CN105739789A - 一种电子触控屏及镀膜制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子触控屏，包括玻璃盖板，所述玻璃盖板包括玻璃盖板基材、覆盖在所述玻璃盖板基材的内表面上的光学镀膜层、覆盖在所述光学镀膜层的内表面上的油墨丝印层，其中所述光学镀膜层和所述油墨丝印层位于玻璃盖板的屏幕可视区之外的屏幕边缘区。在此还公开了一种制备该电子触控屏的镀膜制备工艺。本发明能够使电子设备的正面获得一体色的视觉效果，提升设备在外观上的协调性和美观性，并增大屏幕的虚拟尺寸。

Description

一种电子触控屏及镀膜制备工艺
技术领域
本发明涉及一种电子触控屏及镀膜制备工艺。
背景技术
目前市场上手机、平板电脑及其它电子产品普遍在电子触控屏的正面具有玻璃盖板，然而在待机状态下，玻璃盖板的屏幕边缘区与屏幕可视区(VA区)的液晶屏色彩不一致，不同手机等产品外观上趋同，样式过于单调，尤其是整体色调不够协调统一，不仅美观性欠佳，而且还使屏幕的实际可视尺寸看起来较小。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种电子触控屏及镀膜制备工艺，使设备的正面获得一体色的视觉效果，提升设备在外观上的协调性和美观性，并增大屏幕的虚拟尺寸。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种电子触控屏，包括玻璃盖板，所述玻璃盖板包括玻璃盖板基材、覆盖在所述玻璃盖板基材的内表面上的光学镀膜层、覆盖在所述光学镀膜层的内表面上的油墨丝印层，其中所述光学镀膜层和所述油墨丝印层位于玻璃盖板的屏幕可视区之外的屏幕边缘区。
进一步地：
所述光学镀膜层包括覆盖在所述玻璃盖板基材的内表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的二氧化钛。优选地，所述二氧化硅层的厚度为10-30nm，更优选20nm，所述二氧化钛层的厚度为80-100nm，更优选90nm，所述玻璃盖板基材的厚度为0.5-1.0mm。
还包括覆盖在所述玻璃盖板基材的外表面上的抗指纹膜层，所述抗指纹膜层包括覆盖在所述玻璃盖板基材的外表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的抗指纹膜。优选地，所述抗指纹膜层中的所述二氧化硅层的厚度为10-15nm，所述抗指纹膜的厚度为20-25nm。
一种制备所述的电子触控屏的镀膜制备工艺，包括在所述玻璃盖板基材的内表面上形成光学镀膜层；以及在所述光学镀膜层的内表面上形成油墨丝印层；
形成光学镀膜层包括以下步骤：
离子轰击步骤：将玻璃盖板基材置于真空镀室内，对所述玻璃盖板基材的表面进行离子轰击；
镀膜步骤：利用真空镀膜方式在所述玻璃盖板基材的表面依次镀上SiO2膜和TiO2膜，真空镀膜的参数如下：成膜时真空度为4.0*E-3Pa～2.0*E-3Pa；镀SiO2膜时电流为50mA～150mA；镀TiO2膜时电流为350mA～390mA；依次镀上SiO2膜厚TiO2膜厚
镀膜时的氧气流量为40SCCM。
SiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为2.5cm-3cm；TiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为0.3cm-0.5cm；电子束流发射到镀膜材料表面后，通过挡板对膜料的溅射进行不少于10秒的遮挡。
SiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料形态为粉末颗粒；TiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料形态为粉末颗粒。
镀膜步骤中，控制镀膜作业前的成膜初始真空度为5.0*E-3Pa。
镀膜时搭载镀膜伞具的转架的转速为22RPM，25Hz，作业周期为50Min。
所述离子轰击的参数如下：先将真空度抽至6.0*E-3Pa～7.0E-3pa，充入氧气，氧气流量保持在40sccm,使真空度达到2.0E-2pa～3.0E-2pa，离子源阳极电压为200V，阴极电流为4.1A，阳极电流为4.0A，氧气产生电离并轰击产品的表面，轰击时间为180秒。
本发明的有益效果：
本发明的电子触控屏用在具有触控屏的手机、平板电脑及其它电子设备上，在待机状态下，电子触控屏正面玻璃盖板的屏幕边缘区与屏幕可视区的颜色一致，使设备的正面获得一体色的视觉效果，提升了设备在整体外观上的协调性和美观性，并增大了屏幕的虚拟尺寸。由于一体色效果与现有的屏幕VA区与屏幕边缘区色彩不一致的效果截然不同，整体协调美观，特色鲜明，因此有助于提升产品的附加值，提高产品在市场上的竞争力。
本发明的电子触控屏还有助于实现表面防水防污抗耐磨，并降低成本。本发明的电子触控屏镀膜制备工艺还具有易操作、效率高、制造成本低等优点。优选实施例，具体的优点体现以下方面：
制备工艺成本低；
使设备的外观大气、个性、美观；
能够防水、防脏污、抗指纹印、耐刮花；
独特新颖、工艺复制难度高、制造工艺稳定；
待机屏幕尺寸最大化。
附图说明
图1为本发明电子触控屏实施例的玻璃盖板边缘区截面示意图；
图2为待镀膜的玻璃盖板基材示意图；
图3为玻璃盖板基材边缘区上镀膜后示意图；
图4为图3所示局部A的放大图；
图5为玻璃盖板基材边缘区上丝印后示意图；
图6为图5所示局部B的放大图；
图7为玻璃盖板基材边缘区上AF镀膜后示意图；
图8为图5所示局部C的放大图；
图9为将LCM液晶屏粘在图8所示AF镀膜后的玻璃盖板产品上，产生一体色效果的示意图；
图10为实施例的电子触控屏的玻璃盖板镀膜制备工艺流程图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。
参阅图1，在一种实施例中，一种电子触控屏，包括玻璃盖板，所述玻璃盖板包括玻璃盖板基材1、覆盖在所述玻璃盖板基材1的内表面上的光学镀膜层2、覆盖在所述光学镀膜层2的内表面上的油墨丝印层3，其中所述光学镀膜层2和所述油墨丝印层3位于玻璃盖板的屏幕可视区之外的屏幕边缘区。通过位于玻璃盖板的屏幕边缘区的光学镀膜层2和油墨丝印层3的配置，可使手机的玻璃盖板的屏幕边缘区与液晶屏呈一体色的效果。
在优选的实施例中，所述光学镀膜层2包括覆盖在所述玻璃盖板基材1的内表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的二氧化钛。所述二氧化硅层的厚度优选为10-30nm，更优选20nm，所述二氧化钛层的厚度优选为80-100nm，更优选90nm。所述玻璃盖板基材1的厚度优选为0.5-1.0mm。
在优选的实施例中，玻璃盖板还包括覆盖在所述玻璃盖板基材1的外表面上的抗指纹膜层4，所述抗指纹膜层4包括覆盖在所述玻璃盖板基材1的外表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的抗指纹膜(AF膜)。所述抗指纹膜层中的所述二氧化硅层的厚度优选为10-15nm，所述抗指纹膜的厚度优选为20-25nm。抗指纹膜为疏水抗污、防指纹材料，该材料中主要成分为硅原子和氟分子。
在优选的实施例中，在油墨丝印层3上还设置有一层OCA贴合光胶(未图示)，以便与液晶模组做全贴合。
该电子设备可以是手机等。
参阅图1至图10，一种制备所述的电子触控屏的镀膜制备工艺，包括在玻璃盖板基材1的内表面上形成光学镀膜层2；以及在所述光学镀膜层2的内表面上形成油墨丝印层3；
形成光学镀膜层2包括以下步骤：
离子轰击步骤：将玻璃盖板基材置于真空镀室内，对所述玻璃盖板基材的表面进行离子轰击；
镀膜步骤：利用真空镀膜方式在所述玻璃盖板基材的表面依次镀上SiO2膜和TiO2膜，真空镀膜的参数如下：成膜时真空度为4.0*E-3Pa～2.0*E-3Pa；镀SiO2膜时电流为50mA～150mA；镀TiO2膜时电流为350mA～390mA；依次镀上SiO2膜厚TiO2膜厚
通过上述工艺，由光学镀膜后的产品结合丝印工艺，可使玻璃盖板的屏幕边缘区与液晶屏一体色效果,即电子触控屏的正面呈现同液晶屏一样的颜色效果。
通过光学镀膜工艺参数的控制，尤其能够获得理想的一体色效果。
在优选的实施例中，镀膜制备工艺的工艺流程如图10所示，包括如下步骤：
产品上伞：将基材片利用夹具固定在镀膜伞具上，产品同伞具边缘距离保持3-5cm，防止挂伞过程中压到产品。
镀膜基材清洁处理：采用静电除尘枪对基材镀膜面做表面除尘处理。
离子源轰击：将洁净的产品通过伞具挂置于真空蒸发镀膜室内，离子轰击参数如下：先将真空度抽至6.0*E-3pa～7.0E-3pa，充入氧气，氧气流量保持在40sccm,使真空度达到2.0*E-2pa～3.0E-2pa，离子源阳极电压为200V，阴极电流为4.1A，阳极电流为4.0A，气体设为自动给气方式，氧气产生电离并轰击产品的表面，轰击时间为180秒，之后关闭离子源。离子源轰击产品去除产品表面浮尘，增加膜层的附着力。离子源轰击步骤中，轰击前的真空度(开启离子源前的真空度)6.0*E-3Pa。
真空镀膜：离子源轰击完成后，将真空度抽至5.0*E-3pa，在产品的表面镀膜。镀膜方式是利用电子束蒸发的真空镀膜。其工作原理为：在高真空的环境下，由电子枪发出的高能电子，会聚在膜料上，轰击膜料表面使动能变为热能，对其加温，使其膜料不断的升华而沉积在产品的表面，形成膜层。具体工艺过程的优选工艺参数如下：
成膜初始真空度(镀膜作业前的真空度)为5.0*E-3Pa。
成膜时真空度为4.0*E-3Pa～2.0*E-3Pa。镀SiO2膜时电流为50mA～150mA；镀TiO2膜时电流为350mA～390mA；镀膜膜层结构：SiO2膜厚TiO2膜厚
在较佳的实施例中，在镀膜时的氧气流量为40SCCM。
优选地，电子束流会聚在镀膜材料上时形成的扫描光斑的大小可调。SiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为2.5cm-3cm；TiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为0.3cm-0.5cm。优选地，电子束流发射到镀膜材料表面后，通过挡板对膜料的溅射进行不少于10秒的遮挡，防止电子束流在预融镀膜材料时，因镀膜材料产生的溅射而影响膜层的沉积质量。
镀膜材料：SiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料状态为粉末颗粒，纯度为99.99％；TiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料状态为粉末颗粒，纯度为99.99％。
镀膜时搭载镀膜伞具的转架的转速为22RPM，25Hz。作业时间为1周期(从产品装载完毕关门抽气开始到镀膜完成放气出炉)50Min。
经镀膜处理后，产品表面具有与待机状态的液晶屏相同的一体色效果，且所镀膜层的可靠性高。
将得到的玻璃盖板产品组装在手机、手持电脑类及其它电子产品液晶模组上之后，待机状态下视觉上达到一体色效果，可以增大屏幕虚拟尺寸，且可以隐藏其按键及图标。所述一体色可以是黑、灰、淡蓝、墨蓝、咖啡色等颜色。
以上内容是结合具体/优选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，其还可以对这些已描述的实施方式做出若干替代或变型，而这些替代或变型方式都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电子触控屏，包括玻璃盖板，其特征在于,所述玻璃盖板包括玻璃盖板基材、覆盖在所述玻璃盖板基材的内表面上的光学镀膜层、覆盖在所述光学镀膜层的内表面上的油墨丝印层，其中所述光学镀膜层和所述油墨丝印层位于所述玻璃盖板的屏幕可视区之外的屏幕边缘区。
2.如权利要求1所述的电子触控屏，其特征在于,所述光学镀膜层包括覆盖在所述玻璃盖板基材的内表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的二氧化钛；优选地，所述二氧化硅层的厚度为10-30nm，更优选20nm，所述二氧化钛层的厚度为80-100nm，更优选90nm，所述玻璃盖板基材的厚度为0.5-1.0mm。
3.如权利要求1或2所述的电子触控屏，其特征在于,还包括覆盖在所述玻璃盖板基材的外表面上的抗指纹膜层，所述抗指纹膜层包括覆盖在所述玻璃盖板基材的外表面上的二氧化硅层和层叠覆盖在所述二氧化硅层上的抗指纹膜；优选地，所述抗指纹膜层中的所述二氧化硅层的厚度为10-15nm，所述抗指纹膜的厚度为20-25nm。
4.一种制备如权利要求1至3任一项所述的电子触控屏的镀膜制备工艺，其特征在于,包括在所述玻璃盖板基材的内表面上形成光学镀膜层；以及在所述光学镀膜层的内表面上形成油墨丝印层；
形成光学镀膜层包括以下步骤：
离子轰击步骤：将玻璃盖板基材置于真空镀室内，对所述玻璃盖板基材的表面进行离子轰击；
镀膜步骤：利用真空镀膜方式在所述玻璃盖板基材的表面依次镀上SiO2膜和TiO2膜，真空镀膜的参数如下：成膜时真空度为4.0*E-3Pa～2.0*E-3Pa；镀SiO2膜时电流为50mA～150mA；镀TiO2膜时电流为350mA～390mA；依次镀上SiO2膜厚TiO2膜厚
5.如权利要求4所述的镀膜制备工艺，其特征在于,镀膜时的氧气流量为40SCCM。
6.如权利要求4所述的镀膜制备工艺，其特征在于,SiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为2.5cm-3cm；TiO2的成膜速度为扫描光斑直径控制为0.3cm-0.5cm；电子束流发射到镀膜材料表面后，通过挡板对膜料的溅射进行不少于10秒的遮挡。
7.如权利要求4所述的镀膜制备工艺，其特征在于,SiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料形态为粉末颗粒；TiO2膜的镀膜材料直径为0.5～3mm，材料形态为粉末颗粒。
8.如权利要求4所述的镀膜制备工艺，其特征在于,镀膜步骤中，控制镀膜作业前的成膜初始真空度为5.0*E-3Pa。
9.如权利要求4所述的镀膜制备工艺，其特征在于,镀膜时搭载镀膜伞具的转架的转速为22RPM，25Hz，作业周期为50Min。
10.如权利要求4至9任一项所述的镀膜制备工艺，其特征在于,所述离子轰击的参数如下：先将真空度抽至6.0*E-3Pa～7.0E-3pa，充入氧气，氧气流量保持在40sccm,使真空度达到2.0E-2pa～3.0E-2pa，离子源阳极电压为200V，阴极电流为4.1A，阳极电流为4.0A，氧气产生电离并轰击产品的表面，轰击时间为180秒。
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