CN203276884U - 一种触摸屏用新型柔性ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种柔性透明导电薄膜，尤其涉及触摸屏行业内一种采用铜导线作为导电线路的触摸屏用新型柔性ITO导电膜。该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路，该导电膜结构自下而上依次为基材、粘接层、透明导电层、金属层、保护层。本实用新型与现有技术相比，金属铜层只镀制导电线路区，替代了金属铜层整面镀制于ITO膜层表面，根据不同规格尺寸决定掩膜大小，避免了由于蚀刻时间长导致金属层脱落，缩短了工作流程，提高了生产效率与良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种柔性透明导电薄膜，尤其涉及触摸屏行业内一种采用铜导线作为导电线路的触摸屏用新型ITO导电薄膜。
背景技术
触摸屏主要的应用领域是手机、GPS、PMP、数码相机、IT领域、大尺寸以及其他领域。其中未来最具成长性的IT领域，主要的原因是全球依靠WINDOWS7/8的推动，带触控功能的笔记本电脑将大量出现。其次是手机领域，当触摸屏的成本足够低时，即便是不具备实用价值，消费者也一样选择触控屏，而不具备该功能的手机肯定会被淘汰，触摸屏在手机领域的发展正在如火如荼的发展中。
目前触摸屏内感测区ITO薄膜与IC电路之间导电线路制作方式主要采用印刷银浆方式完成，工艺过程中ITO导电膜采用酸性溶液蚀刻成所需图形后，边缘采用丝网印刷方式印刷银浆，银线线宽一般在100μm左右。除采用印刷银奖之外，采用铜线作为导电线路工艺也已经很成熟，该工艺过程中，采用真空镀膜方式将铜镀制于ITO导电膜表面，采用相应蚀刻液将铜膜层蚀刻成导电线路，该工艺具有线宽优势，一般在25μm左右。
目前，采用真空镀膜方式镀制铜膜层过程一般为：真空镀制完ITO导电薄膜后进入老化线结晶，结晶完采用真空镀膜方式将整个ITO表面镀制铜薄膜，保护层用于防止铜膜氧化，镀制方式与铜相同，铜膜层与保护膜层镀制完成后进行蚀刻，由于保护膜层内含有微量元素导致蚀刻时间较长，蚀刻时间长直接导致铜膜层与ITO导电膜附着力下降，容易造成脱膜现象产生不良，影响生产良率。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型的目的在于减少由于蚀刻导致铜膜层脱落，提高生产量率与产能，从而提供一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜，该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路，该导电膜结构自下而上依次为基材、粘接层、透明导电层、金属层、保护层。
所述基材材料为聚酯薄膜基材。
所述粘接层材料为SiOx或SixNyOz。用于增加透明导电层与基材附着力。
所述透明导电层为ITO膜层，可见光透过率大于88％，方阻范围50Ω—300Ω。ITO透明导电层结晶后镀制金属层及保护层。
所述金属层为金属铜膜层。用于蚀刻形成导电线路。金属层镀制方式采用掩膜法镀制，按照所需图形覆掩膜镀制；
所述保护层为金属铜镍钛合金膜层。用于保护铜膜层，防止氧化。保护层层镀制方式采用掩膜法镀制，按照所需图形覆掩膜镀制；
本实用新型与现有技术相比有如下技术优点：
本实用新型与现有技术相比，金属铜层只镀制导电线路区，替代了金属铜层整面镀制于ITO膜层表面，根据不同规格尺寸决定掩膜大小，避免了由于蚀刻时间长导致金属层脱落，缩短了工作流程，提高了生产效率与良率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
1 -基材 2-粘接层 3-透明导电层 4-金属层 5-保护层。
图2 本实用新型掩膜示意图。
6-触摸屏ITO感测区域 7-触摸屏导电线路区。
具体实施方式
为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图1、2和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。
一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜，该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路，该导电膜结构自下而上依次为基材1、粘接层2、透明导电层3、金属层4、保护层5。
所述基材1材料为聚酯薄膜基材。
所述粘接层2材料为SiOx或SixNyOz。
所述透明导电层3为ITO膜层，可见光透过率大于88％，方阻范围50Ω—300Ω。
所述金属层4为金属铜膜层。
所述保护层5为金属铜镍钛合金膜层。
本实用新型镀制方式采用真空卷绕镀膜方式，优先选择磁控溅射卷绕镀膜方式，所述基材为光学级PET，折射系数范围为1.4---1.7，透射率大于95％，基材表面可做相应处理如带加硬层，对基材进行等离子体预处理清洁后镀制粘接层，粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物， 透明导电层为ITO膜层。
镀制完粘接层与ITO膜层后进入老化线结晶，条件为150℃/30min，结晶后将掩膜覆于ITO膜层表面，进行金属层镀制。
金属层为金属铜膜层，采用直流磁控溅射方式进行溅镀，膜层厚度范围50nm-200nm；用于蚀刻形成导电线路；保护层为金属铜镍钛合金膜层，采用直流磁控溅射方式进行溅镀，膜层厚度范围10nm-50nm。镀制完成后，将触摸屏ITO感测区域6表面掩膜除掉，如图2所示，触摸屏ITO感测区域6表面无金属铜层，触摸屏导电线路区7表面有铜层。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：该导电膜结构采用铜线作为导电线路连接ITO感应层与IC电路，该导电膜结构自下而上依次为基材（1）、粘接层（2）、透明导电层（3）、金属层（4）、保护层（5）。
2.根据权利要求1所述的触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：所述基材（1）材料为聚酯薄膜基材。
3.根据权利要求1所述的触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：所述粘接层（2）材料为SiOx或SixNyOz。
4.根据权利要求1所述的触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：所述透明导电层（3）为ITO膜层，可见光透过率大于88％，方阻范围50Ω—300Ω。
5.根据权利要求1所述的触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：所述金属层（4）为金属铜膜层。
6.根据权利要求1所述的触摸屏用新型柔性ITO导电膜，其特征在于：所述保护层（5）为金属铜镍钛合金膜层。
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