CN103345337B - 柔性触摸屏及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种柔性触摸屏，包括柔性基材、设在柔性基材上的透明导电膜及与透明导电膜电连接的电极引线，其中，电极引线包括设在透明导电膜上的铜引线及设在铜引线上的铜镍合金保护膜。由于铜镍合金在大气压下的防氧化能力好，能够有效避免铜引线的氧化变质，同时，在制作工艺上，溅射制备铜引线和铜镍保护膜可以直接通过一道工序完成，无需进行额外的工艺，从而可以有效的提高产品的生产效率，并且避免了额外工艺对透明导电膜的损坏，产品的良率也提高。此外，本发明还涉及一种柔性触摸屏的制作方法。

Description

柔性触摸屏及其制作方法

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，尤其是涉及一种柔性触摸屏及其制作方法。

背景技术

传统的柔性触摸屏主要有两种ITO配线方式：一种是银胶印刷制程；另一种是在柔性触摸屏上溅射一层金属，如铜（Cu），再利用光刻工艺将金属作为ITO配线。

由于柔性触摸屏本身固有的柔软性和不耐热性，对其进行传感器（sensor）加工存在一定的局限性。尤其是传感器的边缘金属走线常采用Mo-Al-Mo工艺，Mo-Al-Mo镀膜在温度上要求比较高，超过了薄膜传感器的温度承受极限，因此在薄膜传感器边缘采用Mo-Al-Mo工艺路线是不太可行的，因此现行使用较多的是用Cu或含Cu的合金来作为薄膜传感器边缘引线。

但采用镀Cu的方式，由于Cu金属比较活跃，易在大气环境中氧化，故传统的在镀Cu工艺之后，需要在表面印刷一层耐腐蚀油墨来保护Cu层，从而制作工艺复杂，影响生产效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种制作过程相对简单的柔性触摸屏及其制作方法。

一种柔性触摸屏，包括柔性基材、设在所述柔性基材上的透明导电膜及与所述透明导电膜电连接的电极引线，所述电极引线包括设在所述透明导电膜上的铜引线及设在所述铜引线上的铜镍合金保护膜。

在其中一个实施例中，所述柔性基材的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

在其中一个实施例中，所述透明导电膜为透明ITO导电膜。

在其中一个实施例中，所述透明导电膜的厚度为20～30nm。

在其中一个实施例中，所述铜引线的厚度为150～200nm。

在其中一个实施例中，所述铜镍合金保护膜中铜的质量百分数为90%。

在其中一个实施例中，所述铜镍合金保护膜的厚度为15～25nm。

一种柔性触摸屏的制作方法，包括如下步骤：

在柔性基材上溅射制备透明导电膜；

在制备好的含有所述透明导电膜的柔性基材上溅射制备与所述透明导电膜电连接的铜膜；

在所述纯铜膜上溅射制备铜镍合金薄膜；

采用光刻工艺刻蚀所述纯铜膜及所述铜镍合金薄膜，得到铜引线及设在所述铜引线上的铜镍合金保护膜。

在其中一个实施例中，所述铜镍合金保护膜中铜的质量百分数为90%。

在其中一个实施例中，所述柔性基材的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述透明导电膜为透明ITO导电膜，所述透明导电膜的厚度为20～30nm；所述铜引线的厚度为150～200nm；所述铜镍合金保护膜的厚度为15～25nm。

上述柔性触摸屏的电极引线包括铜引线及设在铜引线上的铜镍合金保护膜，由于铜镍合金在大气压下的防氧化能力好，能够有效避免铜引线的氧化变质，同时，在制作工艺上，溅射制备铜引线和铜镍保护膜可以直接通过一道工序完成，无需进行额外的工艺，从而可以有效的提高产品的生产效率，并且避免了额外工艺对透明导电膜的损坏，产品的良率也提高。

附图说明

图1为一实施方式的柔性触摸屏的结构示意图；

图2为一实施方式的柔性触摸屏的制作方法流程图。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施例对柔性触摸屏及其制作方法作进一步详细的说明。

如图1所示，一实施方式的柔性触摸屏100，包括柔性基材110、透明导电膜120及电极引线130。

本实施方式的柔性基材110的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。

透明导电膜120设在柔性基材110上。本实施方式的透明导电膜120为透明ITO（氧化铟锡）导电膜，厚度为20～30nm。可以理解，在其他实施方式中，透明导电膜120的材质还可以为氧化铝锌（AZO）、氧化镓锌（GZO）或氧化铟锌（IZO）等金属掺杂的n型半导体氧化物。

电极引线130设在柔性基材110上，与透明导电膜120电连接。本实施方式的电极引线130包括设在柔性基材110上的与透明导电膜120电连接的铜引线132以及设在铜引线132上的铜镍合金保护膜134。其中，铜引线132的厚度为150～200nm。铜镍合金保护膜134中铜的质量百分数为90%。铜镍合金保护膜134的厚度为15～25nm。

此外，如图2所示，本实施方式还提供了一种柔性触摸屏的制作方法，包括如下步骤：

步骤S210：在柔性基材上溅射制备透明导电膜。

柔性基材的材料可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯。透明导电膜设在柔性基材上，材料为透明ITO（氧化铟锡）导电膜，溅射的厚度为20～30nm。可以理解，在其他实施方式中，透明导电膜的材质还可以为氧化铝锌（AZO）、氧化镓锌（GZO）或氧化铟锌（IZO）等金属掺杂的n型半导体氧化物。

步骤S220：在制备好的含有透明导电膜的柔性基材上溅射制备与透明导电膜电连接的铜膜。

本实施方式的溅射制备铜膜的过程是在溅射制备完透明导电膜后进行连续镀膜作业而得到的，具体包括如下步骤：

将制备好的透明导电膜在150℃下进行热处理90分钟；

然后在氩气流量为90sccm、镀膜功率为2.2KW、速度为8Hz、镀膜温度80℃的条件下在柔性基材上溅射厚度为120～150nm的与透明导电膜电连接的铜膜。

步骤S230：在纯铜膜上溅射制备铜镍合金薄膜，具体是在氩气流量为90sccm、镀膜功率为1.0KW、速度为8Hz、镀膜温度80℃的条件下在铜膜上溅射厚度为10～15nm厚度为铜镍合金薄膜。

步骤S240：采用光刻工艺刻蚀纯铜膜及铜镍合金薄膜，得到铜引线及设在铜引线上的铜镍合金保护膜，具体包括如下步骤：

在溅镀完铜镍合金薄膜后在铜镍合金薄膜上涂布一层厚度为2～7μm的光刻胶或贴付一层厚度为15～25μm的干膜；

将涂布好光刻胶或贴附好干膜的铜镍合金薄膜进行曝光，曝光能量100mJ～150mJ；

将曝光好的铜镍合金薄膜进行显影工艺处理，显影药液为质量分数为0.2%的NaOH溶液，显影温度25℃，带速为3.5～5.0m/分钟；

将显影好的铜镍合金薄膜进行蚀刻，蚀刻有两部分，一部分为铜镍合金薄膜与铜膜，另一部分为透明导电膜蚀刻，其中，用于蚀刻铜镍合金薄膜和铜膜的刻蚀液为50%的盐酸药液，蚀刻温度45℃，带速为3.5～5.0m/分钟，用于刻蚀透明导电膜的药液为质量分数为10～13%的王水，刻蚀温度45℃，带速为3.5～5.0m/分钟；

将蚀刻好的粗产品进行剥膜处理，剥膜药液质量分数为3～5%的KOH溶液,剥膜温度45℃，带速为3.5～5.0m/分钟。

电极引线设在柔性基材上，与透明导电膜电连接。电极引线包括设在柔性基材上的与透明导电膜电连接的铜引线以及设在铜引线上的铜镍合金保护膜。其中，铜引线的厚度为150～200nm。铜镍合金保护膜中铜的质量百分数为90%。铜镍合金保护膜的厚度为15～25nm。

该柔性触摸屏100的电极引线130包括铜引线132及设在铜引线132上的铜镍合金保护膜134，由于铜镍合金在大气压下的防氧化能力好，能够有效避免铜引线132的氧化变质，同时，在制作工艺上，溅射制备铜引线132和铜镍保护膜134可以直接通过一道工序完成，无需进行额外的工艺，从而可以有效的提高产品的生产效率，并且避免了额外工艺对透明导电膜120的损坏，产品的良率也提高。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (3)

1.一种柔性触摸屏的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在柔性基材上溅射制备透明导电膜；

在制备好的含有所述透明导电膜的柔性基材上溅射制备与所述透明导电膜电连接的铜膜，具体将制备好的透明导电膜在150℃下进行热处理90分钟，然后在氩气流量为90sccm、镀膜功率为2.2KW、速度为8Hz、镀膜温度80℃的条件下在柔性基材上溅射厚度为120～150nm的与透明导电膜电连接的铜膜；

在所述铜膜上溅射制备铜镍合金薄膜，具体是在氩气流量为90sccm、镀膜功率为1.0KW、速度为8Hz、镀膜温度80℃的条件下在铜膜上溅射厚度为10～15nm的铜镍合金薄膜；

采用光刻工艺刻蚀所述铜膜及所述铜镍合金薄膜，得到铜引线及设在所述铜引线上的铜镍合金保护膜。

2.如权利要求1所述的柔性触摸屏的制作方法，其特征在于，所述铜镍合金保护膜中铜的质量百分数为90％。

3.如权利要求1或2所述的柔性触摸屏的制作方法，其特征在于，所述柔性基材的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述透明导电膜为透明ITO导电膜，所述透明导电膜的厚度为20～30nm；所述铜引线的厚度为150～200nm；所述铜镍合金保护膜的厚度为15～25nm。