JP5800414B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
前記無機層を形成する際に、Arと反応性ガスとしてH 2 Oを用い、それぞれの流量を0≦Ar/H 2 O≦33%を満たすように設定した反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで該無機層上に前記有機層を形成することを特徴とする。
前記ArとH 2 Oの流量を0≦Ar/H 2 O≦10%を満たすように設定して前記無機層を形成することを特徴とする。
前記無機層の厚みは5〜150nmであり、前記有機層の膜厚は0.0005〜5μmであることを特徴とする。
以下、本発明について図1を用いて説明する。図1は、積層構造1の模式的断面図である。積層構造1は、透明基板2と、透明基板2上に成膜された無機層3と、無機層3上に積層された防汚層4とからなる。
初めに、ガラス基板である透明基板2上に、無機層3を形成する。このような無機層3の成膜方法としては、例えば、CVD法、プラズマCVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられ、スパッタリング法としては、さらに、ECRスパッタリング法、反応性スパッタリング法、バイアススパッタリング法、直交電磁界型スパッタリング法等が挙げられる。本実施形態では、反応性スパッタリング法により形成する。反応性スパッタリングによる成膜条件としては、スパッタリングターゲット:Siターゲット、不活性ガス:Ar、反応性ガス:水蒸気(H2O)、Arガス流量:10〜200sccm、水蒸気流量:100〜400sccm、投入パワー:1〜12kWである。本実施形態の成膜条件は、スパッタリングターゲット:Siターゲット、スパッタリングガス:Ar+H2O、Arガス流量:30sccm、H2Oガス流量:300sccm、投入パワー:8kWである。なお、不活性ガスとしては、スパッタリングにおいて通常用いることができる不活性ガス、例えばHe、Ne等を用いてもよい。
て金属シリコンターゲットが設置されている。
本実施形態にかかる積層構造について、図3を用いて説明する。図3に示すように、本実施形態にかかる積層構造1Aでは、無機層3Aが複数層からなる点が実施形態1に示す無機層3(図1参照)とは異なる。
本実施形態にかかる成膜装置20は、中央部に回転ドラム21が設けられている。この回転ドラム21には、複数枚の透明基板2が設けられる。即ち、本実施形態における成膜装置20では、回転ドラム21が基板設置部として機能するように構成されている。回転ドラム21は、回転可能であり、回転ドラム21の表面に設置された複数の透明基板2に対して、各処理が行われる。成膜装置20は、図示しない真空ポンプが設けられており、これにより成膜装置20内を所望の真空度とすることができる。
実施形態1にかかる成膜装置により表1に示す各条件で積層構造1を形成した。なお、記載のない条件については実施形態1に記載したものと同一である。
実施例1とは、無機層の形成工程で反応性スパッタリングにおいて水蒸気を用いずに酸素を用いた点以外は全て同一の条件で積層構造を形成した。
実施例1とは、無機層の形成工程で反応性スパッタリングにおいて水蒸気を用いずに酸素を用いて酸化シリコン膜を形成した点、及び反応性スパッタリング後に水蒸気を用いたプラズマ処理を行って酸化シリコン膜の表面にOH基をそれぞれ付着させた点以外は全て同一の条件で積層構造を形成した。プラズマ処理の条件は、水蒸気流量:150sccm、投入パワー:1500kWである。
実施例1とは、水蒸気を用いた反応性スパッタリングによる無機層の形成工程後、真空を保持したまま水蒸気を用いたプラズマ処理を行い(条件は比較例2と同一)、その後防汚層を設けた点以外は全て同一の条件で積層構造を形成した。
実施形態2にかかる成膜装置により表1に示す各条件で第3無機層33を形成し、積層構造1Aを形成した。なお、記載のない条件については実施形態2に記載したものと同一である。
実施例3とは、無機層の形成工程で反応性スパッタリングにおいて水蒸気を用いなかった点(即ち第3無機層を形成しなかった点)以外は全て同一の条件で積層構造を形成した。
本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、成膜装置は実施形態1及び2に挙げたものに限定されず、各実施形態にかかる成膜方法を実施することができるものであればよい。例えば、一つの成膜装置内に、本実施形態におけるプラズマ処理室に設けられたプラズマ処理手段、蒸着手段を設け、基板をこれらに対向するようにして設置することができるように構成してもよい。
2 透明基板
3、3A 無機層
4 防汚層
10 成膜装置
11 ロードロック室
12 無機層形成室
13 防汚層形成室
20 成膜装置
21 回転ドラム
22 第1層形成室
23 第2層形成室
24 防汚層形成室
31 第1無機層
32 第2無機層
33 第3無機層
Claims (4)
- 被処理基板に成膜された無機物からなる無機層上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、
前記無機層を形成する際に、Arと反応性ガスとしてH 2 Oを用い、それぞれの流量を0≦Ar/H 2 O≦33%を満たすように設定した反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで該無機層上に前記有機層を形成することを特徴とする成膜方法。 - 前記無機層が、Si、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Sn、Zn、Mg及びInから選ばれた少なくとも1種を含む層であることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記ArとH 2 Oの流量を0≦Ar/H 2 O≦10%を満たすように設定して前記無機層を形成することを特徴とする請求項1又は2記載の成膜方法。
- 前記無機層の厚みは5〜150nmであり、前記有機層の膜厚は0.0005〜5μmであることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜方法。
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JP2011123832A JP5800414B2 (ja) | 2011-06-01 | 2011-06-01 | 成膜方法 |
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