜镀膜玻璃方面，而触摸屏用的ITO导电玻璃，是触摸屏面板的基础材料，其对面电阻和透过率的要求比液晶显示器用的ITO导电玻璃有着更高的要求，通常面电阻要求为150Ω/口，透过率在89％以上，它是在超薄浮法玻璃上，在高真空环境下，用平面磁控溅射技术在玻璃表面沉积ITO纳米薄膜，从而得到透过率高、均匀性好的玻璃；而高透过率玻璃，以前主要应用于光学行业，采用在高真空条件下，在玻璃上进行热蒸发镀膜或激光枪轰击镀膜，其镀膜应用面积小，所用材料一般为氟化镁、二氧化钛、二氧化硅等，薄膜厚度较厚，均匀性要求较低，当然由于使用场合的要求，这类玻璃都不需要有ITO导电层，但氟化镁却是一种不能使用磁控溅射技术完成的材料，与ITO材料有冲突，二氧化钛也是一种磁控溅射不稳定，且溅射速率太低的材料，不利于大批量大尺寸的镀膜，因此要获得高透过率的导电玻璃，既要解决提高透过率的光学问题，又要解决介质层与ITO导电层的匹配问题，只有选择合适的介质层膜以及ITO导电层膜层厚度，才能有助于产品性能的提高。
发明内容
本发明的目的是：提供一种显示效果清晰、可见光透过率高且导电性能好的触摸屏用高透过率导电玻璃及其生产工艺。
本发明实现其目的所采用的技术方案是：一种触摸屏用高透过率导电玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片表面依次设置有二氧化硅镀膜层和氧化铟锡镀膜层，二氧化硅镀膜层位于内层，氧化铟锡镀膜层位于外层，在玻璃基片和二氧化硅镀膜层之间设置有五氧化二铌镀膜层。
具体说，所述的二氧化硅镀膜层的厚度为78～98nm，氧化铟锡镀膜层的厚度为9～11nm，五氧化二铌镀膜层的厚度为15～18nm。
本发明所述的触摸屏用高透过率导电玻璃的生产工艺的流程为：a.选择合格的玻璃基片进行清洗。b.将清洗干净的玻璃基片送入镀膜机内。c.对玻璃基片表面进行镀膜加工，先镀五氧化二铌膜，再镀二氧化硅膜，最后镀氧化铟锡膜。d.将镀好膜的成品从镀膜机取出。e.对成品进行性能检测，合格的包装入库。
其中镀五氧化二铌膜采用的是等离子体控制法反应磁控溅射工艺，镀二氧化硅膜采用的是压电陶瓷阀控制反应磁控溅射工艺，镀氧化铟锡膜采用的是直流磁控溅射工艺。
本发明的有益效果是，本发明选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层，利用五氧化二铌和二氧化硅良好的绝缘性和稳定的折射率，可使导电玻璃的可见光透过率提高到94％以上，也解决了介质层与ITO导电层的匹配问题，同时合理的工艺过程有利于提高操作的可控性和产品质量的稳定性，可满足大批量生产的要求。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图中 1.玻璃基片 2.二氧化硅镀膜层 3.氧化铟锡镀膜层4.五氧化二铌镀膜层
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示的一种触摸屏用高透过率导电玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片1表面依次设置有二氧化硅镀膜层2和氧化铟锡镀膜层3，二氧化硅镀膜层2位于内层，氧化铟锡镀膜层3位于外层，在玻璃基片1和二氧化硅镀膜层2之间设置有五氧化二铌镀膜层4。
具体说，所述的二氧化硅镀膜层2的厚度为89nm，氧化铟锡镀膜层3的厚度为10nm，五氧化二铌镀膜层4的厚度为16nm。
通常来说，要提高导电玻璃的可见光透过率，介质层膜的选择是关键，只有选择合理的介质层膜，才可利用光学原理，使各介质层膜之间相互干涉，并使各介质层膜界面的反射光与入射光相互抵消，从而提高可见光的透过率，降低可见光的反射率，在此，本发明选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层，并且五氧化二铌和二氧化硅均具有良好的绝缘性和稳定的折射率，与ITO材料的磁控溅射可一次制造完成，对面电阻也无明显的影响，因此在保证导电性能的前提下，可使导电玻璃的可见光透过率提高到94％以上，显示效果也更为清晰。
本发明所述的触摸屏用高透过率导电玻璃的生产工艺的流程为：a.选择合格的玻璃基片进行清洗。b.将清洗干净的玻璃基片送入镀膜机内。c.对玻璃基片表面进行镀膜加工，先镀五氧化二铌膜，再镀二氧化硅膜，最后镀氧化铟锡膜。d.将镀好膜的成品从镀膜机取出。e.对成品进行性能检测，合格的包装入库。
其中镀五氧化二铌膜采用的是等离子体控制法反应磁控溅射工艺，溅射时玻璃温度控制在200℃±10℃，本底真空度≤2.0×10-3Pa，工作真空度4.2×10-1Pa，99.999％的高纯氩气，流量为220Sccm，玻璃通过靶面速度为16mm/s，靶面功率为4.5W/cm2，靶表面电压为900V，99.995％的高纯氧分量占10.25％左右，所得五氧化二铌薄膜厚度为16nm。
镀二氧化硅膜采用的是压电陶瓷阀控制反应磁控溅射工艺，溅射时，玻璃温度控制在260℃±10℃，本底真空度≤2.0×10-3Pa，工作真空度4.2×10-1Pa，99.999％的高纯氩气，流量为300Sccm，玻璃通过靶面速度为16mm/s，靶面功率为4.2W/cm2，靶表面电压为470V，99.995％的高纯氧分量占15％左右，所得二氧化硅镀膜层的厚度为89nm。
镀氧化铟锡膜采用的是直流磁控溅射工艺，溅射时，玻璃温度控制在365℃±5℃，本底真空度≤2.0×10-3Pa，工作真空度4.0×10-1Pa，99.999％的高纯氩气，流量为285Sccm，玻璃通过靶面速度为16mm/s，靶面功率为0.4W/cm2，靶表面电压为300V，99.995％的高纯氧分量占0.45％左右，所得氧化铟锡镀膜层的厚度为10nm。
在镀膜设备方面，由于各功能膜溅射时的工作条件不同，因此在各镀膜模块之间采用了大抽气量的涡轮分子泵，并通过气体隔离隧道和隔离阀门进行隔离，以保证镀膜质量。
所得的触摸屏用高透过率导电玻璃的性能指标如下：
可见光透过率：≥94％；
单片玻璃方块电阻：400Ω/口±10％；
耐酸碱性：(ΔR/R)≤10％；
膜厚批均匀性：≤±5％；
耐摩擦性：(ΔR/R)≤10％；
热稳定性：(ΔR/R)≤20％。
以上述依据发明的实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种触摸屏用高透过率导电玻璃，包括玻璃基片(1)，玻璃基片(1)表面依次设置有二氧化硅镀膜层(2)和氧化铟锡镀膜层(3)，二氧化硅镀膜层(2)位于内层，氧化铟锡镀膜层(3)位于外层，其特征在于在玻璃基片(1)和二氧化硅镀膜层(2)之间设置有五氧化二铌镀膜层(4)。
2.根据权利要求1所述的触摸屏用高透过率导电玻璃，其特征在于所述的二氧化硅镀膜层(2)的厚度为78～98nm，氧化铟锡镀膜层(3)的厚度为9～11nm，五氧化二铌镀膜层(4)的厚度为15～18nm。
3.根据权利要求1所述的触摸屏用高透过率导电玻璃的生产工艺，其特征在于该工艺的流程为：a.选择合格的玻璃基片进行清洗。b.将清洗干净的玻璃基片送入镀膜机内。c.对玻璃基片表面进行镀膜加工，先镀五氧化二铌膜，再镀二氧化硅膜，最后镀氧化铟锡膜。d.将镀好膜的成品从镀膜机取出。e.对成品进行性能检测，合格的包装入库。
4.根据权利要求3所述的触摸屏用高透过率导电玻璃的生产工艺，其特征在于镀五氧化二铌膜采用的是等离子体控制法反应磁控溅射工艺，镀二氧化硅膜采用的是压电陶瓷阀控制反应磁控溅射工艺，镀氧化铟锡膜采用的是直流磁控溅射工艺。
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