CN115023073B - 触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备 - Google Patents

Abstract

一种触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备，该触控屏盖板包括基材层、第一抗静电层、第一过渡层、第二抗静电层、第二过渡层和抗指纹层，其中：第一抗静电层位于基材层的第一表面上，第一过渡层位于第一抗静电层的远离基材层的表面上，第二抗静电层位于第一过渡层的远离第一抗静电层的表面上,第二过渡层位于第二抗静电层的远离第一过渡层的表面上，抗指纹层位于第二过渡层的远离第二抗静电层的表面上。采用本申请，可有效降低抗静电层材料镀膜过程中产生的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板阻值的稳定性，适用性强。

Description

触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备

技术领域

本申请涉及电子信息技术领域，尤其涉及一种触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备。

背景技术

触控屏盖板在使用过程中通常会存在触控屏盖板表面摩擦静电积累的问题。当触控屏盖板表面产生足够量的静电后会对显示面板中薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的电学特性产生严重影响，如导致TFT阈值电压漂移、开态电流偏大及漏电增加等问题，从而引发闪屏、绿屏、灰斑等市场舆情。

目前，针对触控屏盖板静电积累的问题，主要是通过在触控屏盖板中添加以金属氧化物为涂层材料的抗静电层，来降低触控屏盖板表面的摩擦电压，进而实现对显示面板的抗静电保护。但是，由于上述抗静电层的厚度为3nm至5nm，在抗静电层材料镀膜过程中产生的膜厚误差会对抗静电层的阻值影响较大，从而影响到触控屏盖板的阻值稳定性。具体来讲，当抗静电层厚度由于膜厚误差偏薄时，抗静电层的阻值偏高，使得触控屏盖板的阻值偏高，从而无法有效降低触控屏盖板表面的摩擦电压；当抗静电层厚度由于膜厚误差偏厚时，抗静电层的阻值偏低，使得触控屏盖板的阻值偏低，从而会使触控屏盖板的触控功能失效。因此，降低上述膜厚误差对触控屏盖板阻值稳定性的影响尤为重要。

发明内容

本申请提供了一种触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备，可降低抗静电层材料镀膜过程中产生的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板阻值的稳定性，适用性强。

第一方面，本申请实施例提供了一种触控屏盖板，该触控屏盖板包括基材层、第一抗静电层、第一过渡层和第二抗静电层，其中：第一抗静电层位于基材层的第一表面上，第一过渡层位于第一抗静电层的远离基材层的表面上，第二抗静电层位于第一过渡层的远离第一抗静电层的表面上，第二过渡层位于第二抗静电层的远离第一过渡层的表面上，抗指纹层位于第二过渡层的远离第二抗静电层的表面上。可以理解的，由于触控屏盖板中采用的是两层抗静电层中间加过渡层的叠层结构，因此，该触控屏盖板不仅可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，还可以通过两层抗静电层中间的过渡层增大触控屏盖板的阻值，从而可减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差(即膜厚波动)对触控屏盖板阻值的影响，进而提高触控屏盖板的阻值稳定性，适用性强。

结合第一方面，在第一种可能的实施方式中，第一过渡层用于增大触控屏盖板的阻值,并提高第二抗静电层的阻值稳定性；第二抗静电层用于降低触控屏盖板表面的摩擦静电。具体来讲，第一过渡层不仅可以通过自身阻值增大触控屏盖板的阻值，以提高触控屏盖板的阻值稳定性，还可以通过自身将基材层与第二抗静电层隔开的方式，避免高温或者高湿环境下基材层中杂质离子(如钠离子、钾离子)对第二抗静电层的导电性的影响，从而提高第二抗静电层的阻值稳定性。

结合第一方面或者第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，第一过渡层或者第二过渡层包括层叠的氧化硅SiO层和氮化硅SiN层。可以理解的，由于第一过渡层或者第二过渡层采用的是层叠结构的SiO层和SiN层，相比于采用单层结构的SiO层或者单层结构的SiN层的过渡层而言，叠层结构的过渡层可增大触控屏盖板的阻值，从而提升触控屏盖板的触控功能的敏捷性。

结合第一方面或者第一种可能的实施方式，在第三种可能的实施方式中，第一过渡层或者第二过渡层包括SiO层或者氮氧化硅SiON层。可以理解的，第一过渡层或者第二过渡层除了可以采用层叠结构的氧化硅SiO层和氮化硅SiN层之外，还可以采用单层结构的SiO层或者氮氧化硅SiON层，因此，第一过渡层和第二过渡层的结构多样，灵活性高。

结合第一方面至第三种可能的实施方式中的任一种，在第四种可能的实施方式中，第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅。可以理解的，触控屏盖板通过采用上述复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅四类抗静电材料中的至少一种材料来作为抗静电层的涂层材料，不仅可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，还可以同时满足直板机和折叠机硬度要求，使得触控屏盖板可以同时适用于直板机和折叠机，适用性强。

结合第一方面第四种可能的实施方式，在第五种可能的实施方式中，复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅在第一抗静电层或者所述第二抗静电层中的成分占比为1％至30％。可以理解的，上述四种抗静电材料在抗静电层中成分占比范围较大，使得抗静电层在进行多种材料合成时的成分占比组合方式多样，灵活性高。

结合第一方面第四种可能的实施方式或者第五种可能的实施方式，在第六种可能的实施方式中，在第一抗静电层或者第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅的情况下，第一抗静电层或者第二抗静电层还包括聚酯材料。进而，触控屏盖板还可以通过在抗静电层中添加聚酯材料来提高抗静电层的硬度，提升抗静电层的断裂伸长率、柔韧性，进而来提高触控屏盖板的硬度，提升触控屏盖板的断裂伸长率、柔韧性。

结合第一方面至第三种可能的实施方式中的任一种，在第七种可能的实施方式中，第一抗静电层或者第二抗静电层包括至少一种金属氧化物。可以理解的，在触控屏盖板为针对直板机的玻璃盖板时，抗静电层的涂层材料除了可以是第四种实施方式中四种有机物之外，还可以是金属氧化物，涂层材料多样，灵活性高。

结合第一方面至第七种可能的实施方式中的任一种，在第八种可能的实施方式中，基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。具体来讲，当触控屏盖板为针对直板机的玻璃盖板时，基材层的材料为玻璃基材；当触控屏盖板为针对折叠机的柔性盖板时，基材层的材料为PET、CPI、TPU或者UTG。因此，触控屏盖板既可以适用于直板机，也可以适用于折叠机，适用性强。

第二方面，本申请实施例提供了一种触控屏盖板，该触控屏盖板包括基材层和抗静电层，其中：抗静电层位于基材层的第一表面上，抗静电涂层包括笼型倍半硅氧烷，且笼型倍半硅氧烷的至少一个R基中引入含氟F基团，含氟F基团用于调整触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。可以理解的，触控屏盖板通过采用同时满足直板机和折叠机硬度要求的抗静电材料笼型倍半硅氧烷来作为抗静电层的涂层材料，既可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还使得触控屏盖板可以同时适用于直板机和折叠机。再者，由于笼型倍半硅氧烷的导电性是由自身的分子结构决定的，与笼型倍半硅氧烷的厚度的相关性低；金属氧化物的导电性主要是由金属氧化物氧化反应产生的氧缺位提供的电子决定的，与金属氧化物的厚度成正比。因此，相比采用氧化物作为抗静电层的涂层材料的方案而言，在采用笼型倍半硅氧烷作为抗静电层的涂层材料时，抗静电层的膜厚与抗静电层的阻值之间的相关性更小，从而能够降低抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，进而提高触控屏盖板的阻值稳定性。此外，通过在POSS的至少一个R基引入的含F基团，使得抗静电层不仅能够起到抗静电的作用，还可以起到抗指纹的作用，从而来取代抗指纹层，进而有效简化触控屏盖板的结构，更有利于节约成本，适用性更强。

结合第二方面，在第一种可能的实施方式中，含氟F基团为全氟F基团。

结合第二方面或者第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，抗静电层的厚度为1微米至20微米。相比于厚度为纳米等级(如3至5纳米)的抗静电层而言，可进一步有效降低抗静电层材料镀膜过程产生中的膜厚误差对抗静电层的影响，从而降低抗静电层材料镀膜过程中产生的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，进而提高触控屏盖板的阻值稳定性。

结合第二方面至第二种可能的实施方式中的任一种，在第三种可能的实施方式中，笼型倍半硅氧烷在所述抗静电层中的成分占比为1％-30％。可以理解的，笼型倍半硅氧烷在抗静电层中成分占比范围较大，使得抗静电层在进行多种材料合成时的成分占比组合方式多样，灵活性高。

结合第二方面至第三种可能的实施方式中的任一种，在第四种可能的实施方式中，抗静电层还包括聚酯材料。进而，触控屏盖板还可以通过在抗静电层中添加聚酯材料来提高抗静电层的硬度，提升抗静电层的断裂伸长率和柔韧性，从而提高触控屏盖板的硬度，提升触控屏盖板的断裂伸长率和柔韧性。

结合第二方面至第四种可能的实施方式，在第五种可能的实施方式中，基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。具体来讲，当触控屏盖板为针对直板机的玻璃盖板时，基材层的材料为玻璃基材；当触控屏盖板为针对折叠机的柔性盖板时，基材层的材料为PET、CPI、TPU或者UTG。因此，触控屏盖板既可以适用于直板机，也可以适用于折叠机，适用性强。

第三方面，本申请实施例提供了一种触控屏盖板的制造方法，该方法包括：在所述基材层的第一表面上蒸镀或涂覆第一抗静电层；在所述第一抗静电层的远离所述基材层的表面上蒸镀第一过渡层；在所述第一过渡层的远离所述第一抗静电层的表面上蒸镀或涂覆第二抗静电层；在所述第二抗静电层的远离所述第一过渡层的表面上蒸镀第二过渡层；进而在所述第二过渡层的远离所述第二抗静电层的表面上蒸镀抗指纹层。可以理解的，由于触控屏盖板中采用的是两层抗静电层中间加过渡层的叠层结构，因此，该触控屏盖板不仅可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，还可以通过两层抗静电层中间的过渡层增大触控屏盖板的阻值，进而可减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板的阻值稳定性，适用性强。

结合第三方面，在第一种可能的实施方式中，第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅。可以理解的，触控屏盖板通过采用上述复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅四类抗静电材料来作为抗静电层的涂层材料，既可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还满足直板机和折叠机硬度要求，使得触控屏盖板可以同时适用于直板机和折叠机，适用性强。

结合第三方面第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅在所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层中的成分占比为1％至30％。可以理解的，上述四种抗静电材料在抗静电层中成分占比范围较大，使得抗静电层在进行多种材料合成时的成分占比组合方式多样，灵活性高。

第四方面，本申请实施例提供了一种触控屏盖板的制造方法，该方法包括：在所述基材层的第一表面上蒸镀或涂覆抗静电层，其中，所述抗静电涂层包括笼型倍半硅氧烷，且所述笼型倍半硅氧烷的至少一个R基中引入含氟F基团，含氟F基团用于调整触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。可以理解的，触控屏盖板通过采用同时满足直板机和折叠机硬度要求的抗静电材料笼型倍半硅氧烷来作为抗静电层的涂层材料，既可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还使得触控屏盖板可以同时适用于直板机和折叠机。再者，由于笼型倍半硅氧烷的导电性是由自身的分子结构决定的，与笼型倍半硅氧烷的厚度的相关性低；金属氧化物的导电性主要是由金属氧化物氧化反应产生的氧缺位提供的电子决定的，与金属氧化物的厚度成正比。因此，相比采用氧化物作为抗静电层的涂层材料的方案而言，在采用笼型倍半硅氧烷作为抗静电层的涂层材料时，抗静电层的膜厚与抗静电层的阻值之间的相关性更小，从而能够降低抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板的阻值稳定性。此外，通过在POSS的至少一个R基引入的含F基团，使得抗静电层不仅能够起到抗静电的作用，还可以起到抗指纹的作用，从而来取代抗指纹层，进而有效简化触控屏盖板的结构，更有利于节约成本，适用性更强。

结合第四方面，在第一种可能的实施方式中，笼型倍半硅氧烷在所述抗静电层中的成分占比为1％-30％。可以理解的，笼型倍半硅氧烷在抗静电层中成分占比范围较大，使得抗静电层在进行多种材料合成时的成分占比组合方式多样，灵活性高。

第五方面，本申请实施例提供了一种显示屏，该显示屏包括显示面板和位于显示面板上的第一方面至第一方面任一种可能的实施方式以及第二方面至第二方面任一种可能的实施方式所提供的触控屏盖板。可以理解的，触控屏盖板可通过采用两个抗静电层中间加过渡层的层叠结构，或者通过在抗静电层采用导电性与材料厚度相关性低的笼型倍半硅氧烷，不仅可以实现对显示面板的抗静电保护，还可以减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板的阻值稳定性，进而提高显示屏的稳定性，适用性强。

第六方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括外壳，以及与外壳相连的显示屏，该显示屏为第五方面所提供的显示屏。可以理解的，触控屏盖板可通过采用两个抗静电层中间加过渡层的层叠结构，或者通过在抗静电层采用导电性与材料厚度相关性低的笼型倍半硅氧烷，不仅可以实现对显示面板的抗静电保护，还可以减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，以提高触控屏盖板的阻值稳定性，从而提高显示屏的稳定性，进而提高电子设备的稳定性，适用性强。

应理解的是，本申请上述多个方面的实现和有益效果可互相参考。

附图说明

图1是本申请实施例提供的触控屏盖板的一结构示意图；

图2是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图；

图3是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图；

图4是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图；

图5是本申请实施例提供的触控屏盖板的又一结构示意图；

图6是本申请实施例提供的显示屏的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法的一流程示意图；

图9是本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法的另一流程示意图。

具体实施方式

本申请提供的触控屏盖板、显示屏和电子设备适用于智能手机、平板电脑、台式计算机、电视、打印机、可穿戴设备等具有显示屏的电子设备，可应用于电子设备领域、汽车领域和航天领域等。

下面结合图1至图7对本申请提供的触控屏盖板、显示屏和电子设备的结构进行示例说明。

参见图1，图1是本申请实施例提供的触控屏盖板的一结构示意图。如图1所示，触控屏盖板10包括基材层101、第一抗静电层102、第一过渡层103、第二抗静电层104、第二过渡层105和抗指纹层106。

其中，第一抗静电层102位于基材层101的第一表面(即上表面)，用于减少触控屏盖板10表面上产生的摩擦静电，以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压；第一过渡层103位于第一抗静电层102的远离基材层101的表面上，用于增大触控屏盖板10的阻值，以及提高第二抗静电层104的阻值稳定性。具体来讲，通过在触控屏盖板10中添加第一过渡层103来增大触控屏盖板10的阻值，从而减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板10阻值的影响，进而提高触控屏盖板10的阻值稳定性。此外，第一过渡层103通过将基材层101与第二抗静电层104隔开的方式，避免高温或者高湿环境下基材层中杂质离子(如钠离子、钾离子)对第二抗静电层104的导电性的影响，从而提高第二抗静电层104的阻值稳定性；第二抗静电层104位于第一过渡层103的远离第一抗静电层102的表面上，用于减少触控屏盖板10表面上产生的摩擦静电，以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压；第二过渡层105位于第二抗静电层104的远离第一过渡层103的表面上，用于增强抗指纹层106的附着性；抗指纹层106位于第二过渡层105的远离第二抗静电层104的表面上，用于改善触控屏盖板10的接触角以防止触控屏盖板10表面指纹的残留。

具体的，第一抗静电层102或者第二抗静电层104包括至少一种金属氧化物。示例性的，第一抗静电层102或者第二抗静电层104可以为氧化铟、氧化锡、氧化铝、氧化锌中的任意一种，或者上述四种金属氧化物中至少两种金属氧化物的混合物。在第一抗静电层102或者第二抗静电层104的涂层材料为金属氧化物时，金属氧化物在第一抗静电层102或者第二抗静电层104中的成分占比通常为100％。需要说明的是，在抗静电层的涂层材料为金属氧化物时，触控屏盖板10为针对直板机的玻璃盖板。

可选的，第一抗静电层102或者第二抗静电层104包括复合型导电高分子(如聚乙炔、聚苯撑、聚并苯、聚吡咯(PPy)、聚噻吩、聚苯胺(PANI)、聚苯硫醚、PEDOT:PSS等)、笼型倍半硅氧烷POSS、硅树脂或者生物活性有机硅。具体来讲，第一抗静电层102或者第二抗静电层104包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷POSS、硅树脂和生物活性有机硅中的至少一种。复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷POSS、硅树脂和生物活性有机硅在第一抗静电层102或者第二抗静电层104中的成分占比为1％至30％。

此外，在第一抗静电层102或者第二抗静电层104包括复合型导电高分子、POSS、硅树脂或者生物活性有机硅的情况下，第一抗静电层102或者第二抗静电层104还包括聚酯材料，该聚酯材料用于提高第一抗静电层102或者第二抗静电层104的硬度，提升第一抗静电层102或者第二抗静电层104的断裂伸长率和提升柔韧性，进而提高触控屏盖板10的硬度，提升触控屏盖板10的断裂伸长率和提升柔韧性。第一抗静电层102的涂层表面电阻与第二抗静电层104的涂层表面电阻之和介于1E8Ω至1E12Ω之间，从而使得第一抗静电层102的涂层表面电阻与第二抗静电层104的涂层表面电阻之和不仅可以满足触控屏盖板10的触控性能要求，还可以实现对显示面板的抗静电保护。

可以理解的，触控屏盖板10通过采用上述复合型导电高分子、POSS、硅树脂或者生物活性有机硅四类抗静电材料中的至少一种来作为抗静电层的涂层材料，不仅可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，实现对显示面板(位于触控屏盖板10的下方)的抗静电保护，还可以同时满足直板机和折叠机硬度要求，使得触控屏盖板10可以同时适用于直板机和折叠机，适用性强。此外，由于笼型倍半硅氧烷的导电主要机理为笼型倍半硅氧烷结构中的Si-O-Si骨架更有利于电子的迁移，并且笼型倍半硅氧烷结构中的羟基可以提供更多的亲水性，从而增强了笼型倍半硅氧烷的抗静电性能；此外，还可以在笼型倍半硅氧烷的端基材料(如R基)中引入导电性能更佳的材料(如铵根、磺酸基团等)来提升笼型倍半硅氧烷的导电性能。总结来说，笼型倍半硅氧烷的导电性是由自身的分子结构决定的，与笼型倍半硅氧烷的厚度的相关性低。金属氧化物的导电性主要是由金属氧化物氧化反应产生的氧缺位提供的电子决定的，随着金属氧化物厚度的增多，氧原子增多，氧缺位随之增多，氧缺位提供的电子随之增多，则金属氧化物的导电性更好。因此，相比采用氧化物作为抗静电层的涂层材料的方案而言，在采用笼型倍半硅氧烷作为抗静电层的涂层材料时，抗静电层的膜厚与抗静电层的阻值之间的相关性更小，从而能够进一步降低抗静电层材料镀膜过程中的膜厚波动对触控屏盖板10阻值的影响，从而进一步提高触控屏盖板10的阻值稳定性，适用性更强。

需要说明的是，第一抗静电层102和第二抗静电层104中的涂层材料可以相同，也可以不同；第一抗静电层102和第二抗静电层104中相同材料的成分占比可以相同，也可以不同，本申请对此不做限制。此外，第一抗静电层102的厚度和第二抗静电层104的厚度可以是纳米等级(如3至5纳米)，也可以是微米等级(如1至20微米)，灵活性高。

第一过渡层103或者第二过渡层105包括氧化硅SiO层或者氮氧化硅SiON层。可以理解的，在第二过渡层105包括SiO层或者SiON层时，第二过渡层105提供的Si-OH基可以与抗指纹层106中氟化物的活性基团反应形成化学键合，从而提升抗指纹层106的附着性。需要说明的是，第一过渡层103和第二过渡层105中的涂层材料可以相同，也可以不同，本申请对此不做限制。

基材层101包括但不限于玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)、透明聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)、热塑性聚氨酯弹性体(Thermoplastic polyurethanes，TPU)或者超薄玻璃(Ultra thin glass，UTG)，其他用作盖板基材的材料同样适用于本申请中的基材层101。其中，当触控屏盖板10为针对直板机的玻璃盖板(Cover glass，CG)时，基材层101的材料为玻璃基材；当触控屏盖板10为针对折叠机的柔性盖板时，基材层101的材料为PET、CPI、TPU或者UTG。

在本申请实施例中，通过在触控屏盖板10中采用的是两层抗静电层中间加过渡层的叠层结构，因此，不仅可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，从而减少触控屏盖板10表面的摩擦电压对显示面板的影响，以实现对显示面板的抗静电保护，还可以通过两层抗静电层中间的过渡层增大触控屏盖板10的阻值，从而可减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板10阻值的影响，进而提高触控屏盖板10的阻值稳定性，适用性强。

进一步地，图1中的第一过渡层103或者第二过渡层105除了采用单层结构，还可以采用层叠结构，具体请参见图2至图4所示的触控屏盖板10的描述。

参见图2，图2是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图。如图2所示，第一过渡层103包括层叠的第一过渡子层1031和第二过渡子层1032。其中，第一过渡子层1031包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第二过渡子层1032包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第一过渡子层1031的材料与第二过渡子层1032的材料不同。具体来讲，在第一过渡子层1031为SiO层时，第二过渡子层1032为SiN层；在第一过渡子层1031为SiN层时，第二过渡子层1032为SiO层。这里，图2所示的触控屏盖板10中除了第一过渡层103之外的其他层的描述请参照图1所示实施例中对应部分的描述，此处不再赘述。

在本申请实施例中，触控屏盖板10除了可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还满足直板机和折叠机硬度要求，并且还可以提高触控屏盖板10的阻值稳定性。此外，由于第一过渡层103采用的是层叠结构的SiO层和SiN层，相比于采用单层结构的SiO层或者单层结构的SiN层的过渡层而言，叠层结构的过渡层可增大触控屏盖板10的阻值，从而提升触控屏盖板10的触控功能的敏捷性。

参见图3，图3是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图。如图3所示，第二过渡层105包括层叠的第三过渡子层1051和第四过渡子层1052。其中，第三过渡子层1051包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第四过渡子层1052包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第三过渡子层1051的材料与第四过渡子层1052的材料不同。具体来讲，在第三过渡子层1051为SiO层时，第四过渡子层1052为SiN层；在第三过渡子层1051为SiN层时，第四过渡子层1052为SiO层。这里，图3所示的触控屏盖板10中除了第二过渡层105之外的其他层的描述请参照图1所示实施例中对应部分的描述，此处不再赘述。

在本申请实施例中，触控屏盖板10除了可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，实现对显示面板11的抗静电保护，同时还满足直板机和折叠机硬度要求，并且还可以提高触控屏盖板10的阻值稳定性。此外，由于第二过渡层105采用的是层叠结构的SiO层和SiN层，相比于采用单层结构的SiO层或者单层结构的SiN层的过渡层而言，叠层结构的过渡层可增大触控屏盖板10的阻值，从而提升触控屏盖板10的触控功能的敏捷性。

参见图4，图4是本申请实施例提供的触控屏盖板的另一结构示意图。如图4所示，第一过渡层103包括层叠的第一过渡子层1031和第二过渡子层1032，第二过渡层105包括层叠的第三过渡子层1051和第四过渡子层1052。其中，第一过渡子层1031包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第二过渡子层1032包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第一过渡子层1031的材料与第二过渡子层1032的材料不同。具体来讲，在第一过渡子层1031为SiO层时，第二过渡子层1032为SiN层；在第一过渡子层1031为SiN层时，第二过渡子层1032为SiO层。第三过渡子层1051包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第四过渡子层1052包括氧化硅SiO层或者氮化硅SiN层，第三过渡子层1051的材料与第四过渡子层1052的材料不同。具体来讲，在第三过渡子层1051为SiO层时，第四过渡子层1052为SiN层；在第三过渡子层1051为SiN层时，第四过渡子层1052为SiO层。这里，图4所示的触控屏盖板10中除了第一过渡层103和第二过渡层105之外的其他层的描述请参照图1所示实施例中对应部分的描述，此处不再赘述。

在本申请实施例中，触控屏盖板10除了可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，实现对显示面板11的抗静电保护，同时还满足直板机和折叠机硬度要求，并且还可以提高触控屏盖板10的阻值稳定性。此外，由于第一过渡层103和第二过渡层105均采用的是层叠结构的SiO层和SiN层，相比于采用单层结构的SiO层或者单层结构的SiN层的过渡层而言，叠层结构的两个过渡层可进一步增大触控屏盖板10的阻值，从而进一步提升触控屏盖板10的触控功能的敏捷性。

参见图5，图5是本申请实施例提供的触控屏盖板的又一结构示意图。如图5所示，触控屏盖板10包括基材层101和抗静电层107。其中，抗静电层107位于基材层101的第一表面(即上表面)，用于减少触控屏盖板10表面上产生的摩擦静电，以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压。抗静电层107包括POSS，且POSS的至少一个R基中引入含氟F基团，其中，含F基团用于调整触控屏盖板10表面的接触角以防止触控屏盖板10表面指纹的残留。为了方便理解，下面结合POSS的分子结构说明POSS中引入含F基团的位置，POSS的分子结构如下：

由上述POSS的分子结构可知，POSS共有8个R基，可以在8个R基中的至少一个R基中引入含F基团。这里的含F基团的含F量可以为20％至100％。在含F基团的含F量为100％时，该含F基团为全F基团。需要说明的是，本申请提供的POSS除了可以是上述八面体笼型结构，还可以是其他多面笼型结构(如十面笼型结构、十二面笼型结构等)，灵活性高。

此外，抗静电层107的厚度为1微米至20微米，相比于厚度为纳米等级(如3至5纳米)的抗静电层而言，可有效降低抗静电层107材料镀膜过程中的膜厚波动对抗静电层107阻值的影响，从而降低抗静电层107材料镀膜过程中的膜厚波动对触控屏盖板10阻值的影响，进而提高触控屏盖板10的阻值稳定性。

POSS在抗静电层107中的成分占比为1％至30％，抗静电层107中除了包括POSS之外，还包括聚酯材料，该聚酯材料用于提高抗静电层107的硬度，提升抗静电层107的断裂伸长率和提升柔韧性，从而提高触控屏盖板10的硬度，提升触控屏盖板10的断裂伸长率和提升柔韧性。抗静电层107的涂层表面电阻介于1E8Ω至1E12Ω之间，从而使得抗静电层107的涂层表面电阻不仅可以满足触控屏盖板10的触控性能要求，还可以实现对显示面板的抗静电保护。

其中，基材层101包括但不限于玻璃基材、PET、CPI、TPU或者UTG，其他用作盖板基材的材料同样适用于本申请中的基材层101。其中，当触控屏盖板10为玻璃盖板时，基材层101的材料为玻璃基材；当触控屏盖板10为柔性盖板时，基材层101的材料为PET、CPI、TPU或者UTG。

在本申请实施例中，触控屏盖板10通过采用同时满足直板机和折叠机硬度要求的抗静电材料POSS来作为抗静电层的涂层材料，既可以降低触控屏盖板10表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还使得触控屏盖板10可以同时适用于直板机和折叠机。再者，由于POSS的导电性是由自身的分子结构决定的，与POSS的厚度的相关性低；金属氧化物的导电性主要是由金属氧化物氧化反应产生的氧缺位提供的电子决定的，与金属氧化物的厚度成正比，因此，相比采用氧化物作为抗静电层107的涂层材料的方案而言，在采用POSS作为抗静电层107的涂层材料时，抗静电层107的膜厚与抗静电层107的阻值之间的相关性更小，从而能够降低抗静电层107材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板10阻值的影响，从而提高触控屏盖板10的阻值稳定性。此外，通过在POSS的至少一个R基引入的含F基团起到改善触控屏盖板10的接触角以防指纹的作用，使得抗静电层107不仅能够起到抗静电的作用，还可以起到抗指纹的作用，从而来取代抗指纹层，从而有效简化触控屏盖板10的结构，更有利于节约成本，适用性更强。

参见图6，图6是本申请实施例提供的显示屏的结构示意图。如图6所示，显示屏1包括触控屏盖板10和显示面板11，触控屏盖板10贴合于显示面板11上。其中，触控屏盖板10用于增加显示屏1的强度，以及减少触控屏盖板10表面上产生的摩擦静电；显示面板11用于向用户提供一个良好的人机交互界面。这里，触控屏盖板10的具体结构和实现抗静电以及提高触控屏盖板10的阻值稳定性的具体实现方式请参见图1至图5对应实施例的描述。

可以理解的，触控屏盖板10可通过采用两个抗静电层中间加过渡层的层叠结构，或者通过在抗静电层采用导电性与材料厚度相关性低的POSS，不仅可以实现对显示面板11的抗静电保护，还可以减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板10阻值的影响，从而提高触控屏盖板10的阻值稳定性，进而提高显示屏1的稳定性，适用性强。

参见图7，图7是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。如图7所示，电子设备包括显示屏1和与显示屏1相连的外壳2，其中，显示屏1包括触控屏盖板10和显示面板11。这里，触控屏盖板10的具体结构和实现抗静电以及提高触控屏盖板10的阻值稳定性的具体实现方式请参见图1至图5对应实施例的描述。

在本申请实施例中，触控屏盖板10可通过采用两个抗静电层中间加过渡层的层叠结构，或者通过在抗静电层采用导电性与材料厚度相关性低的POSS，不仅可以实现对显示面板11的抗静电保护，还可以减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板10阻值的影响，以提高触控屏盖板10的阻值稳定性，从而提高显示屏1的稳定性，进而提高电子设备的稳定性，适用性强。

下面结合图8和图9对本申请提供的触控屏盖板的制造方法进行示例说明。

参见图8，图8是本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法的一流程示意图。本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法适用于图1至图4所示的触控屏盖板10。触控屏盖板的制造方法可包括步骤：

S101，在基材层的第一表面上蒸镀或者涂覆第一抗静电层。

具体的，可通过将第一抗静电层的涂层材料涂覆或者蒸镀在基材层的上表面上并对第一抗静电层的涂层材料进行干燥的方式形成第一抗静电层。其中，用于形成第一抗静电层的涂覆工艺可以通过使用诸如棒涂、流延涂覆(flowcoating)、模具涂覆(diecoating)或喷涂的方法来实现，用于形成第一抗静电层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

S102，在第一抗静电层的远离基材层的表面上蒸镀第一过渡层。

具体的，在得到第一抗静电层后，可通过将第一过渡层的涂层材料蒸镀在第一抗静电层的远离基材层的表面上并对第一过渡层的涂层材料进行干燥的方式形成第一过渡层。其中，用于形成第一过渡层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

S103，在第一过渡层的远离第一抗静电层的表面上蒸镀或者涂覆第二抗静电层。

具体的，在得到第一过渡层后，可通过将第二抗静电层的涂层材料涂覆或者蒸镀在第一过渡层的远离第一抗静电层的表面上并对第二抗静电层的涂层材料进行干燥的方式形成第二抗静电层。其中，用于形成第二抗静电层的涂覆工艺可以通过使用诸如棒涂、流延涂覆(flowcoating)、模具涂覆(die coating)或喷涂的方法来实现，用于形成第二抗静电层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

S104，在第二抗静电层的远离第一过渡层的表面上蒸镀第二过渡层。

具体的，在得到第二抗静电层后，可通过将第二过渡层的涂层材料蒸镀在第二抗静电层的远离第一过渡层的表面上并对第二过渡层的涂层材料进行干燥的方式形成第二过渡层。其中，用于形成第二过渡层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

S105，在第二过渡层的远离第二抗静电层的表面上蒸镀抗指纹层。

具体的，在得到第二过渡层后，可通过将抗指纹层的涂层材料涂覆或者蒸镀在第二过渡层的远离第二过渡层的表面上并对抗指纹层的涂层材料进行干燥的方式形成抗指纹层。其中，用于形成抗指纹层的涂覆工艺可以通过使用诸如棒涂、流延涂覆(flowcoating)、模具涂覆(diecoating)或喷涂的方法来实现，用于形成抗指纹层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

具体实现中，本申请提供的触控屏盖板的制造方法中关于触控屏盖板的各层的更多具体描述可参见图1至图4所示的触控屏盖板10的具体描述，在此不再赘述。

在本申请实施例中，由于触控屏盖板中采用的是两层抗静电层中间加过渡层的叠层结构，因此，该触控屏盖板不仅可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，还可以通过两层抗静电层中间的过渡层增大触控屏盖板的阻值，进而可减少由于抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板的阻值稳定性，适用性强。

参见图9，图9是本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法的另一流程示意图。本申请实施例提供的触控屏盖板的制造方法适用于图5所示的触控屏盖板10。触控屏盖板的制造方法可包括步骤：

S201，准备基材层。

具体来讲，可以基于实际生产需求选取直板机或者折叠机所需的基材层。

S202，在基材层的第一表面上蒸镀或者涂覆抗静电层。

其中，抗静电涂层包括POSS，且POSS的至少一个R基中引入含F基团，含F基团用于调整触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。

具体的，可通过将抗静电层的涂层材料(即至少一个R基中引入含F基团的POSS)涂覆或者蒸镀在基材层的上表面上并对抗静电层的涂层材料进行干燥的方式形成抗静电层。其中，用于形成抗静电层的涂覆工艺可以通过使用诸如棒涂、流延涂覆(flowcoating)、模具涂覆(diecoating)或喷涂的方法来实现，用于形成抗静电层的蒸镀工艺可以通过电阻蒸发源蒸镀法、电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等方法来实现，本申请对此不做限制。

在本申请实施例中，触控屏盖板通过采用同时满足直板机和折叠机硬度要求的抗静电材料笼型倍半硅氧烷来作为抗静电层的涂层材料，既可以降低触控屏盖板表面的摩擦电压，实现对显示面板的抗静电保护，同时还使得触控屏盖板可以同时适用于直板机和折叠机。再者，由于POSS的导电性是由自身的分子结构决定的，与POSS的厚度的相关性低；金属氧化物的导电性主要是由金属氧化物氧化反应产生的氧缺位提供的电子决定的，与金属氧化物的厚度成正比，因此，相比采用氧化物作为抗静电层的涂层材料的方案而言，在采用POSS作为抗静电层的涂层材料时，抗静电层的膜厚与抗静电层的阻值之间的相关性更小，从而能够降低抗静电层材料镀膜过程中的膜厚误差对触控屏盖板阻值的影响，从而提高触控屏盖板的阻值稳定性。此外，通过在POSS的至少一个R基引入的含F基团起到改善触控屏盖板的接触角以防指纹的作用，使得抗静电层不仅能够起到抗静电的作用，还可以起到抗指纹的作用，从而来取代抗指纹层，从而有效简化触控屏盖板的结构，更有利于节约成本，适用性更强。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1.一种触控屏盖板，其特征在于，所述触控屏盖板包括基材层、第一抗静电层、第一过渡层、第二抗静电层、第二过渡层和抗指纹层，其中：

所述第一抗静电层位于所述基材层的第一表面上；

所述第一过渡层位于所述第一抗静电层的远离所述基材层的表面上；

所述第二抗静电层位于所述第一过渡层的远离所述第一抗静电层的表面上；

所述第二过渡层位于所述第二抗静电层的远离所述第一过渡层的表面上；

所述抗指纹层位于所述第二过渡层的远离所述第二抗静电层的表面上。

2.根据权利要求1所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一过渡层用于增大所述触控屏盖板的阻值,并提高所述第二抗静电层的阻值稳定性；所述第二抗静电层用于降低所述触控屏盖板表面的摩擦电压。

3.根据权利要求1或2所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一过渡层或者所述第二过渡层包括层叠的氧化硅SiO层和氮化硅SiN层。

4.根据权利要求1或2所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一过渡层或者所述第二过渡层包括SiO层或者氮氧化硅SiON层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅。

6.根据权利要求5所述的触控屏盖板，其特征在于，所述复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅在所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层中的成分占比为1％至30％。

7.根据权利要求5或6所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层还包括聚酯材料。

8.根据权利要求1-4任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括至少一种金属氧化物。

9.根据权利要求1-8任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。

10.一种触控屏盖板，其特征在于，所述触控屏盖板包括基材层和抗静电层，其中：

所述抗静电层位于所述基材层的第一表面上，所述抗静电层包括笼型倍半硅氧烷，且所述笼型倍半硅氧烷的至少一个R基中引入含氟F基团，所述含氟F基团用于调整所述触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。

11.根据权利要求10所述的触控屏盖板，其特征在于，所述含氟F基团为全氟F基团。

12.根据权利要求10或11所述的触控屏盖板，其特征在于，所述抗静电层的厚度为1微米至20微米。

13.根据权利要求10-12任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述笼型倍半硅氧烷在所述抗静电层中的成分占比为1％-30％。

14.根据权利要求10-13任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述抗静电层还包括聚酯材料。

15.根据权利要求10-14任一项所述的触控屏盖板，其特征在于，所述基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。

16.一种触控屏盖板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基材层的第一表面上蒸镀或者涂覆第一抗静电层；

在所述第一抗静电层的远离所述基材层的表面上蒸镀第一过渡层；

在所述第一过渡层的远离所述第一抗静电层的表面上蒸镀或者涂覆第二抗静电层；

在所述第二抗静电层的远离所述第一过渡层的表面上蒸镀第二过渡层；

在所述第二过渡层的远离所述第二抗静电层的表面上蒸镀抗指纹层。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅在所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层中的成分占比为1％至30％。

19.一种触控屏盖板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基材层的第一表面上蒸镀或者涂覆抗静电层，其中，所述抗静电层包括笼型倍半硅氧烷，且所述笼型倍半硅氧烷的至少一个R基中引入含氟F基团，所述含氟F基团用于调整所述触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述笼型倍半硅氧烷在所述抗静电层中的成分占比为1％至30％。

21.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括显示面板和位于所述显示面板上的如权利要求1-15任一项所述的触控屏盖板。

22.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括外壳，以及与所述外壳相连的显示屏，所述显示屏为权利要求21所述的显示屏。