CN102953037A - 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法 - Google Patents

一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102953037A
CN102953037A CN2011102403802A CN201110240380A CN102953037A CN 102953037 A CN102953037 A CN 102953037A CN 2011102403802 A CN2011102403802 A CN 2011102403802A CN 201110240380 A CN201110240380 A CN 201110240380A CN 102953037 A CN102953037 A CN 102953037A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
magnetron sputtering
film
stress
ultra
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011102403802A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102953037B (zh
Inventor
周伟峰
薛建设
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201110240380.2A priority Critical patent/CN102953037B/zh
Priority to PCT/CN2012/080326 priority patent/WO2013026376A1/zh
Priority to US13/703,724 priority patent/US9134559B2/en
Publication of CN102953037A publication Critical patent/CN102953037A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102953037B publication Critical patent/CN102953037B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13336—Combining plural substrates to produce large-area displays, e.g. tiled displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering

Abstract

本发明涉及一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法，采用磁控溅射法，设定初始磁控溅射功率和/或初始氩气流量进行导电膜的沉积，通过设置在所述超薄玻璃基板上的压力传感器检测所述导电膜的膜层应力，根据检测到的所述膜层应力实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量，使得所述膜层应力保持在不使玻璃基板发生形变的范围内；其中，所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。本发明所述的制备方法得到的导电膜层应力可以大幅降低，能够适应柔性显示的需求，且均匀性保持不变。本发明所述技术方案能使得到的超薄玻璃基板表面平整，不发生变形，提高了可弯曲性能，从而提升了良品率和柔性显示器的可弯曲性能、提高了产能和产品的竞争力。

Description

一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法
技术领域
本发明涉及显示设备领域，具体涉及超薄玻璃基板上导电膜的制备方法，以及LCD基板、液晶面板及液晶显示器件。
背景技术
平板显示技术在近十年有了飞速地发展，从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。经过不断的努力，LCD各方面的性能已经达到了传统CRT的水平，大有取代CRT的趋势。随着平板显示产品生产的不断扩大，各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高产品性能的同时，也在不断努力降低产品的生产成本，从而提高市场的竞争力。
柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以胜任很多需要曲面显示的领域，如智能卡、电子纸、智能标签、以及传统显示器件所能适用的所有领域。并将在未来的显示产品市场中凭借其梦幻般的靓丽外观占领巨大的市场份额。目前主要的柔性显示是基于有机材料基板上制备的显示器件，如在聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜上制备的胆甾相液晶显示器、电泳式显示器、有机电致发光显示器等。
在柔性基板上制备显示元件，必须使制备的膜层具有较低的应力，这样才能使制备的器件具有柔韧性。传统的制造显示元件的设备往往需要基板在制备过程中保持平整，但是由于传统的磁控溅射膜层的应力较大，往往会使柔性基板在沉积完成后发生翘曲变形，如图1所示，严重影响后续加工的继续进行，对于玻璃基板来说甚至会使基板破裂。
玻璃具有比有机材料优秀很多的透过率、化学稳定性、阻水、介电特性，目前常用玻璃基板的玻璃厚度为0.5-1.1mm，最薄也在0.2mm以上。超薄玻璃基板尤其是0.1mm及以下的玻璃基板不仅拥有上述性能，也具有良好的柔韧性，是柔性显示基板理想的材料，但由于传统膜层制备过程中往往产生较大的应力，加之玻璃基板本身的脆性，致使超薄玻璃的应用受到了很大的制约。
发明内容
为克服现有技术中玻璃基板制备的膜层应力高、易发生变形甚至破裂等缺陷，本发明的目的是提供一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法。
所述制备方法采用磁控溅射法，设定初始磁控溅射功率和/或初始氩气流量进行导电膜的沉积，通过设置在所述超薄玻璃基板上的压力传感器检测所述导电膜的膜层应力，根据检测到的所述膜层应力实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量，使得所述膜层应力保持在不使所述超薄玻璃基板发生形变的范围内；其中，所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。
所述超薄玻璃基板的厚度优选为0.01～0.1mm。
所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的120～150％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的50～90％；所述普通玻璃基板厚度为0.5～1.1mm。
优选地，所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的125～130％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的70～80％。
本发明所述制备方法中根据所述压力传感器检测到的膜层应力，按照公式SM＝A+B·P+C·FAr+DP·FAr来实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量；其中，SM为膜层应力，单位MPa，P为磁控溅射功率，单位kw，FAr为氩气流量，单位为sccm，A、B、C、D为经验系数。上述公式根据磁控溅射腔体的大小，A、B、C、D的值相应成一定比例关系进行调整。
所述压力传感器设置于超薄玻璃基板的下表面，超薄玻璃基板与用于托衬的衬底物之间。
本发明所述的技术方案在超薄玻璃基板的底部、与衬底物之间设置压力传感器，如图2所示。按照上述所设定的氩气流量和磁控溅射功率初始值进行导电膜的沉积，当导电膜层应力增大时，会通过胡克定律使得玻璃基板发生形变，从而使得压力传感器上检测到的应力发生变化，再由控制系统将传感器检测发出的电信号参照上述公式进行换算，继而调整磁控溅射功率和氩气流量，调节效果时时由压力传感器得出，并时时按照这个循环进行调节，如图3所示，最终得出不会使得超薄玻璃基板发生形变的膜层。
上述任一项技术方案中所述的磁控溅射真空室的腔体压强小于0.36Pa。
另外，本发明提供了一种LCD基板，包括超薄玻璃基板，所述基板上导电膜的至少一种采用上述的导电膜制备方法制备。
所述导电膜可以为栅线、栅电极、源漏电极、数据线或像素电极。进一步优选为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Cr或ITO单层膜，或AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意组合构成的复合膜。
本发明进一步提供了一种液晶面板，所述液晶面板包括上述技术方案中任一项所述的LCD基板。
本发明还提供了一种液晶显示器件，所述液晶显示器件包括上述技术方案中任一项所述的液晶面板。
本发明所述的制备方法无需改变现有普通玻璃基板生产的工艺路线和设备，只需将现有生产线对应导电膜制备步骤中的磁控溅射功率以及氩气流量加以改变和控制，并相应调整溅射装置腔体的压强，就能使得到的导电膜应力显著下降，可直接将现有生产线用于超薄玻璃基板的生产。
本发明所述的制备方法使得磁控溅射产生的金属或半导体具有较大晶粒，减少了晶界等缺陷，膜层略微疏松，与传统的生产线相比，基板上得到的导电膜层应力可以大幅降低，可降低至原先的30％以下，能够适应柔性显示的需求，且均匀性保持不变。本发明所述技术方案能使得到的超薄玻璃基板表面平整，不易发生变形，实现了0.1mm及以下超薄玻璃基板作为柔性基板的可能，提高了可弯曲性能，从而提升了良品率和柔性显示器的可弯曲性能、提高了产能和产品的竞争力。
附图说明
图1是传统磁控溅射示意图；
图2是本发明所述磁控溅射示意图；
图3是本发明所述导电膜沉积的控制系统；
图中：1、玻璃基板；2、导电膜层；3、靶材；4、压力传感器。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明所述的制备方法适用于目前通用的1～10代生产线，本领域的生产设备大都为ULVAC生产，相同世代产线的设备都是通用的，也就是说，目前厚度为0.5～1.1mm的普通玻璃基板在同一代生产线沉积同一种导电膜的磁控溅射功率以及氩气流量等参数都是相同的。例如，2.5代生产线的Mo沉积，磁控溅射的功率都为12kw，氩气流量为100sccm。因此，采用本发明所述的方法，根据现有生产线的参数，可以实现所有世代生产线及所有导电膜的制备。
实施例1
以TFT-LCD阵列基板为例，在0.1mm超薄玻璃板沉积金属Mo膜制作栅线和栅电极。
将2.5代生产线的磁控溅射初始功率由原先的12kw设定为15kw，氩气流量由原先的100sccm设定为50sccm，开始进行Mo沉积。在被沉积的玻璃基板下部与托衬玻璃板的衬底物之间设置压力传感器，当沉积过程中膜应力增大时，玻璃板下的传感器检测到压力的变化，发出电信号，再由一控制系统将传感器发出的电信号参照公式SM＝A+B·P+C·FAr+DP·FAr进行换算，其中，A＝-2449.13，B＝159.334，C＝40.4063，D＝-2.25469，然后根据计算结果调整磁控溅射功率和氩气流量，使沉积过程中产生的膜应力始终保持在100MPa左右。沉积过程中根据氩气流量的变化保证腔体内的压强在0.36Pa以下。
按照传统2.5代生产线的制备的金属Mo膜的膜应力为500～600MPa。
作为可选的实施方式，磁控溅射初始功率可以设定为原有功率的120～150％之间的任意值，优选原有功率的125～130％之间的任意值；同时，氩气流量可以设定为原有流量的50～90％之间的任意值，优选原有流量的70～80％之间的任意值。
金属Mo膜沉积完毕后，再按照现有方法完成光刻、刻蚀等步骤，形成所需要的图案，得到栅线和栅电极层。
阵列基板其他膜层涉及磁控溅射沉积的步骤中，也可将其中的一步或多步根据前述方法进行沉积，优选源漏电极和数据线采用上述方法沉积，形成TFT-LCD阵列基板。
所述阵列基板可按现有制备方法最终形成薄膜晶体管液晶显示器。
实施例2
0.1mm超薄玻璃板沉积金属Mo膜，将5代生产线将功率由原先的90kw提升至120kw。氩气流量由原先的200sccm降低至150sccm，开始进行Mo沉积。在被沉积的玻璃基板下部与托衬玻璃板的衬底物之间设置压力传感器，当沉积过程中膜应力增大时，玻璃板下的传感器检测到压力的变化，发出电信号，再由一控制系统将传感器发出的电信号参照公式SM＝A+B·P+C·FAr+DP·FAr进行换算，其中，A＝1085.4，B＝-3.6142，C＝1.2105，D＝0，然后根据计算结果调整磁控溅射功率和氩气流量，使沉积过程中产生的膜应力始终保持在600MPa左右。沉积过程中根据氩气流量的变化保证腔体内的压强在0.30Pa之下。
按照传统5代生产线的制备的金属Mo膜的膜应力为900～1200MPa。
作为可选的实施方式，磁控溅射初始功率可以设定为原有功率的120～150％之间的任意值，优选原有功率的125～130％之间的任意值；同时，氩气流量可以设定为原有流量的50～90％之间的任意值，优选原有流量的70～80％之间的任意值。
经上述方法得到的超薄玻璃基板可应用于LCD、OLED、触摸屏等多项显示领域，可按照现有技术制备成多种显示器件，尤其是柔性显示器件，如电子纸、数码相框、手机、电视等。
虽然上文中已经用一般性说明、具体实施方式及实验，对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (12)

1.一种超薄玻璃基板上制备导电膜的方法，采用磁控溅射法，其特征在于，设定初始磁控溅射功率和/或初始氩气流量进行导电膜的沉积，通过设置在所述超薄玻璃基板上的压力传感器检测所述导电膜的膜层应力，根据检测到的所述膜层应力实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量，使得所述膜层应力保持在不使所述超薄玻璃基板发生形变的范围内；其中，所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超薄玻璃基板的厚度为0.01～0.1mm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的120～150％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的50～90％；所述普通玻璃基板的厚度为0.5～1.1mm。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的125～130％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的70～80％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述压力传感器检测到的膜层应力，按照公式SM＝A+B·P+C·FAr+DP·FAr来实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量；其中，SM为膜层应力，单位MPa，P为磁控溅射功率，单位kw，FAr为氩气流量，单位为sccm，A、B、C、D为经验系数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力传感器设置于超薄玻璃基板的下表面。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射真空室的腔体压强小于0.36Pa。
8.一种LCD基板，包括超薄玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上导电膜的至少一种采用权利要求1-7之一所述的方法制备。
9.根据权利要求8所述的LCD基板，其特征在于，所述导电膜为栅线、栅电极、源漏电极、数据线或像素电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电膜为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Cr或ITO单层膜，或AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意组合构成的复合膜。
11.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括权利要求8-10任一项所述的LCD基板。
12.一种液晶显示器件，其特征在于，所述液晶显示器件包括权利要求11所述的液晶面板。
CN201110240380.2A 2011-08-19 2011-08-19 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法 Active CN102953037B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110240380.2A CN102953037B (zh) 2011-08-19 2011-08-19 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法
PCT/CN2012/080326 WO2013026376A1 (zh) 2011-08-19 2012-08-17 超薄玻璃基板上导电膜的制备方法、lcd基板、液晶面板及液晶显示器件
US13/703,724 US9134559B2 (en) 2011-08-19 2012-08-17 Method for preparing conducting film on ultra-thin glass substrate, LCD substrate, liquid crystal panel and LCD device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110240380.2A CN102953037B (zh) 2011-08-19 2011-08-19 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102953037A true CN102953037A (zh) 2013-03-06
CN102953037B CN102953037B (zh) 2014-12-17

Family

ID=47745941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110240380.2A Active CN102953037B (zh) 2011-08-19 2011-08-19 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9134559B2 (zh)
CN (1) CN102953037B (zh)
WO (1) WO2013026376A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103091692A (zh) * 2013-01-10 2013-05-08 同济大学 基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法
CN110963713A (zh) * 2019-12-30 2020-04-07 深圳市楠轩光电科技有限公司 一种超薄滤光片及其制造方法
CN113943112A (zh) * 2014-01-29 2022-01-18 康宁股份有限公司 可弯折玻璃堆叠组件、制品及其制造方法
CN114783298A (zh) * 2022-05-25 2022-07-22 苏州华星光电技术有限公司 柔性屏的校平装置和柔性屏的校平方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10302976B2 (en) * 2017-05-09 2019-05-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method and device for releasing film layer stress of array substrate
CN109411604B (zh) * 2017-08-15 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1971248A (zh) * 2006-11-17 2007-05-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 高精度薄膜应力实时测量装置及测量方法
CN101515558A (zh) * 2006-03-30 2009-08-26 西安电子科技大学 在线检测薄膜生长率和应力的方法
CN101626987A (zh) * 2007-01-30 2010-01-13 康宁股份有限公司 超薄玻璃的拉制和吹制

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448037A (en) * 1992-08-03 1995-09-05 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Transparent panel heater and method for manufacturing same
FR2719900B1 (fr) * 1994-05-11 1996-09-20 Essilor Int Procédé et dispositif pour la mesure in situ des contraintes se développant au sein d'une couche mince lors de son dépôt sur un substrat.
JP4531358B2 (ja) * 2003-07-10 2010-08-25 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ タッチパネルディスプレイ装置
CN101457347A (zh) 2008-12-22 2009-06-17 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 一种薄膜应力控制方法
US8397551B2 (en) 2009-04-30 2013-03-19 Lawrence Livermore National Security, Llc Passive blast pressure sensor
CN101793675A (zh) 2010-03-26 2010-08-04 北京理工大学 一种薄膜应力在线测试系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101515558A (zh) * 2006-03-30 2009-08-26 西安电子科技大学 在线检测薄膜生长率和应力的方法
CN1971248A (zh) * 2006-11-17 2007-05-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 高精度薄膜应力实时测量装置及测量方法
CN101626987A (zh) * 2007-01-30 2010-01-13 康宁股份有限公司 超薄玻璃的拉制和吹制

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李玉琼 等: "基片材料与沉积参数对薄膜应力的影响", 《光学学报》, vol. 30, no. 2, 15 February 2010 (2010-02-15) *
胡志敏 等: "半导体薄膜特性实时检测的新装置", 《半导体技术》, vol. 30, no. 7, 23 July 2005 (2005-07-23) *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103091692A (zh) * 2013-01-10 2013-05-08 同济大学 基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法
CN103091692B (zh) * 2013-01-10 2015-08-19 同济大学 基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法
CN113943112A (zh) * 2014-01-29 2022-01-18 康宁股份有限公司 可弯折玻璃堆叠组件、制品及其制造方法
CN113943112B (zh) * 2014-01-29 2023-07-14 康宁股份有限公司 可弯折玻璃堆叠组件、制品及其制造方法
US11745471B2 (en) 2014-01-29 2023-09-05 Corning Incorporated Bendable glass stack assemblies, articles and methods of making the same
CN110963713A (zh) * 2019-12-30 2020-04-07 深圳市楠轩光电科技有限公司 一种超薄滤光片及其制造方法
CN114783298A (zh) * 2022-05-25 2022-07-22 苏州华星光电技术有限公司 柔性屏的校平装置和柔性屏的校平方法
CN114783298B (zh) * 2022-05-25 2023-08-01 苏州华星光电技术有限公司 柔性屏的校平装置和柔性屏的校平方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9134559B2 (en) 2015-09-15
WO2013026376A1 (zh) 2013-02-28
CN102953037B (zh) 2014-12-17
US20130148073A1 (en) 2013-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102953037B (zh) 一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法
CN101609729B (zh) 一种多层透明导电薄膜的制备方法
CN101819363B (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN202142534U (zh) 阵列基板、液晶面板及显示设备
CN101807586B (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN103412450A (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105655391A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
CN104603320B (zh) 带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板
CN105677115A (zh) 超薄触摸屏及其制作方法
CN105549278A (zh) Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板
CN105551579A (zh) 一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法
CN104765181A (zh) 触控显示面板及其制备方法、触控显示装置
CN105514032A (zh) Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板
CN104752345A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN102637648A (zh) 薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法
CN203276222U (zh) 一种新型双面柔性ito导电膜结构
CN102623461A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN101887893A (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN103700663A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN205241512U (zh) 一种消影导电玻璃
CN102738081B (zh) Tft液晶显示器array板的制备方法
CN104035637A (zh) 一种ogs触摸屏的制作工艺
CN103400802A (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105633102B (zh) 阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置
CN102650044B (zh) 一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant