CN112423574A - 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法 - Google Patents

一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112423574A
CN112423574A CN202011298220.9A CN202011298220A CN112423574A CN 112423574 A CN112423574 A CN 112423574A CN 202011298220 A CN202011298220 A CN 202011298220A CN 112423574 A CN112423574 A CN 112423574A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
shielding film
substrate
electromagnetic shielding
flexible transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011298220.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112423574B (zh
Inventor
宋伟杰
董雨轩
鲁越晖
黄金华
李佳
杨晔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Original Assignee
Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS filed Critical Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS
Priority to CN202011298220.9A priority Critical patent/CN112423574B/zh
Publication of CN112423574A publication Critical patent/CN112423574A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112423574B publication Critical patent/CN112423574B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明提供了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：衬底(1)；依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)，所述金属网格层的网格线宽为200nm～2000nm，网格周期为4～100μm。本发明使用超细线宽网格，制备了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，具有宽频段、高屏蔽效能、高透过率并且超薄的特点。

Description

一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法
技术领域
本发明属于光学和电磁屏蔽技术领域，具体涉及一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法。
背景技术
随着5G时代的到来，无线电磁波频段在原有的Sub6G频段上(FR1：450MHz-6GHz)，首次引入了高频段的毫米波(FR2：24.25GHz-52.60GHz)，使得电磁环境更加复杂。与此同时科学技术也在日益发展，电子设备的用途更加广泛，产生的电磁干扰(EMI)也越来越多。电磁干扰在如今信息时代被认为是一种新型污染，它直接影响电子设备的使用，甚至危害人体健康。对于各类人机交互的光学视窗，例如移动通信设备、电子显示器等，以及屏蔽展示柜、屏蔽玻璃等，在要求具有良好的屏蔽性能的基础上，还需要具有较好的光学性能。所以兼备宽频带高屏蔽性能和高光学透过率仍然是一个巨大的挑战。
金属网格由于其可控的光学和电学性能，在透明电磁屏蔽领域应用广泛。金属网格结构提高屏蔽效能的常用手段是提高电学性能，也就是通过增加厚度来提高金属网格电导率。但在实际制作工艺中，金属网格厚度的阈值由线宽决定，越细的线宽厚度的阈值也越小，导致可改变的厚度不大，从而电学性能变化不大。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法，本发明提供的柔性透明电磁屏蔽膜在宽频段兼具良好的屏蔽性能和光学透过率。
本发明提供了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)，所述金属网格层的网格线宽为200nm～2000nm，网格周期为4～100μm。
优选的，所述衬底选自柔性透明材料，优选为PET、PC、PEN、PP或PMMA，厚度为10-1100μm。
优选的，所述第一介质层与第二介质层独立的选自TCO薄膜中的一种，优选为ZnO、SnO2、In2O3、TiO2、WO3、ITO、AZO或GZO薄膜，厚度为40～60nm。
优选的，所述超薄金属层的材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，厚度为10nm～20nm。
优选的，所述金属网格层的厚度为200nm-2000nm，材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，网格图形为正方形或不规则图形。
优选的，所述减反层选自TiO2、Nb2O5、NiO2、SiO2中的至少一种，厚度为100nm～400nm。
优选的，所述超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜的厚度为10-1100μm。
本发明还提供了一种上述柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
与现有技术相比，本发明提供了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：衬底(1)；依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)，所述金属网格层的网格线宽为200nm～2000nm，网格周期为4～100μm。本发明在透明衬底两侧分别设有高导电或高磁导率的透明导电层和金属网格层，有效的利用了金属网格具有高屏蔽性能和高光学透过率的特点，同时透明导电层的引入使得金属网格克服了屏蔽性能随频率的升高而下降的特性，使得屏蔽性能在宽频带内保持恒定不变，拓宽了频段。衬底层采用柔性材料，保证的屏蔽膜的弯曲性能。同时具有很高的屏蔽效能(1-40GHz内SE>50dB)，与此同时，可见光透过率最高能达到90％。并且，此屏蔽膜整体在光学透过率不变的情况下，屏蔽性能还随着衬底中间层的厚度增加而升高。实验还发现，金属网格的屏蔽性能随线宽的减小而增大，所以本发明使用超细线宽网格，制备了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，具有宽频段、高屏蔽效能、高透过率并且超薄的特点。
附图说明
图1为本发明提供的一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)，所述网格线宽为200nm～2000nm，网格周期为4～100μm。
参见图1，图1为本发明提供的一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜的结构示意图。图1中，1为衬底，2为第一介质层，3为超薄金属层，4为第二介质层，5为金属网格层，6为减反层。
其中，本发明提供的柔性透明电磁屏蔽膜包括衬底(1)，其中，衬底选自透明柔性材料，优选为PET、PC、PEN、PP或PMMA。
在本发明中，所述衬底的厚度为10～1100μm，优选为100～1100μm，进一步优选为200～1000μm。本发明提供的柔性透明电磁屏蔽膜整体在光学透过率不变的情况下，屏蔽性能随着衬底中间层的厚度增加而升高。
本发明提供的柔性透明电磁屏蔽膜还包括依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)。
其中，所述第一介质层与第二介质层独立的选自TCO薄膜中的一种，优选为ZnO、SnO2、In2O3、TiO2、WO3、ITO、AZO或GZO。在本发明中，所述第一介质层和第二介质层的厚度为40～60nm，优选为TiO2。
所述超薄金属层的材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，优选为Ag。
厚度为10nm-20nm。
在本发明中，所述第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)统称为透明导电层。为满足高电磁屏蔽需求，透明导电层至少有一面由高电导率的材质构成。
本发明提供的柔性透明电磁屏蔽膜还包括依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)。
其中，所述金属网格层的网格线宽为200nm～2000nm，优选为200～1000nm，进一步优选为200～700nm，网格周期为4～100μm，优选为4～70μm，进一步优选为4～50μm，更进一步优选为4～35μm，厚度为200nm～2000nm，优选为200～1000nm，进一步优选为200～700nm，材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，优选为Ag，网格图形为正方形或不规则图形。
在本发明的一些优选实施方式中，所述超薄金属层和金属网格层材料为Ag，具有最好的电学性能；金属网格层在占空比相同的情况下选取最细线宽，网格图形选用不规则图形，减少摩尔纹。
所述减反层选自TiO2、Nb2O5、NiO2、SiO2中的至少一种，厚度为100nm～400nm。
所述超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜的厚度为10～1100μm，优选为10～100μm。
本发明提供的一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜实现技术方案的原理为：
引入填充因子FF的概念：
Figure BDA0002786029220000041
其中w为网格线宽，g为网格周期。
金属网格的透过率：
Tmesh＝(1-FF)2×100％
金属网格阻抗公式：
Figure BDA0002786029220000042
其中ρmesh为金属网格电阻率，tmesh为金属网格厚度。ξ为补偿系数，在固定填充因子的情况下ξ∝w。
网格的屏蔽效能为：
Figure BDA0002786029220000043
可以看出，在固定填充因子的情况下，网格的光学透过率保持不变，网格的阻抗随线宽的减小而减小，从而屏蔽效能增加。所以提出具有低阻值高屏蔽效能和高透过率的超细网格复合薄膜。
本发明还提供了一种上述超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法，包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
其中，本发明对所述磁控溅射、紫外光刻结合电镀的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的方法即可。
本发明在透明衬底两侧分别设有高导电或高磁导率的透明导电层和金属网格层，有效的利用了金属网格具有高屏蔽性能和高光学透过率的特点，同时透明导电层的引入使得金属网格克服了屏蔽性能随频率的升高而下降的特性，使得屏蔽性能在宽频带内保持恒定不变，拓宽了频段。衬底层采用柔性材料，保证的屏蔽膜的弯曲性能。同时具有很高的屏蔽效能(1-40GHz内SE>50dB)，与此同时，可见光透过率最高能达到90％。并且，此屏蔽膜整体在光学透过率不变的情况下，屏蔽性能还随着衬底中间层的厚度增加而升高。实验还发现，金属网格的屏蔽性能随线宽的减小而增大，所以本发明使用超细线宽网格，制备了一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，具有宽频段、高屏蔽效能、高透过率并且超薄的特点。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)。
其中，所述衬底为PET，厚度为100μm。
所述第一介质层为TiO2、ZnO，即在所述衬底表面依次复合TiO2、ZnO层，厚度分别为27nm/15nm；
超薄金属层为Ag，厚度为13nm；
第二介质层为ZnO，厚度为54nm；
减反层为Nb2O5、SiO2，即在所述复合有超薄金属层的一面依次复合SiO2/Nb2O5/SiO2/Nb2O5结构，厚度分别为6nm/89nm/29nm/151nm；
所述金属网格层的网格线宽为700nm，网格周期为35μm。厚度为700nm，材料为银，网格图形为正方形。
所述柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
实施例2
一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)。
其中，所述衬底为PET，厚度为1100μm。
所述第一介质层为AZO，厚度为57nm；
超薄金属层为Ag，厚度为13nm；
第二介质层为ITO，厚度为47nm；
减反层为Nb2O5、SiO2，即在所述复合有超薄金属层的一面依次复合SiO2/Nb2O5/SiO2/Nb2O5结构，厚度分别为6nm/89nm/29nm/151nm；
所述金属网格层的网格线宽为700nm，网格周期为35μm。厚度为700nm，材料为银，网格图形为正方形。
所述柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
实施例3
一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)。
其中，所述衬底为PET，厚度为10μm。
所述第一介质层为TiO2，厚度为37nm；
超薄金属层为Ag，厚度为13nm；
第二介质层为AZO，厚度为55nm；
减反层为Nb2O5、SiO2，即在所述复合有超薄金属层的一面依次复合SiO2/Nb2O5结构，厚度103nm/129nm；
所述金属网格层的网格线宽为200nm，网格周期为10μm。厚度为200nm，材料为银，网格图形为正方形。
所述柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
实施例4
一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)。
其中，所述衬底为PET，厚度为10μm。
所述第一介质层为ITO，厚度为53nm；
超薄金属层为Ag，厚度为13nm；
第二介质层为SnO2，厚度为46nm；
减反层为TiO2、SiO2，即在所述复合有超薄金属层的一面依次复合SiO2/Nb2O5结构，厚度111nm/69nm；
所述金属网格层的网格线宽为200nm，网格周期为4μm。厚度为200nm，材料为银，网格图形为正方形。
所述柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
对比例1
日本住友产品，性能参见专利CN99108323.7。
对上述电磁屏蔽膜的性能进行测定，结果见表1
表1实施例1～4和对比例的电磁屏蔽膜的性能比较
Figure BDA0002786029220000081
由表1可知，日本住友的产品为市场上高质量屏蔽膜的代表。在屏蔽效能50dB左右，市场上的产品做不到透过率80％以上。相比较而言，我们的实施例的透过率可以达到90％，同时，屏蔽材料的总厚度仅有住友产品的0.5-5％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜，其特征在于，包括：
衬底(1)；
依次复合于衬底(1)一侧的第一介质层(2)、超薄金属层(3)和第二介质层(4)；
依次复合于衬底(1)另一侧的金属网格层(5)以及减反层(6)，所述金属网格层的网格线宽为200nm～2000nm，网格周期为4～100μm。
2.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述衬底选自柔性透明材料，优选为PET、PC、PEN、PP或PMMA，厚度为10-1100μm。
3.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一介质层与第二介质层独立的选自TCO薄膜中的一种，优选为ZnO、SnO2、In2O3、TiO2、WO3、ITO、AZO或GZO薄膜，厚度为40～60nm。
4.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄金属层的材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，厚度为10nm～20nm。
5.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述金属网格层的厚度为200nm-2000nm，材料为Cu、Ag、Al、Mo、Ti或者Ni，网格图形为正方形或不规则图形。
6.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述减反层选自TiO2、Nb2O5、NiO2、SiO2中的至少一种，厚度为100nm～400nm。
7.根据权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜的厚度为10-1100μm。
8.一种如权利要求1～7任意一项所述的柔性透明电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过磁控溅射的方法在衬底的一侧制备第一介质层、超薄金属层和第二介质层；
通过紫外光刻结合电镀的方法在衬底的另一侧制备金属网格层；
通过磁控溅射的方法在所述金属网格层表面制备减反层。
CN202011298220.9A 2020-11-18 2020-11-18 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法 Active CN112423574B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011298220.9A CN112423574B (zh) 2020-11-18 2020-11-18 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011298220.9A CN112423574B (zh) 2020-11-18 2020-11-18 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112423574A true CN112423574A (zh) 2021-02-26
CN112423574B CN112423574B (zh) 2023-03-10

Family

ID=74774162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011298220.9A Active CN112423574B (zh) 2020-11-18 2020-11-18 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112423574B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113660843A (zh) * 2021-08-13 2021-11-16 北京环境特性研究所 一种窗口玻璃及其制备方法
CN115195226A (zh) * 2022-05-30 2022-10-18 浙江大学温州研究院 一种透明电加热复合膜及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858519A (en) * 1995-01-27 1999-01-12 Optical Coating Laboratory, Inc. Absorbing anti-reflection coatings for computer displays
EP0902613A2 (en) * 1997-09-09 1999-03-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Electromagnetic shield
CN101068460A (zh) * 2007-06-14 2007-11-07 山东天诺光电材料有限公司 一种电磁波屏蔽材料的制备方法
US20100126767A1 (en) * 2007-03-05 2010-05-27 Bridgestone Corporation Process for the preparation of light transmissive electromagnetic wave shielding material, light transmissive electromagnetic wave shielding material and fine particle having extremely-thin noble metal film
CN106772712A (zh) * 2015-11-24 2017-05-31 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种低发射的保护性防眩电磁屏蔽复合窗膜
CN109378111A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种网格状透明导电薄膜及其制备方法
CN109996431A (zh) * 2019-05-05 2019-07-09 江苏铁锚玻璃股份有限公司 高性能屏蔽玻璃及其制备方法
WO2020180715A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 The Regents Of The University Of Michigan Ultra-thin conductor based semi-transparent electromagnetic interference shielding

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858519A (en) * 1995-01-27 1999-01-12 Optical Coating Laboratory, Inc. Absorbing anti-reflection coatings for computer displays
EP0902613A2 (en) * 1997-09-09 1999-03-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Electromagnetic shield
US20100126767A1 (en) * 2007-03-05 2010-05-27 Bridgestone Corporation Process for the preparation of light transmissive electromagnetic wave shielding material, light transmissive electromagnetic wave shielding material and fine particle having extremely-thin noble metal film
CN101068460A (zh) * 2007-06-14 2007-11-07 山东天诺光电材料有限公司 一种电磁波屏蔽材料的制备方法
CN106772712A (zh) * 2015-11-24 2017-05-31 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种低发射的保护性防眩电磁屏蔽复合窗膜
CN109378111A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种网格状透明导电薄膜及其制备方法
WO2020180715A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 The Regents Of The University Of Michigan Ultra-thin conductor based semi-transparent electromagnetic interference shielding
CN109996431A (zh) * 2019-05-05 2019-07-09 江苏铁锚玻璃股份有限公司 高性能屏蔽玻璃及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113660843A (zh) * 2021-08-13 2021-11-16 北京环境特性研究所 一种窗口玻璃及其制备方法
CN113660843B (zh) * 2021-08-13 2024-01-09 北京环境特性研究所 一种窗口玻璃及其制备方法
CN115195226A (zh) * 2022-05-30 2022-10-18 浙江大学温州研究院 一种透明电加热复合膜及其制备方法
CN115195226B (zh) * 2022-05-30 2024-05-24 浙江大学温州研究院 一种透明电加热复合膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112423574B (zh) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5745190B2 (ja) 導電性構造体およびその製造方法
JP6025069B2 (ja) タッチスクリーンパネルおよびその製造方法
JP5991636B2 (ja) 伝導性構造体およびその製造方法｛ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｏｄｙａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
KR101656581B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
CN112423574B (zh) 一种超薄柔性透明电磁屏蔽薄膜及制备方法
KR101648636B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101844134B1 (ko) 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극
CN113079683B (zh) 一种高透光电磁屏蔽膜及其制备方法
JP2015533682A (ja) 伝導性構造体およびその製造方法
JP5732517B2 (ja) 金属メッシュを有する透明導電構造
TWI599311B (zh) 透明抗電磁波薄膜
WO2012023553A1 (ja) 導電材料、タッチパネル、及び太陽電池
CN114122738B (zh) 一种基于ito电阻膜的透明宽带电磁吸波器
CN107430904B (zh) 导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件
CN112578601A (zh) 一种透明电极及装置
CN2814438Y (zh) 等离子显示器柔性防反射滤光屏蔽膜
JP3952609B2 (ja) 電磁波低減反射防止コート
CN113613480A (zh) F-p腔效应消除的电磁屏蔽光窗
KR20150123935A (ko) 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법
CN114138128A (zh) 一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法
CN110724291A (zh) 一种导电pet触控屏膜及其制备方法
JP2010251475A (ja) 透明樹脂箔及びその製造方法、並びに該透明樹脂箔を用いた電磁波シールド材

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant