CN110499490B - 一种减反射盖板及其制备方法 - Google Patents

一种减反射盖板及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种减反射盖板及其制备方法，包括：S1.提供一种衬底；S2.在所述衬底上制备减反射层，所述减反射层包括交替层叠设置的若干高折射率金属氧化物层和若干低折射率金属氧化物层；其中，所述高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的制备方法为：（1）采用磁控溅射制备金属薄膜；（2）对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，其中，ICP功率为1‑4000W，氧气流量为50‑500 sccm。本发明的核心在于先制备金属薄膜，再采用离子源离化，形成金属氧化物层，同时，通过控制ICP功率和氧气流量，使金属氧化物层消光系数增加，在具有减反射效果的同时，盖板的透过率降低，对盖板的外观缺陷具有遮蔽效果，提升了良率。

Description

一种减反射盖板及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子产品配件技术领域，特别是涉及了一种减反射盖板及其制备方法。
背景技术
随着人们生活水平的不断提高，手机、平板电脑、摄像头、笔记本电脑等电子产品已经逐渐普及。现有技术中，上述的电子产品一般都包括有盖板，用于对电子产品本体进行保护或者增强所述电子产品的外观效果。
生活中由户外强光在镜片和其它表面上产生反射所引起的眩光严重干扰正常的视觉效果，同时很容易造成眼部不适及眼疲劳；例如我们在操作电脑或手机以及一些户外显示设备时常常因为显示器外面的景物在显示器表面的反射而无法看清显示内容而烦恼，所以需要设计一种用于减少反射现象的减反射盖板。减反射膜又称增透膜，它的主要功能是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，从而增加这些元件的透光量，减少或消除系统的杂散光。现有技术中，减反射盖板包括交替层叠设置的若干高折射率膜层和若干低折射率膜层，可以实现表面低于1%的反射率。然而，现有的减反射盖板在降低反射率的同时，往往也提高了透过率，使得盖板表面的一些外观缺陷放大，使得更容易被人眼所观察到，以致外观不良增加，外观良率降低，产品成本增加。
随着科学技术的飞速发展与人们欣赏水平与追求完美产品思想不断加深，如何设计一种减反射盖板，在具有减反增透效果的同时，不容易使人观察到盖板表面的外观缺陷是目前亟待开发的技术问题。
发明内容
为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种减反射盖板及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种减反射盖板的制备方法，包括如下步骤：
S1.提供一种衬底；
S2.在所述衬底上制备减反射层，所述减反射层包括交替层叠设置的若干高折射率金属氧化物层和若干低折射率金属氧化物层；
其中，所述高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的制备方法为：
（1）采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜；（2）对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，其中， ICP功率为1-4000W，氧气流量为50-500 sccm。。
进一步地，所述衬底为玻璃基板或塑胶基板。
进一步地，所述高折射率金属氧化物层是Sb2O3、SnO2、PbO、Ta2O5、Nb2O5、ZnO、 TiO2、CeO2、ZrO2中的至少一种，所述低折射率金属氧化物层SiO2、MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、 In2O3中的至少一种。
进一步地，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜时，以金属材料作为溅射靶材。
进一步地，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜的方法具体为：将衬底置于磁控溅射机的的溅射室内，对溅射室抽真空，以金属靶作为溅射源，氩气作为工作气体，沉积，得到一层金属薄膜。
进一步地，使用电感耦合等离子刻蚀机对金属薄膜进行氧化。
本发明还提供一种减反射盖板，其由上述方法制备得到。
本发明具有如下有益效果：
本发明的核心在于高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的制备中，先制备金属薄膜，再对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，同时，通过控制 ICP功率和氧气流量，使金属氧化物层消光系数增加，在具有减反射效果的同时，盖板的透过率降低，对盖板的外观缺陷具有遮蔽效果，提升了良率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
现有技术中的减反射盖板在降低反射率的同时，往往也提高了透过率，使得盖板表面的一些外观缺陷放大，使得更容易被人眼所观察到，以致外观不良增加，外观良率降低，产品成本增加。这是一个本领域技术人员以前从未意识到的技术问题。本发明人为解决该技术问题进行了更加深入的研究，从而发现：先制备金属薄膜，再对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，同时，通过控制 ICP功率和氧气流量，使金属氧化物层消光系数增加，在具有减反射效果的同时，盖板的透过率降低，对盖板的外观缺陷具有遮蔽效果，提升了良率。本发明正是基于上述发现和认识而完成。
一种减反射盖板的制备方法，包括如下步骤：
S1.提供一种衬底；
S2.在所述衬底上制备减反射层，所述减反射层包括交替层叠设置的若干高折射率金属氧化物层和若干低折射率金属氧化物层；
其中，所述高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的制备方法为：
（1）采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜；（2）对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层。
其中， ICP功率为1-4000W，例如可以为1w、10w、100w、300w、500w、1000w、1200w、1500w、2000w、2500w、3000w、3500w、4000W。
氧气流量为50-500 sccm，例如可以为80sccm、100sccm、120sccm、150sccm、200sccm、220sccm、250sccm、280sccm、300sccm、400 sccm、500sccm。
本发明中，所述衬底为玻璃基板，也可以是塑胶基板，但不限于上述衬底，也可以采用现有技术中的常规材料。本发明对塑胶基板的材质不作特别限定，作为举例，可以是PC、PMMA、PET、MB、ABS、PVC中的一种，当然，也可以采用本领域常用的其他材质。
本发明中不限定高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的材料，可以采用现有技术中减反射层的常规材料。作为举例，所述高折射率金属氧化物层是Sb2O3、SnO2、PbO、Ta2O5、Nb2O5、ZnO、 TiO2、CeO2、ZrO2中的至少一种，所述低折射率金属氧化物层SiO2、MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、 In2O3中的至少一种。
本发明中不限定高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的层数，高折射率金属氧化物层的层数可以与低折射率金属氧化物层的层数相同，高折射率金属氧化物层的层数也可以与低折射率金属氧化物层的层数不相同，只要形成交叉层叠的多层膜结构即可。本发明中也不限定高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层在衬底上的叠加顺序。
本发明中所述减反射层的厚度为200-500nm，更优选地，所述减反射层的厚度为280nm。
本发明中，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜时，以金属材料作为溅射靶材。具体地，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜的方法具体为：将衬底置于磁控溅射机的的溅射室内，对溅射室抽真空，以金属靶作为溅射源，氩气作为工作气体，沉积，得到一层金属薄膜。
磁控溅射的方法是利用电子轰击靶材使其离解成原子，高能粒子撞击固体表面后将动量传递给靶材原子，使原子从靶材表面溅射出来，穿过真空沉积到衬底表面。磁控溅射法具有镀膜附着力强、基片温度低、薄膜致密性能好、淀积速率快且能有效防止杂质污染等优点，已经得到了广泛的运用。
本发明中，对于磁控溅射的具体工艺参数，例如真空度、工作气体流量、工作压强、溅射功率、溅射时间等均不作具体限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行设定。
在进行磁控溅射前，优选先对基片进行预处理，去除基片表面油污和灰尘后，再置于溅射室内。
所述预处理包括超声清洗、辉光清洗和离子刻蚀清洗中的一种或多种。
本发明中，可以使用电感耦合等离子刻蚀机对金属薄膜进行氧化。
对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，其原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。本发明的关键技术手段是通过控制氧气流量和ICP功率，以控制氧化的程度，使其金属氧化物层消光系数增加（0.1-0.00001），从而整个减反射盖板的透过率降低。
所述透明基板可以为本发明中不限定高折射率膜层和低折射率膜层的材料，可以采用现有技术中减反射层的常规材料。作为举例，所述高折射率膜层采用钛酸镧层、三氧化二铝层、硫化锌层、三氧化二钇层或二氧化锆层；所述低折射率膜层采用二氧化硅层。
本发明中不限定高折射率膜层的层数与低折射率膜层的层数，高折射率膜层的层数可以与低折射率膜层的层数相同，高折射率膜层的层数也可以与低折射率膜层的层数不相同，只要形成交叉层叠的多层膜结构即可。本发明中也不限定高折射率膜层与低折射率膜层在透明基板上的叠加顺序。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种减反射盖板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.提供一种衬底；
S2.在所述衬底上制备减反射层，所述减反射层包括交替层叠设置的若干高折射率金属氧化物层和若干低折射率金属氧化物层；
其中，所述高折射率金属氧化物层和低折射率金属氧化物层的制备方法为：（1）采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜；（2）对所述金属薄膜在氧气环境下进行电感耦合等离子体离子化，形成金属氧化物层，其中， ICP功率为1-4000W，氧气流量为50-500 sccm。
2.如权利要求1所述的减反射盖板的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃基板或塑胶基板。
3.如权利要求1所述的减反射盖板的制备方法，其特征在于，所述高折射率金属氧化物层是Sb2O3、SnO2、PbO、Ta2O5、Nb2O5、ZnO、 TiO2、CeO2、ZrO2中的至少一种，所述低折射率金属氧化物层SiO2、MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、 In2O3中的至少一种。
4.如权利要求1所述的减反射盖板的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜时，以金属材料作为溅射靶材。
5.如权利要求1所述的减反射盖板的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法制备一层金属薄膜的方法具体为：将衬底置于磁控溅射机的溅射室内，对溅射室抽真空，以金属靶作为溅射源，氩气作为工作气体，沉积，得到一层金属薄膜。
6.如权利要求1所述的减反射盖板的制备方法，其特征在于，使用电感耦合等离子刻蚀机对金属薄膜进行氧化。
7.一种减反射盖板，其特征在于，其由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。
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