CN203689494U - 一种电容触摸屏用的消影结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型属于电容触摸屏技术领域，尤其涉及一种电容触摸屏用的消影结构，其包括一玻璃底板，玻璃底板上依次重叠布置有二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜。本实用新型通过将二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜依次重叠布置于玻璃底板上，如此，改变了容触摸屏的消影结构。实际制作中，先将氧化铟锡布置于玻璃底板上，保证了氧化铟锡的方阻值固定，然后再根据氧化铟锡方阻和成膜效果去调节氮化硅膜的消影效果，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，提高用户的视觉享受。进一步地，二氧化硅膜通过真空磁控连续镀设于玻璃底板上，氧化铟锡膜通过磁控溅射沉积于二氧化硅膜上。如此，设置的更加均匀牢固。

Description

一种电容触摸屏用的消影结构
技术领域
本实用新型属于电容触摸屏技术领域，尤其涉及一种电容触摸屏用的消影结构。
背景技术
电容触摸屏用的ITO玻璃是一种透电导电玻璃，这是由普通白玻璃上加一层透明导电膜而构成。ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。ITO玻璃的性能指标为透过率和电阻，透过率为显示产品最重要的性能参数。
通常，如图1所示，电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀以后形成图案，但是由于单面ITO玻璃的反射率较高，会存在ITO底影效果，严重影响触摸屏的外观及产品性能。为了消除ITO底影，传统上采用在玻璃基板10上，先将五氧化二铌(Nb2O5)通过磁控溅射镀到玻璃基板10表面，形成一个五氧化二铌层20作为消影膜层，然后再覆上二氧化硅层30，最后再覆上氧化铟锡层30，再去观察消影的效果，其结构是glass+Nb2O5+SiO2+ITO。实际制作电容触摸屏时，既要确保氧化铟锡的方阻值在预定范围内，又要确保消影效果，在镀设五氧化二铌后，再微调氧化铟锡的方阻值，获得较好的消影效果。
如此，极易造成消影效果合格时，氧化铟锡的方阻值不达标；或是，氧化铟锡的方阻值达标时，消影效果不合格，也就是现有的电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果，良品率低，不能满足市场需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电容触摸屏用的消影结构，旨在解决现有技术中电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果的问题。
本实用新型是这样实现的：一种电容触摸屏用的消影结构，包括一玻璃底板，所述玻璃底板上依次堆叠有二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜，所述氧化铟锡膜上蚀刻有用于显示图像的线路。
进一步地，所述玻璃底板为白玻璃板。
较佳地，所述二氧化硅膜通过真空磁控连续镀设于所述玻璃底板上。
具体地，所述氧化铟锡膜通过磁控溅射沉积于所述二氧化硅膜。
更具体地，所述氮化硅膜镀设于所述氧化铟锡膜上。
较佳地，所述二氧化硅膜的厚度为200-600埃。
具体地，所述氧化铟锡膜的厚度为150-1200埃。
更具体地，所述氮化硅膜的厚度为300-500埃。
本实用新型通过将二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜依次重叠布置于玻璃底板上，如此，改变了现有电容触摸屏的消影结构。实际制作中，先将氧化铟锡布置于玻璃底板上，保证了氧化铟锡的方阻值一定，然后再根据氧化铟锡方阻和成膜效果去调节氮化硅膜的消影效果，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，提高用户的视觉享受。
附图说明
图1是现有技术中一种电容触摸屏消影结构的示意图；
图2是本实用新型实施例提供的一种电容触摸屏用的消影结构的示意图；标记说明：
10-玻璃基板；20-五氧化二铌层；30-二氧化硅层；40-氧化铟锡层；
1-玻璃底板；2-二氧化硅膜；3-氧化铟锡膜；4-氮化硅膜。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供的一种电容触摸屏用的消影结构，其包括一玻璃底板1，玻璃底板1上依次重叠布置有二氧化硅膜2、氧化铟锡膜3以及氮化硅膜4，该氧化铟锡膜3蚀刻有用于显示图像的线路。如此设置，将氮化硅膜4作为减反层（也是消影层），改变了现有电容触摸屏的消影结构。依据多层膜的光学干涉作用，使反射率减小，可以达到消除氧化铟锡膜3上线路显示的目的。实际制作中，氧化铟锡先布置于玻璃底板1上，保证氧化铟锡的方阻值一定后，再根据氧化铟锡的方阻值和成膜效果去调节氮化硅膜4的消影效果，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，同时兼顾了氧化铟锡方阻值一定以及电容触摸屏的消影效果，提高了用户的视觉享受。
具体地，本实施例中，采用白玻璃板作为玻璃底板1。利用真空磁控连续镀膜机，通过真空磁控连续镀将SiO2镀设于白玻璃板上，一层二氧化硅膜2被沉积在普通白玻璃上作为底层，即Glass+SiO2结构，二氧化硅膜2的厚度控制在
Figure BDA0000451648550000031
（埃）。二氧化硅膜2可以阻止玻璃中的钠离子扩散，并且可以增加下一道膜层与玻璃之间的附着力。也就是，在低气压下，通入氧气，电子在电场作用于下，与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar离子，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极硅靶，并以高能量轰击硅靶表面，将部分动量传给硅原子，此硅原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的硅原子获得向外运动的足够动量，离开硅靶被溅射出来，即靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的硅原子沉积在白色玻璃上形成二氧化硅薄膜。
当然，还可在阴极硅靶的表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
在完成二氧化硅薄膜的制作后，通过磁控溅射将氧化铟锡（ITO）沉积于二氧化硅膜2上，即在二氧化硅膜2上沉积一层氧化铟锡膜3作为导电膜层，氧化铟锡膜3的厚度为
Figure BDA0000451648550000041
（埃），即Glass+SiO2+ITO结构。这样，在氧化铟锡膜3上通过黄光制作用于显示图像的线路，作为电容触摸屏的基础。
在做好“黄光”处理的氧化铟锡膜3上镀氮化硅膜4作为消影层，氮化硅膜4的厚度为
Figure BDA0000451648550000042
（埃），即glass+SiO2+ITO+SiNX（氮化硅）结构，这样，氧化铟锡膜3上的线路看起来就不明显，视觉效果更好。
下面对电容触摸屏用的消影结构的制作过程进行说明：
采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，将白玻璃置于该镀膜机中，镀膜温度设置在180℃～280℃，镀膜室传动节拍设置为120秒；使用3个Si靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行镀氧化铟锡膜3，其中Si靶的溅射功率为1300W～1400W，ITO靶的溅射功率为8500W～9000W,O2流量为100～130Sccm、Ar离子流量为200～220Sccm、真空度在3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa；如此，依次将二氧化硅膜2、氧化铟锡膜3镀设于白玻璃上。当然，采用其他钠钙基或硅硼基玻璃作为玻璃底板1也是可行的。
在镀上氧化铟锡（ITO）膜后，使其经过曝光、显影、蚀刻后，这时线路图形已经做出，即经过“黄光”处理。
然后，在氧化铟锡（ITO）膜上镀设一层氮化硅膜4，镀膜温度设置范围为180℃～220℃，镀膜室传动节拍为130秒；使用2个Si靶，其中Si靶的溅射功率为1300W～1400W，N2流量为100～130Sccm，Ar离子流量为200～220Sccm、真空度在3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。
如此，获得的SiO2膜厚为
Figure BDA0000451648550000043
SiO2+ITO透过率为90.5%；ITO膜厚
Figure BDA0000451648550000044
ITO膜面电阻为70Ω/□～100Ω/□，glass+SiO2+ITO+SiNX透过率（550nm波长）为≥88%；反射率明显减小，这样，获得的电容触摸屏的消影结构，既保证了方阻值处预设的范围内，又保证了消影效果，符合市场需求，更具市场竞争力。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电容触摸屏用的消影结构，包括一玻璃底板，其特征在于，所述玻璃底板上依次堆叠有二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜，所述氧化铟锡膜上蚀刻有用于显示图像的线路。
2.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述玻璃底板为白玻璃板。
3.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述二氧化硅膜通过真空磁控连续镀设于所述玻璃底板上。
4.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述氧化铟锡膜通过磁控溅射沉积于所述二氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述氮化硅膜镀设于所述氧化铟锡膜上。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述二氧化硅膜的厚度为200-600埃。
7.根据权利要求1-5任一项所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述氧化铟锡膜的厚度为150-1200埃。
8.根据权利要求1-5任一项所述的一种电容触摸屏用的消影结构，其特征在于：所述氮化硅膜的厚度为300-500埃。
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