CN104617114B - 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。该阵列基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素电极层，还包括：第一线栅偏振膜，其中：所述第一线栅偏振膜设置在所述像素电极层的表面。本发明应用于显示器件制作技术中。

Description

一种阵列基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成，在阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。此外，在彩膜基板的上表面设置有第一偏振片，在阵列基板和背光模组之间设置有第二偏振片。现有技术中，上述偏振片(第一偏振片和第二偏振片)包括两层三醋酸纤维素(Triacetyl Cellulose，简称TAC)保护层，以及夹设于TAC保护层之间的第一聚乙烯醇(Poly VinglAlcohol，简称PVA)材料层。这样形成的偏光片的厚度较大，导致最终形成的显示装置的厚度较大，对于实现超薄显示装置带来限制，甚至无法实现显示装置的超薄设计。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素电极层，所述像素电极层的表面设置有第一线栅偏振膜；
所述像素电极层的表面为所述像素电极靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面。
可选的，所述阵列基板还包括：形成在所述衬底基板上的信号线，其中：
所述信号线的表面设置有第二线栅偏振膜；
所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；
所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
可选的，所述信号线包括数据线和栅线中的至少一种。
可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距为80～150nm。
可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的材料为铝、银或者铝和银的合金。
可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。
第二方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素电极层；
在所述像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜；
所述像素电极层的表面为所述像素电极层靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面。
可选的，所述方法还包括：
在衬底基板上形成信号线；
在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜；
所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；
所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；
通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距均为80～150nm。
可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一阵列基板。
本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，通过采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层上，这样线栅偏振膜与像素电极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图4为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图5为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的制作方法的流程示意图。
附图标记：1-衬底基板；2-像素电极层；3-第一线栅偏振膜；4-栅极；5-栅绝缘层；6-源极；7-漏极；8-有源层；9-保护层；10-数据线；11-第二线栅偏振膜；12-栅线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种阵列基板，参照图1所示，该阵列基板包括：衬底基板1、形成在衬底基板1上的像素电极层2和第一线栅偏振膜3，其中：
第一线栅偏振膜3设置在像素电极层2的表面。
其中，如图1中所述线栅偏振膜是设置在像素电极层远离衬底基板的一面上，当然第一线栅偏振膜也可以设置在像素电极层靠近衬底基板的一面上。
如图1中所示，该阵列基板还包括：栅极4、栅绝缘层5、源极6、漏极7、有源层8和保护层9。
其中，构成衬底基板1的材料可以包括玻璃、石英石的至少一种。当线栅偏振膜3应用于柔性显示装置时，构成衬底基板1的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、三醋酸纤维素(Triacetyl Cellulose，简称TAC)中的至少一种，以满足柔性显示装置能够弯曲，卷折的设计要求。
具有线栅图案的线栅偏振膜3需要对入射光具有偏振作用，在此情况下，构成上述线栅图案的栅距(线栅偏振膜上相邻两个条形的线栅图案的中心距)需小于等于入射光波长的二分之一。
需要说明的是，本实施例中只是举例说明阵列基板的结构如图1中所示，实际设计中只要保证阵列基板的像素电极层上具有线栅偏振膜即可，有源层可以是在源漏极的上面也可以是在源漏极的下面，薄膜晶体管可以栅极顶接触类型也可以是栅极底接触类型。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板中采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层上，使得像素电极层部分裸露的位置，这样线栅偏振膜与像素电极直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
进一步，该阵列基板还包括形成在衬底基板1上的信号线，其中：
信号线的表面设置有第二线栅偏振膜。
具体的，第二线栅偏振膜可以设置在信号线远离衬底基板的一面，也可以设置在信号线靠近衬底基板的一面；第二线栅偏振膜和第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
其中，信号线可以包括数据线和栅线中的至少一种。
具体的，如图2中所示，本实施例中示例性的以信号线为数据线10为例进行说明。此时，还在数据线的上表面或者下表面上设置有第二线栅偏振膜11，第二线栅偏振膜11同样是采用电阻较小的金属材料形成，给显示器件通电后，由于第二线栅偏振膜11的存在使得数据线上的电阻大大的减小，这样数据线上的电荷迁移率增大，从而使得显示器件的显示性能得到进一步的提升。
第一线栅偏振膜3和第二线栅偏振膜11的栅距均为80～150nm。
由于在确保第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜能够正常使用的前提下，第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的栅距越小越好。然而栅距越小，制作精度越高，加工难度越大。因此综合考虑工艺难度系数以及偏振效果，本发明实施例设置第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的栅距为80～150nm。
第一线栅偏振膜3和第二线栅偏振膜11的材料为铝、银或者铝和银的合金。
为了保证通电后，保证足够的电荷迁移率，本实施例中优选的采用电阻较小的金属材料例如：铝、银或者铝与银的合金。当然，此处只是举例说明第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的材料，并没有限定只能采用这些材料来形成第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜，其它具有导电性的金属及其合金均可以适用。
第一线栅偏振膜3和第二线栅偏振膜11的厚度为100～200nm。
若第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的厚度过小，第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜上的凸起与其接触的膜层像素电极层之间的段差太小，从而使制得的第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜无法对入射光进行起偏。若第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的厚度过大，会造成第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的厚度过厚，从而使得制备的显示器件无法满足超薄化的趋势，本实施例中设置第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。
如图2中所示，该阵列基板中还包括：栅线12。
需要说明的是，本实施例中只是以有源矩阵(Active Matrix，简称AM)液晶显示器中的阵列基板为例进行说明，对于无源矩阵(Passive Matrix)液晶显示器的阵列基板同样可以适用本发明提供的方案的，此处不做详细的说明；在实际的设计中，只要是满足本发明中提供的像素电极层的表面设置有第一线栅偏振膜，信号线的表面设置有第二线栅偏振膜的方案均是可行的。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板中采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层的表面，这样线栅偏振膜与像素电极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示装置中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图3所示，该方法包括以下步骤：
101、提供衬底基板。
具体的，可以采用玻璃或者石英石等材料来形成衬底基板。当然，若应用于柔性显示装置时，构成衬底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一种。
102、在衬底基板上形成像素电极层。
103、在像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜。
其中，第一线栅偏振膜的厚度可以为100～200nm，材料可以为铝、银或者铝和银的合金。
需要说明的是，本实施例中并不限定步骤102和步骤103之间的执行顺序。若第一线栅偏振膜是形成在像素电极层远离衬底基板的一面上，则步骤103可以是在步骤102之后执行的；若第一线栅偏振膜是形成在像素电极层靠近衬底基板的一面上，则步骤103可以是在步骤102之前执行的。在具体的实施过程中，可以根据实际的形成过程恰当的选择步骤102和步骤103之间的执行顺序。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层的表面，这样线栅偏振膜与像素电极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示装置中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图4所示，该方法包括以下步骤：
201、提供衬底基板。
具体的，可以采用玻璃或者石英石等材料来形成衬底基板。当然，若应用于柔性显示装置时，构成衬底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一种。
202、在衬底基板上形成信号线。
其中，信号线包括数据线和栅线中的至少一种。
203、在信号线的表面形成第二线栅偏振膜。
其中，第二线栅偏振膜的厚度可以为100～200nm，材料可以为铝、银或者铝和银的合金。
204、在衬底基板上形成像素电极层。
205、在像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜。
第一线栅偏振膜的厚度可以为100～200nm，材料可以为铝、银或者铝和银的合金。
其中，第二线栅偏振膜和第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
需要说明的是，本实施例中并不限定步骤202～205之间的执行顺序，在实际的操作中，可以根据信号线包括的具体膜层，根据各个膜层的形成顺序、第一线栅偏振膜与像素电极层之间的关系和第二线栅偏振膜与信号线中的各膜层之间的关系来确定步骤202～205的实际执行顺序。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，本实施例中只是以像素电极层形成在漏极上为例进行说明，当然像素电极层也可以是形成在漏极下方的，参照图5所示，本实施例中的信号线具体指的是数据线，第二线栅偏振膜形成在数据线远离衬底基板的一面上，第一线栅偏振膜形成在像素电极层远离衬底基板的一面上，该方法包括以下步骤：
301、提供衬底基板。
具体的，可以采用玻璃或者石英石等材料来形成衬底基板。当然，若应用于柔性显示装置时，构成衬底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一种。
302、在衬底基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层厚度在至的金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
303、在栅金属层上形成一层栅绝缘层。
具体的，可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为至的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
304、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
具体的，可以利用化学气相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜，然后对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用普通的掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层即可。
进而，采用和制作栅线类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在到金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成源极、漏极和数据线。
305、在数据线上形成第二线栅偏振膜。
其中，在数据线上形成覆盖数据线的第二线栅偏振膜具体包括以下步骤：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在数据线上形成一层金属薄膜。
具体的，可以采用铝、银或者铝和银的合金材料在数据线上蒸镀一层厚度在100～200nm之间的金属薄膜。
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理金属薄膜，形成覆盖数据线的第二线栅偏振膜。
具体的，可以先在金属薄膜上铺设一层光刻胶树脂，然后曝光、显影得到需要的线栅图案，之后通过刻蚀工艺例如：使用NaOH湿刻、激光干刻或者离子反应刻蚀去除掉不需要的金属薄膜，然后使用剥离液除去光刻胶即可形成第二线栅偏振膜。光刻胶树脂可以为：硅烷、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂等非晶性热可塑性树脂、结晶性热可塑性树脂或者紫外固化和热固化树脂等构成的板状体、薄膜状体、片状体等透明树脂。需要说明的是，使用NaOH刻蚀时，优选的可以在0.1％NaOH水溶液中对金属薄膜进行清洗蚀刻。
或者，可以采用如下步骤来形成数据线上的第二线栅偏振膜：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在数据线上形成一层金属薄膜。
具体的，可以采用铝、银或者铝和银的合金材料在数据线上蒸镀一层厚度在100～200nm之间的金属薄膜。
通过压印光刻构图工艺处理该金属薄膜，形成覆盖数据线的第二线栅偏振膜。
具体的，先在金属薄膜上铺设一层流动树脂层，然后采用精度小于10nm的压印模具处理所述金属薄膜，然后通过使用激光去除掉多余的树脂层，之后采用刻蚀工艺得到第二线栅偏振膜。
306、在漏极上形成像素电极层。
采用磁控溅射的方法在第二层钝化层上沉积ITO或者IZO，然后经过曝光、显影、刻蚀形成像素电极层。
307、在像素电极层上形成第一线栅偏振膜。
其中，像素电极层上形成第一线栅偏振膜具体包括以下步骤：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在像素电极层上形成一层金属薄膜。
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理金属薄膜，形成第一线栅偏振膜。
或者，可以采用如下步骤来形成像素电极层上的第一线栅偏振膜：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在像素电极层上形成一层金属薄膜。
通过压印光刻构图工艺处理金属薄膜，形成第一线栅偏振膜。
需要说明的是，本实施例中形成第一线栅偏振膜的工艺与形成第二线栅偏振膜的工艺相同，可以参考形成第二线栅偏振膜的工艺来形成第一线栅偏振膜，此处不再赘述。
308、在第二线栅偏振膜上形成覆盖有源层、源极、漏极、数据线、第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的保护层。
具体的，采用和栅绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个基板上涂覆一层厚度在到的钝化层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。
其中，第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的栅距均为80～150nm；第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜厚度均为100～200nm，第一线栅偏振膜和第二线栅偏振膜的偏振方向相同。
需要说明的是，本实施例中只是以第一线栅偏振片形成在像素电极层远离衬底基板的一面，第二线栅偏振膜形成在数据线远离衬底基板的一面为例进行说明；第一线栅偏振膜也可以是形成在像素电极层靠近衬底基板的一面，第二线栅偏振膜页可以是形成数据线靠近衬底基板的一面。当然，第二线栅偏振膜也可以是形成在栅线的表面的。具体的形成步骤可以参考本实施例中介绍的阵列基板的形成方法结合现有技术中的阵列基板的各膜层的形成方法来确定。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在像素电极层上，使得像素电极层部分裸露的位置，这样线栅偏振膜与像素电极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中提供的任一阵列基板，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件显示装置。
本发明的实施例提供的显示装置，通过采用线栅偏振膜来实现对光线的起偏，并将该线栅偏振膜设置在显示装置中的像素电极层上，使得像素电极层部分裸露的位置，这样线栅偏振膜与像素电极层直接连接在一起，由于线栅偏振膜采用金属材料形成，因此通电后像素电极层上的电阻大大减小，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素电极层，其特征在于，所述像素电极层的表面设置有第一线栅偏振膜；
所述像素电极层的表面为所述像素电极层远离所述衬底基板的一面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述衬底基板上的信号线，其中：
所述信号线的表面设置有第二线栅偏振膜；
所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；
所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括数据线和栅线中的至少一种。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距为80～150nm。
5.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的材料均为铝、银或者铝和银的合金。
6.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素电极层；
在所述像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜；
所述像素电极层的表面为所述像素电极层远离所述衬底基板的一面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在衬底基板上形成信号线；
在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜；
所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；
所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；
通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面上形成一层金属薄膜；
通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：
采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；
通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。
13.根据权利要求8～12任一所述的方法，其特征在于，
所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距均为80～150nm。
14.根据权利要求8～12任一所述的方法，其特征在于，
所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度均为100～200nm。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～6任一所述的阵列基板。
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