CN110194598A - 玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种玻璃面板，包括玻璃面板本体、设置在玻璃面板本体至少一侧表面的抗静电膜层、设置在抗静电膜层上的二氧化硅层和设置在二氧化硅层上的AF防指纹膜，所述抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。本发明实施例通过在玻璃面板本体和AF防指纹膜之间引入抗静电膜层，降低了玻璃面板在撕膜操作中产生的静电，可以避免现有手机等电子产品在组装过程中，因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。本发明实施例还提供了该玻璃面板的制备方法、及包含该玻璃面板的显示屏和终端。

Description

玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端
技术领域
本发明实施例涉及触摸屏技术领域，特别是涉及玻璃面板及其制备方法、及包含该玻璃面板的显示屏和终端。
背景技术
手机等电子产品触摸屏在组装与运输过程中，为避免触摸屏表面玻璃面板被划伤，需采用保护膜对玻璃面板表面进行保护。而为了提高玻璃面板抗脏污与爽滑性能，通常在玻璃面板表面形成有一层抗指纹(Anti-Fingerprint，AF)膜层，AF膜层材料包括全氟聚醚硅氧烷，主要含碳、氧、氟、硅元素，其中氟原子吸电子能力强，且AF材料阻抗＞1013Ω，其绝缘性导致电荷转移率低。因此当AF膜层上设置有保护膜，在将保护膜从触摸屏表面撕除时，容易产生较高静电压，且静电荷短时间内难以耗散。在智能手机等电子产品组装产线的来料检验、点胶压合等工序中都存在撕膜操作。撕膜产生的静电荷可能会从玻璃表面向下传导到触摸屏BTB(Button to Button，板对板)管脚端，组装过程中BTB管脚触碰金属中框或其他金属材料时会形成放电回路，产生电流泻放可能损伤IC芯片，导致触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。为避免触摸屏组装生产时撕膜产生的静电导致的显示不良，急需开发一种降低触摸屏玻璃面板撕膜静电的方法。
发明内容
鉴于此，本发明实施例提供一种玻璃面板，通过在玻璃面板本体和AF防指纹膜之间引入抗静电膜层，可以降低触摸屏玻璃面板在撕膜过程中产生的静电，以在一定程度上解决现有手机等电子产品组装过程中，因撕膜产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。
本发明实施例第一方面提供一种玻璃面板，包括玻璃面板本体、设置在所述玻璃面板本体至少一侧表面的抗静电膜层、设置在所述抗静电膜层上的二氧化硅层和设置在所述二氧化硅层上的AF防指纹膜，所述抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。
本发明实施方式中，所述抗静电膜层中可包含二氧化硅。二氧化硅的引入可以调节膜层折射率，降低抗静电膜层对玻璃面板光学性能影响。
本发明实施方式中，所述抗静电膜层可以是单层膜结构或多层膜结构。
本发明一实施方式中，当所述抗静电膜层中包含二氧化硅，且为单层膜结构时，所述二氧化硅与所述一种或多种金属氧化物混合形成所述抗静电膜层。
本发明另一实施方式中，当所述抗静电膜层中包含二氧化硅，且为多层膜结构时，所述抗静电膜层包括多个金属氧化物层，每两个所述金属氧化物层之间夹设一层二氧化硅层。
本发明实施方式中，所述抗静电膜层的厚度在0.1nm-1000nm的范围内，进一步地，厚度可控制在2nm-500nm的范围内。适合厚度的设置，可以是使玻璃面板具有较低撕膜电压的同时，保持良好的透过率和高屏幕触控灵敏度。
本发明实施方式中，所述抗静电膜层的表面电阻率在1.0×105Ω-9.9×1012Ω的范围内，进一步地，表面电阻率在1.0×108Ω-9.9×1010Ω。抗静电膜层具有较低表面电阻率，电荷在该膜层的转移率较高，因而可以释放撕膜产生的静电荷，避免撕膜产生的静电导致的触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示问题。
本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-300nm的范围内。二氧化硅层的设置可以调节膜层折射率降低抗静电膜层对玻璃面板光学性能影响，同时二氧化硅层的设置可以提高AF防指纹膜层在玻璃面板表面的附着力。
本发明实施方式中，所述玻璃面板本体与所述抗静电膜层之间还设置有过渡层，所述过渡层的材质包括二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。过渡层的设置可以提高抗静电膜层在玻璃面板表面的附着力。
本发明实施方式中，所述过渡层的厚度在0.1nm-100nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-10nm的范围内。
本发明实施方式中，所述玻璃面板的可见光透过率在85％-96％范围内，进一步地，可见光透过率在91％-93％范围内。
本发明实施例第一方面提供的玻璃面板，通过在AF镀膜工序中构建特殊的抗静电膜层，大幅度降低了触摸屏玻璃面板在撕膜过程产生的静电，可以避免触摸屏组装过程中因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。
第二方面，本发明实施例提供了一种玻璃面板的制备方法，包括：
玻璃面板本体经化学强化、油墨印刷后置于真空镀膜机中，在所述玻璃面板本体表面依次制备抗静电膜层、二氧化硅层和AF防指纹膜，得到玻璃面板，所述抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种。
本发明实施方式中，采用热蒸发或磁控溅射的方式制备所述抗静电膜层和所述二氧化硅层。
本发明实施方式中，采用热蒸发或喷涂的方式制备所述AF防指纹膜。
本发明实施方式中，在制备所述抗静电膜层时，进一步引入二氧化硅，以使所述抗静电膜层中进一步包含二氧化硅。
本发明实施方式中，所述制备方法进一步包括，在制备所述抗静电膜层之前，先在所述玻璃面板本体表面制备一过渡层，所述过渡层的材质包括二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。
本发明实施方式中，所述过渡层的厚度在0.1nm-100nm的范围内，进一步地，过渡层厚度可在1nm-10nm的范围内。
本发明实施例第二方面提供的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
本发明实施例第三方面还提供一种显示屏，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上的玻璃面板，所述玻璃面板包括本发明实施例第一方面所述的玻璃面板。所述显示屏可以是触摸显示屏。
本发明实施例还提供一种终端，其包括玻璃面板，所述玻璃面板包括本发明实施例第一方面所述的玻璃面板。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；
图2为本发明另一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的终端的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例进行说明。
请参见图1，本发明实施例提供一种玻璃面板100，包括玻璃面板本体10、设置在玻璃面板本体10至少一侧表面的抗静电膜层11、设置在抗静电膜层11上的二氧化硅层12和设置在二氧化硅层12上的AF防指纹膜13。其中，抗静电膜层11的材质可包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。
本发明实施例的玻璃面板100可以是显示屏上的玻璃面板，显示屏可包括显示屏模组和覆盖在显示屏模组上的玻璃面板。具体地，本发明实施方式中，显示屏可以是触摸显示屏。
本发明实施例的玻璃面板，通过在玻璃面板本体10和AF防指纹膜13之间引入抗静电膜层11，这样在撕膜操作的过程中，撕膜产生的静电荷可以被从空气、人体或其他导体导入到抗静电膜层中的异种电荷中和，从而可以降低撕膜操作产生的静电压，减少从玻璃表面向下传导到触摸屏板对板管脚端的静电荷，从而可以避免触摸屏组装过程中因撕膜产生的静电而导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示问题的产生。其中，抗静电膜层11可以为无机膜层，可通过热蒸发或磁控溅射制备，工艺简单，与玻璃面板本体10表面的结合力强，不会影响AF防指纹膜13在玻璃表面的附着。
本发明实施方式中，抗静电膜层11可以是单层膜结构，也可以是多层膜结构，每一个膜层可以是单一材质，也可以是混合材质。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层11的厚度可设置在0.1nm-1000nm的范围内，抗静电膜层越厚，玻璃面板表面电阻率越低，撕膜静电压越低，但会导致屏幕触控失灵以及玻璃面板透过率降低。在本发明一些具体实施例中，抗静电膜层11的厚度可设置在2nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可设置在10nm-200nm的范围内，更进一步地，厚度可设置在10nm-120nm的范围内。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层11的表面电阻率在1.0×105Ω-9.9×1012Ω的范围内，进一步地，表面电阻率可在1.0×108Ω-9.9×1010Ω范围内。具体地，抗静电膜层表面电阻率由膜层的组成、厚度、致密度等因素决定，因此可通过调节抗静电膜层11的组成、厚度、致密度等参数来进行电阻率调控。抗静电膜层11具有较低电阻率，电荷在该膜层的转移率相对较高，因而可以有效、快速释放撕膜产生的静电荷，从而避免撕膜产生的静电导致的触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示不良现象的产生。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层11中可引入二氧化硅形成复合膜层，二氧化硅的引入可以调节膜层折射率，降低抗静电膜层对玻璃面板光学性能影响。具体地，本发明一些实施例中，抗静电膜层11可以为单层膜结构，材质为二氧化硅与一种或多种金属氧化物形成的混合材料。本发明另一些实施例中，抗静电膜层11也可为多层膜结构，抗静电膜层11包括多个透明导电氧化物层，每两个金属氧化物层之间夹设一层二氧化硅层。通过在每两个金属氧化物层之间夹设一层二氧化硅层，可以更好地调节膜层折射率。
在本发明一些实施例中，二氧化硅层12的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-300nm的范围内。二氧化硅层12的设置可以提高全氟聚醚硅氧烷在玻璃表面的接枝率，提升AF防指纹膜在玻璃面板表面的附着力。同时，二氧化硅层12的设置可以调节膜层折射率，降低抗静电膜层对玻璃面板光学性能影响。二氧化硅层12的具体厚度可根据抗静电膜层折射率和厚度进行设定。
本发明实施方式中，触摸屏玻璃面板撕膜电压评价方法可以为，在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s。由于本发明实施例的玻璃面板，在玻璃面板本体与AF防指纹膜之间引入抗静电膜层，抗静电膜层可以释放撕膜产生的静电荷，因此，相比现有未设置抗静电膜层的触摸屏面板，在相同测试条件下，本发明实施例的玻璃面板在撕膜操作产生的电压更低。
为了提高抗静电膜层在玻璃面板本体10表面的附着力，在本发明一些实施例中，如图2所示，玻璃面板本体10与抗静电膜层11之间还设置有过渡层14，过渡层14的材质包括但不限于二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。在本发明一些实施例中，过渡层14的厚度可设置在0.1nm-100nm的范围内，进一步地，厚度可设置在1nm-10nm的范围内。过渡层14较薄不利于抗静电膜层13在玻璃面板本体表面附着，过渡层14较厚时影响玻璃面板本体10的光学性能。过渡层14可以根据实际情况设置不同的厚度。
本发明实施方式中，玻璃面板本体10可以是现有常规的玻璃材质，包括但不限于是化学强化的铝硅玻璃面板。为了满足应用需求，玻璃面板100的可见光透过率可控制在85％-96％范围内，进一步地，可见光透过率在91％-93％范围内。AF防指纹膜13可以为现有常规膜层，膜层中包含全氟聚醚硅氧烷，膜层厚度可为5nm-50nm。
本发明实施例的玻璃面板可以是手机、平板电脑、智能穿戴等电子产品中的玻璃面板。
相应地，本发明实施例提供了上述玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
玻璃面板本体经化学强化、油墨印刷后置于真空镀膜机中，在玻璃面板本体表面依次制备抗静电膜层、二氧化硅层和AF防指纹膜，得到玻璃面板。其中，抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。
在本发明一些实施例中，可采用真空物理沉积的方式制备抗静电膜层，具体地，以ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物晶体为蒸发源，采用电子枪加热蒸发金属氧化物晶体制备得到抗静电膜层。金属氧化物晶体的纯度可以为95-99.99wt％。在本发明另一些实施例中，也可以采用磁控溅射的方式制备抗静电膜层。具体地，以锌靶、铟锡合金靶、铝锌合金板、氟掺杂锡靶、铝靶、铌靶、镍靶、锡靶、铟靶和钛靶中的一种或多种金属靶为靶材，并在氧气气氛下，通过磁控溅射制备得到抗静电膜层，金属靶的纯度可以为90-99.99wt％。当然，在本发明其他一些实施例中，还可以采用其他可实现的方式制备抗静电膜层。
在本发明一些实施例中，可采用热蒸发的方式制备二氧化硅层。具体地，通过电子枪加热蒸发纯度为95-99.99wt％的SiO2晶体。在本发明另一些实施例中，也可以采用磁控溅射的方式制备二氧化硅层。具体地，采用硅靶(单质硅含量90-99.99wt％)磁控溅射氧化制备。
本发明一些实施方式中，可采用热蒸发的方式制备AF防指纹膜。具体地，加热AF膜料药丸，使AF分子蒸镀于玻璃面板上，AF膜料的化学成分为全氟聚醚硅氧烷，分子量为300g/mol-8000g/mol。本发明另一些实施方式中，也可采用喷涂的方式制备AF防指纹膜。AF防指纹膜厚度可控制在5nm-50nm范围内，进一步地，厚度可控制在10nm-25nm范围内。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层、二氧化硅层和AF防指纹膜三个膜层可在同一制程中镀膜完成，以提高镀膜效率，节约成本。在本发明其他一些实施例中，抗静电膜层、二氧化硅层和AF防指纹膜也可以在不同制程中镀膜完成。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层的厚度可设置在0.1nm-1000nm的范围内，进一步地厚度可设置在2nm-500nm的范围内，更进一步地，厚度可设置在10nm-200nm的范围内，再进一步地，厚度可设置在10nm-120nm的范围内。
在本发明一些实施例中，抗静电膜层的表面电阻率在1.0×105Ω-9.9×1012Ω的范围内，进一步地，表面电阻率在1.0×108Ω-9.9×1010Ω的范围内。
在本发明一些实施例中，二氧化硅层的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度在1nm-300nm的范围内。
本发明实施方式中，在制备所述抗静电膜层时，可进一步引入二氧化硅，以使所述抗静电膜层中进一步包含二氧化硅。本发明一些实施方式中，抗静电膜层为单层膜结构，二氧化硅与一种或多种金属氧化物形成混合材质膜层。本发明另一些实施方式中，抗静电膜层为多层膜结构，抗静电膜层包括多个金属氧化物层，每两个金属氧化物层之间夹设有一层二氧化硅。
本发明实施方式中，上述制备方法还可以进一步包括，在制备抗静电膜层之前，先在玻璃面板本体表面制备一过渡层，以提高抗静电膜层在玻璃表面的结合力，过渡层的材质包括但不限于二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。在本发明一些实施例中，过渡层的厚度可设置在0.1nm-100nm的范围内，进一步地厚度在1nm-10nm的范围内。
本发明实施方式中，将玻璃面板置于真空镀膜机的真空腔后，先抽真空至10Pa-10-3Pa，进行等离子体处理，等离子处理结束后，再进行抗静电膜层的制备。等离子体处理具体可以是采用Ar、N2、O2气体中的一种或多种气氛配合RF射频离子源、霍尔离子源或辉光放电离子源轰击玻璃面板表面。等离子体处理的时间可以是300s-350s。
本发明实施方式中，化学强化的操作可以是现有常规的操作，可以是进行一步离子交换，也可以进行两步离子交换。具体地，在本发明一些实施例中，可以是将玻璃面板置于NaNO3与KNO3的熔盐中进行化学强化处理。
本发明实施方式中，玻璃面板本体在进行化学强化和油墨印刷之后，可以包括采用水和/或洗涤剂进行清洗的步骤。
本发明实施例上述提供的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
如图3所示，本发明实施例还提供一种终端200，其包括本发明实施例上述的玻璃面板100。本发明一些实施例中，终端200为手机，手机设置有玻璃面板100，抗静电膜层和AF防指纹层设置在玻璃面板100朝向终端外部的一侧表面上，即使用者可接触的一侧表面。在本发明其他一些实施例中，也可根据实际应用需求，在玻璃面板100的两侧表面上均设置抗静电膜层和AF防指纹层。在其他一些实施例中，该终端200也可以是平板电脑、智能穿戴产品等其他需要使用玻璃面板的产品。
下面以手机触摸屏玻璃面板的制备为例，分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。
实施例一
一种手机触摸屏玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)根据手机触摸屏面板尺寸与外形轮廓，将铝硅类玻璃基材切割成相应尺寸玻璃面板，并通过扫磨或热弯或CNC成型相应外形轮廓玻璃面板；
(2)再将玻璃面板放置于NaNO3与KNO3熔盐中进行化学强化处理，得到化学强化后的玻璃面板，随后清洗干净并干燥后，通过丝印、移印或黄光工艺在玻璃面板背面(朝向手机内部的一侧表面)印刷油墨，再清洗干净并干燥后备用；
(3)将步骤(2)所得玻璃面板放入真空镀膜机的真空腔内，抽真空到5.0×10-2Pa，在600sccm O2气氛下采用RF射频离子源进行等离子处理300s。等离子处理结束后，待真空度稳定在3.0×10-2Pa时，采用电子枪加热蒸发纯度为99.99wt％SiO2晶体在玻璃面板正面(朝向手机外部的一侧表面)蒸镀SiO2膜，镀膜温度为25℃，SiO2膜沉积速率为0.1nm/s，SiO2膜层厚度为5nm；镀膜SiO2膜后，待真空度稳定在2.0×10-2Pa，通过电子枪加热蒸发纯度为99.99wt％的ZnO晶体蒸镀ZnO膜，镀膜温度为25℃，ZnO膜沉积速率0.05nm/s，ZnO膜层厚度3nm；镀膜ZnO膜后，待真空度稳定在1.5×10-2Pa，再通过电子枪加热蒸发纯度为99.99wt％的SiO2晶体蒸镀SiO2膜；镀膜温度为25℃，SiO2膜沉积速率0.1nm/s，SiO2膜层厚度80nm；形成SiO2膜-ZnO膜-SiO2膜结构。待真空度稳定在9.0×10-3Pa，加热AF膜料靶材，镀膜温度为25℃，AF膜沉积速率为0.1nm/s；AF膜层厚度为20nm；形成SiO2膜-ZnO膜-SiO2膜-AF膜结构。待AF镀膜完成后，将玻璃面板从真空镀膜机真空腔中取出，得到手机触摸屏玻璃面板。
为考察本发明实施例手机触摸屏玻璃面板制备方法的可行性，将本发明实施例一制备的手机触摸屏玻璃面板组装成显示屏，并进行撕膜静电测试。测试方法为：在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s。测试结果显示，本发明实施例一手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压为155V-343V，在相同测试条件下，相比常规AF镀膜(SiO2膜+AF膜)手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压566V-880V，本发明实施例的玻璃面板的撕膜电压大幅降低，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。
为进一步分析抗静电膜层的静电耗散机理，测试得到实施例一中抗静电膜层的电阻率为2.0×1010Ω·cm，低于常规AF镀膜的电阻率1013Ω·cm。由上述测试结果可以看出，本发明实施例中抗静电膜层的构建，提高了玻璃面板静电消散速率，使玻璃面板撕膜电压大幅降低。
本发明实施例的SiO2膜-ZnO膜-SiO2膜-AF膜结构，通过一步镀膜工艺即可制备而成，过程高效便捷，成本低廉，有利于大规模工业化生产。
实施例二
一种手机触摸屏玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)和(2)同实施例一；
(3)将油墨印刷后的玻璃面板放入真空镀膜机的真空腔内，抽真空到4.0×10-2Pa，在700sccm O2气氛下采用霍尔离子源进行等离子处理350s。等离子处理结束后，待真空度稳定在2.0×10-2Pa，通过硅靶(纯度90.01wt％)在玻璃面板正面磁控溅射制备SiO2·Si复合膜，镀膜温度为23℃，SiO2·Si复合膜沉积速率0.1nm/s，SiO2·Si膜层厚度1nm；镀膜SiO2膜后，待真空度稳定在1.0×10-2Pa，通过铝锌合金靶(纯度93.03wt％)磁控溅射制备AZO膜，镀膜温度为24℃，AZO膜沉积速率0.04nm/s，AZO膜层厚度2nm；镀膜AZO膜后，待真空度稳定在1.1×10-2Pa，再通过硅靶(纯度90.01wt％)磁控溅射制备SiO2膜，镀膜温度为26℃，SiO2膜沉积速率0.08nm/s，SiO2膜层厚度60nm，形成SiO2膜-AZO膜-SiO2膜结构。待真空度稳定在8.0×10-3Pa，加热AF膜料靶材，镀膜温度为22℃，AF膜沉积速率0.07nm/s，AF膜层厚度24nm，形成SiO2膜-AZO膜-SiO2膜-AF膜结构；待AF镀膜完成后，将玻璃面板从真空镀膜机真空腔中取出，得到低撕膜电压手机触摸屏玻璃面板。
经检测，实施例二制备的手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压仅151V-314V，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。
实施例三
一种手机触摸屏玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)和(2)同实施例一；
(3)将油墨印刷后的玻璃面板放入真空镀膜机的真空腔内，抽真空到4.0×10-2Pa，在800sccm Ar/O2气氛下采用辉光放电进行等离子处理350s。等离子处理结束后，待真空度稳定在4.0×10-2Pa，采用电子枪加热蒸发纯度为95.55wt％的SiO2晶体在玻璃面板正面蒸镀SiO2膜，镀膜温度为24℃，SiO2膜沉积速率0.3nm/s，SiO2膜层厚度9nm；镀膜SiO2膜后，待真空度稳定在1.7×10-2Pa，通过电子枪加热蒸发纯度为91.11wt％的ZnO晶体蒸镀ZnO膜，镀膜温度为28℃，ZnO膜沉积速率0.01nm/s，ZnO膜层厚度4nm；镀膜ZnO膜后，待真空度稳定在1.3×10-2Pa，再通过电子枪加热蒸发纯度为95.55wt％的SiO2晶体蒸镀SiO2膜，镀膜温度为26℃，SiO2膜沉积速率0.2nm/s，SiO2膜层厚度100nm；镀膜SiO2膜后，待真空度稳定在8.0×10-3Pa，通过电子枪增发纯度为95wt％的FTO晶体蒸镀FTO膜，镀膜温度为29℃，FTO膜沉积速率0.05nm/s，FTO膜层厚度为2nm；镀膜FTO膜后，待真空度稳定在7.5×10-3Pa，再通过电子枪加热蒸发纯度为95.55wt％的SiO2晶体蒸镀SiO2膜，镀膜温度为27℃，SiO2膜沉积速率0.2nm/s，SiO2膜层厚度50nm；镀膜SiO2膜后，加热AF膜料靶材，镀膜温度为21℃，AF膜沉积速率0.07nm/s，AF膜层厚度为24nm，形成SiO2膜-ZnO膜-SiO2膜-FTO膜-SiO2膜-AF膜结构。待AF镀膜完成后，将玻璃面板从真空镀膜机真空腔中取出，得到手机触摸屏玻璃面板。
经检测，实施例三制备的手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压仅105V-251V，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。

Claims (20)

1.一种玻璃面板，其特征在于，包括玻璃面板本体、设置在所述玻璃面板本体至少一侧表面的抗静电膜层、设置在所述抗静电膜层上的二氧化硅层和设置在所述二氧化硅层上的AF防指纹膜，所述抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。
2.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述抗静电膜层中包含二氧化硅。
3.如权利要求1或2所述的玻璃面板，其特征在于，所述抗静电膜层为单层膜结构或多层膜结构。
4.如权利要求3所述的玻璃面板，其特征在于，当所述抗静电膜层中包含二氧化硅，且为单层膜结构时，所述二氧化硅与所述一种或多种金属氧化物混合形成所述抗静电膜层。
5.如权利要求3所述的玻璃面板，其特征在于，当所述抗静电膜层中包含二氧化硅，且为多层膜结构时，所述抗静电膜层包括多个金属氧化物层，每两个所述金属氧化物层之间夹设一层二氧化硅层。
6.如权利要求1-5任一项所述的玻璃面板，其特征在于，所述抗静电膜层的厚度在0.1nm-1000nm的范围内。
7.如权利要求6所述的玻璃面板，其特征在于，所述抗静电膜层的厚度在2nm-500nm的范围内。
8.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述抗静电膜层的表面电阻率在1.0×105Ω-9.9×1012Ω的范围内。
9.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。
10.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本体与所述抗静电膜层之间还设置有过渡层，所述过渡层的材质包括二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。
11.如权利要求10所述的玻璃面板，其特征在于，所述过渡层的厚度在0.1nm-100nm的范围内。
12.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板的可见光透过率在85％-96％范围内。
13.一种玻璃面板的制备方法，其特征在于，包括：
玻璃面板本体经化学强化、油墨印刷后置于真空镀膜机中，在所述玻璃面板本体表面依次制备抗静电膜层、二氧化硅层和AF防指纹膜，得到玻璃面板，所述抗静电膜层的材质包括ZnO、ITO、AZO、FTO、Al2O3、Nb2O5、NiO2、SnO2、InO2和TiO2中的一种或多种金属氧化物。
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，采用热蒸发或磁控溅射的方式制备所述抗静电膜层和所述二氧化硅层。
15.如权利要求13或14所述的制备方法，其特征在于，采用热蒸发或喷涂的方式制备所述AF防指纹膜。
16.如权利要求13-15任一所述的制备方法，其特征在于，所述抗静电膜层中包含二氧化硅。
17.如权利要求13-16任一所述的制备方法，其特征在于，进一步包括，在制备所述抗静电膜层之前，先在所述玻璃面板本体表面制备一过渡层，所述过渡层的材质包括二氧化硅、一氧化硅和单质硅的一种或多种。
18.如权利要求17所述的制备方法，其特征在于，其特征在于，所述过渡层的厚度在0.1nm-100nm的范围内。
19.一种显示屏，其特征在于，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上的玻璃面板，所述玻璃面板为权利要求1-12任一项所述的玻璃面板。
20.一种终端，其特征在于，包括玻璃面板，所述玻璃面板为权利要求1-12任一项所述的玻璃面板。
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