CN111782086B - 触控面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

在此揭示一种触控面板及其制造方法，该触控面板包括至少一导线，该导线由至少一导线高阻抗部以及至少一导线低阻抗部所组成；其中，该导线高阻抗部之薄膜电阻大于该导线低阻抗部之薄膜电阻，藉此可避免触控面板周边线路遭受弯折破坏的情形。

Description

触控面板及其制造方法

技术领域

本发明系关于一种触控面板，特别是一种可避免弯折破坏之触控面板及其制造方法。

背景技术

在触控面板领域中，习用的投射电容式触控面板主要包含设置于基材上之单层或双层触控电极，该触控电极与人体手指或导电体之间因接触而产生电容感应，进一步经过控制电路的运算后，获取可供操作系统判读的坐标数据。进一步而言，投射电容式触控面板通常包含触控驱动(Tx)电极以及触控感应(Rx)电极，两者可分别设置在不同的基板上，亦可设置于同一基板的相对二表面上；而触控驱动电极以及触控感应电极皆与多条金属导线(或称引线)电性对应连接，并透过其金属引线与控制电路相连。

随着科技的进步，可弯折式以及窄边框触控面板的需求随之提高；而因应需求所设置的金属导线当具备可弯折的特性；然习用的产品时常在弯折处因讯号线断开而导致弯折破坏(Bending failure)的情形，进而对触控面板的运作产生负面影响。是故，习知的触控面板有所缺失。

发明内容

鉴于上述内容，本案之目的在于提供一种触控面板，其具有良善的周边线路设置，得以在具备可弯折特性的同时，亦能避免弯折破坏的情形。

本案发明人基于长期在触控面板领域之经验以及持续的测试，发现容易造成弯折破坏之原因之一为周边的导线之银致密程度较高，而其阻抗较低，并发现银引线阻抗与其弯折前后阻抗变化率之关联。基于此等发现，本案发明人为本案发想许多不同的态样以及实施方式。

本揭露之一态样，系提供一种触控面板。该触控面板包括一感测单元以及一基板，该感测单元包括至少一导电网格层以及至少一导线，该导线与该导电网格层电性连接，且其中该导线由至少一导线高阻抗部以及至少一导线低阻抗部所组成，且该导线高阻抗部之薄膜电阻大于该导线低阻抗部以及该导电网格层之薄膜电阻；该基板用以令该感测单元设置于该基板之至少一表面上。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该感测单元包括一第一导电网格层，其包括复数触控感应电极；以及一第二导电网格层，其包括复数触控驱动电极；而该导线系与该第一导电网格层或该第二导电网格层电性连接。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该触控面板定义有一显示区以及一边框区；该显示区包括一叠构，该叠构包括该第一导电网格层、该第二导电网格层、至少一绝缘层、该基板之一显示部以及一液晶显示模组(LCM)；而该边框区包括该基板之一周边部。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该周边部与至少一该导线自该边框区以相同方向延伸至该显示区并包覆部分该液晶显示模组；更进一步而言，该周边部与至少一该导线自该边框区以相同方向延伸至该显示区并贴附于该显示模组下方。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该导线高阻抗部之薄膜电阻至少为该导线低阻抗部以及该导电网格层之薄膜电阻的1.1倍，较佳地为1.1～1.25倍；且进一步而言，该导线高阻抗部及该导线低阻抗部皆系由铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料之中不同的任二者所组成。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该导线高阻抗部之薄膜电阻至少为该导线低阻抗部以及该导电网格层之薄膜电阻的1.1倍，较佳地为1.1～1.25倍；且进一步而言，该导线高阻抗部及该导线低阻抗部皆系由铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料之中的任一者所组成。

根据本揭露之一个或多个实施方式，该导线高阻抗部系由纳米银线、银粒子或导电高分子PEDOT:PSS所组成。

进一步而言，该导线高阻抗部定义有一第一侧面以及其相对之一第二侧面，该第一侧面以及该第二侧面之表面与该基板之表面的夹角皆不大于30度；较佳地，该第一侧面以及该第二侧面之表面与该基板之表面的夹角皆为20～30度。

本揭露之一态样，系提供一种触控面板之制造方法，包括一曝光制程，其特征在于进一步包括下列步骤：以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分别对应于一纳米银材料之至少一低阻抗区以及至少一高阻抗区设置并曝光，并且其中该第一光罩之光穿透率大于该第二光罩之光穿透率；该步骤用以透过曝光制程中曝光程度之差异，造成该高阻抗区之银致密程度小于该低阻抗区之银致密程度；进一步而言，该第二光罩系多灰阶制程光罩或半色调光罩。

本揭露之一态样，系提供一种触控面板之制造方法，包括一溅镀镀膜制程，其特征在于进一步包括下列步骤：将至少一遮罩对应一银靶材之至少一高阻抗区设置，以一具第一能量之电子束轰击该银靶材，接着将该遮罩对应该银靶材之至少一低阻抗区设置，以一具第二能量之电子束轰击，并且其中该第一能量小于该第二能量；该步骤用以透过溅镀镀膜制程中电子束之能量差异，造成该高阻抗区之银致密程度小于该低阻抗区之银致密程度。

附图说明

为让本发明的上述与其他目的、特征、优点与实施例能更浅显易懂，所附图式之说明如下：

图1系依据本揭露一实施方式之触控面板所绘示的立体外观图；

图2系沿第1图之I-I线段所绘示的剖面结构示意图；

图3系依据本揭露一实施方式之触控面板所绘示的剖面结构示意图；

图4系依据本揭露一实施方式之触控面板所绘示的部分立体示意图；

图5A以及5B分别系习用引线样本以及本揭露一实施方式之触控面板的引线样本SEM图；

图6系依据本揭露一实验所绘示的薄膜电阻与阻抗变化率之比较折线图；

图7系沿第1图之I-I线段所绘示的部分剖面细部结构示意图；

图8A系习用触控面板引线之剖面示意图，而图8B系本揭露一实施方式之一触控面板引线的剖面示意图。

根据惯常的作业方式，图中各种特征与组件并未依实际比例绘制，其绘制方式是为了以最佳的方式呈现与本发明相关的具体特征与组件。此外，在不同图式间，以相同或相似的组件符号指称相似的组件及部件。

附图标记

10：触控面板

11：显示区

111：第一覆盖层

112：第一绝缘层

113：第二绝缘层

114：液晶显示模组

12：边框区

121：第二覆盖层

122：非透光盖板

20：显示部

21：第一金属网格层

210：第一触控电极

22：第二金属网格层

220：第二触控电极

30：周边部

301：弯折部

302：非弯折部

31：第一延伸导线

311：第一导线高阻抗部

312：第一导线低阻抗部

321：第二导线高阻抗部

322：第二导线低阻抗部

40：绑定区

41：控制电路

42：第一弯折线

43：第二弯折线

51：第一侧面

52：第二侧面

D1：第一方向

D2：第二方向

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

以下揭露提供不同的实施例或示例，以建置所提供之标的物的不同特征。以下叙述之成分以及排列方式的特定示例是为了简化本公开，目的不在于构成限制；组件的尺寸和形状亦不被揭露之范围或数值所限制，但可以取决于组件之制程条件或所需的特性。例如，利用剖面图描述本发明的技术特征，这些剖面图是理想化的实施例示意图。因而，由于制造工艺和/公差而导致图示之形状不同是可以预见的，不应为此而限定。

再者，空间相对性用语，例如「下方」、「在…之下」、「低于」、「在…之上」以及「高于」等，是为了易于描述图示中所绘示的元素或特征之间的关系；此外，空间相对用语除了图示中所描绘的方向，还包含组件在使用或操作时的不同方向。

图1系依据本揭露一实施方式之触控面板所绘示，其系该触控面板之立体外观图，图2则系沿图1之I-I线段之剖面结构示意图；请先共同参阅图1-2，一触控面板10定义有一显示区11以及一边框区12，该显示区11为用户主要的可观看区域，该边框区12围绕该显示区11，主要提供以令使用者握持，亦用以遮蔽该触控面板10之周边线路。以本实施例而言，该边框区12外观以弧面呈现，然而本案并不为此予以限定，边框区可依据本揭露所属领域之通常知识进行变更。

图3系依据本揭露另一实施方式之触控面板所绘示，其系该触控面板之剖面结构示意图，请共同参阅图2以及图3，该显示区11包括一第一覆盖层111，而该边框区12包括一第二覆盖层121，该第二覆盖层121围绕该第一覆盖层111，依据本揭露所属领域之通常知识可理解，该第一覆盖层111与该第二覆盖层121系以一体成形制成，并且以玻璃制成以达到透光目的；然而以本揭露另一实施方式而言，该边框区12包括一非透光盖板122，该非透光盖板122围绕该第一覆盖层111；其中该非透光盖板122之形状或施作细节并不为本案所限定，因此可依据本发明所属领域之通常知识进行调变。

请参阅图2-3，该显示区11又包括第一绝缘层112、一第二绝缘层113、一第一金属网格层21、一第二金属网格层22、一基板之显示部20以及一液晶显示模组114(LCM)；上述结构与该第一覆盖层111以叠构形式结合并且可以理解该第一金属网格层21以及该第二金属网格层22分别设置于该显示部20之二相对表面；更具体而言，该层叠由位于表面之第一覆盖层111往远离使用者之方向延伸，依序为：该第一绝缘层112、该第一金属网格层21、该显示部20、该第二金属网格层22、该第二绝缘层113以及该液晶显示模组114；然而此顺序可在能达成相似目的的基础上，依据本揭露所属领域之通常知识进行调变。

请再参阅图2-3，该边框区12包括一第二覆盖层121、一基板之周边部30、复数第一延伸导线31以及复数第二延伸导线32。必须注意的是，依据触控面板领域之习用制程以及图2之绘示内容可理解，该第一绝缘层112较佳地，会由显示区11延伸至边框区12，并设置于该第二覆盖层121以及该复数第一延伸导线31之间；此外，可由图2理解，该复数第一延伸导线31以及该复数第二延伸导线32贴附于该周边部30之二相对表面，并且该复数第一延伸导线31、该复数第二延伸导线32以及该周边部30可以相同方向弯折，并延伸至该显示区并贴附液晶显示模组114之底部表面，进一步达成窄边框触控面板之特性。

具体而言，该第一绝缘层112以及该第二绝缘层113皆可以为，但不限于光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)或液态光学透明胶(Liquid Optical Clear Adhesive，LOCA)等具有高透光率的不导电黏着胶。

具体而言，该基板之显示部20以及该周边部30皆可透光，并皆为可弯折的基板，其材质可以为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、环烯烃化合物(COP)或上述至少任二者以上之组合材质。

图4系依据本揭露一实施方式之触控面板所绘示，系该触控面板之部分立体示意图；请参阅图4，该第一金属网格层21设置于该显示部20之一表面，而该第二金属网格层22设置于该显示部20相对之另一表面。该第一金属网格层21设有复数第一触控电极210，该复数第一触控电极210沿第一方向D1排列成复数电极串，而该第二金属网格层22设有复数第二触控电极220，沿第二方向D2排列成复数电极串；该第一方向D1以及该第二方向D2不平行，较佳为正交。再者，以本实施方式而言，该复数第一触控电极210分别为一触控感应(Rx)电极，而该复数第二触控电极220分别为一触控驱动(Tx)电极，依据本揭露所属领域之通常知识，上述二者可在能达成相似目的的基础上调换实施；此外，该复数第一触控电极210以及该复数第二触控电极220以彼此隔离的矩形条状排列设置，亦皆可以依照本揭露所属领域之通常知识进行变更设置。

请继续参阅图4，该复数第一延伸导线31设置于该周边部30之一表面，而相对地该周边部30之另一表面设有该复数第二延伸导线32。该复数第一延伸导线31分别以一端与该第一触控电极210电性连接，以另一端延伸至一绑定区40，并与一控制电路41连接；而该复数第二延伸导线32分别以一端与该第二触控电极220电性连接，另一端则延伸至该绑定区40并与该控制电路41连接。据此可以理解，该绑定区40设置有该控制电路41(较佳为一软性电路板FPC)，而第一延伸导线31以及该第二延伸导线32共同绑定于该绑定区40。

请再参阅第图4，该触控面板10具有一第一弯折线42以及一第二弯折线43，在实际制程中可将该触控面板10沿该第一弯折线42以及该第二弯折线43弯折，以获得一可挠性触控面板或是一窄边框触控面板之技术特征。

具体而言，该第一金属网格层21以及该第二金属网格层22之导电材料皆可以为金属或其氧化物，且较佳地，可为铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料。

具体而言，该第一延伸导线31以及该第二延伸导线32之导电材料皆可以为金属或其氧化物，且较佳地，可为铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料；此外，该第一延伸导线31与该第一金属网格层21可以为相同导电材料亦可以由不同导电材料制成；且该第二延伸导线32与该第二金属网格层22可以为相同导电材料亦可以由不同导电材料制成。

实验结果

本揭露包括一实验(实验1)，测试并比较弯折后因断线造成弯折破坏(Bendingfailure)之导线样本(样本1)，以及弯折后未产生弯折破坏之导线(样本2)，在此实验中，该样本1以及该样本2之材料皆为银；图5A以及图5B分别为该样本1以及该样本2之剖面扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)图。请共同参阅图5A以及图5B，可理解该样本1具备较该样本2为高之致密度；此外，第5A以及5B图右下角皆标示有一比例尺，并皆表示为1微米(Micrometer,um)。

本揭露包括另一实验(实验2)，其将弯折后因断线造成弯折破坏之触控感应延伸导线以及触控驱动延伸导线样本，与弯折后未产生弯折破坏之触控感应延伸导线以及触控驱动延伸导线样本进行阻抗比较；在此注明，实验2所指之触控感应延伸导线以及触控驱动延伸导线分别指定为与触控感应电极电性连接以及与触控驱动电极电性连接之导线，且其材料于实验2中皆理解为银。

实验2之比较结果揭示于表1，其中所使用之阻抗单位系千欧(kΩ)。

表1

样本	弯折破坏	未弯折破坏
			Rx	8.4kΩ	9.0kΩ
Tx	6.0kΩ	6.9kΩ

请共同参阅图5A、图5B以及表1之内容，可进一步理解并推知触控面板之银线的致密程度影响其阻抗，而其阻抗进一步影响该导线经弯折后产生弯折破坏之特性。

基于实验1以及实验2之变因，在此进一步提供一实验(实验3)结果，实验3测定触控面板导线之薄膜电阻与其弯折前后阻抗变化率之关联性，所采取之实验方法为四点探针量测法。其结果以折线图绘示于图6。请参阅图6，图中纵轴参数显示阻抗变化率(后/前)，而其横轴参数显示该引线之薄膜电阻(Sheet Resistance)，单位系Ω/sq(奥姆/平方)。依据图6所示结果可理解，当该导线之薄膜电阻在0.35-0.4Ω/sq之范围内，其弯折前后阻抗变化率(后/前)即可控制在1-1.1之间；然而当该导线之薄膜电阻小于0.3Ω/sq，其弯折前后阻抗变化率(后/前)即大幅上升，进而造成断线以及弯折破坏。

图7系沿图1之I-I线段所绘示的部分剖面细部结构示意图，其中揭露之内容可理解为细部显示图2之部分内容。请参阅图7，鉴于实验1-3之结果与教示，该周边部30定义有复数弯折部301以及复数非弯折部302，以本实施方式而言，包括二个弯折部301以及二个非弯折部302，其具体施作数量可依照本揭露所属领域之通常知识以及弯折需求进行调变；第一延伸导线31定义有复数第一导线高阻抗部311以及复数第一导线低阻抗部312，以本实施方式而言，包括二个第一导线高阻抗部311以及二个第一导线低阻抗部312，其具体施作数量可依照本揭露所属领域之通常知识以及弯折需求进行调变；第二延伸导线32定义有复数第二导线高阻抗部321以及复数第二导线低阻抗部322，以本实施方式而言，包括二个第二导线高阻抗部321以及二个第二导线低阻抗部322，其具体施作数量可依照本揭露所属领域之通常知识以及弯折需求进行调变。必须特别注意的是，该复数第一导线高阻抗部311以及该复数第二导线高阻抗部321皆对应该复数弯折部301之形状设置。

进一步而言，该第一导线高阻抗部311之薄膜电阻至少为该第一导线低阻抗部312薄膜电阻之1.1倍，较佳地可为1.1-1.25之倍数范围；而该第二导线高阻抗部321之薄膜电阻至少为该第二导线低阻抗部322之1.1倍，较佳地亦可为1.1-1.25之倍数范围。

以材料而言，该第一导线高阻抗部311与第一导线低阻抗部312之材料皆可为金属或其氧化物，且较佳地，可为铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料；而该第一导线高阻抗部311可与该第一导线低阻抗部312以不同材料制成，亦可以相同材料制成；在一些实施例中，该第二导线高阻抗部321与第二导线低阻抗部322之材料皆可为金属或其氧化物，且较佳地，可为铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡(ITO)材料；而该第二导线高阻抗部321可与该第二导线低阻抗部322以不同材料制成，亦可以相同材料制成。

具体而言，依据不同的实施方示，该第一导线高阻抗部311以及该第二导线高阻抗部322可由纳米银线、银粒子或导电高分子PEDOT:PSS所组成。

依据不同实施方式之内容，该复数第一延伸导线31以及该复数第二延伸导线32皆为复数条银线。并且，该第一导线高阻抗部311之银致密程度不超过该第一导线低阻抗部312之银金属密度的0.9倍；而该第二导线高阻抗部321之银金属密度不超过该第二导线低阻抗部322之银致密程度的0.9倍。

图8A系习用触控面板引线之剖面示意图，而图8B系依据本揭露一实施方式之一触控面板所呈现，其为一导线高阻抗部之剖面示意图。该导线高阻抗部定义有一第一侧面51以及一第二侧面52，并且底面贴附于一基板之表面(未标示于图示中)；具体而言，可由图8A理解该习用触控面板引线之侧面与底面之夹角大于30度，更具体来说其夹角为90度；而依据本案之实施方式，该第一侧面51与底面之夹角，以及该第二侧面52与底面之夹角皆不超过30度，较佳地约为26度。

制造方法

为了调控导线高阻抗部以及导线低阻抗部不同的薄膜电阻，本说明提供数种可据以实施的触控面板制造方法。

在此提供一可据以实施的曝光制程，其特征在于进一步包括下列步骤：以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分别对应于一纳米银材料之至少一低阻抗区以及至少一高阻抗区设置并曝光，并且其中该第一光罩之光穿透率大于该第二光罩之光穿透率；该步骤用以透过曝光制程中曝光程度之差异，造成该高阻抗区之银致密度小于该低阻抗区之银致密度；藉此，该纳米银材料之高阻抗区的薄膜电阻即大于该低阻抗区的薄膜电阻，达到本案所请之技术特征。

具体而言，该纳米银可采多元醇合成法制备，其中高分子的添加比例、反应温度或是前驱物的晶种浓度可依照本案所属领域之通常知识以及需求进行调变，且不为本案实施方式所限。

具体而言，该第二光罩可采习用低穿透率之光罩，例如多灰阶制程光罩(GrayTone Mask)或半色调光罩(Half Tone Mask)；然而实际施作方式，本揭露所属领域之技术者可基于相同目的与结果而依通常知识变更。

在此另提供一可据以实施的溅镀镀膜制程，其特征在于进一步包括下列步骤：将至少一遮罩对应一银靶材之至少一高阻抗区设置，以一具第一能量之电子束轰击该银靶材，接着将至少一该遮罩对应该银靶材之至少一低阻抗区设置，以一具第二能量之电子束轰击，并且其中该第一能量小于该第二能量；该步骤用以透过溅镀镀膜制程中电子束之能量差异，造成该高阻抗区之银致密度小于该低阻抗区之银致密度。

具体而言，该第一能量小于该第二能量可理解为透过前者轰击时使用低于后者的溅射功率，藉此令沉积的该高阻抗区之银致密度小于该低阻抗区之银致密度；此外，该制程中所使用之靶材的面尺寸、沉积时间以及沉积厚度等参数可依照本案所属领域之通常知识以及需求进行调变，且不为本案实施方式所限。

在不同的实施方式中，亦可透过一种可据以实施的涂布制程达成本案所请的技术特征；该涂布制程较佳地为一狭缝涂布制程，其特征在于包括下列步骤：将至少一遮罩对应至少一导电高阻抗区设置，并将一银粉材料涂布于至少一导电低阻抗区；接着将至少一该遮罩对应至少一该导电低阻抗区设置，并将一银复合材料涂布于至少一该导电高阻抗区；其中该银复合材料包括银以及树脂；该步骤用以透过涂布材料的差异，造成该导电高阻抗区之薄膜电阻大于该导电低阻抗区之薄膜电阻。

具体而言，该树脂可为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

以上实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施方式对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (11)

1.一种触控面板，其特征在于，包括：

一感测单元，其包括一第一导电网格层，一第二导电网格层以及至少一导线，该第一导电网格层包括复数触控感应电极，该第二导电网格层包括复数触控驱动电极，该导线系与该第一导电网格层或该第二导电网格层电性连接，且其中该导线由至少一导线高阻抗部以及至少一导线低阻抗部所组成，该导线高阻抗部之薄膜电阻大于该导线低阻抗部以及该第一导电网格层、该第二导电网格层之薄膜电阻；以及

一基板，用以令该感测单元设置于该基板之至少一表面上；

其中定义有一显示区以及一边框区；该显示区包括一叠构，该叠构包括该第一导电网格层、该第二导电网格层、至少一绝缘层、该基板之一显示部以及一液晶显示模组；而该边框区包括该基板之一周边部，且该周边部与至少一该导线自该边框区以相同方向延伸至该显示区并包覆部分该液晶显示模组，以及该周边部与至少一该导线自该边框区以相同方向延伸至该显示区并贴附于该显示模组下方，又该周边部定义有复数弯折部以及复数非弯折部，该导线高阻抗部对应该复数弯折部之形状设置。

2.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部之薄膜电阻至少为该导线低阻抗部以及该导电网格层之薄膜电阻的1.1倍。

3.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部之薄膜电阻为该导线低阻抗部以及该导电网格层之薄膜电阻的1.1～1.25倍。

4.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部及该导线低阻抗部皆系由铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡材料之中不同的任二者所组成。

5.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部及该导线低阻抗部皆系由铜、金、银、铝、锡、铁、镍或氧化铟锡材料之中的任一者所组成。

6.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部系由纳米银线、银粒子或导电高分子PEDOT:PSS所组成。

7.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部定义有一第一侧面以及其相对之一第二侧面，该第一侧面以及该第二侧面之表面与该基板之表面的夹角皆不大于30度。

8.如权利要求1所述之触控面板，其中该导线高阻抗部定义有一第一侧面以及其相对之一第二侧面，该第一侧面以及该第二侧面之表面与该基板之表面的夹角皆为20～30度。

9.一种触控面板之制造方法，包括一曝光制程，其特征在于进一步包括下列步骤：

以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分别对应于一纳米银材料之至少一低阻抗区以及至少一高阻抗区设置并曝光，并且其中该第一光罩之光穿透率大于该第二光罩之光穿透率；该步骤用以透过曝光制程中曝光程度之差异，造成该高阻抗区之银致密程度小于该低阻抗区之银致密程度。

10.如权利要求9所述之制造方法，其中该第二光罩系多灰阶制程光罩或半色调光罩。

11.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包括一溅镀镀膜制程，其特征在于进一步包括下列步骤：

将至少一遮罩对应一银靶材之至少一高阻抗区设置，以一具第一能量之电子束轰击该银靶材，接着将至少一该遮罩对应该银靶材之至少一低阻抗区设置，以一具第二能量之电子束轰击，并且其中该第一能量小于该第二能量；该步骤用以透过溅镀镀膜制程中电子束之能量差异，造成该高阻抗区之银致密程度小于该低阻抗区之银致密程度。

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