CN202694826U - 一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，应用于大，中，小尺寸电容式触摸屏。此导电薄膜的中间层为柔性透明基材，在柔性透明基材的上下表面分别设置有加硬层，在所述加硬层的另一侧依次向外设置有粘接层、透明导电层。本实用新型所获得的透明导电薄膜可见光透过率高于85%，方阻为150-260欧姆。柔性基材上下表面加硬层起到保护PET的作用。较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，应用于大，中，小尺寸电容式触摸屏。
背景技术
氧化铟锡 (Indium-Tin Oxide ，ITO)透明导电薄膜应用于电容式触摸屏时，要求成膜的ITO膜蚀刻并形成特别电极图案，蚀刻前后颜色差或反射差（▽R）较小，即相对于人眼无法辨别差异。
常见电容式触摸屏结构有表面电容式触摸屏及投射电容式触摸屏，表面电容式触摸屏只采用单层ITO薄膜,从四个角感应由手指在表层静电区域带走的电荷，从而推算出触电位置。投射电容式触摸屏采用两层ITO薄膜，由每一层ITO层感应与手指间互电容带走电荷，相对于表面电容式，投射电容式能穿透较厚覆盖层。
目前，对于中小尺寸电容屏而言，投射电容式触摸屏比较流行。结构如下： 覆盖层， 掩膜层（标示层），光学胶， 第一层感应单元与基底， 光学胶， 第二层感应单元与基底，光学胶或空气层，8LCD.第四层感应单元与衬底，ITO层厚度小于100nm，ITO涂层基底可以为100μm-1mm的玻璃（IR~1.52）或是25μm-300μm PET（IR~1.65）薄膜，ITO越厚，方阻越低，信噪比越好，ITO越薄，光学透光率越好；第六层感应单元与基底与第四层材料相同，但玻璃与PET薄膜不能混合使用，若ITO在基底上表面，厚的基底可以获得更高的信噪比，若ITO在基底下表面，则薄的基底可以获得较高的信噪比。
目前，电容式触摸屏ITO film导电薄膜结构如该结构由四层膜组成，基材，基材上表面粘接层，高折射率层，绝缘层及导电层，基材上下表面加硬层。基材PET,厚度：20-200μm，粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物，厚度：5-20nm，高折射率层为Nb2O5或TiO2，厚度：5-15nm，绝缘层为SiO2，厚度：40-65nm，导电层为ITO,厚度：15-25nm。加硬层厚度：20-60μm，加硬层不影响整体透过曲线，起到保护PET的作用。
目前现有的投射式电容屏绝大多数外挂式即采用承载感测线路（sensor pattern）的基板与面板相贴合，基板通常为玻璃或者薄膜（PET）,玻璃式阻抗较好，薄膜式重量，厚度优势较明显。在触摸屏工艺中，堆叠的层与层之间需要进行贴合，因此触控模组的最终成本除了材料成本外，就跟贴合的良率息息相关，特别是进行全贴合的方式。因此，若是能够提高贴合良率、甚至减少贴合次数，就会成为触控制程技术的发展方向。
发明内容
为克服以上缺陷，本实用新型目的在于提供一种双面双层透明导电薄膜结构，本膜系相对于现有技术而言，较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，此导电薄膜的中间层为柔性透明基材，在柔性透明基材的上下表面分别设置有加硬层，在所述加硬层的另一侧依次向外设置有粘接层、透明导电层。
所述粘接层的折射率为1.47-1.6。
所述粘接层的厚度为5---30nm。
所述粘接层的材料为SiOx或SixNyO。
所述透明导电层的折射率为1.7。
所述透明导电层的厚度为15—25nm。
本实用新型的有益效果：本实用新型所获得的透明导电薄膜可见光透过率高于85%，方阻为150-260欧姆。柔性基材上下表面加硬层起到保护PET的作用。较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1对本实用新型进行详细说明：
一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，此导电薄膜的中间层为柔性透明基材3，在柔性透明基材3的上下表面分别设置有加硬层4，在所述加硬层4的另一侧依次向外设置有粘接层2、透明导电层1。
所述粘接层2的折射率为1.47-1.6。
所述粘接层2的厚度为5---30nm。
所述粘接层2的材料为SiOx或SixNyO。
所述透明导电层1的折射率为1.7。
所述透明导电层1的厚度为15—25nm。
镀治该膜层结构采用卷绕系统，基材3放入卷绕系统放卷室内，待真空度达到要求时进行镀治，本底真空度要求：10-7mbar-10-6mbar。基材卷绕过程中依次经过中频交流磁控反应溅射室及直流磁控反应溅射室，中频交流磁控反应溅射室内置Si靶，气体氛围为氩气，氮气，及氧氩混合气。基材卷绕过程中，对靶材施加中频交流电并冲入适当氩气，压强范围：10-1mbar-10-3mbar，利用氩气辉光放电产生等离子体，Si靶在该氛围内沉积至基材3表面，沉积过程中与气体氛围内氧气，氮气结合产生SiOx或SixNyO，直流磁控反应溅射室内置ITO靶，气体氛围为氩气，氩氧混合气。压强范围：10-1mbar-10-3mbar，基材3卷绕至该溅射室内时，ITO靶被溅射至基材3表面，充入适当氧气得到ito透明导电薄膜。
双层透明导电薄膜镀完后，卷绕系统收卷室得到单层透明导电薄膜。改变卷绕方向，在基材3另一面镀双层透明导电薄膜后得到此实用新型用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：此导电薄膜的中间层为柔性透明基材（3），在柔性透明基材（3）的上下表面分别设置有加硬层（4），在所述加硬层（4）的另一侧依次向外设置有粘接层（2）、透明导电层（1）。
2.根据权利要求1所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：所述粘接层（2）的折射率为1.47-1.6。
3.根据权利要求1所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：所述粘接层（2）的厚度为5---30nm。
4.根据权利要求1所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：所述粘接层（2）的材料为SiOx或SixNyO。
5.根据权利要求1所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电层（1）的折射率为1.7。
6.根据权利要求1所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电层（1）的厚度为15—25nm。
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