KR20150123935A - 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법 - Google Patents

구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법 Download PDF

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KR20150123935A
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단리앙 진
에드 라마크리슈난
로버트 페트카비치
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유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드
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Abstract

구리-니켈 메쉬 전도체를 제조하는 방법은 기판 상에 패턴화된 잉크 씨드 층을 인쇄하는 것을 포함한다. 인쇄된 잉크 씨드 층 상에 무전해 구리가 도금된다. 도금된 무전해 구리 위에 소정 두께의 무전해 니켈이 도금된다.

Description

구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법 {METHOD OF FABRICATING COPPER-NICKEL MICRO MESH CONDUCTORS}
본 발명은 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법 및 이를 이용한 터치 센서에 관한 것이다.
터치 스크린을 구비한 전자 장치는 사용자의 터치에 의해 컨트롤될 수 있다. 사용자는 터치 또는 제스쳐에 의해 디스플레이 상에 묘사된 물체(object)와 직접적으로 상호 작용할 수 있다. 터치 스크린은 스마트폰, 타블렛, 랩탑 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 모니터, 게임 콘솔 및 텔레비전을 포함하는 소비자용 장치, 상업적 및 산업 장치에서 흔히 발견된다. 터치 스크린은 터치 정보를 그러한 장치에 전달하는 터치 센서를 포함한다.
종래의 터치 센서는 인듐 주석 산화물 (indium tin oxide: ITO) 전도체를 사용한다. 산업계의 예측에 의하면, 터치 센서의 제조량이 증가함에 따라 10년 이내에 전세계적으로 비축하고 있는 희토류 금속 인듐이 소진될 수 있을 것으로 보고 있다. ITO는, 인듐에 대한 공급은 적고 수요는 높으며 대외적인 규제로 인해, 공급원을 발굴하기 위한 비용이 높고, 가격의 변동성이 크며, 제조업체로서는 공급 체인 리스크가 매우 크다.
희소성과 가격 문제외에도, ITO를 다루는 작업은 어렵고도 비용이 많이 든다. 기판 상에 ITO를 증착시키기가 어렵기 때문에 ITO-기재의 터치 센서를 제조하기 위해서는 고비용의 스퍼터링 공정이 필요하다. 성능 관점에서, ITO는 높은 전기 저항과 기계적인 취약성의 문제를 가지고 있다. ITO 전도체의 높은 전기 저항으로 인해 전력 소모가 크고 스캔 속도 지연이 크다. ITO는 부서지기 쉽고, ITO-기재의 터치 센서는 생산성이 낮고, 결함율이 높고 작은 물리적 크기의 제약이 있다.
본 발명의 목적은 전술한 종래의 ITO-기재의 터치 센서의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 저비용으로 제조가능한 터치 센서 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따르면, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조방법은 기판 상에 패턴화된 잉크 씨드 층(patterned ink seed layer)을 인쇄하는 단계를 포함한다. 인쇄된, 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 무전해 구리가 도금된다. 도금된 무전해 구리 상에 소정의 두께의 무전해 니켈이 도금된다.
발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따르면, 터치 센서는 기판과, 기판 상에 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층을 포함한다. 인쇄된, 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 무전해 구리 도금 층이 위치한다. 무전해 구리 도금 층 상에 소정의 두께를 가진 무전해 니켈 도금 층이 위치한다.
발명의 다른 측면들은 후술하는 상세한 설명 및 청구범위에 의해 분명해질 것이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서에서 ITO 전도체에 대한 필요성을 제거하고, 마이크론 수준의 미세 전도체에 높은 전도성과 높은 투명도를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 터치 스크린의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 터치 센서를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 공정을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 단면을 도시한 것이다
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예가 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명된다. 일관성있게 도시하기 위해, 여러 도면에서 동일한 요소는 동일한 참조 번호로 표시되어 있다. 본 발명의 후술하는 상세한 설명에서는, 본 발명에 대한 완전한 이해를 위해 구체적으로 상세하게 설명된다. 한편, 본 발명의 설명이 모호해 지는 것을 방지하기 위해 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 잘 알려진 사항들에 대해서는 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 터치 스크린을 도시한 것이다. 터치 스크린 (100)은 정보의 시각적인 디스플레이를 표시하도록 되어 있는 디스플레이 디바이스 (110)를 포함한다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 디스플레이 디바이스 (110)는 통상적인 액정 디스플레이 (LCD) 스크린일 수 있다. 터치 센서 (120)는 투명한 접착제 층(140)에 의해 디스플레이 디바이스 (110)에 부착된다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 투명한 접착제 층(140)에 의해 커버 렌즈 (130)가 터치 센서 (120) 에 임의적으로 부착될 수 있다. 터치 센서 (120)는 전기 컨넥션 (170)을 통해 터치 컨트롤러 (150)에 터치 정보를 입력하는 투명 도전층이다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 터치 센서 (120)는 마이크로 메쉬(도시되지 않음)에 배열된 복수 개의 구리-니켈 전도체를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 복수 개의 구리-니켈 전도체는 서로 직교하는 열과 행으로 배열되어 동일 평면상의 마이크로 메쉬 그리드 (도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 다른 배열의 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체도 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예의 범주 내에 포함된다는 것을 이해할 것이다. 마이크로 메쉬에 전류가 인가되면 정전기장이 생성된다. 손가락이나 스타일러스와 같은 물체가 터치 스크린 (100)에 접촉하게 되면, 터치의 위치에서 정전기장이 왜곡된다. 터치 컨트롤러 (150)는 터치의 위치에서 왜곡을 감지하여, 전기 컨넥션 (180)에 의해 터치 정보를 전달한다.
도 2는 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 터치 센서를 도시한 것이다. 터치 센서 (120)는 투명 기판 (210)을 포함한다. 투명 기판 (210)은 90% 이상의 투과율로 빛의 투과를 허용한다. 투명 기판 (210)은 플렉서블형일 수도 있고, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층을 수용하기에 적합하다. 패턴화된 잉크 씨드 층은 인쇄 공정에 의해 투명 기판 (210) 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 복수 개의 구리 전도체가 무전해 도금 공정에 의해, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 놓이게 된다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 복수 개의 니켈 전도체가 무전해 도금 공정에 의해, 인쇄된 무전해 구리 전도체 상에 놓이게 된다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 전도체가 동일 평면상에서 서로 직각을 이루는 전도체 열 (220)과 전도체 행 (230)의 마이크로 메쉬에 배열될 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자들이라면 다른 네트워크 구조나 패턴의 구리-니켈 전도체도 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예의 범주에 포함된다는 것을 이해할 것이다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 터치 센서 (120)는 디스플레이 디바이스의 가시적인 스크린 영역에 터치 센서 유효 범위를 제공하는 크기로 되어 있을 수 있다.
전도체 열 (220)과 전도체 행 (230)은 인터페이스 (260)를 통해 터치 컨트롤러 (도 1의 150)와 인터페이스 하도록 되어 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인터페이스 (260)는 전도체 열 (220), 전도체 행 (230)과 터치 컨트롤러 (도1의 150) 간의 인터페이스로서 작용한다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 인터페이스 (260)의 구조, 브레이크아웃 및 라우팅이 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따라 달라질 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 폭은 어플리케이션에 따라 달라질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 폭 (240)은 1 마이크론 내지 9 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 폭 (240)은 10 마이크론 내지 20 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 폭 (240)은 20 마이크론보다 클 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 공정을 도시한 것이다. 단계 310에서, 패턴화된 잉크 씨드 층이 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 투명한 것일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 불투명한 것일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN)일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 셀룰로오스 아세테이트 (TAC)일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 선형의 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE)일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 이축-배향의 폴리프로필렌 (BOPP)일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 폴리에스테르 기판일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 폴리프로필렌 기판일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 기판은 얇은 유리 기판일 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 다른 기판들도 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 포함될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 마이크론 크기의 미세한 폭 또는 피쳐를 가진 씨드 전도체를 인쇄하기에 적합한 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 잉크 젯 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 스크린 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 옵셋 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 그라비어 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 플렉소그라피 인쇄 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 마이크론 크기의 미세한 폭 또는 피쳐를 가진 씨드 전도체를 인쇄하기에 적합한 인쇄 공정으로서, 2012년 10월 25일자 본 출원인의 PCT 국제출원번호 PCT/US12/61787에 개시된 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있는데, 이 국제출원은 2011년 10월 25일자 미국가특허출원번호 61/551,071에 대한 우선권을 주장하며, 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 패턴화된 잉크 씨드 층은 마이크론 크기의 미세한 폭 또는 피쳐를 가진 씨드 전도체를 인쇄하기에 적합한 인쇄 공정으로서, 2012년 6월 11일자 본 출원인의 미국가특허출원번호 61/657,942에 개시된 공정을 이용하여 기판 상에 인쇄될 수 있는데, 이 출원은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄 공정은 기판 상에 패턴화된 잉크 씨드 층을 인쇄하기에 적합한 잉크를 이용할 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 잉크는 무전해 도금 가능한 베이스 층으로서 작용하는 촉매성 잉크일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 잉크는 촉매성의 구리 잉크, 니켈 잉크, 실버 잉크, 코발트 잉크, 아연 잉크, 골드 잉크, 백금 잉크, 로듐 잉크 또는 팔라듐 잉크일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 잉크는 무전해 도금 가능한 베이스 층으로서 작용하는 촉매 합금 잉크일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 잉크는 촉매성의 구리-니켈 합금, 실버-인듐 합금, 실버-주석 합금, 실버-구리 합금, 구리-아연 합금, 구리-주석 합금, 니켈-코발트-철 합금 또는 니켈-철 합금일 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 다른 촉매성 잉크 및 촉매성 합금 잉크도 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 포함될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층은 무전해 도금에 적합한 복수 개의 씨드 전도체를 포함한다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체는 동일 평면 상에서 서로 직각을 이루는 전도체 열과 전도체 행으로 된 마이크로 메쉬에 배열될 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 다른 마이크로 메쉬 구조도 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 포함될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체는 약 100 나노미터 내지 300 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체는 약 300 나노미터 보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체의 두께는 기판에 대한 도금된 금속의 접착성을 높이기 위해 증가될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체의 두께는 무전해 도금 공정 과정에서 도금되는 금속 두께를 양호하게 제어하기 위해 증가될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체는 무전해 구리 도금의 두께를 더 두껍게 만들기에 적합한 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체의 폭은 약 1 마이크론 내지 약 9 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체의 폭은 약 10 마이크론 내지 약 20 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체의 폭은20 마이크론보다 클 수도 있다.
단계 320에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 무전해 구리가 도금될 수 있다. 구리는 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 통상적인 무전해 구리 도금 공정으로 도금될 수 있다. 무전해 구리 도금 공정은, 전해 도금 공정에서는 필요한 전극을 필요로 하지 않으면서 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 구리 코팅을 증착시킨다. 무전해 구리는 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층에 대응하는 패턴으로 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층의 상부에 도금될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 원하는 필요한 두께를 얻기 위해 구리 도금의 금속화 (metallization)가 제어될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 층은 약 400 나노미터 내지 약 500 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 층은 약 500 나노미터 내지 약 700 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 층은 약 700 나노미터 내지 약 2000 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다.
단계 330에서, 무전해 구리 도금된 기판은 무전해 도금 공정에서 기판에 부착될 수 있는 화학약품을 제거하기 위해 세정될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 기판은 기판으로부터 습기를 제거하기 위해 건조될 수 있다. 미세 도금된 구리 전도체는 복수 개의 피쳐를 가진다. 구리는 투명하지도 않고 내부식성을 가지고 있지도 않다. 구리는 대기 중에 노출되면 산화물 층이 형성되기가 쉽다. 구리는 스크래치에도 약하다. 구리의 빛깔은 디스플레이의 컬러를 쉬프트시키고 헤이즈를 증가시켜 디스플레이 컬러 품질에 부정적인 영향을 미친다. 게다가, 구리는 인터컨넥트에 이용되는 플렉서블 케이블에 사용되는 금속에 대한 접착성이 불량하다.
단계 340에서, 도금된 무전해 구리 및 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층에 대응하는 패턴으로, 무전해 니켈 도금 공정을 이용하여, 도금된 무전해 구리 위에 소정 두께의 무전해 니켈이 도금될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 도금 공정은 무전해 구리 도금 공정과 양립 가능하다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 소정의 두께를 얻기 위해 니켈 도금의 금속화 (metallization)가 제어될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 층은 약 20 나노미터 내지 약 200 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 층은 약 200 나노미터 내지 약 2000 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리 위에 도금된 얇은 무전해 니켈 층이 투명성을 개선시킬 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 가시성을 개선하고 구리 전도체의 헤이즈 문제를 감소시킨다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리 위에 도금된 얇은 무전해 니켈 층이 내부식성과 내스크래치성을 개선시킨다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 구리 전도체의 내식성과 내스크래치성 문제를 개선시킨다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리 위에 도금된 얇은 무전해 니켈 층은 헤이즈를 감소시킨다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 구리 전도체의 헤이즈 문제와 컬러 품질 문제를 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈은 니켈-붕소 합금일 수 있다. 니켈-붕소 합금 중의 붕소의 농도는 얻고자 하는 특성에 따라 달라질 수 있다. 붕소의 농도가 1% 미만인 니켈-붕소 합금은 개선된 납땜성과 초음파 접착 특성을 제공한다. 붕소의 농도가 2-3%인 니켈-붕소 합금은 개선된 경도와 내마모성을 제공한다. 붕소의 농도가 3-5%인 니켈-붕소 합금은 크로뮴에 버금가는 정도로 매우 높은 경도와 내마모성을 제공한다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈은 니켈-인 합금일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈은 어떠한 니켈 합금이라도 무방하다.
단계 350에서, 무전해 구리-니켈 도금된 기판은 무전해 도금 공정 과정에서 부착될 수 있는 화학약품을 제거하기 위해 세정될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리-니켈 도금된 기판은 기판으로부터 습기를 제거하기 위해 건조될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 단면을 도시한 것이다. 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (400)가 기판 (210) 상에 위치할 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서 기판 (210)은 투명 기판일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서 기판 (210)은 플렉서블 기판일 수 있다. 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층 (420)이 기판 (210) 상에 인쇄될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)는 약 100 나노미터 내지 300 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)는 약 300 나노미터 보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)의 두께는 기판에 대한 도금된 금속의 접착성을 높이기 위해 증가될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)의 두께는 무전해 도금 공정 과정에서 도금되는 금속 두께의 보다 양호한 제어를 위해 증가될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)는 무전해 구리 도금의 두께를 더 두껍게 만들기에 적합한 두께를 가질 수 있다.
인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420) 상에 무전해 구리 도금된 전도체 (430)가 놓일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 전도체 (430)의 두께는 제어될 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 전도체 (430)는 약 400 나노미터 내지 약 500 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 전도체 (430)는 약 500 나노미터 내지 약 700 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 전도체 (430)는 약 700 나노미터 내지 약 2000 나노미터 범위의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)의 두께가 두꺼울수록 도금 두께의 제어가 개선될 수 있어서, 기판 (210)과 무전해 도금된 구리 전도체 (430) 사이에 비도금층을 남겨 놓음으로써 기판 (210)과 대면하는 시청자 가시 측면(viewer visible side)에서 다크 컨트라스트 (dark contrast)를 만들게 된다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 구리 도금된 전도체 (430) 상에 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)가 놓일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)는 소정의 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)의 소정의 두께는 약 20 나노미터 내지 약 200 나노미터 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)의 소정의 두께는 약 200 나노미터 내지 약 2000 나노미터 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)는 무전해 구리 도금된 전도체 (430)를 캡슐화함으로써 측벽 커버리지를 제공하고 환경에 의한 분해로부터 보호한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 폭은 약 1 마이크론 내지 약 9 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 폭은 10 마이크론 내지 20 마이크론의 범위일 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 폭 (240)은 20 마이크론보다 클 수도 있다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 폭, 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 전도체 (420)의 두께, 무전해 구리 도금된 전도체 (430)의 두께, 및 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)의 두께는 전도체에 대해 추구하는 하나 이상의 특성을 달성하기 위해 달라질 수 있다. 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 어스펙트비, 폭에 대한 두께가 클수록 라인폭이 좁아지기 때문에 개선된 전기 전도성을 제공할 수 있다.
구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450)의 폭은 목표로 하는 전기 저항을 달성하기 위해 달라질 수 있으며, 투명도에 영향을 준다. 무전해 구리 도금된 전도체 (430)의 두께는 목표로 하는 전기 저항을 달성하기 위해 달라질 수 있다. 무전해 니켈 도금된 전도체 (440)의 두께는 목표로 하는 내부식성, 내스크래치성과 투명도를 달성하기 위해 달라질 수 있다. 표 1은 본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에 따른 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체 (450) 에서 무전해 구리 도금된 전도체 (430) 두께와 무전해 니켈 도금된 전도체 (440) 두께의 다양한 조합을 보여준다.
무전해 구리 두께 무전해 니켈 두께 특성
400-500 nm 20-200 nm 높은 전기 저항
낮은 내부식성
낮은 내스크래치성
내환경성
500-700 nm 20-200 nm 중간정도의 전기 저항,
낮은 내부식성
낮은 내스크래치성,
내환경성
700-2000 nm 20-200 nm 낮은 전기 저항
낮은 내부식성
낮은 내스크래치성
내환경성
400-500 nm 200-2000 nm 높은 전기 저항
높은 내부식성
높은 내스크래치성
내환경성
500-700 nm 200-2000 nm 중간정도의 전기 저항
높은 내부식성
높은 내스크래치성
내환경성
700-2000 nm 200-2000 nm 낮은 전기 저항
높은 내부식성
높은 내스크래치성
내환경성
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예는 다음과 같은 장점들을 하나 이상 가진다:
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서에서 ITO 전도체에 대한 필요성을 제거한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 마이크론 수준의 미세 전도체에 높은 전도성과 높은 투명도를 제공한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 헤이즈를 감소시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 투명도를 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 내부식성을 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 내스크래치성을 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 스캔 속도를 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 센서의 전기 저항을 감소시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 개선된 전기 전도성을 제공한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 종래의 터치 센서 전도체보다 전력 효율이 높다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 회로 컨넥션을 위한 접착 특성을 개선시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 환경적 분해에 대한 저항성을 제공한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 종래의 터치 센서 전도체에 비해 개선된 전자기 간섭-고주파 간섭 (RFI) 차폐를 제공한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 디스플레이 디바이스와 터치 센서 사이에 차폐층에 대한 필요성을 제거한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 종래의 터치 센서 전도체보다 제조 비용이 저렴하다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 종래의 터치 센서 전도체보다 제조가 용이하다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 고비용의 배치 공정 (batch process) 대신 롤-투-롤 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 더 커다란 크기의 터치 센서와 터치 스크린의 제조를 가능하게 한다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 스크린의 조립 비용을 감소시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 터치 스크린의 중량을 감소시킨다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 유해물질규제(RoHS)에 부합되며, 보다 환경친화적이다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 안테나 제조에 이용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예 또는 다수의 구현예에서, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체는 투명 안테나 제조에 이용될 수 있다.
본 발명은 상기 구현예들에 대하여 설명되었지만, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들이라면 본 개시 내용을 바탕으로 다른 구현예들이 가능하며, 이러한 구현예들은 본 명세서에 개시된 범주 내에 포함된다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 제한되어야 한다.
110: 디스플레이 디바이스
120: 터치 센서
130: 커버 렌즈
140: 접착제 층
150: 터치 컨트롤러

Claims (28)

  1. 기판 상에 패턴화된 잉크 씨드 층을 인쇄하고,
    인쇄된 상기 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 무전해 구리를 도금하고,
    도금된 상기 무전해 구리 상에 소정의 두께의 무전해 니켈을 도금하는 것을 포함하는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정 두께가 약 20 나노미터 내지 약 200 나노미터의 범위인, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소정 두께가 약 200 나노미터 내지 약 2000 나노미터의 범위인, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 400 나노미터 내지 약 500 나노미터의 범위인, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 500 나노미터 내지 약 700 나노미터의 범위인, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 700 나노미터 내지 약 2000 나노미터의 범위인, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 1 마이크론 내지 약 9 마이크론의 범위의 폭을 가지는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 10 마이크론 내지 약 20 마이크론의 범위의 폭을 가지는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 20 마이크론보다 큰 범위의 폭을 가지는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 무전해 니켈이 니켈-붕소 합금을 포함하는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 무전해 니켈이 니켈-인 합금을 포함하는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  12. 제15항에 있어서, 상기 패턴화된 잉크 씨드 층이 씨드 전도체의 마이크로 메쉬를 포함하는, 터치 센서.
  13. 제1항에 있어서, 상기 잉크가 촉매성 잉크를 포함하는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 기판이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판을 포함하는, 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체의 제조 방법.
  15. 기판;
    상기 기판 상에 인쇄된 패턴화된 잉크 씨드 층;
    인쇄된 상기 패턴화된 잉크 씨드 층 상에 위치하는 무전해 구리 도금 층; 및
    상기 무전해 구리 도금 층 상에 위치하는, 소정의 두께를 가진 무전해 니켈 도금 층을 포함하는, 터치 센서.
  16. 제15항에 있어서, 상기 소정 두께가 상기 소정 두께가 약 20 나노미터 내지 약 200 나노미터의 범위인, 터치 센서.
  17. 제15항에 있어서, 상기 소정 두께가 약 200 나노미터 내지 약 2000 나노미터의 범위인, 터치 센서.
  18. 제15항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 400 나노미터 내지 약 500 나노미터의 범위인, 터치 센서.
  19. 제15항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 500 나노미터 내지 약 700 나노미터의 범위인, 터치 센서.
  20. 제15항에 있어서, 도금된 무전해 구리의 두께가 약 700 나노미터 내지 약 2000 나노미터의 범위인, 터치 센서.
  21. 제15항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 1 마이크론 내지 약 9 마이크론의 범위의 폭을 가지는, 터치 센서.
  22. 제15항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 10 마이크론 내지 약 20 마이크론의 범위의 폭을 가지는, 터치 센서.
  23. 제15항에 있어서, 상기 구리-니켈 마이크로 메쉬 전도체가 약 20 마이크론보다 큰 범위의 폭을 가지는, 터치 센서.
  24. 제15항에 있어서, 상기 무전해 니켈이 니켈-붕소 합금을 포함하는, 터치 센서.
  25. 제15항에 있어서, 상기 무전해 니켈이 니켈-인 합금을 포함하는, 터치 센서.
  26. 제15항에 있어서, 상기 패턴화된 잉크 씨드 층이 씨드 전도체의 마이크로 메쉬를 포함하는, 터치 센서.
  27. 제15항에 있어서, 상기 잉크가 촉매성 잉크를 포함하는, 터치 센서.
  28. 제15항에 있어서, 상기 기판이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판을 포함하는, 터치 센서.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170108959A1 (en) * 2015-10-15 2017-04-20 Richard Keith McMillan Two piece lens assembly
DE102019117523A1 (de) * 2019-06-28 2020-12-31 Peiker Acustic Gmbh Mikrofonanordnung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040040148A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Parlex Corporation Manufacture of flexible printed circuit boards
JP2004304167A (ja) * 2003-03-20 2004-10-28 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 配線、表示装置及び、これらの形成方法
US7078796B2 (en) * 2003-07-01 2006-07-18 Freescale Semiconductor, Inc. Corrosion-resistant copper bond pad and integrated device
US7196281B2 (en) * 2004-11-12 2007-03-27 Eastman Kodak Company Resistive touch screen having conductive mesh
KR100815376B1 (ko) * 2006-08-17 2008-03-19 삼성전자주식회사 신규한 금속패턴 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자
KR20080047902A (ko) * 2006-11-27 2008-05-30 삼성전자주식회사 터치 센서
CN104636016B (zh) * 2008-02-28 2018-12-18 3M创新有限公司 触屏传感器
CN104090673B (zh) * 2008-02-28 2018-02-23 3M创新有限公司 具有低可见度导体的触屏传感器
US7958789B2 (en) * 2008-08-08 2011-06-14 Tokai Rubber Industries, Ltd. Capacitive sensor
JP5819619B2 (ja) * 2010-03-19 2015-11-24 富士フイルム株式会社 インクジェットインク、表面金属膜材料及びその製造方法、金属パターン材料及びその製造方法
US8703602B2 (en) * 2010-12-02 2014-04-22 Qualcomm Incorporated Selective seed layer treatment for feature plating
US8904631B2 (en) * 2011-04-15 2014-12-09 General Electric Company Method of fabricating an interconnect device

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