CN110596795A - 玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种玻璃面板，包括玻璃基板、设置在玻璃基板一侧或两侧表面的低静电AF膜层，低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。本发明实施例通过在现有玻璃面板表面的AF防指纹膜中引入抗静电组分，可降低玻璃面板在撕膜或摩擦时产生的静电，避免现有手机等电子产品在组装过程中，因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。本发明实施例还提供了该玻璃面板的制备方法、及包含该玻璃面板的显示屏和终端。

Description

玻璃面板及其制备方法、包含该玻璃面板的显示屏和终端
技术领域
本发明实施例涉及触摸屏技术领域，特别是涉及玻璃面板及其制备方法、及包含该玻璃面板的显示屏和终端。
背景技术
手机等电子产品触摸屏在组装与运输过程中，为避免触摸屏表面玻璃面板被划伤，需采用保护膜对玻璃面板表面进行保护。而为了提高玻璃面板抗脏污与爽滑性能，通常在玻璃面板表面形成有一层抗指纹(Anti-Fingerprint，AF)膜层，AF膜层材料包括全氟聚醚硅氧烷，主要含碳、氧、氟、硅元素，其中氟原子吸电子能力强，且AF材料阻抗＞1013Ω，其绝缘性导致电荷转移率低。因此当AF膜层上设置有保护膜，在将保护膜从触摸屏表面撕除时，容易产生较高静电压，且静电荷短时间内难以耗散。在智能手机等电子产品组装产线的来料检验、点胶压合等工序中都存在撕膜操作。撕膜产生的静电荷可能会从玻璃表面向下传导到触摸屏BTB(Button to Button，板对板)管脚端，组装过程中BTB管脚触碰金属中框或其他金属材料时会形成放电回路，产生电流泻放可能损伤IC芯片，导致触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。另外，玻璃面板表面还会因静电吸附尘点异物，不易擦拭，影响制造生产。
为解决触摸屏因撕膜或摩擦静电导致的显示不良问题，以及静电吸附尘点异物的问题，急需开发一种低静电触摸屏玻璃面板。
发明内容
鉴于此，本发明实施例提供一种玻璃面板，其表面的AF防指纹膜中包含抗静电组分，抗静电组分的引入可降低玻璃面板在撕膜或摩擦时产生的静电，以在一定程度上解决现有手机等电子产品在组装过程中，因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良的问题；以及在一定程度上解决静电吸附尘点异物的问题。
具体地，本发明实施例第一方面提供一种玻璃面板，包括玻璃基板、设置在所述玻璃基板一侧或两侧表面的低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂分别与所述玻璃基板表面形成共价键合。
本发明实施方式中，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基、羟基、羧基或聚氧乙烯醚改性的聚硅氧烷中的一种或多种。
本发明实施方式中，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基改性聚二甲基硅氧烷、端羟基改性聚二甲基硅氧烷、端羧基改性聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯醚共聚硅氧烷中的一种或多种。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂两者的升华温度相差小于10℃。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷的分子量为500g/mol-10000g/mol，所述有机硅烷抗静电剂的分子量为500g/mol-10000g/mol。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂的质量比为1:0.5-1:4。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层的表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1012ohm。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂均匀分布在所述低静电AF膜层中。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层中，所述有机硅烷抗静电剂形成连续网络结构。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层的厚度在2nm-500nm的范围内。
本发明实施方式中，所述玻璃基板与所述低静电AF膜层之间设置有二氧化硅层。
本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。
本发明实施例第一方面提供的玻璃面板，通过在现有AF防指纹膜中引入抗静电组分，可降低玻璃面板在撕膜或摩擦时产生的静电，避免现有手机等电子产品在组装过程中，因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。
第二方面，本发明实施例还提供了一种玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
本发明实施方式中，所述在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层的具体操作为：
将含有氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂的蒸镀靶材置于蒸镀设备中，真空加热使氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂同时升华，并沉积在所述玻璃基板表面。
本发明实施方式中，所述蒸镀靶材的制备包括：
将氟化硅氧烷分散于第一有机溶剂中得第一分散液，将有机硅烷抗静电剂分散于第二有机溶剂中得第二分散液，将所述第一分散液和所述第二分散液滴至靶材载体上，待有机溶剂挥发后，得到所述蒸镀靶材。
本发明实施方式中，所述第一有机溶剂包括氟碳类有机溶剂和氟醚类有机溶剂中的至少一种。
本发明实施方式中，所述第二有机溶剂包括乙醇、乙醚、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮中的至少一种。
本发明实施方式中，在蒸镀制备低静电AF膜层之前，先在所述玻璃基板的表面制备一层二氧化硅层。
本发明实施例第二方面提供的制备方法，工艺简单，适于工业化生产。
本发明实施例还提供一种显示屏，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上用于保护所述显示屏模组的玻璃面板，所述玻璃面板为本发明实施例第一方面所述的玻璃面板，所述玻璃面板外侧表面设置有所述低静电AF膜层，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
本发明实施例还提供一种终端，包括组装在所述终端外侧的外壳，以及位于所述外壳内部的电路板，所述外壳包括组装在前侧的显示屏，所述显示屏包括玻璃面板和设置在所述玻璃面板内侧的显示模组，所述玻璃面板包括玻璃基板、设置在所述玻璃基板朝向所述终端外侧的一侧表面上的低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂分别与所述玻璃基板表面形成共价键合。
本发明实施方式中，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基、羟基、羧基或聚氧乙烯醚改性的聚硅氧烷中的一种或多种。
本发明实施方式中，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基改性聚二甲基硅氧烷、端羟基改性聚二甲基硅氧烷、端羧基改性聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯醚共聚硅氧烷中的一种或多种。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂两者的升华温度相差小于10℃。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷的分子量为500g/mol-10000g/mol，所述有机硅烷抗静电剂的分子量为500g/mol-10000g/mol。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂的质量比为1:0.5-1:4。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层的表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1012ohm。
本发明实施方式中，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂均匀分布在所述低静电AF膜层中。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层中，所述有机硅烷抗静电剂形成连续网络结构。
本发明实施方式中，所述低静电AF膜层的厚度在2nm-500nm的范围内。
本发明实施方式中，所述玻璃基板与所述低静电AF膜层之间设置有二氧化硅层。
本发明实施方式中，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。
本发明实施例提供的终端，由于其采用的玻璃面板表面设置低静电AF膜层，因此可有效解决在组装过程中，因撕膜或摩擦产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的终端的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；
图3为本发明另一实施例提供的玻璃面板的结构示意图；
图4为本发明实施例一的玻璃面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例进行说明。
请参见图1，本发明实施例提供一种终端200，该终端200可以是手机、也可以是平板电脑、笔记本、便携机、智能穿戴产品等电子产品，终端200包括组装在终端外侧的外壳，以及位于外壳内部的电路板，其中，外壳可包括组装在终端前侧的显示屏和组装在后侧的后盖。显示屏可包括玻璃面板100和设置在玻璃面板100内侧的显示模组。本发明实施方式中，显示屏可以是触摸显示屏。本发明一些实施方式中，终端100还可以包括连接在层叠设置的显示屏和后盖之间的中框，显示屏、中框和后盖共同围设形成包围空间，电池、电路板等元器件设置于该包围空间内。中框的具体设置方式不限，中框可以是与后盖融合在一起，也可以是中框内置于终端100内部，收容于显示屏和后盖围成的空间中。
如图2所示，玻璃面板100包括玻璃基板10、设置在玻璃基板10一侧或两侧表面的低静电AF膜层11，低静电AF膜层11包括耐脏污组分和抗静电组分，其中，耐脏污组分包括氟化硅氧烷，抗静电组分包括有机硅烷抗静电剂。有机硅烷抗静电剂为具有抗静电性能的有机硅烷化合物，可以是大分子化合物，也可以是小分子化合物。氟化硅氧烷为表面能小于或等于25mN/m的氟化硅氧烷，具体可以是但不限于全氟聚醚硅氧烷。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11中，氟化硅氧烷与有机硅烷抗静电剂均匀分布，使得低静电AF膜层兼具良好的耐脏污和抗静电效果。有机硅烷抗静电剂既能与玻璃基板表面的硅羟基反应，形成稳定的化学键合，又能降低玻璃表面电阻和电负性。有机硅烷抗静电剂通过极性基团的离子传导或稀释作用，可构成电荷泄放通路，因而有机硅烷抗静电剂的引入，可使得在撕膜操作的过程中，起电少，电荷消散快，降低撕膜操作产生的静电压，减少从玻璃表面向下传导到触摸屏板对板管脚端的静电荷，避免触摸屏组装过程中因撕膜产生的静电而导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良的产生。另外，也可以有效缓解静电吸附尘点异物的问题。
通常，低静电AF膜层设置在玻璃基板10朝向终端外侧的一侧表面上，即使用者可接触的一侧表面。在本发明其他一些应用场景中，也可根据实际应用需求，在玻璃基板10的两侧表面上均设置低静电AF膜层。
本发明实施方式中，有机硅烷抗静电剂可以包括氨基、羟基、羧基或聚氧乙烯醚等亲水基改性的聚硅氧烷，氨基、羟基、羧基、聚氧乙烯醚等极性亲水基的引入，可以提高聚硅氧烷抗静电的能力。具体地，有机硅烷抗静电剂可包括氨基改性聚二甲基硅氧烷、端羟基改性聚二甲基硅氧烷、端羧基改性聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯醚共聚硅氧烷中的一种或多种。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11由氟化硅氧烷与有机硅烷抗静电剂共蒸镀制备，为了使得蒸镀过程中，两种蒸镀原料的升华基本同步，从而最终沉积在玻璃基板上获得两者均匀分布的膜层，应尽可能选择升华温度接近或相同的氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂。可选地，氟化硅氧烷与有机硅烷抗静电剂两者的升华温度的差值小于10℃。进一步地，两者的升华温度的差值小于5℃。进一步地，两者的升华温度的差值小于3℃。
本发明实施方式中，氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂分别与玻璃基板表面形成共价键合，两种组分都与玻璃面板形成了可靠的化学键合，因此可以使玻璃面板长时间保持良好的耐脏污性能和抗静电性能。氟化硅氧烷的分子量可为500g/mol-10000g/mol，有机硅烷抗静电剂的分子量可为500g/mol-10000g/mol。氟化硅氧烷为全氟聚醚硅氧烷时，其具体种类不限，可以是Z型、Y型、K型或D型全氟聚醚硅氧烷。
为了均衡低静电AF膜层11的耐脏污和抗静电性能，本发明实施方式中，氟化硅氧烷与有机硅烷抗静电剂的质量比控制为1:0.5-1:4。进一步地，氟化硅氧烷与有机硅烷抗静电剂的质量比可控制为1:0.8-1:4，更进一步地可以是1:1-1:2。适合的质量比能够使得AF膜层兼具良好的耐脏污和抗静电效果。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11的水接触角大于或等于110°。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11的表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1012ohm(欧姆)；进一步地，表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1010ohm。低静电AF膜层具有较低表面电阻率，电荷在该膜层的转移率较高，因而可以释放撕膜产生的静电荷，避免撕膜产生的静电导致的触摸屏黑屏、花屏、静电横纹等显示问题。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11中，有机硅烷抗静电剂形成连续网络结构，从而可以构建连续导静电通路，降低表面电阻。
本发明实施方式中，低静电AF膜层11的厚度可设置在2nm-500nm的范围内，进一步地可设置在10nm-30nm的范围内。
如图3所示，本发明实施方式中，玻璃基板10与低静电AF膜层11之间进一步包括二氧化硅层12。在本发明一些实施例中，二氧化硅层12的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-300nm的范围内，更进一步地，厚度可在2nm-10nm的范围内。二氧化硅层12的设置可以提高氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂在玻璃表面的接枝率，提升低静电AF膜层11在玻璃基板表面的附着力。
本发明实施方式中，玻璃基板10可以是现有常规的玻璃材质，包括但不限于铝硅玻璃等。
本发明实施方式中，玻璃面板的具体形状、尺寸不作限定，可根据实际需要设定，可以是2D玻璃面板、2.5D玻璃面板、3D玻璃面板等。本发明实施方式中，玻璃面板不限于用作显示屏的保护玻璃，也可以是用作终端后盖等其他需要使用玻璃面板的产品中。
本发明实施方式中，所述玻璃面板的可见光透过率在85％-96％范围内，进一步地，可见光透过率在91％-93％范围内。低静电AF膜层基本不影响玻璃面板的透过率。
本发明实施方式中，玻璃面板撕膜电压可采用如下方法进行评价：在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s。由于本发明实施例的玻璃面板，在镀膜AF防指纹膜时，同时引入了有机硅烷抗静电剂，因此，在撕膜过程中玻璃面板与保护膜胶层电子转移量降低，大幅度抑制了撕膜静电产生。相比现有设置未引入抗静电组分的AF防指纹膜的触摸屏玻璃面板，在相同测试条件下，本发明实施例的玻璃面板具有更低的撕膜电压，因而可以有效解决现有手机等电子产品组装过程中，因撕膜产生的静电导致的黑屏、花屏、静电横纹等显示不良问题。
另外，本发明实施例还提供了上述玻璃面板的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层，低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
本发明实施方式中，在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层的具体操作可为：
将含有氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂的蒸镀靶材置于蒸镀设备中，真空加热使氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂同时升华，并沉积在玻璃基板表面。
蒸镀过程中，真空度为10-1Pa-10-3Pa，沉积速率为0.1nm/s-5nm/s，真空腔体内的温度控制为24℃-60℃。
本发明实施方式中，蒸镀靶材的制备可包括以下步骤：
将氟化硅氧烷分散于第一有机溶剂中得第一分散液，将有机硅烷抗静电剂分散于第二有机溶剂中得第二分散液，将第一分散液和第二分散液滴至靶材载体上，待有机溶剂挥发后，得到蒸镀靶材。其中，可采用在40-60℃下进行烘干操作，使有机溶剂挥发。靶材载体可以是钢丝绒。
本发明实施方式中，第一有机溶剂包括氟碳类有机溶剂和氟醚类有机溶剂中的至少一种。
本发明实施方式中，第二有机溶剂包括乙醇、乙醚、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮中的至少一种。
本发明实施方式中，在蒸镀制备低静电AF膜层之前，可先在玻璃基板的表面制备一层二氧化硅层。二氧化硅层可通过磁控溅射制备或者通过热蒸发的方式制备。二氧化硅层的厚度可设置在0.1nm-500nm的范围内，进一步地，厚度可在1nm-300nm的范围内，更进一步地，厚度可在2nm-10nm的范围内。
本发明实施方式中，在制备低静电AF膜层之前，可先对玻璃基板进行预处理，预处理可包括超疏清洗、等离子处理等。
本发明实施例提供的制备方法，仅需一步镀膜工序即可获得兼具优异耐脏污和抗静电效果的低静电AF膜层，过程高效便捷，成本低廉，可实现大规模工业化生产。
下面分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。
实施例一
S101、将1g全氟聚醚硅氧烷材料分散在4g氟醚溶剂中得到第一分散液，将1g氨基改性聚二甲基硅氧烷分散在4g丙酮溶液中得到第二分散液，通过移液枪分别将0.2g上述两种分散液依次滴入钢丝绒药丸内，放入50℃烘箱中挥发掉溶剂，待下一步镀膜使用：
S102、将待镀膜的触摸屏玻璃基板放入真空镀膜机的真空腔的镀膜区，药丸放入加热舟上，抽真空到5.0×10-2Pa，在600sccm O2氛下采用RF射频离子源进行等离子处理300s。等离子处理结束后，待真空度稳定4.9×10-2Pa，通过硅靶(纯度为99wt％)在O2气氛下磁控溅射制备SiO2膜，镀膜温度为25℃，SiO2膜沉积速率0.1nm/s；SiO2膜层厚度4nm；镀膜SiO2后，待真空度稳定3.0×10-2Pa，通过加热舟加热药丸，镀膜腔体温度24℃，低静电AF镀膜沉积速率0.12nm/s；低静电AF膜层厚度25nm；将玻璃基材从真空镀膜机真空腔中取出，得到表面设置有低静电AF膜层的触摸屏玻璃面板。
如图4所示，为实施例一制备的表面设置有低静电AF膜层的触摸屏玻璃面板的结构示意图，图中，10为玻璃基材，11为SiO2膜层，111为接枝在SiO2膜层表面的全氟聚醚硅氧烷，112为接枝在SiO2膜层表面的氨基改性聚二甲基硅氧烷。全氟聚醚硅氧烷111和氨基改性聚二甲基硅氧烷112均匀分布在SiO2膜层表面。
为考察本发明实施例触摸屏玻璃面板制备方法的可行性，将本发明实施例一制备的触摸屏玻璃面板组装成显示屏，并进行撕膜静电测试。测试方法为：在20℃-25℃温度与40-50％RH湿度下，采用Trek520静电压测试仪测试玻璃面板撕膜后表面静电压峰值，要求测试员佩戴电手套与腕带，手持玻璃面板进行撕膜操作，玻璃面板与桌面距离大于30cm，撕膜剥离速度＞20cm/s。测试结果显示，本发明实施例一手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压为120V-280V，在相同测试条件下，相比常规AF镀膜(SiO2膜+AF膜)手机触摸屏玻璃面板的撕膜电压566V-880V，本发明实施例的玻璃面板的撕膜电压大幅降低，无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。
同时考察了本发明实施例触摸屏玻璃面板的耐脏污性能，本发明实施例玻璃面板水接触角为113°-116°，二碘甲烷接触角为95°-98°，指纹残留轻微不可见。
实施例二
S201、将0.98g全氟聚醚硅氧烷材料分散在4g氟碳溶剂中得到第一分散液，将0.97g聚氧乙烯醚共聚硅氧烷分散在4g乙醚溶液中得到第二分散液，通过移液枪分别将0.25g上述两种溶液依次滴入钢丝绒药丸内，放入55℃烘箱中挥发掉溶剂，待下一步镀膜使用：
S202、将待镀膜的触摸屏玻璃基板放入真空镀膜机的真空腔内，抽真空到4.0×10-2Pa，在700sccm O2气氛下采用霍尔离子源进行等离子处理350s。等离子处理结束后，待真空度稳定3.0×10-2Pa，通过硅靶(纯度为98wt％)在O2气氛下磁控溅射制备SiO2膜，镀膜温度为24℃，SiO2膜沉积速率0.1nm/s；SiO2膜层厚度8nm；镀膜SiO2后，待真空度稳定2.9×10-2Pa，通过加热舟加热药丸，镀膜腔体温度26℃，低静电AF镀膜沉积速率0.15nm/s；低静电AF膜层厚度30nm；将玻璃基材板从真空镀膜机真空腔中取出，得到表面设置有低静电AF膜层的触摸屏玻璃面板。
经检测，实施例二制备的触摸屏玻璃面板撕膜电压为89V-230V，在组装制程中无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。触摸屏玻璃面板水接触角为112°-115°，二碘甲烷接触角为94°-99°，指纹残留轻微不可见。
实施例三
S301、将0.99g全氟聚醚硅氧烷材料分散在4g氟碳溶剂中，将0.96g端基羟基聚二甲基硅烷分散在4g乙醇溶液中，通过移液枪将0.2g全氟聚醚硅氧烷溶液与0.3g端基羟基聚二甲基硅烷乙醇溶液依次滴入钢丝绒药丸内，放入60℃烘箱中挥发掉溶剂，待下一步镀膜使用：
S302、将待镀膜的触摸屏玻璃基板放入真空镀膜机的真空腔内，抽真空到3.0×10-2Pa，在800sccm O2气氛下采用霍尔离子源进行等离子处理300s。等离子处理结束后，待真空度稳定2.0×10-2Pa，通过硅靶(纯度为97wt％)在O2气氛下磁控溅射制备SiO2膜，镀膜温度为23℃，SiO2膜沉积速率0.09nm/s；SiO2膜层厚度5nm；镀膜SiO2后，待真空度稳定1.9×10-2Pa，通过加热舟加热药丸，镀膜腔体温度26℃，低静电AF镀膜沉积速率0.2nm/s；低静电AF膜层厚度20nm；将玻璃基材板从真空镀膜机真空腔中取出，得到表面设置有低静电AF膜层的触摸屏玻璃面板。
经检测，实施例三制备的触摸屏玻璃面板撕膜电压为78V-145V，在组装制程中无撕膜黑屏、花屏、静电横纹现象。触摸屏玻璃面板水接触角为110°-113°，二碘甲烷接触角为94°-95°，指纹残留轻微不可见。

Claims (33)

1.一种玻璃面板，其特征在于，包括玻璃基板、设置在所述玻璃基板一侧或两侧表面的低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
2.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂分别与所述玻璃基板表面形成共价键合。
3.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基、羟基、羧基或聚氧乙烯醚改性的聚硅氧烷中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的玻璃面板，其特征在于，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基改性聚二甲基硅氧烷、端羟基改性聚二甲基硅氧烷、端羧基改性聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯醚共聚硅氧烷中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂两者的升华温度相差小于10℃。
6.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述氟化硅氧烷的分子量为500g/mol-10000g/mol，所述有机硅烷抗静电剂的分子量为500g/mol-10000g/mol。
7.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂的质量比为1:0.5-1:4。
8.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述低静电AF膜层的表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1012ohm。
9.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂均匀分布在所述低静电AF膜层中。
10.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述低静电AF膜层中，所述有机硅烷抗静电剂形成连续网络结构。
11.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述低静电AF膜层的厚度在2nm-500nm的范围内。
12.如权利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃基板与所述低静电AF膜层之间设置有二氧化硅层。
13.如权利要求12所述的玻璃面板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。
14.一种玻璃面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板一侧或两侧表面蒸镀制备低静电AF膜层的具体操作为：
将含有氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂的蒸镀靶材置于蒸镀设备中，真空加热使氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂同时升华，并沉积在所述玻璃基板表面。
16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀靶材的制备包括：
将氟化硅氧烷分散于第一有机溶剂中得第一分散液，将有机硅烷抗静电剂分散于第二有机溶剂中得第二分散液，将所述第一分散液和所述第二分散液滴至靶材载体上，待有机溶剂挥发后，得到所述蒸镀靶材。
17.如权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述第一有机溶剂包括氟碳类有机溶剂和氟醚类有机溶剂中的至少一种。
18.如权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述第二有机溶剂包括乙醇、乙醚、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、丙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮中的至少一种。
19.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在蒸镀制备低静电AF膜层之前，先在所述玻璃基板的表面制备一层二氧化硅层。
20.一种显示屏，其特征在于，包括显示屏模组和覆盖在所述显示屏模组上的玻璃面板，所述玻璃面板为权利要求1-13任一项所述的玻璃面板，所述玻璃面板外侧表面设置有所述低静电AF膜层。
21.一种终端，其特征在于，包括组装在所述终端外侧的外壳，以及位于所述外壳内部的电路板，所述外壳包括组装在前侧的显示屏，所述显示屏包括玻璃面板和设置在所述玻璃面板内侧的显示模组，所述玻璃面板包括玻璃基板、设置在所述玻璃基板朝向所述终端外侧的一侧表面上的低静电AF膜层，所述低静电AF膜层包括氟化硅氧烷和有机硅烷抗静电剂，所述氟化硅氧烷的表面能小于或等于25mN/m。
22.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂分别与所述玻璃基板表面形成共价键合。
23.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基、羟基、羧基或聚氧乙烯醚改性的聚硅氧烷中的一种或多种。
24.如权利要求23所述的终端，其特征在于，所述有机硅烷抗静电剂包括氨基改性聚二甲基硅氧烷、端羟基改性聚二甲基硅氧烷、端羧基改性聚二甲基硅氧烷、聚氧乙烯醚共聚硅氧烷中的一种或多种。
25.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂两者的升华温度相差小于10℃。
26.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述氟化硅氧烷的分子量为500g/mol-10000g/mol，所述有机硅烷抗静电剂的分子量为500g/mol-10000g/mol。
27.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述氟化硅氧烷与所述有机硅烷抗静电剂的质量比为1:0.5-1:4。
28.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述低静电AF膜层的表面电阻率为1.0×109ohm-9.9×1012ohm。
29.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述氟化硅氧烷和所述有机硅烷抗静电剂均匀分布在所述低静电AF膜层中。
30.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述低静电AF膜层中，所述有机硅烷抗静电剂形成连续网络结构。
31.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述低静电AF膜层的厚度在2nm-500nm的范围内。
32.如权利要求21所述的终端，其特征在于，所述玻璃基板与所述低静电AF膜层之间设置有二氧化硅层。
33.如权利要求32所述的终端，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度在0.1nm-500nm的范围内。
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