CN104571721A - 一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置，在衬底基板上层叠设置具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层，这样可以在制作透明导电氧化物层图案时制作出整层设置的图案消隐层，不必增加贴附或构图工艺，即可在较低制作成下，达到透明导电氧化物层图案从清晰可见到在可见光下不可见的效果。

Description

一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置。
背景技术
目前，诸如氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)的透明导电氧化物材料因其化学性能稳定，导电率高，被广泛应用于显示器件中作为透明电极使用，尤其是广泛用作触控面板中的触控电极(Touch Sensor)使用。具体地，触控面板的基本结构，如图1所示，包括：设置在衬底基板01上的具有X方向02x和Y方向02y的触控电极图案的透明导电氧化物层02，绝缘层03，桥接X方向或Y方向的触控电极的桥接层04，以及设置在周边区域的相关引线层。并且，在具体实施时，触控面板具体可以采用如图2a和图2b所示的两种实现方式，一种为如图2a所示的桥接层04设置在透明导电氧化物层02之上的结构，另一种为如图2b所示的桥接层04设置在透明导电氧化物层02之下的结构。
在上述触控面板中采用透明导电氧化物层制作触控电极图案时，由于透明导电氧化物特有的颜色在制作成图案后，该图案在环境光的照射下容易被肉眼观看到，逐渐为不为客户所接受。因此，目前常见的解决方式是在触控面板上贴附或增加一些膜层05。
其中，按照触控面板中各膜层的叠加顺序，可以以下几种实现方式：1、如图3a所示，在触控面板上贴附一层光学功能膜层以实现图案消隐效果，该种方式采用功能膜贴附的方式具有工艺简单的优势，但该功能膜的存在大大降低触控面板的透过率，且在长期使用后触控面板表面容易出现磨损痕迹；2、如图3b所示，在触控面板的透明导电氧化物层上制作SiNxOy膜层；3、如图3c所示，在触控面板的桥接层上制作OC膜层，该种方式利用了OC层的消隐效果，需要在制作触控面板时多追加一道Mask工艺来制作OC层，并且若采用黄光制程，其设备投资高，制作成本相应也会升高。
因此，如何获得消隐效果更好且成本更低的透明导电氧化物膜层是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置，用以获得消隐效果更好且成本更低的透明导电氧化物膜层。
因此，本发明实施例提供了一种透明导电氧化物图案消隐结构，包括：衬底基板，在所述衬底基板上层叠设置的具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使所述透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述图案消隐层具体包括：设置在所述衬底基板和所述透明导电氧化物层之间的至少一组介质薄膜层组；各所述介质薄膜层组包括层叠设置的折射率从所述衬底基板指向所述透明导电氧化物层依次递减的至少两层介质薄膜层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，各所述介质薄膜层组包括：第一介质薄膜层和位于所述第一介质薄膜层上的第二介质薄膜层；
所述第二介质薄膜层的折射率小于所述第一介质薄膜层的折射率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述第一介质薄膜层的折射率为1.9至2.2；所述第二介质薄膜层的折射率为1.4至1.6。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述第一介质薄膜层的材料为Nb2O5；所述第二介质薄膜层的材料为SiO2。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述图案消隐层还包括：设置于所述透明导电氧化物层远离所述介质薄膜层组一侧的第三介质薄膜层，所述第三介质薄膜层的折射率为1.4-1.9。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述第三介质薄膜层的材料为SiO2、SiNx、SiNxOy、OC其中之一或组合。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述图案消隐层还包括：设置在所述第三介质薄膜层远离所述透明导电氧化物层一侧的水胶贴合层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述图案消隐层具体包括：依次设置于所述透明导电氧化物层上的第四介质薄膜层和水胶贴合层，所述第四介质薄膜层的折射率为1.5-1.9。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，所述第四介质薄膜层的材料为SiOxNy。
本发明实施例还提供了一种触控面板，包括本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置，在衬底基板上层叠设置具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层，这样可以在制作透明导电氧化物层图案时制作出整层设置的图案消隐层，不必增加贴附或构图工艺，即可在较低制作成本下，达到透明导电氧化物层图案从清晰可见到在可见光下不可见的效果。
附图说明
图1为现有技术中触控面板的俯视图；
图2a和图2b分别为现有技术中触控面板的侧视图；
图3a至图3c分别为现有技术中具有图案消隐功能的触控面板的结构示意图；
图4a至图4c分别为本发明实施例提供的透明导电氧化物图案消隐结构的结构示意图之一；
图5为本发明实施例提供的透明导电氧化物图案消隐结构的结构示意图之二；
图6a和图6b分别为本发明实施例提供的触控面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的厚度和形状不反映透明导电氧化物图案消隐结构的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种透明导电氧化物图案消隐结构，包括：衬底基板，在衬底基板上层叠设置的具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层。
本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构，在衬底基板上层叠设置具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层，这样可以在制作透明导电氧化物层图案时制作出整层设置的图案消隐层，不必增加贴附或构图工艺，即可在较低制作成本下，达到透明导电氧化物层图案从清晰可见到在可见光下不可见的效果。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中用以消除透明导电氧化物图案的图案消隐层的具体结构可以有以下两种：
实施例一：
具体地，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，图案消隐层，如图4a所示，具体包括：设置在衬底基板100和透明导电氧化物层200之间的至少一组介质薄膜层组300；各介质薄膜层组300包括层叠设置的折射率从衬底基板100指向透明导电氧化物层200依次递减的至少两层介质薄膜层。
需要说明的是，每组介质薄膜层组中包含的至少两层介质薄膜层的折射率依次递减的情况，可以相同，也可以不同，即一组介质薄膜层组中包含的其中一个介质薄膜层的折射率与其他组介质薄膜层组中包含的相对应的一个介质薄膜层的折射率可以相同，也可以不同。例如，图案消隐层中包含两组介质薄膜层组，且每组介质薄膜层组均包含两层介质薄膜层，即图案消隐层共包含四层介质薄膜层，这四层介质薄膜层的折射率可以为n1，n2，n1，n2，其中n1＞n2；也可以为n1，n2，n3，n4，其中，n1＞n2，n3＞n4，n2和n3的大小无限制。
在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，图案消隐层在衬底基板100和透明导电氧化物层200之间增加的至少一组层叠设置的折射率从衬底基板指向透明导电氧化物层依次递减的至少两层介质薄膜层，这样通过引入至少一组从高到第的折射率搭配的多层介质薄膜层的介质薄膜层组，借助光的相消干涉原理可以实现透明导电氧化物层图案的不可见，有效提升产品的消隐等级。
并且，进一步地，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，各介质薄膜层组如图4a所示，一般包括：第一介质薄膜层301和位于第一介质薄膜层301上的第二介质薄膜层302；
第二介质薄膜层302的折射率小于第一介质薄膜层的折射率301。
在具体实施时，为了是本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中图案消隐的效果达到最佳，选择合适的第一介质薄膜层与第二介质薄膜层的折射率是非常关键的，在具体实施时，第一介质薄膜层的折射率为1.9至2.2；第二介质薄膜层的折射率为1.4至1.6时，可以达到较好的图案消隐效果。并且，在上述第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的折射率范围下，第一介质薄膜层的材料和第二介质薄膜层的材料有多种选择，例如：第一介质薄膜层的材料可以为Nb2O5；第二介质薄膜层的材料可以为SiO2。
进一步地，为了进一步增强透明导电氧化物图案消隐结构的透过率，如图4b所示，图案消隐层还可以包括：设置于透明导电氧化物层200远离介质薄膜层组300一侧的第三介质薄膜层00，该第三介质薄膜层的折射率一般为1.4-1.9为佳。通过在透明导电氧化物层200之上增加第三介质薄膜层00可以进一步提高透明导电氧化物图案消隐结构的消隐效果和光透过率，并且可将产品透过率由84％提高到94％。
在具体实施时，在上述第三介质薄膜层的折射率范围下，第三介质薄膜层的材料的材料有多种选择，例如：第三介质薄膜层的材料可以为SiO2、SiNx、SiNxOy、OC其中之一或组合。
并且，进一步地，为了进一步增强透明导电氧化物图案消隐结构的图案消隐效果，达到全贴合的产品不可见的效果，在具体实施时，如图4c所示，图案消隐层还可以包括：设置在第三介质薄膜层500之上的水胶贴合层400。
进一步地，在具体实施时，本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中的各膜层的厚度可以根据透明导电氧化物层200的厚度进行适当选取，例如当透明导电氧化物图案消隐结构由在衬底基板上依次设置的Nb2O5()，SiO2()，ITO()，SiO2()组成时，其透过率可以达到94％，图案消隐可以达到在可见光下完全不可见的效果。
值得注意的是，在本发明实施例一中提供的透明导电氧化物图案消隐结构中，根据其应用需要，可以在各个膜层之间增加新的膜层，该膜层只要不具有以上消影膜层的特性或不是大面积的，均不会影响其图案消隐的效果。
实施例二：
具体地，在本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构中，图案消隐层，如图5所示，具体包括：依次设置于透明导电氧化物层200上的水胶贴合层700和第四介质薄膜层600，第四介质薄膜层600的折射率为1.5-1.9为佳。
与实施例一相比，实施例二中提供的图案消隐层不需要在透明导电氧化物层200的下方增加新的膜层，仅需要在透明导电氧化物层200之上增加水胶贴合层700和第四介质薄膜层600，即可实现较好的图案消隐效果。
在具体实施时，在上述第四介质薄膜层的折射率范围下，第四介质薄膜层的材料的材料有多种选择，例如：第四介质薄膜层的材料可以为SiOxNy。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触控面板，包括本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构。并且，如图6a和图6b所示，触控面板除了包含透明导电氧化物图案消隐结构中的图案消隐层以及具有触控电极图案的透明导电氧化物层之外，一般还会包括黑矩阵层BM、桥接X方向或Y方向的触控电极的桥接层，以及绝缘层；其中，如图6a所示桥接层可以位于透明导电氧化物层的下方，也可以如图6b所示位于透明导电氧化物层的上方，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述透明导电氧化物图案消隐结构，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述透明导电氧化物图案消隐结构的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置，在衬底基板上层叠设置具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层，这样可以在制作透明导电氧化物层图案时制作出整层设置的图案消隐层，不必增加贴附或构图工艺，即可在较低制作成本下，达到透明导电氧化物层图案从清晰可见到在可见光下不可见的效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上层叠设置的具有特定图案的透明导电氧化物层，以及可使所述透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层。
2.如权利要求1所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述图案消隐层具体包括：设置在所述衬底基板和所述透明导电氧化物层之间的至少一组介质薄膜层组；各所述介质薄膜层组包括层叠设置的折射率从所述衬底基板指向所述透明导电氧化物层依次递减的至少两层介质薄膜层。
3.如权利要求2所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，各所述介质薄膜层组包括：第一介质薄膜层和位于所述第一介质薄膜层上的第二介质薄膜层；
所述第二介质薄膜层的折射率小于所述第一介质薄膜层的折射率。
4.如权利要求3所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述第一介质薄膜层的折射率为1.9至2.2；所述第二介质薄膜层的折射率为1.4至1.6。
5.如权利要求4所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述第一介质薄膜层的材料为Nb2O5；所述第二介质薄膜层的材料为SiO2。
6.如权利要求2-5任一项所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述图案消隐层还包括：设置于所述透明导电氧化物层远离所述介质薄膜层组一侧的第三介质薄膜层，所述第三介质薄膜层的折射率为1.4-1.9。
7.如权利要求6所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述第三介质薄膜层的材料为SiO2、SiNx、SiNxOy、OC其中之一或组合。
8.如权利要求6所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述图案消隐层还包括：设置在所述第三介质薄膜层远离所述透明导电氧化物层一侧的水胶贴合层。
9.如权利要求1所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述图案消隐层具体包括：依次设置于所述透明导电氧化物层上的第四介质薄膜层和水胶贴合层，所述第四介质薄膜层的折射率为1.5-1.9。
10.如权利要求9所述的透明导电氧化物图案消隐结构，其特征在于，所述第四介质薄膜层的材料为SiOxNy。
11.一种触控面板，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的透明导电氧化物图案消隐结构。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的透明导电氧化物图案消隐结构。
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