JP2008049518A - 透明導電性積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基材の上に、数パーセントのドーパントを付与した酸化亜鉛の第1の透明導電性薄膜を成膜し、前記第1の透明導電性薄膜上に、前記第1の透明導電性薄膜よりも屈折率が低い低屈折率薄膜層を成膜し、前記低屈折率薄膜層上に、数パーセントのドーパントを付与した酸化亜鉛の薄膜であり前記低屈折率薄膜層より屈折率が高い第2の透明導電性薄膜を成膜し、前記第2の透明導電性薄膜の光学膜厚は、前記第1の透明導電性薄膜の光学膜厚よりも大きくし、前記低屈折率薄膜層の物理膜厚を30nm以下で10nm以上の厚さに形成することで、最表面の表面抵抗値を、前記第2の透明導電性薄膜の単独の表面抵抗値よりも低くする。
【選択図】図1
Description
チレン、エチレンビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホン、アクリル、セルロース系(トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等)などが挙げられるが特に限定されない。また、透明プラスチック基材を用いた場合、ロール・トゥ・ロールによって大量生産に適するため、好ましい。
透明基材1としてホウケイ酸ガラス(schott製 D263 サイズ100mm×100mm厚さ1.1mm)を用いて、インライン式スパッタリング装置(キヤノンアネルバ製ILC-803)によって第1層目のITOを成膜した。アルゴンガス100sccm、酸素ガス3sccmを導入し圧力を0.27Paとし、ZnOターゲット(Ga含有量3%)には電力密度0.97W/cm2の直流電力を印加し、スパッタリングを行った。光学膜厚がおおよそ85nmとなるように搬送速度を設定し、第1の透明導電性薄膜2をZnO:Gaで得た。その上に、真空蒸着装置(シンクロン製BMC-750)を用いて、ペレット状のSiO2材料(キヤノンオプトロン製SiO2)を電子ビーム加熱式真空蒸着法によってSiO2膜を、低屈折率薄膜層3として成膜した。光学膜厚が20nmとなるように電子ビーム電流値と成膜時間を設定した。その上に、先ほどの第1の透明導電性薄膜2のZnO:Gaと同様に成膜し、光学膜厚が125nmとなるように搬送速度を設定し、第2の透明導電性薄膜4をZnO:Gaで得た。
実施例1と同様に、透明基材1としてホウケイ酸ガラス(schott製 D263 サイズ100mm×100mm厚さ1.1mm)を用いて、インライン式スパッタリング装置(キヤノンアネルバ製ILC-803)によって光学膜厚が125nmのZnO:Gaの第2の透明導電性薄膜4の1層のみを単独に成膜した。これを実施例1と同様の測定を行った結果、表面抵抗値は 383[Ω/□]であった。その結果を表1に示す。
透明基材1として透明プラスチック基材5を用いる。透明プラスチック基材5としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ製T60、100μ厚)を用い、図2に示すような巻取式成膜装置によって成膜を行った。透明プラスチック基材5は、真空容器6内で巻取巻出ロール7によって巻出しおよび巻取りが行われる。透明プラスチック基材5はまず、ZnO(ガリウム含有量5.7wt%)のスパッタリングターゲット8が備えられた成膜室内で、成膜ロール9に沿って移動しながらDCスパッタリング法により、光学膜厚が85nmのZnO:Gaを成膜し、第1の透明導電性薄膜2とした。続いて、SiO2の蒸発源10が備えられた成膜室内で、電子ビーム加熱式真空蒸着法により、光学膜厚が20nmのSiO2を低屈折率薄膜層3として成膜した。その上に第2の透明導電性薄膜4として、光学膜厚が100nmのZnO:Gaを成膜した。得られた透明導電性積層体に対して実施例1と同様の測定を行った結果、表面抵抗値は 331[Ω/□]であった。また、色立体の色度の座標値b*値の絶対値が2以下の結果を得た。その結果を表1に示す。
実施例2と同様に、透明基材1としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ製T60 100μ厚)の透明プラスチック基材5を用いて図2に示す巻取式成膜装置によって、光学膜厚が100nmのZnO:Gaの第2の透明導電性薄膜4を1層のみ単独に成膜した。これを実施例1と同様の測定を行った結果、その表面抵抗値は 406[Ω/□]であった。その結果を表1に示す。
2……第1の透明導電性薄膜
3……低屈折率薄膜層
4……第2の透明導電性薄膜
5……透明プラスチック基材
6……真空容器
7……巻取巻出ロール
8……スパッタリングターゲット
9……成膜ロール
10……蒸発源
Claims (7)
- 透明基材の上に、酸化亜鉛を主成分とする第1の透明導電性薄膜を成膜し、前記第1の透明導電性薄膜上に、前記第1の透明導電性薄膜よりも屈折率が低い低屈折率薄膜層を成膜し、前記低屈折率薄膜層上に、酸化亜鉛を主成分とする薄膜であり前記低屈折率薄膜層より屈折率が高い第2の透明導電性薄膜を成膜し、前記第2の透明導電性薄膜の光学膜厚は、前記第1の透明導電性薄膜の光学膜厚よりも厚くし、前記低屈折率薄膜層の物理膜厚を30nm以下で10nm以上の厚さに形成することで、最表面の表面抵抗値を、前記第2の透明導電性薄膜の単独の表面抵抗値よりも低くしたことを特徴とする透明導電性積層体。
- 色温度6774Kの標準光源Cで照明した場合の透過色がL*a*b*表色系の色度の座標値b*の絶対値が2以下であることを特徴とする請求項1記載の透明導電性積層体。
- 前記第1の透明導電性薄膜および前記第2の透明導電性薄膜がガリウム含有酸化亜鉛から成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の透明導電性積層体。
- 前記低屈折率薄膜層が二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の透明導電性積層体。
- 前記透明基材が、透明プラスチック基材であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の透明導電性積層体。
- 前記透明基材が、ホウケイ酸ガラスであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の透明導電性積層体。
- 前記第1の透明導電性薄膜の光学膜厚が約85nmで、前記第2の透明導電性薄膜の光学膜厚が150nm以下で85nm以上であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の透明導電性積層体。
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