CN103699286A

CN103699286A - 一种电容触摸屏的消隐制作方法

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Publication number: CN103699286A
Application number: CN201310753923.XA
Authority: CN
Inventors: 黄亮; 陈凯; 黄受林; 刘锡钢; 樊斌杰
Original assignee: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO Ltd
Current assignee: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO Ltd
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2014-04-02

Abstract

本发明属于电容触摸屏技术领域，尤其涉及一种电容触摸屏的消隐制作方法，其步骤为：先在玻璃基片上采用真空磁控连续镀沉积一层二氧化硅膜，作为底层；然后，在所述二氧化硅膜上，通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡膜，作为导电膜层；最后，在所述氧化铟锡膜上镀设一层氮化硅膜，作为消影层。本发明先将氧化铟锡布置于玻璃基片上，易于控制氧化铟锡的方阻值处于一个预定范围内，然后再根据氧化铟锡方阻和成膜效果去调节氮化硅膜的参数，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，达到一个较佳的消影效果，提高用户的视觉享受，解决了电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果的问题，符合市场要求，市场竞争力强。

Description

一种电容触摸屏的消隐制作方法

技术领域

本发明属于电容触摸屏技术领域，尤其涉及一种电容触摸屏的消隐制作方法。

背景技术

电容触摸屏用的ITO玻璃是一种透电导电玻璃，这是由普通白玻璃上加一层透明导电膜而构成。ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。

液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。ITO玻璃的性能指标为透过率和电阻，透过率为显示产品最重要的性能参数。

通常，如图1所示，电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀以后形成图案，但是由于单面ITO玻璃的反射率较高，会存在ITO底影效果，严重影响触摸屏的外观及产品性能。为了消除ITO底影，传统上采用在玻璃基板10上，先将五氧化二铌(Nb₂O₅)通过磁控溅射镀到玻璃基板10表面，形成一个五氧化二铌层20作为消影膜层，然后再覆上二氧化硅层30，最后再覆上氧化铟锡层30，再去观察消影的效果，其结构是glass+Nb₂O₅+SiO₂+ITO。实际制作电容触摸屏时，既要确保氧化铟锡的方阻值在预定范围内，又要确保消影效果，在镀设五氧化二铌后，再微调氧化铟锡的方阻值，获得较好的消影效果。

如此，极易造成消影效果合格时，氧化铟锡的方阻值不达标，或是，氧化铟锡的方阻值达标时，消影效果不合格，也就是现有的电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果，良品率低，不能满足市场需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容触摸屏的消隐制作方法，旨在解决现有技术中电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果，良品率低的问题。

本发明是这样实现的：先在玻璃基片上采用真空磁控连续镀沉积一层二氧化硅膜，作为底层；然后，在所述二氧化硅膜上，通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡膜，作为导电膜层；最后，在所述氧化铟锡膜上镀设一层氮化硅膜，作为消影层。

进一步地，在所述玻璃基片上沉积一层二氧化硅膜之前，先将所述玻璃基片清洗、吹干。

具体地，在所述玻璃基片上沉积一层二氧化硅膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度设置范围：180℃～280℃，镀膜室传动节拍：120秒，使用3个硅靶，氧气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa，所述硅靶的溅射功率为1300W～1400W。

更具体地，所述二氧化硅膜的厚度为

进一步地，在所述二氧化硅膜上沉积一层氧化铟锡膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度设置范围：180℃～280℃，镀膜室传动节拍为120秒，使用2个氧化铟锡靶，氧气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa，所述氧化铟锡靶的溅射功率为8500W～9000W。

具体地，所述氧化铟锡膜的厚度为

进一步地，在所述氧化铟锡膜上镀设一层氮化硅膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度为：180℃～220℃，镀膜室传动节拍为130秒；使用2个硅靶，Si溅射功率1300W～1400W，氮气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。

具体地，所述氮化硅膜厚度为

本发明先将氧化铟锡沉积于玻璃基片上，易于控制氧化铟锡的方阻值处于一个预定范围内，然后再根据氧化铟锡方阻和成膜效果去调节氮化硅膜的参数，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，达到一个较佳的消影效果，提高用户的视觉享受。如此，通过将二氧化硅膜、氧化铟锡膜和氮化硅膜依次重叠布置于玻璃底板上，如此，改变了现有电容触摸屏的消影结构，解决了电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果的问题，符合市场要求，市场竞争力强。

附图说明

图1是现有技术中一种电容触摸屏消隐结构的示意图；

图2是本发明实施例提供的一种电容触摸屏用的消隐结构的示意图；

标记说明：

10-玻璃基片；20-五氧化二铌层；30-二氧化硅层；40-氧化铟锡层；

1-玻璃基片；2-二氧化硅膜；3-氧化铟锡膜；4-氮化硅膜。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供的制作电容触摸屏消隐结构的方法是：先在玻璃片1上采用真空磁控连续镀沉积一层二氧化硅膜2，作为底层；然后，在所述二氧化硅膜2上，通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡膜3，作为导电膜层；最后，在所述氧化铟锡膜3上镀设一层氮化硅膜4，作为消影层。本发明先将氧化铟锡沉积于玻璃片1上，易于控制氧化铟锡的方阻值处于一个预定范围内，然后再根据氧化铟锡方阻和成膜效果去沉积氮化硅膜4作为消影层，便于调节氮化硅膜4的参数，如厚度、均匀度等，从而使得氧化铟锡上的线路不明显，达到一个较佳的消影效果，提高用户的视觉享受。如此，通过将二氧化硅膜2、氧化铟锡膜3和氮化硅膜4依次重叠布置于玻璃底板上，如此，改变了现有电容触摸屏的消影结构，从而先保证氧化铟锡的方阻要求，再去保证消影效果，制作简便，解决了电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡方阻值和消影效果的问题，符合市场要求，市场竞争力强。

具体地，在所述玻璃片1上沉积一层二氧化硅膜2之前，先将所述玻璃片1清洗、吹干。采用普通白玻璃作为玻璃片1，将经过清洗、吹干的普通白玻璃的放置于立式全自动连续磁控溅射镀膜机中，将镀膜温度设置范围在180℃～280℃，镀膜室传动节拍为120秒，使用3个硅靶，硅靶的溅射功率设置在1300W～1400W之间，氧气流量控制在100～130Sccm、Ar流量控制在200～220Sccm、真空度在3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。于普通白玻璃上沉积一层

厚度的二氧化硅膜2，作为底层，即Glass+SiO₂结构。优选地，沉积二氧化硅膜2厚度为

二氧化硅膜2可以阻止玻璃中的钠离子扩散，并且可以增加下一道膜层与玻璃之间的附着力。也就是，在低气压下，通入氧气，电子在电场作用于下，与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar离子，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极硅靶，并以高能量轰击硅靶表面，将部分动量传给硅原子，此硅原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的硅原子获得向外运动的足够动量，离开硅靶被溅射出来，即靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的硅原子沉积在白色玻璃上形成二氧化硅薄膜。

当然，还可在阴极硅靶的表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

然后，在上述二氧化硅膜2上通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡（ITO）膜，作为导电膜层，即Glass+SiO₂+ITO结构。这样，可在氧化铟锡膜3上制作用于显示图像的线路，作为电容触摸屏的基础。镀膜温度设置在180℃～280℃，镀膜室传动节拍为120秒，使用2个氧化铟锡靶，氧化铟锡靶的溅射功率为8500W～9000W，氧气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。沉积的氧化铟锡膜3厚度为

优选地，沉积一层

厚的氧化铟锡膜3于二氧化硅膜2层上。

镀好氧化铟锡膜3后，使之经过曝光、显影、蚀刻，于氧化铟锡上制作线路图形，用于显示，最后，在氧化铟锡膜3上镀设一层氮化硅膜4，作为消影层，即glass+SiO2+ITO+SiN_X（氮化硅）结构，这样，氧化铟锡膜3上的刻蚀线看起来就不明显，视觉效果更好。将镀膜温度为180℃～220℃，镀膜室传动节拍为130秒；使用2个硅靶，硅靶的溅射功率为1300W～1400W，氮气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。沉积的氮化硅膜4厚度为300-500

如此，制作出的电容触摸屏消隐结构的透过率为90.5%，透过率（550nm波长）≥88%；氧化铟锡的电阻为70Ω/□～100Ω/□，反射率有明显减小，同时兼顾了电容触摸屏的方阻值和消影效果，也就是保证了电容触摸屏的显示效果，符合市场需求，更具有市场竞争力。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于，先在玻璃片上采用真空磁控连续镀沉积一层二氧化硅膜，作为底层；然后，在所述二氧化硅膜上，通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡膜，作为导电膜层；最后，在所述氧化铟锡膜上镀设一层氮化硅膜，作为消影层。

2.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：在所述玻璃片上沉积一层二氧化硅膜之前，先将所述玻璃片清洗、吹干。

3.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：在所述玻璃片上沉积一层二氧化硅膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度设置范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为120秒，使用3个硅靶，氧气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa，所述硅靶的溅射功率为1300W～1400W。

4.根据权利要求3所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：所述二氧化硅膜的厚度为

5.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：在所述二氧化硅膜上沉积一层氧化铟锡膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度设置范围：180℃～280℃，镀膜室传动节拍为120秒，使用2个氧化铟锡靶，氧气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa，所述氧化铟锡靶的溅射功率为8500W～9000W。

6.根据权利要求5所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：所述氧化铟锡膜的厚度为

7.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：在所述氧化铟锡膜上镀设一层氮化硅膜时，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行，镀膜温度为：180℃～220℃，镀膜室传动节拍为130秒；使用2个硅靶，Si溅射功率1300W～1400W，氮气流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、真空度为3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。

8.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏的消隐制作方法，其特征在于：所述氮化硅膜厚度为