TWI427167B - 殼體及其製作方法 - Google Patents

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Description

殼體及其製作方法
本發明係關於一種殼體及其製作方法，尤其係關於一種具有幻彩及金屬質感外觀的殼體及該殼體的製作方法。
習知電子產品(如手機、PDA等)的殼體常被鍍覆一金屬層或金屬氧化物層而使產品具有金屬質感，從而吸引消費者眼球。該金屬層通常以不導電電鍍的方式形成，因該金屬層不導電，從而可避免其對信號產生干擾。該不導電的金屬層或金屬氧化物層通常為透明狀，其形成於殼體上之後，與殼體的基材或形成於殼體上的其他油漆層共同使得殼體呈現出彩色的具金屬質感的外觀。
然而，上述殼體雖然具有彩色的金屬質感外觀，卻不能呈現出具有幻彩外觀，其外觀吸引力不強，難以使產品具備較強的競爭力。
鑒於此，有必要提供一種具有幻彩及金屬質感外觀的殼體。
另外，還有必要提供一種上述殼體的製作方法。
一種殼體，其包括基體及形成於基體表面的金屬質感層，該金屬質感層為多層第一薄膜層與多層第二薄膜層交替層疊而形成的複合層，所述第一薄膜層的材料選自氧化鈦、鐵的氧化物、氧化鋯 、氧化錫及氧化鋅中的至少一種；所述第二薄膜層的材料為氧化鋁或氧化矽。
一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：提供基體；藉由真空鍍膜方式，於該基體的表面形成金屬質感層，所述金屬質感層為多層第一薄膜層與多層第二薄膜層交替層疊而形成的複合層，所述第一薄膜層的材料選自氧化鈦、鐵的氧化物、氧化鋯、氧化錫及氧化鋅中的至少一種；所述第二薄膜層的材料為氧化鋁或氧化矽。
由於所述金屬質感層中第一薄膜層的折射率與第二薄膜層的折射率相差較大，使金屬質感層對外部光線產生較高的反射性，其反射光在空間可形成複數干涉加強區而產生幻彩效果，使所述殼體呈現出強烈的幻彩及金屬質感外觀的效果，給人以一種時尚化及美的享受，極大地提高了產品的外觀吸引力及競爭力。
10‧‧‧殼體
11‧‧‧基體
15‧‧‧金屬質感層
151‧‧‧第一薄膜層
153‧‧‧第二薄膜層
圖1為本發明一較佳實施方式殼體的剖視示意圖。
請參閱圖1，本發明一較佳實施方式的殼體10包括基體11及形成於基體表面的金屬質感層15。所述的殼體10可以為手機、PDA、筆記本電腦、MP3、MP4、GPS導航儀、藍牙耳機及數碼相機等產品的殼體。
基體11可為塑膠基體，其可以注塑成型的方式製成。注塑該基體11的塑膠可選自為聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚甲基丙烯 酸甲酯(PMMA)及聚碳酸酯與丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚合物的混和物(PC+ABS)中的任一種。該基體11亦可為玻璃基體、陶瓷基體或金屬基體。
金屬質感層15可由真空鍍膜的方式形成於基體11的表面。所述真空鍍膜的方式可為真空濺鍍、真空蒸鍍等。所述金屬質感層15的厚度為0.5-2μm。
該金屬質感層15為多層第一薄膜層151與多層第二薄膜層153交替層疊而形成的複合層。所述第一薄膜層151的材料選自氧化鈦、鐵的氧化物、氧化鋯、氧化錫及氧化鋅中的至少一種；所述第二薄膜層153的材料為氧化鋁或氧化矽。其中，與所述基體11直接接觸的為第一薄膜層151。該金屬質感層15的最外層為第一薄膜層151或第二薄膜層153。該第一薄膜層151與第二薄膜層153的總層數可在6-10層之間。
由於所述金屬質感層15中第一薄膜層151的折射率與第二薄膜層153的折射率相差較大，使金屬質感層15對外部光線產生較高的反射性，其反射光在空間可形成複數干涉加強區而產生幻彩效果，使所述殼體10呈現出強烈的幻彩及金屬質感外觀的效果，給人以一種時尚化及美的享受，極大地提高了產品的外觀吸引力及競爭力。
請參閱圖1，一種製作所述殼體10的方法，包括如下步驟： 提供基體11。該基體11可為塑膠、玻璃或金屬基體。對該基體11進行清潔前處理，比如用含乙醇或異丙醇等有機溶劑的清洗液清洗基體11表面，以去除基體11表面的油污。
對經上述處理後的基體11的表面進行電漿清洗，以進一步去除基體11表面的油污，以及改善基體11表面與後續塗層的結合力。該電漿清洗的具體操作及工藝參數為：將基體11固定於一中頻磁控濺射鍍膜機(圖未示)的鍍膜室的轉架上，抽真空至真空度為8.0×10-3Pa，以100~500sccm(標準狀態毫升/分鐘)的流量向鍍膜室內通入純度為99.999%的氬氣，並施加-500~-800V的偏壓於基體11，對基體11表面進行電漿清洗，清洗時間為3~10min。
在該基體11的表面真空鍍膜所述金屬質感層15。該金屬質感層15為多層第一薄膜層151與多層第二薄膜層153交替層疊而形成的複合層。所述真空鍍膜可為真空濺鍍、真空蒸鍍等，本實施例以真空濺鍍為例加以說明。
真空濺鍍所述金屬質感層15的具體操作及工藝參數如下：
(1)以氬氣為工作氣體，調節氬氣流量至100~300sccm，再向鍍膜室中通入流量為30~200sccm的純度為99.99%的反應氣體氧氣；選擇Ti、Fe、Zr、Sn及Zn中的任一種材料為靶材，設置該靶材的電源功率為2~8kw，對基體11施加-50~-200V的偏壓，加熱鍍膜室至50~200℃(即濺射溫度為50~200℃)，沉積第一薄膜層151。沉積該第一薄膜層151的時間為5~50min。
(2)關閉上述靶材的電源，然後開啟安裝於所述鍍膜室內的矽靶或鋁靶的電源，設置該矽靶或鋁靶的電源功率為2~8kw，保持氧氣流量、氬氣流量、濺射溫度及施加於基體11上的偏壓不變，於所述第一薄膜層151上沉積一第二薄膜層153。沉積該第二薄膜層153的時間為5~60min。
(3)重複上述步驟(1)及(2)，以交替沉積第一薄膜層151及第二薄膜層153。
為了使蒸鍍上該金屬質感層15的基體11在用作通訊裝置(如手機)的外殼時，對無線射頻的傳輸或接收不產生干擾(即具有良好的電磁波穿透性能)，還需要控制該金屬質感層15的厚度。為了達到上述效果，該金屬質感層15的厚度範圍為0.5-2μm。
下面藉由實施例來對本發明進行具體說明。
實施例1
本實施例所使用的真空鍍膜機20為中頻磁控濺射鍍膜機，為深圳南方創新真空技術有限公司生產，型號為SM-1100H。
本實施例基體11的材質為玻璃。
電漿清洗：氬氣流量為500sccm，基體11的偏壓為-500V，電漿清洗時間為8min。
形成第一薄膜層151：選鋅靶為靶材，其功率為8kW，氧氣流量為30sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為100℃，鍍膜時間為10min。其中，每一第一薄膜層151的厚度為50nm。
形成第二薄膜層153：選矽靶為靶材，其功率為6kW，氧氣流量為50sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為100℃，鍍膜時間為30min。其中，每一第二薄膜層153的厚度為70nm。
所述金屬質感層15中，該第一薄膜層151與第二薄膜層153的總層 數為6層。
實施例2
本實施例基體11的材質為不銹鋼。
電漿清洗：氬氣流量為500sccm，基體11的偏壓為-700V，電漿清洗時間為5min。
形成第一薄膜層151：選鋅靶為靶材，其功率為5kW，氧氣流量為30sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為100℃，鍍膜時間為15min。其中，每一第一薄膜層151的厚度為65nm。
形成第二薄膜層153：選矽靶及錫靶為靶材，矽靶的功率為6kW，錫靶的功率為8kW，氧氣流量為50sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為120℃，鍍膜時間為35min。其中，每一第二薄膜層153的厚度為70nm。
所述金屬質感層15中，該第一薄膜層151與第二薄膜層153的總層數為8層。
實施例3
本實施例基體11的材質為玻璃。
電漿清洗：氬氣流量為500sccm，基體11的偏壓為-500V，電漿清洗時間為8min。
形成第一薄膜層151：選鋅靶為靶材，其功率為10kW，氧氣流量為30sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為100℃，鍍膜時間為15min。其中，每一第一薄膜層151的厚 度為65nm。
形成第二薄膜層153：選矽靶、錫靶及鐵靶為靶材，矽靶的功率為5kW，錫靶的功率為8kW，鐵靶的功率為6kW，氧氣流量為50sccm，氬氣流量為200sccm，基體11的偏壓為-70V，鍍膜溫度為120℃，鍍膜時間為20min。其中，每一第二薄膜層153的厚度為75nm。
所述金屬質感層15中，該第一薄膜層151與第二薄膜層153的總層數為10層。
10‧‧‧殼體
11‧‧‧基體
15‧‧‧金屬質感層
151‧‧‧第一薄膜層
153‧‧‧第二薄膜層

Claims (10)

  1. 一種殼體，其包括基體及形成於基體表面的金屬質感層，該金屬質感層為多層第一薄膜層與多層第二薄膜層交替層疊而形成的複合層，其改良在於：所述第一薄膜層的材料選自氧化鈦、鐵的氧化物、氧化錫及氧化鋅中的至少一種；所述第二薄膜層的材料為氧化鋁或氧化矽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之殼體，其中與所述基體直接接觸的為第一薄膜層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之殼體，其中所述金屬質感層的最外層為第一薄膜層或第二薄膜層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之殼體，其中所述金屬質感層的厚度為0.5-2μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之殼體，其中所述第一薄膜層與第二薄膜層的總層數為6-10層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之殼體，其中所述基體的材質為塑膠、玻璃、陶瓷或金屬。
  7. 一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：提供基體；藉由真空鍍膜方式，於該基體的表面形成金屬質感層，所述金屬質感層為多層第一薄膜層與多層第二薄膜層交替層疊而形成的複合層，所述第一薄膜層的材料選自氧化鈦、鐵的氧化物、氧化錫及氧化鋅中的至少一種；所述第二薄膜層的材料為氧化鋁或氧化矽。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之殼體的製作方法，其中真空鍍膜形成該金屬質感層包括如下步驟： 選擇Ti、Fe、Sn及Zn的任一種材料為靶材，以氧氣為反應氣體，於該基體上鍍覆第一薄膜層；以矽靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應氣體，於該第一薄膜層上鍍覆第二薄膜層；重複所述鍍覆第一薄膜層及第二薄膜層的步驟，於所述基體上交替鍍覆多層第一薄膜層和多層第二薄膜層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之殼體的製作方法，其中鍍覆所述第一薄膜層的工藝參數為：氧氣的流量為30~200sccm，以氬氣為工作氣體，其流量為100~300sccm，所述靶材的電源功率為2~8kw，於基體上施加-50~-200V的偏壓，濺射溫度為50~200℃，濺射時間為5~50min。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之殼體的製作方法，其中鍍覆所述第二薄膜層的工藝參數為：氧氣的流量為30~200sccm，以氬氣為工作氣體，其流量為100~300sccm，所述靶材的電源功率為2~8kw，於基體上施加-50~-200V的偏壓，濺射溫度為50~200℃，濺射時間為5~60min。
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