CN107797345A - 嵌入式触控面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种嵌入式触控面板及其制备方法，嵌入式触控面板包括感应组件、触发组件以及电极接口。第一电极设置在TFT显示面板上，第二电极设置在二氧化硅层上，然后通过第二电极块远离二氧化硅层的表面贴合在偏光片上将感应组件与触发组件结合。这种设计的嵌入式触控面板具有轻薄、抗杂讯能力高的优点。

Description

嵌入式触控面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器件领域，特别涉及一种嵌入式触控面板及其制备方法。
背景技术
触摸屏是手机、平板电脑、电子书等电子设备的重要组成部分。电容式触摸屏技术是利用人体的电流感应进行工作的。当手指触摸在触摸屏上时，触点的电容就会发生变化，使与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。嵌入式触控面板(on-cell触控面板)是指将触摸面板嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的方法，即在液晶面板上配触摸传感器。传统的嵌入式触控面板，分别将第一电极设置在PEP膜或玻璃上，第二电极设置在PEP膜或玻璃上，然后再将第一电极与第二电极与嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间，然而这种结构的触控面板厚度较厚，不能满足轻薄化的需求。
为了减少厚度，一种方法是将第一电极与第二电极设置在同一电极层上，然而，在同一电极层上设置第一电极与第二电极的加工工艺复杂，良率低，且第一电极与第二电极相隔较近，容易产生相互干扰。由于人体本身就是导体，实际应用中，当手指摸到触摸面板时，没有施加力触摸就可能会影响电力线改变电容的大小。特别是当手指带有较强静电、油污或触摸屏与带电的物体接触时就会有信号干扰，影响手指触摸识别的精准位置。
综上，传统的嵌入式触控面板较厚、抗信号干扰能力较弱。
发明内容
基于此，有必要提供一种厚度薄、抗信号干扰能力较强的嵌入式触控面板及其制备方法。
一种嵌入式触控面板，其特征在于，包括：
感应组件，包括TFT显示面板、设置在所述TFT显示面板上的第一电极以及设置在所述第一电极上的偏光片，所述第一电极包括多块阵列排布的第一电极块以及与所述第一电极块电连接的第一电极引线；
触发组件，包括保护盖板、设置在所述保护盖板上的防静电层、设置在所述防静电层上的二氧化硅层以及设置在所述二氧化硅层上的第二电极，所述防静电层包括防静电基底以及与所述防静电基底电连接的静电引线，所述第二电极包括多块阵列排布的第二电极块以及与所述第二电极块电连接的第二电极引线，所述第二电极块远离所述二氧化硅层的表面贴合在所述偏光片上，且所述第一电极块与所述第二电极块通过所述偏光片隔开；以及
电极接口，所述第一电极引线的一端、所述第二电极引线的一端以及所述静电引线的一端于所述电极接口处汇集并分别于所述电极接口连接。
在一个实施方式中，多块所述第一电极块排列形成多条相互平行的第一电极串，每条所述第一电极串内的所述第一电极块串联电连接，所述第一电极串内的所述第一电极块与相邻的两条所述第一电极串内的所述第一电极块嵌套设置；
多块所述第二电极块排列形成多条相互平行的第二电极串，每条所述第二电极串内的所述第二电极块串联电连接，所述第二电极串内的所述第二电极块与相邻的两条所述第二电极串内的所述第二电极块嵌套设置。
在一个实施方式中，所述第一电极引线为多条，多条所述第一电极引线相互间隔，每条所述第一电极引线分别与一串所述第一电极串连接。
在一个实施方式中，多块所述第一电极块阵列排布形成矩形状的第一电极，所述矩形状第一电极具有第一侧边以及与所述第一侧边相对的第二侧边，所述第一电极引线与所述第一电极串连接后，部分所述第一电极引线从所述第一侧边引出，另一部分所述第一电极引线从所述第二侧边引出。
在一个实施方式中，所述第二电极引线为多条，多条所述第二电极引线相互间隔，每条所述第二电极引线分别与一串所述第二电极串连接。
在一个实施方式中，多块所述第二电极块阵列排布形成矩形状的第二电极，所述矩形状第二电极具有第三侧边以及与所述第三侧边相对的第四侧边，所述第二电极引线与所述第二电极串连接后，部分所述第二电极引线从所述第三侧边引出，另一部分所述第二电极引线从所述第四侧边引出。
在一个实施方式中，所述二氧化硅层的厚度为15nm～20nm，当所述第二电极与所述偏光片贴合后，所述二氧化硅层覆盖每一块所述第二电极块的表面，且所述二氧化硅层覆盖所述偏光片表面未被所述第二电极块覆盖的区域。
在一个实施方式中，所述防静电层的材料为ITO、AZO或石墨烯，所述防静电层的厚度为10nm～15nm，所述防静电层的面电阻为4000Ω～5000Ω。
在一个实施方式中，所述TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、液晶层以及彩色滤光片，所述第一电极设置在所述彩色滤光片的表面；或者，
所述TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、有机发光层以及封装玻璃，所述第一电极设置在所述封装玻璃的表面。
一种嵌入式触控面板的制备方法，包括如下步骤：
在TFT显示面板的上形成第一电极，所述第一电极包括多块阵列排布的第一电极块以及与所述第一电极块电连接的第一电极引线；
将偏光片覆盖在所述第一电极上得到感应组件，其中所述偏光片覆盖每一块所述第一电极块的表面，且所述偏光片覆盖所述TFT显示面板表面未被所述第一电极块覆盖的区域；
在保护盖板上的形成防静电层，所述防静电层包括防静电基底以及与所述防静电基底电连接的静电引线；
在所述防静电层的表面形成二氧化硅层；
在所述二氧化硅层的表面形成第二电极，所述第二电极包括多块阵列排布的第二电极块以及与所述第二电极块电连接的第二电极引线，得到触发组件；
将所述第二电极远离所述二氧化硅层的表面贴合在所述偏光片上；以及
制备电极接口，将所述第一电极引线、所述第二电极引线以及所述静电引线的一端于所述电极接口处汇集并分别于所述电极接口连接，得到所述嵌入式触控面板。
上述嵌入式触控面板，包括感应组件、触发组件以及电极接口。第一电极设置在TFT显示面板上，第二电极设置在二氧化硅层上，然后通过第二电极块远离二氧化硅层的表面贴合在偏光片上将感应组件与触发组件结合。这种设计的嵌入式触控面板至少具有如下有益效果：
(1)第一电极与第二电极分开设置，有效防止第一电极与第二电极相互信号干扰，抗杂讯能力明显提高。
(2)第一电极设置在TFT显示面板上，第二电极设置在二氧化硅层上，不需要额外引入PEP膜或玻璃作为设置电极的基板，第一电极以及第二电极本身的厚度较薄，与第一电极与第二电极设置在同一电极层上的结构相比，厚度基本不会增加。
(3)保护盖板上设置防静电层，防静电层通过静电引线与电极接口连接，当手指触摸保护盖板带来静电时，防静电层能够及时将保护盖板上的静电导出接地，较少静电干扰，提高触控灵敏度。
(4)贴合后，第一电极块与第二电极块之间通过偏光片隔开，偏光片同时起到隔离和绝缘的作用，使得第一电极块与第二电极块之间不会相互干扰，每块第一电极块以及每块第二电极块能够设置的更加微小精细，相邻的第一电极块与第一电极块之间能够设置的更加紧密，相邻的第二电极块与第二电极块之间也能够设置的更加紧密，提高触控反应的精准性。
(5)第二电极与防静电层之间通过二氧化硅层隔开，与二氧化硅层两者同时起到隔离和绝缘的作用，使得防静电层与第二电极不导通，防止静电影响第二电极的感应，二氧化硅层能够将防静电层填平整，进而提高第二电极的平整性。
(6)第一电极与第二电极分开设置，对加工工艺的简便化，有效提高良率。第一电极引线能够从第一电极的不同的侧边引出，第二电极引线能够从第二电极的不同的侧边引出，在相同的面积区域、相同的引线间距的条件下，能够设置更多数量的第一电极引线与第二电极引线，提高触控精准度。
附图说明
图1为一实施方式的嵌入式触控面板的剖面示意图；
图2为另一实施方式的嵌入式触控面板的剖面示意图；
图3为图1所述的嵌入式触控面板的第一电极的平面示意图；
图4为图1所述的嵌入式触控面板的第二电极的平面示意图。
具体实施方式
下面主要结合具体附图及具体实施例对嵌入式触控面板(on-cell触控面板)及其制备方法作进一步详细的说明。
请参阅图1，一实施方式的嵌入式触控面板10，包括感应组件100、触发组件200以及电极接口300。本实施方式的嵌入式触控面板10为TFT-LCD形式的触控面板。
感应组件100包括TFT显示面板110、设置在TFT显示面板110上的第一电极120以及设置在第一电极120上的偏光片130。第一电极120包括多块阵列排布的第一电极块121以及与第一电极块121电连接的第一电极引线123。
本实施方式中，TFT显示面板110包括依次层叠的TFT基板111、液晶层113以及彩色滤光片115，第一电极120设置在彩色滤光片115的表面。
具体地，偏光片130覆盖每一块第一电极块121的表面，且偏光片130覆盖TFT显示面板110表面未被第一电极块121覆盖的区域。
触发组件200包括保护盖板210、设置在保护盖板210上的防静电层220、设置在防静电层220上的二氧化硅层230以及设置在二氧化硅层230上的第二电极240。防静电层220包括防静电基底221以及与防静电基底221电连接的静电引线223。第二电极240包括多块阵列排布的第二电极块241以及与第二电极块241电连接的第二电极引线243，第二电极块243远离二氧化硅层230的表面贴合在偏光片130上。且第一电极块121与第二电极块243通过偏光片130隔开。本实施方式中，第二电极块243通过粘结剂层1001全贴合在偏光片130上。
第一电极引线123、第二电极引线243以及静电引线223的一端于电极接口300处汇集并分别于电极接口300连接。
具体地，第一电极120也可以叫做X轴电极，第二电极240也可以叫做Y轴电极。需要说明的是，本文中所说的X轴可、Y轴只是为了表述的清楚方面，并不知为了限定具体的方向关系，X轴可以是任意的方向，Y轴也可以是任意的方向。
当手指触摸保护盖板210时，触点出第一电极块121与第二电极块243之间形成的电容发生变化，信息传导进入感应组件100，相应的反馈到TFT显示面板110上。由于第一电极与第二电极分开设置，能够有效防止第一电极与第二电极相互信号干扰，抗杂讯能力明显提高。
另一实施方式的嵌入式触控面板10请参阅图2，本实施方式的嵌入式触控面板10为AMOLED形式的触控面板。其结构与图1所示的实施例类似，不同的是TFT显示面板110包括依次层叠的TFT基板111、有机发光层117以及封装玻璃119，第一电极120设置在封装玻璃119的表面。AMOLED是未来屏幕的发展方向，AMOLED中的有机发光层可以折叠能够制作成弯曲屏。
请参阅图3，在TFT显示面板110上设置的第一电极120，多块第一电极块121排列形成多条相互平行的第一电极串01，每条第一电极串01内的第一电极块121串联电连接，第一电极串01内的第一电极块121与相邻的两条第一电极串01内的第一电极块121嵌套设置。这种设计，一条第一电极串01内的第一电极块121与相邻的第一电极串01内的第一电极块121嵌套设置，能够使得第一电极块121与第一电极块121之间设置的更加紧密，提高触控反应的精准性。
具体地，第一电极引线123为多条，多条第一电极引线123相互间隔，每条第一电极引线123分别与一串第一电极串01连接。
本实施方式中，多块第一电极块121阵列排布形成矩形状的第一电极120，矩形状第一电极120具有第一侧边1201以及与第一侧边1201相对的第二侧边1203，第一电极引线123与第一电极串01连接后，部分第一电极引线123从第一侧边1201引出，另一部分第一电极引线123从第二侧边1203引出。
传统的在同一电极层上设置第一电极与第二电极的触控面板，需要在同一层中引出第一电极的引线和第二电极的引线，边缘的引线密集，引线之间容易干扰失灵，导致触摸位点与手指不能同步，特别是屏上常用到的触摸位点容易失灵。本实施例的设计，第一电极120与第二电极240分层设计，第一电极引线123能够从第一电极120的不同的侧边引出，在相同的面积区域、相同的引线间距的条件下，能够设置更多数量的第一电极引线123，提高触控精准度。
第一电极块121的材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。第一电极块121的形状为菱形、三角形或多边形等等。第一电极块121的面积为0.03μm2～0.08μm2。相邻两块第一电极块121之间的间距为0.15μm～0.25μm。
本实施方式中，第一电极块121的形状为菱形，每块第一电极块121的边长为0.2μm×0.2μm。相邻两块第一电极块121之间的间距为0.2μm。第一电极块121微小精细，具有良好的面电阻。
本实施方式中，第一电极120的面电阻为30Ω～35Ω，透过率96％～98％。
请参阅图4，在二氧化硅层230上设置的第二电极240，多块第二电极块241排列形成多条相互平行的第二电极串02，每条第二电极串02内的第二电极块241串联电连接，第二电极串02内的第二电极块241与相邻的两条第二电极串02内的第二电极块241嵌套设置。这种设计，一条第二电极串02内的第二电极块241与相邻的第二电极串02内的第二电极块241嵌套设置，能够使得第二电极块241与第二电极块241之间设置的更加紧密，提高触控反应的精准性。
具体地，第二电极引线243为多条，多条第二电极引线243相互间隔，每条第二电极引线243分别与一串第二电极串02连接。
本实施方式中，多块第二电极块241阵列排布形成矩形状的第二电极240，矩形状第二电极240具有第三侧边2401以及与第三侧边2401相对的第四侧边2403，第二电极引线243与第二电极串02连接后，部分第二电极引线243从第三侧边2401引出，另一部分第二电极引线243从第四侧边2403引出。
本实施例的设计，第一电极120与第二电极240分层设计，第二电极引线243能够从第二电极240的不同的侧边引出，在相同的面积区域、相同的引线间距的条件下，能够设置更多数量的第二电极引线243，提高触控精准度。
具体地，可以第二电极块241的原材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。第二电极块241的形状为菱形、三角形或多边形等等。第二电极块241的形状为菱形、三角形或多边形等等第二电极块241的面积为0.03μm2～0.08μm2。相邻两块第二电极块241之间的间距为0.15μm～0.25μm。
本实施方式中，第二电极块241的形状为菱形，每块第二电极块241的边长为0.2μm×0.2μm。相邻两块第二电极块241之间的间距为0.2μm。第二电极块241微小精细，具有良好的面电阻。
本实施方式中，第二电极240的面电阻为30Ω～35Ω，透过率96％～98％。
在一个实施方式中，偏光片130的也称偏振光片。偏光片130覆盖每一块第一电极块121的表面，且偏光片130覆盖TFT显示面板110表面未被第一电极块121覆盖的区域。通过偏光片将，第一电极120以及第二电极240完全隔离。利用触控面板原本的组成元件，实现第一电极120以及第二电极240分开设计，不需要额外引入基板，实现触控面板的轻薄化。
在一个实施方式中，保护盖板210的材料为玻璃，保护盖板210位于触控面板的最外层，具有保护内部元件的作用。
在一个实施方式中，采用磁控溅射法在保护盖板210内侧溅射一层透明导电膜，形成防静电基底221。防静电基底221的厚度为10nm～15nm，面电阻在4000Ω～5000Ω，透过率98％以上。防静电基底221的原材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。采用磁控溅射法形成的防静电基底221厚度薄，膜层紧密。
防静电基底221通过静电引线223与电极接口300连接，当手指触摸保护盖板210带来静电时，防静电层220能够及时将保护盖板210上的静电导出接地，较少静电干扰，提高触控灵敏度。
在一个实施方式中，采用磁控溅射法在防静电层220上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层230的厚度为15nm～20nm，二氧化硅层230的透过率98％以上。当第二电极240与偏光片130贴合后，二氧化硅层230覆盖每一块第二电极块241的表面，且二氧化硅层230覆盖偏光片130表面未被第二电极块241覆盖的区域。在防静电层220与第二电极240之间设置二氧化硅层230具有至少如下三个优点。(1)将防静电层220与第二电极240隔离，使得防静电层220与第二电极240不导通，防止静电影响第二电极的感应。(2)，二氧化硅层230能够将第二电极块241填充平整度。(3)二氧化硅膜层耐酸、碱，可以有效保护防静电层220，第二电极块241可以直接蚀刻在二氧化硅层230上。
上述嵌入式触控面板10，包括感应组件100、触发组件200以及电极接口300。第一电极120设置在TFT显示面板110上，第二电极240设置在二氧化硅层230上，然后通过第二电极块241远离二氧化硅层230的表面贴合在偏光片130上将感应组件100与触发组件200结合。这种设计的嵌入式触控面板10厚度基本不会增加，抗杂讯能力明显提高，能够有效较少静电干扰，提高触控灵敏度和精准度。
上述嵌入式触控面板10具有轻薄、抗杂讯能力强的优点，能够应用在手持式电子屏幕，例如手机屏、电视屏、电脑显示器中。
一实施方式的上述嵌入式触控面板10的制备方法，包括如下步骤S110～S170。
S110、在TFT显示面板的上形成第一电极，第一电极包括多块阵列排布的第一电极块以及与第一电极块电连接的第一电极引线。
具体地，可以采用磁控溅射法或涂胶法在TFT显示面板上得到一层透明的导电膜层，膜层厚度在900nm～1000nm。导电膜层的原材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。如果用于柔性面板优选石墨烯材料。依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第一电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第一电极引线。
S120、将偏光片覆盖在第一电极上得到感应组件，其中偏光片覆盖每一块第一电极块的表面，且偏光片覆盖TFT显示面板表面未被第一电极块覆盖的区域。
偏光片的也称偏振光片，将偏光片覆盖在形成有第一电极的TFT显示面板上，即得到感应组件。
S130、在保护盖板上的形成防静电层，防静电层包括防静电基底以及与防静电基底电连接的静电引线。
具体地，采用磁控溅射法在保护盖板内侧溅射一层透明导电膜，形成防静电基底。防静电基底的厚度为10nm～15nm。防静电基底的原材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。然后从防静电基底引出引线，形成防静电引线。
S140、在防静电层的表面形成二氧化硅层。
具体地，采用磁控溅射法在防静电层上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层的厚度为15nm～20nm。
S150、在二氧化硅层的表面形成第二电极，第二电极包括多块阵列排布的第二电极块以及与第二电极块电连接的第二电极引线，得到触发组件。
具体地，采用磁控溅射法或涂胶法在二氧化硅层上形成一层透明的导电膜层，膜层厚度在900nm～1000nm。导电膜层的原材料可以为ITO、AZO或者石墨烯。如果用于柔性面板优选石墨烯材料。然后依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第二电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第二电极引线。
S160、将第二电极远离二氧化硅层的表面贴合在偏光片上。
具体地，利用透明光学胶，将第二电极远离二氧化硅层的表面全贴合在偏光片上，使得感应组件与触发组件结合。
S170、制备电极接口，将第一电极引线、第二电极引线以及静电引线的一端于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，得到嵌入式触控面板。
连接第一电极的第一电极引线、连接第二电极的第二电极引线、以及连接防静电基底的静电引线于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，形成整体的嵌入式触控面板。
当然需要说明的是，上述制备方法也可以不完全按照上述S110～S160的顺序，例如S130～S150能够置于S110之前进行。
上述嵌入式触控面板10的制备方法，第一电极与第二电极分开设置，对加工工艺的简便化，有效提高良率。第一电极引线设置在TFT显示面板上，第二电极引线设置在二氧化硅层上，防静电引线设置在保护盖板上。三种引线不会交叉干扰。第一电极引线以及第二电极引线均能够分别从不同的侧边引出，在相同的面积区域、相同的引线间距的条件下，能够设置更多数量的第一电极引线与第二电极引线，提高触控精准度。
以下结合具体实施例进行详细说明。
以下实施例中，如无特别说明，未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件。
实施例1
提供TFT显示面板，TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、液晶层以及彩色滤光片。
采用磁控溅射法在彩色滤光片上形成一层ITO透明导电膜层，膜层厚度在950nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第一电极块，然后通过金属蚀刻的方式形成第一电极引线，得到第一电极。第一电极的设计请参见图2所示。制备的第一电极的面电阻为33Ω，透过率97％。将偏光片覆盖在第一电极上得到感应组件。其中偏光片覆盖每一块第一电极块的表面，且偏光片覆盖TFT显示面板表面未被第一电极块覆盖的区域。
(2)制备触发组件
采用磁控溅射法在保护盖板内侧溅射一层ITO透明导电膜，形成防静电基底。防静电基底的厚度为13nm。防静电基底的面电阻在4500Ω，透过率99％。从防静电基底引出引线，形成防静电引线。
采用磁控溅射法在防静电层上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层的厚度为18nm，透过率99％。
采用磁控溅射法在二氧化硅层上形成一层ITO透明的导电膜层，膜层厚度在950nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第二电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第二电极引线，得到第二电极。第二电极的设计请参见图3所示。制备的第二电极的面电阻为34Ω，透过率98％。
(3)利用透明光学胶，将第二电极远离二氧化硅层的表面全贴合在偏光片上，使得感应组件与触发组件结合。当第二电极与偏光片贴合后，二氧化硅层覆盖每一块第二电极块的表面，且二氧化硅层覆盖偏光片表面未被第二电极块覆盖的区域。
(4)制备电极接口，并将第一电极引线、第二电极引线以及静电引线的一端于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，得到嵌入式触控面板。本实施例的嵌入式触控面板的剖视图请参见图1所示。
实施例2
(1)制备感应组件
提供TFT显示面板，TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、液晶层以及彩色滤光片。
采用磁控溅射法在彩色滤光片上形成一层AZO透明导电膜层，膜层厚度在900nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第一电极块，然后通过金属蚀刻的方式形成第一电极引线，得到第一电极。第一电极的设计请参见图2所示。制备的第一电极的面电阻为30Ω，透过率98％。将偏光片覆盖在第一电极上得到感应组件。其中偏光片覆盖每一块第一电极块的表面，且偏光片覆盖TFT显示面板表面未被第一电极块覆盖的区域。
(2)制备触发组件
采用磁控溅射法在保护盖板内侧溅射一层AZO透明导电膜，形成防静电基底。防静电基底的厚度为10nm。防静电基底的面电阻在4000Ω，透过率99％。从防静电基底引出引线，形成防静电引线。
采用磁控溅射法在防静电层上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层的厚度为15nm，透过率99％。
采用磁控溅射法在二氧化硅层上形成一层AZO透明的导电膜层，膜层厚度在900nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第二电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第二电极引线，得到第二电极。第二电极的设计请参见图3所示。制备的第二电极的面电阻为35Ω，透过率96％。
(3)利用透明光学胶，将第二电极远离二氧化硅层的表面全贴合在偏光片上，使得感应组件与触发组件结合。当第二电极与偏光片贴合后，二氧化硅层覆盖每一块第二电极块的表面，且二氧化硅层覆盖偏光片表面未被第二电极块覆盖的区域。
(4)制备电极接口，并将第一电极引线、第二电极引线以及静电引线的一端于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，得到嵌入式触控面板。本实施例的嵌入式触控面板的剖视图请参见图1所示。
实施例3
(1)制备感应组件
提供TFT显示面板，TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、液晶层以及彩色滤光片。
采用磁控溅射法法在彩色滤光片上形成一层ITO透明导电膜层，膜层厚度在1000nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第一电极块，然后通过金属蚀刻的方式形成第一电极引线，得到第一电极。第一电极的设计请参见图2所示。制备的第一电极的面电阻为35Ω，透过率96％。将偏光片覆盖在第一电极上得到感应组件。其中偏光片覆盖每一块第一电极块的表面，且偏光片覆盖TFT显示面板表面未被第一电极块覆盖的区域。
(2)制备触发组件
采用磁控溅射法在保护盖板内侧溅射一层ITO透明导电膜，形成防静电基底。防静电基底的厚度为15nm。防静电基底的面电阻在5000Ω，透过率98％。从防静电基底引出引线，形成防静电引线。
采用磁控溅射法在防静电层上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层的厚度为20nm，透过率99％。
采用磁控溅射法在二氧化硅层上形成一层ITO透明的导电膜层，膜层厚度在91000nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第二电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第二电极引线，得到第二电极。第二电极的设计请参见图3所示。制备的第二电极的面电阻为35Ω，透过率96％。
(3)利用透明光学胶，将第二电极远离二氧化硅层的表面全贴合在偏光片上，使得感应组件与触发组件结合。当第二电极与偏光片贴合后，二氧化硅层覆盖每一块第二电极块的表面，且二氧化硅层覆盖偏光片表面未被第二电极块覆盖的区域。
(4)制备电极接口，并将第一电极引线、第二电极引线以及静电引线的一端于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，得到嵌入式触控面板。本实施例的嵌入式触控面板的剖视图请参见图1所示。
实施例4
(1)制备感应组件
提供TFT显示面板，TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、有机发光层以及封装玻璃。
采用涂胶法在彩色滤光片上形成一层石墨烯透明导电膜层，膜层厚度在900nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第一电极块，然后通过金属蚀刻的方式形成第一电极引线，得到第一电极。第一电极的设计请参见图2所示。制备的第一电极的面电阻为30Ω，透过率96％。将偏光片覆盖在第一电极上得到感应组件。其中偏光片覆盖每一块第一电极块的表面，且偏光片覆盖TFT显示面板表面未被第一电极块覆盖的区域。
(2)制备触发组件
采用磁控溅射法在保护盖板内侧溅射一层石墨烯透明导电膜，形成防静电基底。防静电基底的厚度为15nm。防静电基底的面电阻在4500Ω，透过率98％。从防静电基底引出引线，形成防静电引线。
采用磁控溅射法在防静电层上形成溅射一层透明的二氧化硅(SiO2)。二氧化硅层的厚度为15nm，透过率98％以上。
采用涂胶法在二氧化硅层上形成一层石墨烯透明的导电膜层，膜层厚度在950nm。在透明导电膜层上依次通过涂胶、光刻、显影、蚀刻、剥胶的方法形成第二电极块。然后通过金属蚀刻的方式形成第二电极引线，得到第二电极。第二电极的设计请参见图3所示。制备的第二电极的面电阻为33Ω，透过率96％。
(3)利用透明光学胶，将第二电极远离二氧化硅层的表面全贴合在偏光片上，使得感应组件与触发组件结合。当第二电极与偏光片贴合后，二氧化硅层覆盖每一块第二电极块的表面，且二氧化硅层覆盖偏光片表面未被第二电极块覆盖的区域。
(4)制备电极接口，并将第一电极引线、第二电极引线以及静电引线的一端于电极接口处汇集并分别于电极接口连接，得到嵌入式触控面板。本实施例的嵌入式触控面板的剖视图请参见图2所示。
采用如下方法测试实施例1～4制备的嵌入式触控面板的抗干扰效果，并与传统的OGS传感技术触控面板(第一电极与第二电极同层设置)的测试数据相比较。
分别将实施例1～4嵌入式触控面板电极接口与电极连接，制作成触摸屏。采用ZDS4054示波器测试仪测试相应的灵敏度以及抗杂讯能力。
开启测试夹具的电源，笔尖定位好后，进入功能菜单栏上的计算程序，在计算程序中边续点击“1”、“2”、“3”、“4”、“5”、“6”、“7”、“8”、“9”、“1”、“2”、“3”、“x”、“1”、“0”、“M+”字符后，进入硬件测试中的触摸屏测试程序，并用20g的力加在手写笔笔头点击触摸屏(用手写笔画圆、直线时，屏上显示的画面应与手写笔划过轨迹一样，位置也必须相同)以测试触摸屏的响应时间，响应时间越短，效果越好，而反应时间在0.1～0.15秒为合格。结果如表1所示。
表1：测试数据
测试指标 讯号强度 讯号更新率 反应时间
实施例1 130dB 100Hz 0.1s
实施例2 125dB 95Hz 0.13s
实施例3 126dB 98Hz 0.11s
实施例4 120dB 96Hz 0.14s
传统的OGS传感技术触控面板 40dB 80Hz 0.12s
行业标准 30dB以上 60Hz以上 0.1s～0.15s
从表1的数据可以看出，实施例1～4制备的嵌入式触控面板的讯号强度是行业标准(30dB)的3倍以上。讯号更新率高，远远高于行业标准(60Hz)，抗杂讯能力高。反应时间在0.1～0.15s之间，符合业内标准。
同时与传统的OGS传感技术触控面板相比，实施例1～4制备的嵌入式触控面板厚度基本相当，但讯号强度以及讯号更新率高要好于传统的传统的OGS传感技术触控面板，具有良好的抗杂讯能力。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种嵌入式触控面板，其特征在于，包括：
感应组件，包括TFT显示面板、设置在所述TFT显示面板上的第一电极以及设置在所述第一电极上的偏光片，所述第一电极包括多块阵列排布的第一电极块以及与所述第一电极块电连接的第一电极引线；
触发组件，包括保护盖板、设置在所述保护盖板上的防静电层、设置在所述防静电层上的二氧化硅层以及设置在所述二氧化硅层上的第二电极，所述防静电层包括防静电基底以及与所述防静电基底电连接的静电引线，所述第二电极包括多块阵列排布的第二电极块以及与所述第二电极块电连接的第二电极引线，所述第二电极块远离所述二氧化硅层的表面贴合在所述偏光片上，且所述第一电极块与所述第二电极块通过所述偏光片隔开；以及
电极接口，所述第一电极引线的一端、所述第二电极引线的一端以及所述静电引线的一端于所述电极接口处汇集并分别于所述电极接口连接。
2.根据权利要求1所述的嵌入式触控面板，其特征在于，多块所述第一电极块排列形成多条相互平行的第一电极串，每条所述第一电极串内的所述第一电极块串联电连接，所述第一电极串内的所述第一电极块与相邻的两条所述第一电极串内的所述第一电极块嵌套设置；
多块所述第二电极块排列形成多条相互平行的第二电极串，每条所述第二电极串内的所述第二电极块串联电连接，所述第二电极串内的所述第二电极块与相邻的两条所述第二电极串内的所述第二电极块嵌套设置。
3.根据权利要求2所述的嵌入式触控面板，其特征在于，所述第一电极引线为多条，多条所述第一电极引线相互间隔，每条所述第一电极引线分别与一串所述第一电极串连接。
4.根据权利要求3所述的嵌入式触控面板，其特征在于，多块所述第一电极块阵列排布形成矩形状的第一电极，所述矩形状第一电极具有第一侧边以及与所述第一侧边相对的第二侧边，所述第一电极引线与所述第一电极串连接后，部分所述第一电极引线从所述第一侧边引出，另一部分所述第一电极引线从所述第二侧边引出。
5.根据权利要求2所述的嵌入式触控面板，其特征在于，所述第二电极引线为多条，多条所述第二电极引线相互间隔，每条所述第二电极引线分别与一串所述第二电极串连接。
6.根据权利要求5所述的嵌入式触控面板，其特征在于，多块所述第二电极块阵列排布形成矩形状的第二电极，所述矩形状第二电极具有第三侧边以及与所述第三侧边相对的第四侧边，所述第二电极引线与所述第二电极串连接后，部分所述第二电极引线从所述第三侧边引出，另一部分所述第二电极引线从所述第四侧边引出。
7.根据权利要求1所述的嵌入式触控面板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为15nm～20nm，当所述第二电极与所述偏光片贴合后，所述二氧化硅层覆盖每一块所述第二电极块的表面，且所述二氧化硅层覆盖所述偏光片表面未被所述第二电极块覆盖的区域。
8.根据权利要求1所述的嵌入式触控面板，其特征在于，所述防静电层的材料为ITO、AZO或石墨烯，所述防静电层的厚度为10nm～15nm，所述防静电层的面电阻为4000Ω～5000Ω。
9.根据权利要求1所述的嵌入式触控面板，其特征在于，所述TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、液晶层以及彩色滤光片，所述第一电极设置在所述彩色滤光片的表面；或者，
所述TFT显示面板包括依次层叠的TFT基板、有机发光层以及封装玻璃，所述第一电极设置在所述封装玻璃的表面。
10.一种嵌入式触控面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在TFT显示面板
的上形成第一电极，所述第一电极包括多块阵列排布的第一电极块以及与所述第一电极块电连接的第一电极引线；
将偏光片覆盖在所述第一电极上得到感应组件，其中所述偏光片覆盖每一块所述第一电极块的表面，且所述偏光片覆盖所述TFT显示面板表面未被所述第一电极块覆盖的区域；
在保护盖板上的形成防静电层，所述防静电层包括防静电基底以及与所述防静电基底电连接的静电引线；
在所述防静电层的表面形成二氧化硅层；
在所述二氧化硅层的表面形成第二电极，所述第二电极包括多块阵列排布的第二电极块以及与所述第二电极块电连接的第二电极引线，得到触发组件；
将所述第二电极远离所述二氧化硅层的表面贴合在所述偏光片上；以及
制备电极接口，将所述第一电极引线、所述第二电极引线以及所述静电引线的一端于所述电极接口处汇集并分别于所述电极接口连接，得到所述嵌入式触控面板。
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