CN213739195U - 一种双面ar光学玻璃面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双面AR光学玻璃面板，包括玻璃基片、玻璃基片空气面、玻璃基片锡面，所述玻璃基片空气面设置有第一功能膜系，所述玻璃基片锡面设置有第二功能膜系；该第一功能膜系设置为七层，依次为第四层二氧化硅膜层、第五层五氧化二铌膜层、第六层五氧化二铌膜层、第五层二氧化硅膜层、第七层五氧化二铌膜层、第八层五氧化二铌膜层、第六层二氧化硅膜层。本实用新型玻璃基片双表面设置的AR功能膜系为一次同步溅射沉积完成，避免了单面AR玻璃基片二次加工工艺流程给AR功能膜系造成的损伤，由于同步溅射沉积双面AR功能膜系的特殊光学特性可使AR玻璃可见光透过率提升到或超过99％。

Description

一种双面AR光学玻璃面板

技术领域

本实用新型涉及电子显示面板技术领域，特别是涉及一种双面AR光学玻璃面板。

背景技术

目前，单面AR玻璃面板己广泛应用于电子显示技术领域，由于视频显示屏玻璃面板对可见光透过率要求更高，因此有镀膜企业就在单面AR玻璃基础上将其背面二次加工成双面AR玻璃，该二次镀膜加工工艺过程不仅会给单面AR功能膜层表面带来损伤、而且它在差异溅射气氛中所沉积的双面AR膜可见光透过率增加也不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种双面AR光学玻璃面板。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

一种双面AR光学玻璃面板，包括玻璃基片、玻璃基片空气面、玻璃基片锡面，所述玻璃基片空气面设置有第一功能膜系，所述玻璃基片锡面设置有第二功能膜系，所述玻璃基片为电子级浮法玻璃基片，该第一功能膜系和该第二功能膜系均设置为七层；

该第一功能膜系依次为第四层二氧化硅膜层、第五层五氧化二铌膜层、第六层五氧化二铌膜层、第五层二氧化硅膜层、第七层五氧化二铌膜层、第八层五氧化二铌膜层、第六层二氧化硅膜层；

该第二功能膜系依次为第四层五氧化二铌膜层、第三层五氧化二铌膜层、第三层二氧化硅膜层、第二层二氧化硅膜层、第二层氧化二铌膜层、第一层五氧化二铌膜层、第一层二氧化硅膜层。

优选的：所述第四层二氧化硅膜层光学膜厚20μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：所述第五层五氧化二铌膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第六层五氧化二铌膜层光学膜厚10μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第五层二氧化硅膜层光学膜厚20μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第七层五氧化二铌膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第八层五氧化二铌膜层光学膜厚20μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：所述第六层二氧化硅膜层光学膜厚25μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：所述第四层五氧化二铌膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：所述第三层五氧化二铌膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：所述第三层二氧化硅膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第二层二氧化硅膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第二层五氧化二铌膜层光学膜厚20μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第一层五氧化二铌膜层光学膜厚15μm，工作气体输入流量150ml/min，反应气体输入流量200ml/min，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：所述第一层二氧化硅膜层光学膜厚25μm，工作气体输入流量100ml/min，反应气体输入流量150ml/min，本底真空度2×10^-3Pa。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

玻璃基片双表面设置的AR功能膜系为一次同步溅射沉积完成，避免了单面AR玻璃基片二次加工工艺流程给AR功能膜系造成的损伤，由于同步溅射沉积双面AR功能膜系的特殊光学特性可使AR玻璃可见光透过率提升到或超过99％。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型所述一种双面AR光学玻璃面板的结构示意图。

附图标记说明如下：

1、玻璃基片；2、玻璃基片空气面；3、玻璃基片锡面；4、第一层二氧化硅膜层；5、第一层五氧化二铌膜层；6、第二层五氧化二铌膜层；7、第二层二氧化硅膜层；8、第三层二氧化硅膜层；9、第三层五氧化二铌膜层；10、第四层五氧化二铌膜层；11、第四层二氧化硅膜层；12、第五层五氧化二铌膜层；13、第六层五氧化二铌膜层；14、第五层二氧化硅膜层；15、第七层五氧化二铌膜层；16、第八层五氧化二铌膜层；17、第六层二氧化硅膜层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例进清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型中部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

实施例1

如图1所示，一种双面AR光学玻璃面板，包括玻璃基片1、玻璃基片空气面2、玻璃基片锡面3，玻璃基片空气面2设置有第一功能膜系，玻璃基片锡面3设置有第二功能膜系，玻璃基片1为电子级浮法玻璃基片，该第一功能膜系和该第二功能膜系均设置为七层；

该第一功能膜系依次为第四层二氧化硅膜层11、第五层五氧化二铌膜层12、第六层五氧化二铌膜层13、第五层二氧化硅膜层14、第七层五氧化二铌膜层15、第八层五氧化二铌膜层16、第六层二氧化硅膜层17；

该第二功能膜系依次为第四层五氧化二铌膜层10、第三层五氧化二铌膜层9、第三层二氧化硅膜层8、第二层二氧化硅膜层7、第二层氧化二铌膜层6、第一层五氧化二铌膜层5、第一层二氧化硅膜层4。

优选的：第四层二氧化硅膜层11设置溅射沉积光学膜厚20μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率22.5KW，第四层二氧化硅膜层11溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞80℃，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：第五层五氧化二铌膜层12设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率18KW，第五层五氧化二铌膜层12溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞85℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第六层五氧化二铌膜层13设置溅射沉积光学膜厚10μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率12.5KW，第六层五氧化二铌膜层13溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞85℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第五层二氧化硅膜层14设置溅射沉积光学膜厚20μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率22.5KW，第五层二氧化硅膜层14溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞90℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第七层五氧化二铌膜层15设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率18KW，第七层五氧化二铌膜层15溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞95℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第八层五氧化二铌膜层16设置溅射沉积光学膜厚20μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率22.5KW，第八层五氧化二铌膜层16溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞95℃，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：第六层二氧化硅膜层17设置溅射沉积光学膜厚25μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率27.5KW，第六层二氧化硅膜层17溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞100℃，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：第四层五氧化二铌膜层10设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率18KW，第四层五氧化二铌膜层10溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞80℃，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：第三层五氧化二铌膜层9设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率18KW，第三层五氧化二铌膜层9溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞85℃，本底真空度2×10^-3Pa。

优选的：第三层二氧化硅膜层8设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率20KW，第三层二氧化硅膜层8溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞85℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第二层二氧化硅膜层7设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率20KW，第二层二氧化硅膜层7溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞90℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第二层五氧化二铌膜层6设置溅射沉积光学膜厚20μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率22.5KW，第二层五氧化二铌膜层6溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞95℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第一层五氧化二铌膜层5设置溅射沉积光学膜厚15μm，设定工作气体输入流量150ml/min，设定反应气体输入流量200ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率22.5KW，第一层五氧化二铌膜层5溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞95℃，本底真空度1×10^-3Pa。

优选的：第一层二氧化硅膜层4设置溅射沉积光学膜厚25μm，设定工作气体输入流量100ml/min，设定反应气体输入流量150ml/min，设定承载基片架移动速率0.66m/min，设定溅射功率28KW，第一层二氧化硅膜层4溅射沉积薄膜前承载基片移动架温度＞100℃，本底真空度2×10^-3Pa。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。

Claims (2)

1.一种双面AR光学玻璃面板，其特征在于：包括玻璃基片(1)、玻璃基片空气面(2)、玻璃基片锡面(3)，所述玻璃基片空气面(2)设置有第一功能膜系，所述玻璃基片锡面(3)设置有第二功能膜系；

该第一功能膜系设置为七层，依次为第四层二氧化硅膜层(11)、第五层五氧化二铌膜层(12)、第六层五氧化二铌膜层(13)、第五层二氧化硅膜层(14)、第七层五氧化二铌膜层(15)、第八层五氧化二铌膜层(16)、第六层二氧化硅膜层(17)；

该第二功能膜系设置为七层，依次为第四层五氧化二铌膜层(10)、第三层五氧化二铌膜层(9)、第三层二氧化硅膜层(8)、第二层二氧化硅膜层(7)、第二层五氧化二铌膜层(6)、第一层五氧化二铌膜层(5)、第一层二氧化硅膜层(4)；

所述第四层二氧化硅膜层(11)、所述第五层五氧化二铌膜层(12)、所述第六层五氧化二铌膜层(13)、所述第五层二氧化硅膜层(14)、所述第七层五氧化二铌膜层(15)、所述第八层五氧化二铌膜层(16)、所述第六层二氧化硅膜层(17)光学膜厚分别为20μm、15μm、10μm、20μm、15μm、20μm、25μm；

所述第四层五氧化二铌膜层(10)、所述第三层五氧化二铌膜层(9)、所述第三层二氧化硅膜层(8)、所述第二层二氧化硅膜层(7)、所述第二层五氧化二铌膜层(6)、所述第一层五氧化二铌膜层(5)、所述第一层二氧化硅膜层(4)光学膜厚分别为15μm、15μm、15μm、15μm、20μm、20μm、25μm。

2.根据权利要求1所述的一种双面AR光学玻璃面板，其特征在于：所述玻璃基片(1)为电子级浮法玻璃基片。

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