CN103941910A - 一种触控面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种触摸面板及其制造方法，所述方法包括：在已形成黑矩阵BM图案的玻璃基板上依次形成第一保护层、第一金属层；对所述第一金属层和第一保护层进行构图，形成第一金属线图案；并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层；形成第二保护层，沉积第二金属层，并形成第二金属线图案。本发明在沉积第一保护层后，直接沉积第一金属层，省去了对第一保护层的掩膜工艺，利用第二保护层对BM材料进行保护，不仅最大限度地利用Array产线进行生产，而且避免了BM材料在金属沉积过程中由于溅射的轰击，对设备造成的污染，能够提高Array产线的产能。

Description

一种触控面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及触控工艺，尤其涉及一种触控面板及其制造方法。

背景技术

目前的触控面板可以分为G－G结构和一体化触控（One Glass Solution，OGS）结构。其中，G－G结构是将触控传感器（Touch sensor）制作在普通玻璃上，然后和保护玻璃进行贴合，其优点是制造工艺简单，和阵列基板（Array）产线兼容性好；缺点是该结构是双层玻璃贴合，最后得到的G－G产品厚度较大，而且透过率偏低。OGS结构是直接在玻璃上形成ITO导电膜及传感器，具体是由挡光的黑矩阵（BM）材料，起保护作用的有机树脂（OrganicCoating，OC）材料和金属布线组成。OGS的优点是仅使用一张玻璃，结构简单，具有轻薄等特点，而且制作工艺中省掉一张玻璃基板以及贴合工序，有利于降低生产成本、提高产品良率。

如此，OGS将成为触控产业的主导技术方向，但由于目前的薄膜晶体管液晶显示器（TFT LCD）的Array产线中没有制造OC材料的设备，而且，在Array产线中进行OGS的制造时，由于BM材料是有机物，比较柔软，无法承受金属层沉积后溅射（sputter）的轰击，在进行高温轰击时，BM的成分会被打出，造成设备污染。因此，目前的Array产线不能很好地兼容OGS面板的制造，使得制造商对于如何利用Array产线制造OGS面板面临较大困难。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种触摸面板及其制造方法，能够利用Array产线进行触摸面板的制造，提高Array产线的产能。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种触控面板制造方法，所述方法包括：

本发明提供了一种触控面板制造方法，所述方法包括：

在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上依次形成第一保护层和第一金属层；

对所述第一金属层和第一保护层进行构图，形成第一金属线图案，并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层；

形成第二保护层；

沉积第二金属层，并对应形成第二金属线图案。

优选的，在形成第二金属线图案后进一步包括：形成第三保护层。

优选的，所述去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层之后，所述方法进一步包括：

对黑矩阵图案的表面进行平整化处理。

其中，所述在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上形成第一保护层为：

在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上沉积SiNx、SiOx、或AlOx等非金属材料，形成第一保护层。

其中，所述形成第二保护层为：通过PECVD沉积第二保护层。

优选的，所述第一金属层和第二金属层所选材料为：透明或不透明金属。

其中，所述透明金属为氧化物金属，所述不透明金属选为阵列基板的栅极材料。

本发明还提供了一种触控面板，所述触控面板包括：玻璃基板、位于玻璃基板表面的黑矩阵图案，还包括第一金属线图案、位于所述黑矩阵图案与第一金属线图案之间的第一保护层、用于保护第一金属线图案的第二保护层；其中，

所述第一保护层与所述第一金属线图案相邻接，且具有相同的形状；

未被所述第一保护层覆盖的黑矩阵图案区域被所述第二保护层覆盖；

所述触控面板进一步包括，位于所属第二保护层上方的第二金属层。

优选的，所述触控面板还包括：位于第二金属层上方的第三保护层。

其中，所述第二金属层为铟锡金属氧化物ITO层。

本发明在沉积第一保护层后，直接沉积第一金属层，省去了对第一保护层的掩膜工艺，利用第二保护层对BM材料进行保护，不仅最大限度地利用Array产线进行生产，而且避免了BM材料在金属沉积过程中由于溅射的轰击，对设备造成的污染，能够提高Array产线的产能。

附图说明

图1为本发明触摸面板制造方法的实现流程示意图；

图2为本发明触摸面板制造方法过程中已形成BM材料图样的玻璃基板的结构示意图；

图3为图2结构基础上沉积第一保护层后的结构示意图；

图4为图3结构基础上形成被光刻胶覆盖的第一金属线图案的示意图；

图5为图4结构基础上对第一保护层进行干法刻蚀后的结构示意图；

图6为图5结构基础上沉积第二保护层后的结构示意图；

图7为图6结构基础上形成第二金属层后的结构示意图；

图8为图7结构基础上形成的触摸面板的结构示意图。

附图标记：

1-玻璃基板；2-BM图案；3-第一保护层；4-第一金属线图案；5-第二保护层；6-第二金属层；7-第三保护层；8-光刻胶；9-BM图案的粗糙表面；10-第一过孔；11-第二过孔。

具体实施方式

本发明的基本思想为：一种触控面板制造方法，所述方法包括：在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上依次形成第一保护层和第一金属层；对所述第一金属层和第一保护层进行构图，形成第一金属线图案，并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层；形成第二保护层；沉积第二金属层，并形成第二金属线图案。

其中，所述第一金属层和第二金属层所选用的材料为：透明或不透明金属，所述不透明金属具体可以采用阵列基板的栅极的材料制成（如下文所述），所述透明金属一般是氧化物金属，如ITO等。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下以第一金属层为不透明金属，第二金属层为透明金属为例并参照附图，对本发明进一步详细说明。

图1示出了本发明触摸面板制造方法的实现流程示，如图1所示，所述方法包括下述步骤：

步骤101，在已形成黑矩阵BM图案的玻璃基板上依次形成第一保护层、第一金属层；

具体地，已形成BM矩阵图样的玻璃基板如图2所示，其中，1为玻璃基板，2为BM图案，具体这里的BM图案可以通过负性掩膜版制成。所述BM的设置是用于遮挡触控面板周边集成电路（IC）。

图3示出了在图2所示结构基础上沉积第一保护层3后的结构，这里，沉积所述第一保护层3可以通过增强型等离子体化学气象（PECVD）在已形成BM材料图样的玻璃基板上沉积SiNx、SiOx、或AlOx等非金属保护层，然后沉积第一金属层。

步骤102，对所述第一金属层和第一保护层进行构图，形成被光刻胶覆盖的第一金属线图案，并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层；

参照图4，对所述第一金属层和第一保护层进行掩膜工艺，即：在所述和第一金属层上涂覆光刻胶（以正性光刻胶为例），采用掩模板对光刻胶进行曝光后再显影，将掩膜板透光区域对应的第一金属层以及光刻胶刻蚀掉，形成如图4所示的结构，之后不再进行光刻胶的剥离，第一金属线图案4上方覆盖的光刻胶8仍然保留。

所述第一金属层的材料可以是电阻值低的金属，具体可以采用阵列基板的栅极的材料制成，例如：钼、铝、铜等。

之后，再去除除金属线图案覆盖位置的第一保护层。

本步骤之后，形成的结构如图5所示，其中，在BM图案2的表面会形成BM图案的粗糙表面9，优选地，本步骤之后，还可以通过灰化工艺对干法刻蚀造成的BM图案的粗糙表面9进行平整化，具体地，这里的灰化工艺可以通过半色调（half tone）掩膜版实现，或者通过灰色色调（grey tone）掩膜版实现。

具体地，留下的第一保护层3的形状与第一金属线图案4的形状相同，即第一保护层3的图样与第一金属线图案4的图样相同。

步骤103，剥离所述光刻胶后，进行第二保护层的沉积；

本步骤之后，形成的结构如图6所示，这里，所述第二保护层5的沉积可以通过PECVD进行沉积，其中，未被所述第一保护层3覆盖的BM图案被所述第二保护层5覆盖。其中，所述第二保护层5可选用与第一保护层3相同的材料。

进一步地，所述方法还可以包括：在第二保护层5上依次形成第二金属线图案。

在第二保护层5上具体可以形成铟锡金属氧化物（ITO）层做为第二金属层6，并经过构图工艺形成第二金属线图案。

进一步地，所述方法还可以包括：在第二金属线图案上方形成第三保护层。所述第二金属层6可为透明金属ITO，对应的所述第三保护层7为透明金属ITO的保护层。

具体地，在第二保护层5上可以依次形成铟锡金属氧化物（ITO）层和ITO保护层，并经过构图工艺，具体可以为掩膜工艺形成第一过孔10和第二过孔11。沉积ITO层6的结构可以参见图7所示，图8示出了在图7基础上沉积ITO保护层7后，并通过掩膜工艺形成第一过孔10和第二过孔11后的结构，最终得到本发明实施例所述的触摸面板。

本发明还提供一种利用上述任一方法得到的触摸面板，所述触摸面板的结构如图8所示，包括：玻璃基板1、位于玻璃基板表面的BM图案2、第一金属线图案4、位于所述BM图案2与第一金属线图案4之间的第一保护层3、用于保护第一金属线图案4的第二保护层5；其中，

所述第一保护层3与所述第一金属线图案4相邻接，且具有相同的形状；

未被所述第一保护层3覆盖的BM图案2区域被所述第二保护层5覆盖。

所述触控面板可以进一步包括位于所述第二保护层5上方的第二金属层6。

进一步地，所述触摸面板还包括：位于第二金属层6上方的第三保护层7。

所述第二金属层6具体可以为透明金属ITO层，对应的所述第三保护层7具体可以为ITO的保护层。

进一步地，位于BM图案2区域上方的第一金属线图案4可以通过第一过孔10暴露出来。

以上对本发明所提供的一种触控面板及其制造方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种触控面板制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上依次形成第一保护层和第一金属层；

对所述第一金属层和第一保护层进行构图，形成第一金属线图案，并去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层；

形成第二保护层；

沉积第二金属层，并对应形成第二金属线图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第二金属线图案后进一步包括：形成第三保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除除第一金属线图案覆盖的第一保护层之后，所述方法进一步包括：

对黑矩阵图案的表面进行平整化处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上形成第一保护层为：

在已形成黑矩阵图案的玻璃基板上沉积SiNx、SiOx、或AlOx非金属材料，形成第一保护层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述形成第二保护层为：

通过PECVD沉积第二保护层。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层所选材料为：透明或不透明金属。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述透明金属为氧化物金属，所述不透明金属选为阵列基板的栅极材料。

8.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板包括：玻璃基板、位于玻璃基板表面的黑矩阵图案，还包括第一金属线图案、位于所述黑矩阵图案与第一金属线图案之间的第一保护层、用于保护第一金属线图案的第二保护层；其中，

所述第一保护层与所述第一金属线图案相邻接，且具有相同的形状；

未被所述第一保护层覆盖的黑矩阵图案区域被所述第二保护层覆盖；

所述触控面板进一步包括，位于所属第二保护层上方的第二金属层。

9.根据权利要求8所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括：位于第二金属层上方的第三保护层。

10.根据权利要求9所述的触控面板，其特征在于，所述第二金属层为铟锡金属氧化物ITO层。