CN104870683A - 成膜方法和成膜装置 - Google Patents

Abstract

成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层。成膜装置能够实施该成膜方法。

Description

成膜方法和成膜装置

技术领域

本发明涉及成膜方法和成膜装置。

背景技术

现在，对于移动终端等各种终端，多使用人体直接接触面板表面进行操作的触摸面板。该触摸面板的表面由于人体直接接触面板表面而因此容易损伤、附着污垢，因此设置了防污层(有机层)。

作为防污层，多使用了氟系树脂。作为包含这样的氟系树脂的膜的形成方法，已知真空蒸镀法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2010-106344号公报

发明内容

发明要解决的课题

根据专利文献1，采用真空蒸镀法，能够高效率地形成膜质优异的膜。但是，防污层与其下层之间的密合性，有时随着使用次数增多，即接触次数增多而降低。

因此，本发明的课题在于解决上述现有技术的问题，提供即使使用次数增多，与成膜的包含含氟树脂的有机层的密合性也高的膜的成膜方法和成膜装置。

用于解决课题的方法

本发明的成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，其特征在于，形成上述无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在该无机层上形成上述有机层。

本发明中形成无机层时，能够通过进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射在被处理基板上形成无机层，从而形成与有机层的密合性高的膜。

上述无机层优选为包含选自Si、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Sn、Zn、Mg和In中的至少1种的层。通过包含这些中的任一种，能够使所述层与有机层的密合性为优选的密合性。

此外，优选地，将2个以上的无机膜层叠而形成上述无机层，该无机膜中，至少最上层通过进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射而形成。即使是由多个层组成的无机层，通过进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射而形成最上层，从而能够形成与有机层的密合性好的无机层。

优选地，进行了使用水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射后，进行使用了水蒸汽的等离子体处理而形成上述无机层。即使这样地构成，也能够同样地形成与有机层的密合性好的无机层。

本发明的成膜装置是具备下述的成膜装置：具备在被处理基板上形成无机层的无机层形成设备的无机层形成室、具备形成包含含氟树脂的有机层的有机层形成设备的有机层形成室，其特征在于，上述无机层形成设备包含向无机层形成室内导入水蒸汽的水蒸汽导入设备、溅射靶和对该溅射靶施加电压的电压施加设备，上述无机层形成室中，通过上述水蒸汽导入设备将水蒸汽导入无机层形成室内，通过上述电压施加设备施加电压，生成等离子体，在上述被处理基板上形成无机层，然后，通过上述有机层形成设备将上述有机层形成于形成了上述无机层的被处理基板。本发明的成膜装置中，通过利用水蒸汽导入设备导入水蒸汽作为反应性气体，由此形成无机层，从而能够形成与有机层的密合性高的层。

作为本发明的优选的实施方式，可列举上述无机层形成室与上述有机层形成室各自具备真空排气设备，同时被依次串联地配置。

此外，作为形成多层层叠的无机层的情形下优选的实施方式，可列举在上述成膜装置的中央设置作为将被处理基板设置于其表面的上述搬运设备的转鼓，同时在该转鼓的周围划分并设置有上述无机层形成室和上述有机层形成室。

发明的效果

根据本发明的成膜方法和成膜装置，不依赖于使用次数，发挥成膜的包含含氟树脂的有机层与无机层的密合性高的优异的效果。

附图说明

图1是采用实施方式1的成膜方法得到的层叠结构的断面示意图。

图2是表示实施方式1涉及的成膜装置的概略构成的示意图。

图3是采用实施方式2的成膜方法得到的层叠结构的断面示意图。

图4是表示实施方式2涉及的成膜装置的概略构成的示意图。

具体实施方式

(实施方式1)

以下对于本发明使用图1进行说明。图1是层叠结构1的断面示意图。层叠结构1由透明基板2、在透明基板2上成膜的无机层3和在无机层3上层叠的防污层4组成。

透明基板2保护在一侧(无机层3的相反侧)收容的元件而构成触摸面板。作为这样的透明基板2的材料，可列举例如透明树脂膜或玻璃等。本实施方式中由玻璃制成。再有，本实施方式中的透明基板2并不限定于透射率为100％的透明基板，也包含所谓的半透明的基板。

无机层3用于提高防污层4与透明基板2的密合性。后面将详细说明，该无机层3通过在成膜时采用使用了水蒸汽的反应性溅射形成，从而提高了与防污层4的密合性。

无机层3由无机材料形成。本实施方式中，如上所述为了提高与防污层的密合性，作为无机材料，可列举选自Si、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Sn、Zn、Mg和In中的至少1种的金属的氧化物、氧化氮化物、氮化物。这些中，优选氧化硅、氮化硅、氮化氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化氧化铝、氧化钛、氧化镁、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钽、氧化铌、氧化锆等，能够将这些的1种单独地使用或者将这些任意地混合使用。本实施方式中，作为无机材料，包含Si。

无机层3的厚度能够在1～1000nm、优选地5～150nm的范围适当地设定。如果无机层3的厚度不到上述的范围，则不能显现密合性。此外，如果无机层3的厚度超过上述的范围，相反容易产生应力等引起的裂纹，同时成膜所需的时间延长，不优选。

防污层4是含氟的有机层，通过形成了该防污层4，从而保护触摸面板的表面免受例如人体接触所产生的损伤、指纹等。构成防污层4的氟系树脂，可列举高分子主链具有例如CF₂＝、-CF₂-、-CFH-等重复单元的氟系树脂，本实施方式中，使用了具有直链结构的全氟聚醚基的氟系树脂。此外，构成本实施方式中的防污层4的氟系树脂在该高分子主链的末端具有硅原子，烷氧基通过氧-硅键加成于位于高分子主链末端的硅原子。

作为防污层4的膜厚，并无特别限制，能够在0.0005～5μm的范围适当地设定。这是因为，如果不到0.0005μm，显现充分的防污垢附着功能变得困难，此外，如果超过5μm，产生光透射率的降低等。

该层叠结构1如下所述形成。

首先，在作为玻璃基板的透明基板2上形成无机层3。作为这样的无机层3的成膜方法，可列举例如CVD法、等离子体CVD法、溅射法、离子镀法等，作为溅射法，还可列举ECR溅射法、反应性溅射法、偏置溅射法、正交电磁场型溅射法等。本实施方式中，采用反应性溅射法形成。作为采用反应性溅射的成膜条件，为溅射靶：Si靶、非活性气体：Ar、反应性气体：水蒸汽(H₂O)、Ar气流量：10～200sccm、水蒸汽流量：100～400sccm、输入功率：1～12kW。本实施方式的成膜条件为溅射靶：Si靶、非活性气体：Ar、反应性气体：水蒸汽(H₂O)、Ar气流量：30sccm、水蒸汽流量：300sccm、输入功率：8kW。再有，作为非活性气体，可使用能够在溅射中通常使用的非活性气体、例如He、Ne等。

这样，在本实施方式中，通过采用使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射法形成无机层3，从而在水蒸汽中含有的OH基与无机层3的表面结合。通过这样地OH基与无机层3的表面结合，与防污层4的密合性提高。即，在无机层3上形成了防污层4的情况下，烷氧基通过氧-硅键与位于构成防污层4的氟系树脂的高分子主链末端的硅原子加成，通过使该烷氧基水解，而成为羟基。而且，该羟基与该无机层3表面的OH基脱水缩合反应，形成硅氧烷键。通过这样地形成硅氧烷键，无机层3与防污层4更牢固地粘结，能够提高密合性。

这种情况下，为了使OH基与无机层3的表面结合，进行反应性溅射时如果使用水蒸汽作为反应性气体，则能够简易地且价格低地进行处理而优选。

例如进行使用了氧作为反应性气体的反应性溅射形成氧化硅层后，进行水蒸汽中的等离子体处理而使OH基与氧化硅层的表面结合的情形下也能够使OH基与无机层3的表面结合。但是，通过如本实施方式那样进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射而形成无机层3，从而能够使工序减少一个，能够减少生产节拍时间。

本实施方式中，只使用水蒸汽作为反应性气体进行反应性溅射，但也可进一步导入其他的反应性气体。作为其他的反应性气体，为氧气等含O气体、氢气等含H气体。

然后，在该无机层3上形成防污层4。作为防污层4的形成方法，可列举涂布法、蒸镀法等，本实施方式中使用蒸镀法。

作为蒸镀法，可列举真空蒸镀法、离子束蒸镀法、电阻加热蒸镀法，本实施方式中使用在规定的压力状态下加热蒸镀源进行蒸镀的电阻加热蒸镀法。所谓规定的压力状态，为1×10^-4～1×10^-2Pa。本实施方式中，边保持压力以成为2×10^-3～4×10^-4Pa，边利用加热设备将作为蒸镀源的商品名オプツールDSX(ダイキン工业株式会社制)加热到220℃，形成了厚2nm的蒸镀膜。

对于本实施方式涉及的成膜装置，以下使用图2进行说明。成膜装置10是所谓的串联式的成膜装置，将对于基板进行规定的处理的处理室串联地连接。成膜装置10依次具备负载锁定(load lock)室11、无机层形成室12和防污层形成室13。再有，成膜装置10内，用作为搬运设备的搬运托盘支持并搬运透明基板2。再有，本实施方式中所谓搬运设备，由放置透明基板2的搬运托盘和使搬运托盘移动的移动设备组成。

从大气中将透明基板2搬入负载锁定室11。以如下方式构成负载锁定室11：其中设置有未图示的真空泵，将负载锁定室11内真空排气到规定的真空度，能够保持该真空度。再有，虽然未图示，但在各处理室能够设置真空泵，使每个处理室成为所需的真空度。

无机层形成室12用于对于透明基板2采用溅射法形成无机层3(参照图1)。将被搬运到无机层形成室12的透明基板2用未图示的搬运设备设置在基板设置位置121。无机层形成室12以如下方式设置：其中，以与设置于该基板设置位置121的透明基板2对向的方式，用靶支持部123支持溅射靶122。以如下方式构成靶支持部123：使高频电源124与靶支持部123连接，能够对溅射靶122施加电压。

溅射靶122根据无机层适当地设定材料。本实施方式中，由于形成SiO₂膜作为无机层，因此作为溅射靶122，设置金属硅靶。

此外，在无机层形成室12，经由第1阀126设置封入了非活性气体的第1气体封入部125。通过调节第1阀126的开度，能够从第1气体封入部125将所需量的非活性气体导入无机层形成室12内。本实施方式中，在第1气体封入部125中封入了作为非活性气体的Ar气。此外，在无机层形成室12，经由第2阀128设置了封入了反应性气体的第2气体封入部127。通过调节该第2阀128的开度，能够从第2气体封入部127将所需量的反应性气体导入无机层形成室12内。在第2气体封入部127封入了作为反应性气体的H₂O气体。

防污层形成室13用于采用蒸镀法在透明基板2的无机层上形成防污层4(参照图1)。将搬运到防污层形成室13的透明基板2用未图示的搬运设备设置于基板设置位置131。在防污层形成室13中，以与设置的透明基板2对向的方式设置蒸镀设备132。蒸镀设备132采用蒸镀方法，本实施方式中，将未图示的蒸镀源设置在具备加热设备的坩埚中。

对该成膜装置10中的成膜进行说明。如果将透明基板2搬运到负载锁定室11，则在负载锁定室11中进行排气，成为真空状态。成为了所需的真空状态后，将透明基板2搬运到无机层形成室12。在无机层形成室12中，对于透明基板2形成无机层。具体地，调节第1阀126、第2阀128的开度，从第1气体封入部125和第2气体封入部127分别将非活性气体和反应性气体导入无机层形成室12，同时从高频电源124对溅射靶122施加电压，开始反应性溅射，形成无机层3。

接下来，将透明基板2从无机层形成室12搬运到防污层形成室13。在防污层形成室13中，在无机层3上形成防污层4。具体地，利用加热设备加热坩埚，对于搬运的透明基板2的无机层3附着被加热的蒸镀源，形成防污层4。

形成了防污层4后，将透明基板2搬运到负载锁定室11，在负载锁定室11中大气开放后从成膜装置10搬出。

这样，在本实施方式的成膜装置10中，通过在无机层形成室12中使用水蒸汽作为反应性气体进行反应性溅射，从而能够简易地使水蒸汽中的OH基附着于无机层3的表面，由此能够提高无机层3与防污层4的密合性。

(实施方式2)

对于本实施方式涉及的层叠结构，使用图3进行说明。如图3中所示，本实施方式涉及的层叠结构1A中，无机层3A由多层构成这点与实施方式1中所示的无机层3(参照图1)不同。

本实施方式中的无机层3A将第1无机层31和第2无机层32依次形成多层，并且在其最上层(即与防污层4密合的层)，具有上述的使用水蒸汽作为反应性气体进行反应性溅射而形成的第3无机层33。该本实施方式中的无机层3A作为上述的无机层3(参照图1)发挥功能，同时也作为减反射层发挥功能。由于在该无机层3A的表面设置的第3无机层33也通过使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射形成，因此与防污层4的密合性高。

作为无机层3A的材料，能够使用与上述的无机层3相同的材料，可列举Si、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Sn、Zn、Mg和In，可列举为包含其中的一种或2种以上并且在第1无机层31和第2无机层32中不同的材料。再有，第3无机层33与第1无机层31或第2无机层32可以是同一材料。此外，作为第1无机层31，可列举氧化硅、氮化硅、氮化氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化氧化铝、氧化钛、氧化镁、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钽、氧化铌、氧化锆等，将这些中的1种或2种以上混合而成。特别地，作为第1无机层31，可列举氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化钛(TiO₂)，特别优选第1无机层31为Ta₂O₅膜。对于第3无机层33，在与上述的无机层3相同的条件下形成，本实施方式中为氧化硅。

再有，本实施方式中，无机层3A排除第3无机层33而将2种膜依次重叠，但并不限定于此，也可将3种以上的膜依次重叠。

形成本实施方式中的无机层3A的情况下，作为各层的成膜方法，可列举例如CVD法、等离子体CVD法、溅射法、离子镀法等，作为溅射法，还可列举ECR溅射法、反应性溅射法、偏置溅射法、正交电磁场型溅射法等。本实施方式中，各自采用反应性溅射法形成各层。

例如，形成这样的密合层3A的情况下，第1无机层31的形成条件为溅射靶：Ta靶、溅射气体：Ar+O₂、Ar气流量：50～500sccm、O₂气流量：50～500sccm、输入功率：1～10kW。第2无机层32的形成条件为溅射靶：Si靶、溅射气体：Ar+O₂、Ar气流量：50～500sccm、O₂气流量：50～500sccm、输入功率：1～10kW。使用水蒸汽作为反应性气体的第3无机层33的形成条件为溅射靶：Si靶、非活性气体：Ar、反应性气体：H₂O、Ar气流量：10～200sccm、H₂O气流量：100～400sccm、输入功率：1～12kW。

本实施方式中，第1无机层31的形成条件为溅射靶：Ta靶、溅射气体：Ar+O₂、Ar气流量：100sccm、O₂气流量：300sccm、输入功率：8kW。第2无机层32的形成条件为溅射靶：Si靶、溅射气体：Ar+O₂、Ar气流量：50sccm、O₂气流量：200sccm、输入功率：8kW。使用水蒸汽作为反应性气体的第3无机层33的形成条件为溅射靶：Si靶、非活性气体：Ar、反应性气体：H₂O、Ar气流量：30sccm、H₂O气流量：300sccm、输入功率：8kW。

对于形成这样的层叠结构1A的成膜装置，使用图4进行说明。

本实施方式涉及的成膜装置20在中央部设置有转鼓21。在该转鼓21设置有多张透明基板2。即，以转鼓21作为基板设置部发挥功能的方式构成本实施方式中的成膜装置20。转鼓21能够旋转，对于在转鼓21的表面设置的多张透明基板2，进行各处理。成膜装置20设置有未图示的真空泵，由此能够使成膜装置20内成为所需的真空度。

将成膜装置20的内部进一步划分为多个处理室。本实施方式中，成膜装置20在其圆周方向，被划分为第1层形成室22、第2层形成室23和防污层形成室24。第1层形成室22与第2层形成室23处于彼此对向的位置，防污层形成室24位于第1层形成室22与第2层形成室23之间。

第1层形成室22与第2层形成室23以能够都采用溅射法形成第1无机层31和第2无机层32(参照图3)的方式构成。即，第1层形成室22中采用溅射法形成第1无机层31，在第2层形成室23中，采用溅射法形成第2无机层32。再有，将在后面详述，以能够形成第3无机层33的方式构成第2层形成室23。

在第1层形成室22中，一对第1层用溅射靶221各自被靶支持部222支持而设置。使高频电源223与各靶支持部222连接。由此，对一对第1层用溅射靶221各自施加彼此正负相反的电压。此外，对于第1层形成室22，将封入了非活性气体的第3气体封入部224经由第3阀225与其连接，同时使封入了反应性气体的第4气体封入部226经由第4阀227与其连接。本实施方式中，在第3气体封入部224中封入了作为非活性气体的Ar气，在第4气体封入部226中封入了作为反应性气体的O₂气。

在第2层形成室23中，一对第2层用溅射靶231各自被靶支持部232支持地设置。使高频电源233与靶支持部232连接。此外，对于第2层形成室23，使封入了非活性气体的第5气体封入部234经由第5阀235与其连接，同时使封入了反应性气体的第6气体封入部236经由第6阀237与其连接。本实施方式中，在第5气体封入部234中封入了作为非活性气体的Ar气，在第6气体封入部中封入了O₂气。

进而，使封入了作为反应性气体的水蒸汽的第7气体封入部238经由第7阀239与第2层形成室23连接。即，本实施方式中，以如下方式构成第2层形成室23：其中，在反应性溅射时作为反应性气体能够导入水蒸汽，由此能够形成第3无机层33。

在防污层形成室24设置有蒸镀设备241。蒸镀设备241采用蒸镀方法，本实施方式中，将未图示的蒸镀源设置于具备加热设备的坩埚中。

对该成膜装置20中的成膜进行说明。将多个透明基板2搬运到成膜装置20，将搬运的透明基板2彼此留有规定的间隔地设置于转鼓21。然后，对成膜装置20内进行排气，成为所需的真空状态。成为了真空状态后，开始转鼓21的旋转。使转鼓21沿一方向连续旋转直至对于全部的透明基板2完成全部的膜的成膜。

首先，在第1层形成室22中实施使用了氧的反应性溅射，将作为Ta₂O₅膜的第1无机层31形成于透明基板2。接下来，使转鼓21旋转，在转鼓21上设置的另外的透明基板2上形成第1无机层31，如果形成第1无机层31则再次使转鼓21旋转。这样完成成膜于全部的转鼓21上的透明基板2时，接下来开始第2无机层32(参照图3)的形成。即，在第2层形成室23中实施使用了水蒸汽的反应性溅射法，将第2无机层32形成于透明基板2。

如果这样在各透明基板2的第1无机层31上形成第2无机层32，则再次在第1层形成室22中开始溅射，在第2无机层32上形成第1无机层31。然后，通过按如下顺序依次层叠第1无机层31和第2无机层32，从而形成无机层3A(参照图3)的层叠部分。

然后，第2层形成室23中，使用水蒸汽作为反应性气体，进行反应性溅射，在形成的无机层3A(参照图3)的层叠部分上形成第3无机层33。由此，形成无机层3A。

最后，在无机层3A上形成防污层4(参照图3)。具体地，在防污层形成室24中开始蒸镀设备241的蒸镀源的加热，在透明基板2的无机层3A上使加热的蒸镀源附着而形成防污层。

形成了防污层4后，将成膜装置20在大气中开放，将成膜有防污层4的透明基板2从成膜装置20搬出。

这样，在本实施方式的成膜装置20中，通过在第2层形成室23中使用水蒸汽作为反应性气体，进行反应性溅射，形成第3无机层33，能够简易地使水蒸汽中的OH基附着在无机层3A的表面，由此能够提高无机层3A与防污层4的密合性。

以下通过实施例对本发明的实施方式详细地说明。

(实施例1)

采用实施方式1涉及的成膜装置，在表1中所示的各条件下形成了层叠结构1。再有，对于没有记载的条件，与实施方式1中记载的内容相同。

(比较例1)

除了在无机层的形成工序中在反应性溅射中没有使用水蒸汽而使用了氧气这点以外，在与实施例1完全相同的条件下形成了层叠结构。

(比较例2)

除了在无机层的形成工序中在反应性溅射中没有使用水蒸汽而使用氧气形成了氧化硅膜这点以及在反应性溅射后进行使用了水蒸汽的等离子体处理而分别使OH基附着于氧化硅膜的表面这点以外，在与实施例1完全相同的条件下形成了层叠结构。等离子体处理的条件为水蒸汽流量：150sccm、输入功率：1500kW。

(实施例2)

采用使用了水蒸汽的反应性溅射的无机层的形成工序后在保持真空的状态下进行使用了水蒸汽的等离子体处理(条件与比较例2相同)，然后设置防污层，除了这点以外，在与实施例1完全相同的条件下形成了层叠结构。

(实施例3)

采用实施方式2涉及的成膜装置，在表1中所示的各条件下形成第3无机层33，形成了层叠结构1A。再有，对于没有记载的条件，与实施方式2中记载的内容相同。

(比较例3)

除了无机层的形成工序中反应性溅射中没有使用水蒸汽这点(即，没有形成第3无机层这点)以外，在与实施例3完全相同的条件下形成了层叠结构。

对于实施例1～3和比较例1～3的层叠结构分别进行耐久试验，确认了密合性。耐久试验是用施加了载荷(1000g/cm²)的钢丝绒在各层叠结构的防污层表面滑动，磨损后将水滴落到防污层表面，测定该水滴的接触角成为了105度以下时的滑动次数。即，滑动次数越多，则防污层越难以剥离，表示密合性越高。将结果一并示于表1。

如表1中所示可知，在全部的实施例中，相对于比较例，滑动次数多，与防污层的密合性提高。实施例2中，使用水蒸汽作为反应性气体形成了无机层后进行了使用了水蒸汽的等离子体处理，但获得了与实施例1同样的结果。由此可知，无论等离子体处理的有无，通过在无机层形成时使用水蒸汽，能够形成密合性足够高的膜。将实施例1与比较例2进行比较可知，与进行等离子体处理的情形相比，实施例1的情形的密合性高，如实施方式1那样进行使用了水蒸汽的反应性溅射与形成氧化硅膜后进行使用了水蒸汽的等离子体处理相比，能够获得更高的效果。再有，即使是比较例2的情形下，与比较例1相比也能够获得效果，因此确认通过使OH基附着于无机层表面，密合性提高。

(其他实施方式)

本发明并不限定于上述的实施方式。例如，成膜装置并不限定于实施方式1和2中列举的成膜装置，只要能够实施各实施方式涉及的成膜方法即可。例如，可如下构成：在一个成膜装置内能够设置在本实施方式中的等离子体处理室中设置的等离子体处理设备、蒸镀设备，使基板与它们对向地设置。

上述的实施方式中，使用非活性气体和反应性气体进行了反应性溅射，但并不限定于此，也可只导入反应性气体来进行反应性溅射。

此外，在实施方式2涉及的成膜装置20中，以彼此相对的方式设置了第1层形成室22和第2层形成室23，但并不限定于此，可以以例如邻接的方式设置。

进而，在成膜装置20中，以能够在第2层形成室23中形成第3无机层33的方式构成，但并不限定于此，也可以以能够在第1层形成室22中形成第3无机层33的方式构成。即，可以以能够将水蒸汽导入形成使用与第3无机层33的无机材料相同的材料的层的室内的方式构成，并无限定。此外，也能够设置能够形成第3无机层33的第3层形成室。

此外，实施方式2中，在两个溅射靶之间施加了高频电压，但并不限于这样的所谓双重式的溅射方法。例如，可对单一的溅射靶连接高频电源，在接地的基板与溅射靶之间施加高频电压。

实施方式2中，作为无机层3A，列举了也作为减反射层发挥功能的膜，但并不限定于此，也可以是其他的光学功能膜。

实施方式2中，在第2无机层32上形成了第3无机层33，但并不限定于此，可将多个第1无机层31和第2无机层32依次层叠，然后在形成了第1无机层31后形成第3无机层33。

上述的各实施方式中，形成了防污层作为有机层，但作为有机层的功能，并不限定于防污性。

附图标记的说明

1、1A 层叠结构

2 透明基板

3、3A 无机层

4 防污层

10 成膜装置

11 负载锁定室

12 无机层形成室

13 防污层形成室

20 成膜装置

21 转鼓

22 第1层形成室

23 第2层形成室

24 防污层形成室

31 第1无机层

32 第2无机层

33 第3无机层

Claims (7)

1.成膜方法，是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，其特征在于，形成上述无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在该无机层上形成上述有机层。

2.权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，上述无机层为包含选自Si、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Sn、Zn、Mg和In中的至少1种的层。

3.权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，将2个以上的无机膜层叠而形成上述无机层，该无机膜中，至少最上层通过进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射而形成。

4.权利要求1～3的任一项所述的成膜方法，其特征在于，进行了使用水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射后，进行使用了水蒸汽的等离子体处理，形成上述无机层。

5.成膜装置，其具备：具备在被处理基板上形成无机层的无机层形成设备的无机层形成室、具备形成包含含氟树脂的有机层的有机层形成设备的有机层形成室；

该成膜装置特征在于：

上述无机层形成设备包括向无机层形成室内导入水蒸汽的水蒸汽导入设备、溅射靶和对该溅射靶施加电压的电压施加设备，

在上述无机层形成室中，通过上述水蒸汽导入设备将水蒸汽导入无机层形成室内，通过上述电压施加设备施加电压生成等离子体，从而在上述被处理基板上形成无机层，

然后，通过上述有机层形成设备，将上述有机层形成于形成了上述无机层的被处理基板。

6.权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，上述无机层形成室和上述有机层形成室各自具备真空排气设备，同时被依次串联地配置。

7.权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，在上述成膜装置的中央设置作为将被处理基板设置于其表面的搬运设备的转鼓，同时在该转鼓的周围划分并设置上述无机层形成室和上述有机层形成室。