CN203276222U - 一种新型双面柔性ito导电膜结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种新型双面柔性ITO导电膜结构，尤其涉及触摸屏行业内一种新型采用铜导线作为导电线路双面ITO导电薄膜。它包括基材，在所述基材的两面依次设置有粘接层Ⅰ、粘接层Ⅱ；透明导电层Ⅰ、透明导电层Ⅱ；金属层Ⅰ、金属层Ⅱ；保护层Ⅰ、保护层Ⅱ。本实用新型与现有技术相比，金属铜层只镀制导电线路区，避免了由于蚀刻导致金属层脱落；减少了贴合工序，缩短了工作流程，提高了生产效率与良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种新型双面柔性ITO导电膜结构，尤其涉及触摸屏行业内一种新型采用铜导线作为导电线路双面ITO导电薄膜。
背景技术
触摸屏主要的应用领域是手机、数码相机、大尺寸以及其他领域，触摸屏在手机领域的发展正在如火如荼的发展中。目前触摸屏内感测区ITO薄膜与IC电路之间导电线路制作方式主要采用印刷银浆方式完成，工艺过程中ITO导电膜采用酸性溶液蚀刻成所需图形后，边缘采用丝网印刷方式印刷银浆，银线线宽一般在100μm左右。除采用印刷银奖之外，采用铜线作为导电线路工艺也已经很成熟，铜膜层与保护膜层镀制完成后进行蚀刻形成一定线宽导线，由于保护膜层内含有微量元素导致蚀刻时间较长，蚀刻时间长直接导致铜膜层与ITO导电膜附着力下降，容易造成脱膜现象产生不良，影响生产良率；除此之外，整个触摸屏sensor区域内导线占整个面积2％-5％，利用率很低，镀制过程中减少镀制面积或者非导线区域内不镀制铜膜层能解决以上问题。
触摸屏工艺中，堆叠的层与层之间需要进行贴合，因此触控模组的最终成本除了材料成本外，就跟贴合的良率息息相关，特别是进行全贴合的方式。因此，若是能够提高贴合良率、甚至减少贴合次数，就会成为触控制程技术的发展方向。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型的目的在于提供一种双面透明导电薄膜结构，较少了贴合次数，触摸屏生产产品良率上升；除此之外，非导线区域内不镀制铜膜层，避免了由于蚀刻导致铜膜层脱落，提高生产量率与产能。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种新型双面柔性ITO导电膜结构，它包括基材，在所述基材的两面依次设置有粘接层Ⅰ、粘接层Ⅱ；透明导电层Ⅰ、透明导电层Ⅱ；金属层Ⅰ、金属层Ⅱ；保护层Ⅰ、保护层Ⅱ。
所述基材为聚酯薄膜基材。基材两侧可覆硬涂层。
所述粘接层Ⅰ、粘接层Ⅱ为SiOx或SixNyOz，膜层厚度小于30nm。采用中频磁控溅射方式镀制膜层，用于增加透明导电层与基材附着力。
所述透明导电层Ⅰ、透明导电层Ⅱ为ITO膜层，膜层厚度范围10nm-80nm，ITO靶材方阻范围50Ω—300Ω。
采用直流磁控溅射方式对基材单面镀制粘接层与导电层，另一面采用相同方式镀制，膜层厚度及方阻可按不同需要进行镀制。
所述金属层Ⅰ、金属层Ⅱ为金属铜膜层，方阻小于0.2Ω。用于蚀刻形成导电线路，采用直流磁控溅射方式掩膜镀制，掩膜形状可按不同规格尺寸确定。
所述保护层Ⅰ、保护层Ⅱ为金属铜镍钛合金膜层。用于保护铜膜层，防止氧化，镀制方式与金属层相同。
金属层镀制方式采用掩膜法镀制，ITO透明导电层结晶后，将ITO感测区采用高温保护膜进行掩膜覆盖，对金属层采用真空镀膜方式进行镀制一定厚度膜层；保护层为金属铜镍钛合金膜层，与金属层采用同样方式镀制，用于保护铜膜层，防止氧化。掩膜大小宽幅取决于不同规格型号触摸屏ITO感测层大小宽幅。
本实用新型与现有技术相比有如下技术优点：
本实用新型与现有技术相比，金属铜层只镀制导电线路区，避免了由于蚀刻导致金属层脱落；减少了贴合工序，缩短了工作流程，提高了生产效率与良率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
1-基材 2-粘接层Ⅰ 3-透明导电层Ⅰ 4-金属层Ⅰ 5-保护层Ⅰ 6-粘接层Ⅱ 7- 透明导电层Ⅱ8-金属层Ⅱ 9-保护层Ⅱ
图2 本实用新型掩膜示意图。
10-触摸屏ITO感测区域 11-触摸屏导电线路区
具体实施方式
为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图1，2和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。
一种新型双面柔性ITO导电膜结构，它包括基材1，在所述基材1的两面依次设置有粘接层Ⅰ2、粘接层Ⅱ6；透明导电层Ⅰ3、透明导电层Ⅱ7；金属层Ⅰ4、金属层Ⅱ8；保护层Ⅰ5、保护层Ⅱ9。
所述基材1为聚酯薄膜基材。
所述粘接层Ⅰ2、粘接层Ⅱ6为SiOx或SixNyOz，膜层厚度小于30nm。
所述透明导电层Ⅰ3、透明导电层Ⅱ7为ITO膜层，膜层厚度范围10nm-80nm，ITO靶材方阻范围50Ω—300Ω。
所述金属层Ⅰ4、金属层Ⅱ8为金属铜膜层，方阻小于0.2Ω。
所述保护层Ⅰ5、保护层Ⅱ9为金属铜镍钛合金膜层。
其中粘接层为SiOx或SixNyO，采用中频交流磁控溅射方式沉积到基材上，沉积室气氛充入纯氩气产生并维持等离子体，充入氧气作为反应气体，靶基距：100mm，溅射功率控制在5---25kw，膜层厚度为5---80nm；
透明导电层为ITO膜层，采用直流磁控反应溅射方式沉积，溅射沉积室气氛充入纯氩气产生并维持等离子体，充入氧气作为反应气体，靶基距：100mm，溅射功率控制在5---25kw，膜层厚度为10 nm ---80nm，方阻范围50Ω—300Ω；
单面镀制完成后镀制另一面，双面膜层镀制完成后覆膜并进入老化线老化结晶（条件为150℃/30min）；
结晶后将感测区覆盖掩膜保护，进行镀制金属层及保护层；
金属层为金属铜膜层，采用直流磁控溅射方式进行溅镀，溅射沉积室气氛充入纯氩气产生并维持等离子体，靶基距：100mm，溅射功率控制在5---25kw，膜层厚度范围50nm-200nm，方阻小于0.2Ω；
保护层为金属铜镍钛合金膜层，采用直流磁控溅射方式进行溅镀，溅射沉积室气氛充入纯氩气产生并维持等离子体，靶基距：100mm，溅射功率控制在5---25kw，膜层厚度范围10nm-50nm。
镀制完成后，将ITO感测区表面掩膜除掉，如图2所示，触摸屏ITO感测区域10表面无金属铜层，触摸屏导电线路区11表面有铜层。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：它包括基材（1），在所述基材（1）的两面依次设置有粘接层Ⅰ（2）、粘接层Ⅱ（6）；透明导电层Ⅰ（3）、透明导电层Ⅱ（7）；金属层Ⅰ（4）、金属层Ⅱ（8）；保护层Ⅰ（5）、保护层Ⅱ（9）。
2.根据权利要求1所述的新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：所述基材（1）为聚酯薄膜基材。
3.根据权利要求1所述的新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：所述粘接层Ⅰ（2）、粘接层Ⅱ（6）为SiOx或SixNyOz，膜层厚度小于30nm。
4.根据权利要求1所述的新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：所述透明导电层Ⅰ（3）、透明导电层Ⅱ（7）为ITO膜层，膜层厚度范围10nm-80nm，ITO靶材方阻范围50Ω—300Ω。
5.根据权利要求1所述的新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：所述金属层Ⅰ（4）、金属层Ⅱ（8）为金属铜膜层，方阻小于0.2Ω。
6.根据权利要求1所述的新型双面柔性ITO导电膜结构，其特征在于：所述保护层Ⅰ（5）、保护层Ⅱ（9）为金属铜镍钛合金膜层。
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