CN105677115A

CN105677115A - 超薄触摸屏及其制作方法

Info

Publication number: CN105677115A
Application number: CN201610177295.9A
Authority: CN
Inventors: 黄亮; 蒋蔚; 陈凯; 许东东; 杨谦; 黄受林; 黄海东
Original assignee: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO Ltd
Current assignee: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO Ltd
Priority date: 2016-03-25
Filing date: 2016-03-25
Publication date: 2016-06-15

Abstract

本发明适用于触摸屏制作工艺技术领域，提供了一种本发明实施例提供的超薄触摸屏的制作方法包括以下步骤：提供玻璃基板；镀膜，利用镀膜机在玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层；制作ITO图案，对氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理；固化处理，对玻璃基板进行点胶处理，将两玻璃基板进行贴合且固化处理；以及减薄处理，利用氢氟酸工艺对玻璃基板进行蚀刻处理。该超薄触摸屏的制作方法利用镀膜机在玻璃基板表面沉积形成消影层和氧化铟锡层，对氧化铟锡层进行黄光时刻处理以得到ITO图案，利用氢氟酸工艺对玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏，该工艺简单，生产良率很高，可以满足大批量生产的需求，而且可以大大降低触控屏的厚度。

Description

超薄触摸屏及其制作方法

技术领域

本发明属于触摸屏制作工艺技术领域，尤其涉及一种超薄触摸屏的制作方法以及采用该制作方法制成的超薄触摸屏。

背景技术

近年来触摸屏的发展极为迅速，随着对多媒体信息查询的与日俱增，人们对触摸屏的应用越来越多，它能够满足人们快速查阅有用信息的需求，且正在走向一条大众化应用的道路。

早期的显示器件主要以电阻触摸屏为主，现如今在苹果的带动下电容触摸屏以其计算准确、高灵敏性、操作灵活等特点，越来越受到人们的青睐。触摸屏的主要部件电容式传感器(sensor)在制作时根据要实现的功能，预先设计好相对应的线路图，再通过黄光制程将设计好的线路图做到对应的玻璃上，从而实现应有的触控功能。目前，市场上的电子产品都具有触控功能，手机是主要产品之一。

电容触摸屏用氧化铟锡(简称ITO)玻璃是一种透电导电玻璃，这是由普通白玻璃加上一层透明导电膜而构成。ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。通常，触摸屏的玻璃基板厚度都在0.33mm以上，如果使用更薄的玻璃基板，那么在生产制造的过程中玻璃基板就更加容易破碎，并且玻璃基板越薄，玻璃基板的价格就会呈现指数的增长，因为这些原因完全阻碍了触摸屏向更加轻薄的方向发展，这也随之成为触摸屏行业的瓶颈之一。

然而，近年来随着以手机、平板为代表的触控产业的发展，这个产业都已经趋于饱和，要想在传统的触控产业内具有大的发展已经十分困难，结合整个市场的行情，要想是产品更加轻薄，构思一条全新的方案已经迫在眉睫，在此情形之下如何制作超薄触摸屏就由此而生。目前，市场做的触摸屏基板普遍都是0.4mm、0.55mm、0.7mm，这些规格厚度的玻璃基板不易破碎，通常触摸屏制造厂商都选择这些厚度的玻璃基板。但是随着触控产品越来越轻薄，这些基板已经不利于触控产品的进一步减薄。

传统上厚度低于0.2mm的触控产品很少由厂家制作，制作上有些厂家直接使用0.2mm基板制作，但是因为玻璃太薄生产中形变量过大，生产中极其容易破片产品良率很低，并且0.2mm基板价格上相对其他0.4mm基板贵很多，这样就造成该工艺路线先天不足。另一些厂家直接选用0.33mm基板进行制作触控产品，产品制作完成后采用物理氧化铈抛光的方式进行减薄，用抛光方式减薄每片耗时约2-3h，这样就不具有大批量生产的可能性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种超薄触摸屏的制作方法，旨在解决现有技术中常见厚度的触摸屏基板不利于减薄的技术问题。

本发明是这样实现的，一种超薄触摸屏的制作方法，包括以下步骤：

提供玻璃基板；

镀膜，利用镀膜机在所述玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层，所述消影层位于所述玻璃基板表面与所述氧化铟锡层之间；

制作ITO图案，对所述氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理，得到ITO图案；

固化处理，对经黄光蚀刻处理后的所述玻璃基板进行点胶处理，并将两所述玻璃基板进行贴合且固化处理；以及

减薄处理，利用氢氟酸工艺对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏。

进一步地，在镀膜步骤中，所述消影层包括五氧化二铌层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述五氧化二铌层与所述氧化铟锡层之间；所述氧化铟锡层、所述二氧化硅层和所述五氧化二铌层的厚度依次为和

进一步地，在镀膜步骤中，采用真空磁腔连续镀膜机在所述玻璃基板表面上依次沉积所述五氧化二铌层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层。

进一步地，在所述镀膜机的第一腔室内进行所述五氧化二铌层的镀膜处理，镀膜温度范围为90℃～300℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用4个铌靶进行镀所述五氧化二铌层，所述铌靶的溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量为200～220Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

进一步地，在所述镀膜机的第二腔室内进行所述二氧化硅层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用3个硅靶进行镀所述二氧化硅层，所述硅靶溅射功率为8000W～10000W，氧气流量为60～100Sccm、氩气流量为180～200Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

进一步地，在所述镀膜机的第三腔室内进行所述氧化铟锡层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为150秒，使用2个ITO靶进行镀所述氧化铟锡层，所述ITO靶溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

进一步地，在制作ITO图案的步骤中，对所述氧化铟锡层依次进行曝光、显影和蚀刻处理。

进一步地，在所述氢氟酸工艺中，采用氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的混合液对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理。

进一步地，所述混合液中氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的百分比含量分别为15％～30％、1％～5％、3％～10％和5％～10％，其余为水。

本发明还提供了一种超薄触摸屏，采用上述超薄触摸屏的制作方法制作而成。

本发明相对于现有技术的技术效果是：该超薄触摸屏的制作方法利用所述镀膜机在所述玻璃基板表面沉积形成所述消影层和所述氧化铟锡层，并对所述氧化铟锡层进行黄光时刻处理以得到ITO图案，并利用氢氟酸工艺(以下简称HF蚀刻)对经固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏，该工艺简单，生产良率很高，而且加工效率快，可以满足大批量生产的需求，而且可以大大降低所述触控屏的厚度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供超薄触摸屏的制作方法流程图；

图2是图1中的工艺流程图。

附图标记说明：

10	玻璃基板	20	氧化铟锡层
						30	粘合胶

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参照图1和图2，本发明实施例提供的超薄触摸屏的制作方法包括以下步骤：

S1：提供玻璃基板10；

S2：镀膜，利用镀膜机在所述玻璃基板10表面上沉积消影层和氧化铟锡层20，所述消影层位于所述玻璃基板10表面与所述氧化铟锡层20之间；

S3：制作ITO图案，对所述氧化铟锡层20进行黄光蚀刻处理，得到ITO图案；

S4：固化处理，对经黄光蚀刻处理后的所述玻璃基板10进行点胶处理，并将两所述玻璃基板10进行贴合且固化处理；以及

S5：减薄处理，利用氢氟酸工艺对固化处理后的所述玻璃基板10进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏。

本发明实施例提供的超薄触摸屏的制作方法利用所述镀膜机在所述玻璃基板10表面沉积形成所述消影层和所述氧化铟锡层20，并对所述氧化铟锡层20进行黄光时刻处理以得到ITO图案，并利用氢氟酸工艺(以下简称HF蚀刻)对经固化处理后的所述玻璃基板10进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏，该工艺简单，生产良率很高，而且加工效率快，可以满足大批量生产的需求，而且可以大大降低所述触控屏的厚度。

在该实施例中，所提供的玻璃基板10的厚度为4mm，一方面可以降低超薄触摸屏的生产成本，另一方面可以保证制作过程中的良率，防止破片，提升了生产效率。在其他实施例中，所提供的玻璃基板10的厚度也可以是0.2mm、0.55mm、0.7mm或者0.33mm等，或者其他任意厚度的玻璃基板10。

在该实施例中，在制作ITO图案的步骤S3之前，需要对已经完成镀氧化铟锡层20的玻璃基板10进行清洗，保证在进行ITO图案制作时的整体清洁和干净，以保证制作的良率。同样地，在进行固化处理的步骤S4之前，需要对经黄光蚀刻处理后的产品进行清洗，以保证固化过程中整体的清洁和干净，以保证制作的良率。

请参照图1和图2，在该实施例中，在进行固化处理的步骤S4中，使用点胶设备将紫外固化型的粘合胶30涂覆在一所述玻璃基板10的边缘，然后再将另一所述玻璃基板10与涂覆有粘合胶30的所述玻璃基板10相对并贴合在一起，再通过UV固化机器使两所述玻璃基板10之间的粘合胶30固化。优选地，所述粘合胶30为丙二醇甲醚醋酸酯(简称PGMEA)。优选地，所述UV固化机器的功率为10KW。

优选地，在所述玻璃基板10的四周涂上厚度为40-55um且宽度为5mm的UV型粘合胶30，两片所述玻璃基板10对贴后在所述UV固化机器中固化15s～30s。

请参照图1和图2，进一步地，在镀膜步骤中S2，所述消影层包括五氧化二铌层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述五氧化二铌层与所述氧化铟锡层20之间；所述氧化铟锡层20、所述二氧化硅层和所述五氧化二铌层的厚度依次为和在镀膜过程中，依次将所述五氧化二铌、二氧化硅和氧化铟锡镀设于所述玻璃基板10上，以在所述玻璃基板10上依次形成所述五氧化二铌层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层20。

在该实施例中，通过在所述玻璃基板10上形成所述消影层以保证所述超薄触摸屏的外观，通过形成氧化铟锡层20以保证所述超薄触摸屏的性能。

请参照图1和图2，进一步地，在镀膜步骤S2中，采用真空磁腔连续镀膜机在所述玻璃基板10表面上依次沉积所述五氧化二铌层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层20。采用真空磁腔连续镀膜机以保证整个镀膜过程一次性完成，保证镀膜的均匀性和一致性。优选地，所述真空磁腔连续镀膜机为立式全自动连续磁腔溅射镀膜机。

进一步地，在所述镀膜机的第三腔室内进行所述氧化铟锡层20的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为150秒，使用2个ITO靶进行镀所述氧化铟锡层20，所述ITO靶溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

请参照图1和图2，进一步地，在制作ITO图案的步骤S3中，对所述氧化铟锡层20依次进行曝光、显影和蚀刻处理。采用黄光蚀刻工艺以将所述玻璃基板10上的ITO图案做出来，这样，所述玻璃基板10就具有了触控功能。

请参照图1和图2，进一步地，在所述氢氟酸工艺S5中，采用氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的混合液对固化处理后的所述玻璃基板10进行蚀刻处理。

进一步地，所述混合液中氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的百分比含量分别为15％～30％、1％～5％、3％～10％和5％～10％，其余为水。利用百分百含量分别为15％～30％、1％～5％、3％～10％和5％～10％的氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠形成混合液，以对固化处理后的所述玻璃基板10进行减薄处理，且减薄时间控制在100s～600s，以得到所需厚度的触控屏。

在该实施例中，在减薄处理的步骤S5之后，还需要进行小粒的切割、电测和质检等步骤来完成整个制程。

请参照图1和图2，本发明实施例提供的超薄触摸屏采用上述超薄触摸屏的制作方法制作而成。该超薄触摸屏包括利用粘合胶30粘接在一起且相对设置的两玻璃基板10，并在两玻璃基板10相面对的表面上镀设有氧化铟锡层20，以保证整个超薄触摸屏具有触控功能，利用利用氢氟酸工艺对固化在一起的两所述玻璃基板10进行减薄处理，以得到超薄触控屏。本实施例提供的超薄触控屏的制作方法与上述各实施例中的制作方法具有相同的步骤，且具有相同的功能，此处不赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供玻璃基板；

2.如权利要求1所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤中，所述消影层包括五氧化二铌层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述五氧化二铌层与所述氧化铟锡层之间；所述氧化铟锡层、所述二氧化硅层和所述五氧化二铌层的厚度依次为和

3.如权利要求1所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤中，采用真空磁腔连续镀膜机在所述玻璃基板表面上依次沉积所述五氧化二铌层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层。

4.如权利要求3所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述镀膜机的第一腔室内进行所述五氧化二铌层的镀膜处理，镀膜温度范围为90℃～300℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用4个铌靶进行镀所述五氧化二铌层，所述铌靶的溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量为200～220Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

5.如权利要求3所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述镀膜机的第二腔室内进行所述二氧化硅层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用3个硅靶进行镀所述二氧化硅层，所述硅靶溅射功率为8000W～10000W，氧气流量为60～100Sccm、氩气流量为180～200Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

6.如权利要求3所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述镀膜机的第三腔室内进行所述氧化铟锡层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为150秒，使用2个ITO靶进行镀所述氧化铟锡层，所述ITO靶溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。

7.如权利要求1至6任意一项所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在制作ITO图案的步骤中，对所述氧化铟锡层依次进行曝光、显影和蚀刻处理。

8.如权利要求1至6任意一项所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述氢氟酸工艺中，采用氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的混合液对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理。

9.如权利要求8所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，所述混合液中氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的百分比含量分别为15％～30％、1％～5％、3％～10％和5％～10％，其余为水。

10.一种超薄触摸屏，其特征在于，采用上述任意一项所述超薄触摸屏的制作方法制作而成。