CN201343569Y - 连续式平面磁控溅射镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，具有顺序排列连接的进片室、前过渡室、镀膜室、后过渡室和出片室，进片室和前过渡室、前过渡室和镀膜室、镀膜室和后过渡室以及后过渡室和出片室之间分别设置有隔离阀门，进片室和出片室上分别管道连接有第一真空机组，前过渡室和后过渡室上分别管道连接有第二真空机组，镀膜室上管道连接有第三真空机组。本实用新型可按工艺要求，分别在玻璃上镀上增透介质层和导电层，同时选用的不同真空机组以满足镀膜过程中对真空度的不同要求，从而确保镀膜过程的一致性、连续性和可控性以及镀膜层的均匀，保证了触摸屏用导电玻璃的质量，满足了大批量生产的要求。

Description

连续式平面磁控溅射镀膜设备

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜设备，尤其是一种用于触摸屏用导电玻璃表面镀膜的连续式平面磁控溅射镀膜设备。

背景技术

触摸屏用导电玻璃上的导电层氧化铟锡(ITO)膜的制备方法主要有喷涂法、化学气相沉积法、浸渍法、真空蒸镀法和溅射镀膜法，其中的磁控溅射镀膜技术应用最广，所获得的膜层质量也更理想。触摸屏用导电玻璃要求有稳定的面电阻和较高的可见光透过率，通常玻璃本身的透过率只有90％左右，在镀上导电层氧化铟锡(ITO)膜后透过率会下降，因此为了达到镀膜后玻璃的透过率在94％以上，玻璃必须镀成增透膜，它与其它的光学薄膜有较大区别，对膜的增透和膜层厚度的均匀性要求较高，主要有五氧化二铌和二氧化硅组成的增透介质层膜以及氧化铟锡(ITO)的导电层膜，镀膜时需在玻璃上依次镀上增透介质层膜和导电层膜，而目前使用的镀膜设备在可控性方面及镀膜的均匀性方面效果并不理想，也不利于大批量生产。

实用新型内容

本实用新型的目的是：提供一种可控性好，镀膜效果均匀，可满足大批量生产要求的连续式平面磁控溅射镀膜设备。

本实用新型实现其目的所采用的技术方案是：一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，具有顺序排列连接的进片室、前过渡室、镀膜室、后过渡室和出片室，进片室和前过渡室、前过渡室和镀膜室、镀膜室和后过渡室以及后过渡室和出片室之间分别设置有隔离阀门，进片室和出片室上分别管道连接有第一真空机组，前过渡室和后过渡室上分别管道连接有第二真空机组，镀膜室上管道连接有第三真空机组。

具体说，为了实现镀膜过程的连续性和可控性，确保镀膜层的均匀，所述的镀膜室包括顺序排列的五氧化二铌镀膜室、二氧化硅镀膜室和氧化铟锡镀膜室，五氧化二铌镀膜室和二氧化硅镀膜室以及二氧化硅镀膜室和氧化铟锡镀膜室之间分别设置有隔离阀门。

为保证镀膜时的真空度要求，所述的第一真空机组包括通过管道依次连接的滑阀真空泵、前级罗茨真空泵和后级罗茨真空泵，后级罗茨真空泵通过真空阀与进片室或出片室管道连接；所述的第二真空机组包括通过管道连接的滑阀真空泵、罗茨真空泵和高真空泵，高真空泵与前过渡室或后过渡室管道连接；所述的第三真空机组包括通过管道连接的滑阀真空泵、前级罗茨真空泵、后级罗茨真空泵和高真空泵，高真空泵与镀膜室管道连接。

进一步说，所述的高真空泵为涡轮分子泵。

本实用新型的有益效果是，本实用新型采用了一体式的镀膜室结构，并在此镀膜室中分列设置有既隔离又可连通的可镀不同膜层的独立镀膜室，由此可按工艺要求，分别在玻璃上镀上增透介质层和导电层，从而确保镀膜过程的一致性、连续性和可控性以及镀膜层的均匀，同时真空机组选用滑阀真空泵加罗茨真空泵加涡轮分子泵的组合，满足了镀膜时对镀膜室真空度的要求，保证了触摸屏用导电玻璃的质量。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中1.进片室  2.前过渡室  3.镀膜室  31.五氧化二铌镀膜室32.二氧化硅镀膜室  33.氧化铟锡镀膜室  4.后过渡室  5.出片室6.隔离阀门  7.第一真空机组  71.滑阀真空泵  72.前级罗茨真空泵73.后级罗茨真空泵  74.真空阀  8.第二真空机组  81.罗茨真空泵82.涡轮分子泵  9.第三真空机组  10.放气阀

具体实施方式。

现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，具有顺序排列连接的进片室1、前过渡室2、镀膜室3、后过渡室4和出片室5，进片室1和前过渡室2、前过渡室2和镀膜室3、镀膜室3和后过渡室4以及后过渡室4和出片室5之间分别设置有隔离阀门6，进片室1和出片室5上分别管道连接有第一真空机组7，前过渡室2和后过渡室4上分别管道连接有第二真空机组8，镀膜室3上管道连接有第三真空机组9。

其中，所述的镀膜室3包括顺序排列的五氧化二铌镀膜室31、二氧化硅镀膜室32和氧化铟锡镀膜室33，由于各功能膜的溅射的工作条件不同，因此在五氧化二铌镀膜室31和二氧化硅镀膜室32以及二氧化硅镀膜室32和氧化铟锡镀膜室33之间分别设置有隔离阀门6进行隔离，待镀膜的玻璃在进入镀膜室3后，按照工艺要求，可依次采用PEM等离子体控制法反应磁控溅射在玻璃上镀上五氧化二铌膜层，而后采用压电陶瓷阀控制反应磁控溅射在五氧化二铌膜层上镀上二氧化硅膜层，再在二氧化硅膜层上采用直流磁控溅射镀上氧化铟锡膜层。

本实用新型针对各工作室不同的真空度要求，选用不同的真空机组来满足使用要求，第一真空机组7包括通过管道串联连接的滑阀真空泵71、前级罗茨真空泵72和后级罗茨真空泵73，后级罗茨真空泵73通过真空阀74与进片室1或出片室2管道连接；第二真空机组8包括通过管道连接的滑阀真空泵71、罗茨真空泵81和大抽气量涡轮分子泵82，涡轮分子泵82与前过渡室2或后过渡室4管道连接；第三真空机组9包括通过管道连接的滑阀真空泵71、前级罗茨真空泵72和后级罗茨真空泵73，后级罗茨真空泵73再与涡轮分子泵82管道相连，涡轮分子泵82则通过管道与镀膜室3连通。

工作时，首先在手动条件下，与镀膜室3相连的第三真空机组9依靠滑阀真空泵71+前级罗茨真空泵72+后级罗茨真空泵73将镀膜室3内气体压强抽到10帕以下时，大抽气量的涡轮分子泵82工作开始抽高真空，当达到工艺真空度要求以及达到工艺温度等条件后，转入自动程序。此时，进片室1的放气阀10在进片室1与前过渡室2之间的隔离阀门6关闭的条件下工作，进片室1变成大气压，工件进入进片室1，放气阀10关闭，第一真空机组7工作，将进片室1抽到3帕以下，进片室1和前过渡室2之间的隔离阀门6打开，工件送入前过渡室2后关闭隔离阀门6，进片室1再重复放气接工件，前过渡室2的工件在短暂停留预热并抽除因进片室1较差真空造成的杂气后，打开前过渡室2与镀膜室3之间的隔离阀门6，工件进入镀膜室3进行镀膜，镀膜后的工件经后过渡室4冷却后从出片室5送出。

以上述依据本实用新型的实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (6)

1.一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：具有顺序排列连接的进片室(1)、前过渡室(2)、镀膜室(3)、后过渡室(4)和出片室(5)，进片室(1)和前过渡室(2)、前过渡室(2)和镀膜室(3)、镀膜室(3)和后过渡室(4)以及后过渡室(4)和出片室(5)之间分别设置有隔离阀门(6)，进片室(1)和出片室(5)上分别管道连接有第一真空机组(7)，前过渡室(2)和后过渡室(4)上分别管道连接有第二真空机组(8)，镀膜室(3)上管道连接有第三真空机组(9)。

2.根据权利要求1所述的连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：所述的镀膜室(3)包括顺序排列的五氧化二铌镀膜室(31)、二氧化硅镀膜室(32)和氧化铟锡镀膜室(33)，五氧化二铌镀膜室(31)和二氧化硅镀膜室(32)以及二氧化硅镀膜室(32)和氧化铟锡镀膜室(33)之间分别设置有隔离阀门(6)。

3.根据权利要求1所述的连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：所述的第一真空机组(7)包括通过管道连接的滑阀真空泵(71)、前级罗茨真空泵(72)和后级罗茨真空泵(73)，后级罗茨真空泵(73)通过真空阀(74)与进片室(1)或出片室(5)管道连接。

4.根据权利要求1所述的连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：所述的第二真空机组(8)包括通过管道连接的滑阀真空泵(71)、罗茨真空泵(81)和高真空泵，高真空泵与前过渡室(2)或后过渡室(4)管道连接。

5.根据权利要求1所述的连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：所述的第三真空机组(9)包括通过管道连接的滑阀真空泵(71)、前级罗茨真空泵(72)、后级罗茨真空泵(73)和高真空泵，高真空泵与镀膜室(3)管道连接。

6.根据权利要求4或5所述的连续式平面磁控溅射镀膜设备，其特征是：所述的高真空泵为涡轮分子泵(82)。

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