CN204440367U - 一种电容式触控面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于触控技术领域，提供了一种电容式触控面板，包括玻璃基板、依次设置于所述玻璃基板上的SiO2膜层以及透明电极图案，所述透明电极图案的周围设有与其连接的Cu导线或Cu合金导线，在所述Cu导线或Cu合金导线与所述SiO2膜层之间设有防止Cu元素向SiO2膜层扩散进而向所述透明电极图案扩散的过渡层。本实用新型在SiO2膜的表面镀过渡层，Cu导线和SiO2膜层之间由过渡层隔离，防止了Cu元素向SiO2膜层扩散，进而防止向透明电极图案扩散，进而防止了透明电极的微短路，克服了Cu材料无法用于玻璃基板上的问题，降低了成本，提升了产能，并且相比于MoAlMo膜层其层数减少，良率也有所提升。

Description

一种电容式触控面板

技术领域

本实用新型属于触控技术领域，特别涉及一种电容式触控面板。

背景技术

电容式触摸屏的构造主要是在屏幕上镀一层透明的ITO薄膜导体层，在触摸屏四边均镀上狭长的电极，在导电层内形成一个低电压交流电场。在触摸屏幕时，手指与导体层间会形成一个耦合电容，四边电极发出的电流会流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱，准确算出触摸点的位置。由于四周的电极很细，要求使用电阻率低的金属材料，行业内一般使用MoAlMo或Cu作为电极材料，镀Cu的成本低，但由于Cu易氧化、附着力稍差、以及能同时刻蚀Cu又不能刻蚀ITO的刻蚀液价格较贵，并且Cu又不适合玻璃基板，限制了Cu的使用。通常MoAlMo用于玻璃基板，Cu用于PET film基材。因为Cu在SiO2膜层中易扩散，使用玻璃基板时，电容触摸屏ITO膜层下方都会使用SiO2膜层，Cu的扩散易使ITO线路区产生微短路现象，导致触摸不灵敏，所以玻璃基板目前都不用Cu而用MoAlMo。而PET film采用卷绕镀，卷绕镀膜机上的阴极数量相对较少，如果镀MoAlMo，至少3层膜，厚度较大，靶位较多，所以成膜困难，且PET上ITO下方可以不用镀SiO2，即使镀SiO2，ITO线间距一般在50um以上，相对于玻璃基板ITO间距30um更大些，Cu在SiO2膜层中扩散影响不大，因此PET film基材采用Cu膜或Cu合金膜而不用MoAlMo。由于MoAlMo的成本高于Cu，而伴随电容触摸屏行业竞争日趋激烈，对成本的控制变得尤为重要。因此需要开发以Cu为电极材料用于玻璃基板的技术方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电容式触控面板，使之能够采用Cu制作玻璃基板表面的电极，进而降低成本，提高产能。

本实用新型是这样实现的，一种电容式触控面板，包括玻璃基板、依次设置于所述玻璃基板上的SiO2膜层以及透明电极图案，所述透明电极图案的周围设有与其连接的Cu导线或Cu合金导线，在所述Cu导线或Cu合金导线与所述SiO2膜层之间设有防止Cu元素向SiO2膜层扩散进而向所述透明电极图案扩散的过渡层。

作为本实用新型的优选技术方案：

在所述透明电极图案的周围设有油墨边框，所述SiO2膜层和过渡层至少部分覆盖所述油墨边框，所述Cu导线或Cu合金导线在所述玻璃基板上的投影位于所述油墨边框在所述玻璃基板上的投影之内

所述油墨边框的厚度为1.5μm。

所述过渡层的厚度为10～30nm。

所述过渡层的厚度为30nm。

所述透明电极图案的镂空区域也设有所述过渡层。

所述Cu导线或Cu合金导线的线宽和间距为20～30μm。

本实用新型在SiO2膜的表面镀过渡层，Cu导线和SiO2膜层之间由过渡层隔离，防止了Cu元素向SiO2膜层扩散，进而防止向透明电极图案扩散，进而防止了透明电极的微短路，克服了Cu材料无法用于玻璃基板上的问题，降低了成本，提升了产能，并且相比于MoAlMo膜层其层数减少，良率也有所提升。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的电容式触控面板的制作方法的流程图；

图2是本实用新型实施例提供的电容式触控面板的制作方法的工艺示意图及电容式触控面板的结构图；

其中,图(a)是本实用新型实施例提供的电容式触控面板的制作方法中采用的玻璃基板示意图；

图(b)是在图(a)基础上设置或制作SiO2膜层和油墨边框的示意图；

图(c)是在图(b)基础上设置透明导电膜的示意图；

图(d)是在图(c)基础上制作感光胶图案的示意图；

图(e)是在图(d)基础上通过感光胶图案刻蚀透明导电膜，形成透明电极图案，并保留感光胶图案的示意图；

图(f)是在图(e)基础上在感光胶图案和露出的SiO2膜层之上设置过渡层的示意图；

图(g)是在图(f)基础上去除感光胶图案和感光胶图案表面的过渡层，保留其他区域的过渡层的示意图；

图(h)是在图(g)基础上向透明电极图案和过渡层上镀Cu膜或Cu合金膜，并刻蚀Cu膜或Cu合金膜的示意图；

图(i)是在图(h)基础上在透明电极图案的周围形成与其连接的Cu导线或Cu合金导线的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

以下结合具体实施例对本实用新型的具体实现进行详细描述：

请参考图1和图2，本实用新型提供一种电容式触控面板，该电容式触控面板包括玻璃基板、依次设置于玻璃基板上的SiO2膜层以及透明电极图案，透明电极图案的周围设有与其连接的Cu导线或Cu合金导线，在Cu导线或Cu 合金导线与SiO2膜层之间设有防止Cu元素向SiO2膜层扩散进而向透明电极图案扩散的过渡层。

电容式触控面板通过下述方法制作：

在步骤S101中，在玻璃基板101上依次设置SiO2膜层102及透明导电膜103；如图2中的图(a)、(b)、(c)。以下附图未示出SiO2膜层102的结构。

在本实施例中，透明导电膜103可以是ITO膜。并且，在该步骤之前，通常先在玻璃基板101上制作油墨边框104，厚度可以为1.5μm左右。然后再制作SiO2膜层102及透明导电膜103，SiO2膜层102及透明导电膜103至少部分覆盖油墨边框104。

在步骤S102中，在透明导电膜103之上制作感光胶图案105；如图2中的图(d)。

在步骤S103中，通过感光胶图案105刻蚀所述透明导电膜103，形成透明电极图案106，并保留感光胶图案105；如图2中的图(e)。

具体可以反复利用黄光制程及磁控溅射，完成透明电极图案106的制作，但最外层的感光胶图案105暂不去除。

在步骤S104中，在感光胶图案105和露出的SiO2膜层102之上设置过渡层107；如图2中的图(f)。

具体的，可以在感光胶图案105和露出的SiO2膜层102上磁控溅射一层Si3N4过渡层，膜厚为10～30nm，优选为30nm，太薄则起不到抑制Cu扩散的作用，太厚则不便于后续感光胶图案的去除。

在步骤S105中，去除感光胶图案105和感光胶图案表面的过渡层107，保留其他区域的过渡层107；如图2中的图(g)。

在本实施例中，过渡层采用耐碱材料，感光胶图案采用不耐碱材料，在该步骤中，通过强碱刻蚀工艺使感光胶图案脱落，使得其表面的过渡层随之脱落，其他区域的过渡层得以保留。

在此步骤中，将感光胶图案105和其表面的过渡层107去除，可以露出透明电极图案106，并且在其他部位依然存在过渡层107，该过渡层107将SiO2膜层102露出的部分覆盖。

在步骤S106中，向透明电极图案106和过渡层107上镀Cu膜或Cu合金膜108，并刻蚀Cu膜或Cu合金膜108，在透明电极图案106的周围形成与其连接的Cu导线或Cu合金导线109。如图2中的图(h)、(i)。

在此步骤中，再次利用磁控溅射镀Cu或Cu合金，通常为Cu合金，共需3个靶位，每个靶位装Cu-Ni合金靶，其中，Ni的含量为5％。第一个靶位充氩气200sccm，氧气20sccm，形成不完全氧化物CuOx，O原子与透明电极图案材料ITO中的O原子可以产生共价键，提升了Cu与ITO的附着力。后两个靶位只充氩气200sccm。镀膜时基板温度为90度，减少氧化且附着力良好，每个靶位镀50nm，三个靶位镀的总膜厚150nm。

最后，用H2SO4、H3PO4、CH3COOH混合液，质量分数分别为15％、55％、30％，温度控制在40度，刻蚀所需要的导线109与透明电极图案106相连，线宽和线距均为20μm。

采用H2SO4系的刻蚀液，虽然对透明电极无损伤，但单纯的H2SO4刻蚀液对Cu的刻蚀速率过快，容易产生过刻蚀，所以本实施例采用H2SO4、H3PO4、CH3COOH的混合液，质量分数分别为15％、55％、30％，温度控制在40度左右，保证较佳的刻蚀效果，且成本很低。

在此步骤中，制作的导线109位于透明电极图案106周围，透明电极图案106位于玻璃基板101的显示区，油墨边框104则位于玻璃基板101的非显示区，该导线109通常位于非可视区，即位于油墨边框104所在的区域，导线109在玻璃基板101上的投影位于油墨边框104在玻璃基板101上的投影之内。

本实用新型在制作好透明电极图案106后保留感光胶图案105，继续在感光胶图案105和SiO2膜102的表面镀过渡层107，然后将感光胶图案105连同其表面的过渡层107去除，然后设置Cu膜或Cu合金膜108，并刻蚀该膜层形 成连接于透明电极图案的导线109，该Cu导线和SiO2膜层之间由过渡层107隔离，不会向SiO2膜层102及透明电极图案106扩散，进而防止了透明电极的微短路，进而克服了Cu材料无法用于玻璃基板上的问题，降低了成本，提升了产能，并且相比于MoAlMo膜层其层数减少，良率也有所提升。

本实用新型提供的电容式触控面板如图2中的图(i)，该电容式触控面板可以是通过上述方法制作而成，也可以通过其他方法制作而成。具体的，该电容式触控面板包括玻璃基板101、依次设置于玻璃基板101上的SiO2膜层102以及透明电极图案106，在本实施例中，玻璃基板101上通常设有油墨边框104，设置于玻璃基板101的非显示区，SiO2膜层102覆盖在油墨边框104之上，透明电极图案106设置于玻璃基板101的显示区。透明电极图案106的周围设有与其连接的Cu导线或Cu合金导线109，在Cu导线或Cu合金导线109与SiO2膜层102之间设有防止Cu元素向SiO2膜层102扩散的过渡层107。Cu导线或Cu合金导线109可以设置于油墨边框104所在的区域，其在玻璃基板101上的投影通常位于油墨边框104在玻璃基板101上的投影之内。

进一步的，通过上述方法制作触控面板时，在去除感光胶图案106和其表面的过渡层107的过程中，除了保留透明电极图案106周围的过渡层之外，也无法将透明电极图案间隙内的过渡层材料去除，因此在制作完成的产品中，透明电极图案106的间隙内也存在过渡层材料。

进一步的，该过渡层107的厚度为10～30nm，优选为30nm。过厚不利于感光胶和过渡层的去除，过薄则抑制Cu扩散的作用不明显。

进一步的，本实施例优选为Cu-Ni合金制作导线，其中，Ni的含量为5％。Ni含量太高则电阻偏高，太低则抗氧化性能不好。进一步的，Cu导线的线宽和线距可以为20～30μm。

该电容式触控面板的Cu导线下方设有过渡层，将其与SiO2膜层隔离，防止Cu元素向SiO2膜层过渡，因此不会导致透明电极微短路，进而可以采用 Cu材料制作引线电极附着于玻璃基板表面，降低了成本，且提升了产能及产品良率。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种电容式触控面板，其特征在于，包括玻璃基板、依次设置于所述玻璃基板上的SiO2膜层以及透明电极图案，所述透明电极图案的周围设有与其连接的Cu导线或Cu合金导线，在所述Cu导线或Cu合金导线与所述SiO2膜层之间设有防止Cu元素向SiO2膜层扩散进而向所述透明电极图案扩散的过渡层。

2.如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于，在所述透明电极图案的周围设有油墨边框，所述SiO2膜层和过渡层至少部分覆盖所述油墨边框，所述Cu导线或Cu合金导线在所述玻璃基板上的投影位于所述油墨边框在所述玻璃基板上的投影之内。

3.如权利要求2所述的电容式触控面板，其特征在于，所述油墨边框的厚度为1.5μm。

4.如权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于，所述过渡层的厚度为10～30nm。

5.如权利要求4所述的电容式触控面板，其特征在于，所述过渡层的厚度为30nm。

6.如权利要求1至5任一项所述的电容式触控面板，其特征在于，所述透明电极图案的镂空区域也设有所述过渡层。

7.如权利要求1至5任一项所述的电容式触控面板，其特征在于，所述Cu导线或Cu合金导线的线宽和间距为20～30μm。