CN102942308A - 一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法 - Google Patents

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李冬
郭元元
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Abstract

本发明涉及一种应用于透明玻璃的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2层光学膜系配比设计，经分层氮化硅SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，与现有技术相比，本发明提供成膜方法对透明材质达到的提高透过率、减少反射作用，而使采用更廉价，更方便的含元素Si的靶材进行的含有的SiNxOy层和SiO2层膜系配比设计对透明材质达到的减少反射作用，主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业。

Description

一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法
技术领域
    本发明涉及表面装饰技术，特别涉及一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，使用分层SiNxOy成膜代替传统消影ITO（Nb2O5）膜，使透明材质的产品提高穿透率，降低反射率，达到消除视觉上ITO（透明导电薄膜）导电层的反射亮点的效果。
背景技术
   随着触摸屏在科技、商业以及日常生活的广泛应用, 触摸屏使用量增多，尤其是在高中端市场，高透过率、高灵敏度的触摸屏的良好使用体验效果，促使大家对的触摸屏的高透过率、高灵敏度等特性进行研发。
    在现有技术中，提高透明玻璃的透过率、减少反射的传统方法是：使用含有稀有金属Nb的物质，使用溅射方式在透明玻璃表面成膜，从而使透明玻璃达到提高透过率、减少反射的效果。
    由于稀有金属Nb（铌）资源有限，此方式会对人类赖以生存的生态环境照成破坏，生产成本较高。为改善此种情况，需要一种采用普通材料替代含有稀有金属Nb物质在透明材质表面成膜的新工艺，比如采用氮化硅SiNxOy成膜，现在国内所有厂商均使用含稀有金属Nb的靶材，以溅射方式来完成减少透明材料反射，目前，国内文献中尚未有在透明材质表面使用分层SiNxOy成膜工艺的报道，也没有应用分层SiNxOy成膜工艺改善的透明材质透过率及减少反射的数据的报道。
发明内容
    本发明的目的就是针对透明材质的成膜工艺的需要，提供一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，使用SiNxOy层和SiO2 层来减少反射方法，不仅能提高透明材质透过率、减少反射，而且能充分利用现有机械设备进行工业化生产，从而提高工业设备使用效率，降低原材料成本，提供产品竞争力。
   本发明是通过这样的技术方案实现的：一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2 膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2 层光学膜系配比设计（入射光和反射光通过不同膜层之间折射率的不同，产生出不同的光学效果），经分层氮化硅（SiNxOy）的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，所述方法包括如下次序步骤： 
步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料；
步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中：
 第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
a)      首先在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）， SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
b)      在经过镀膜工艺生成的第一SiO2  膜层表面沉积第二SiO2膜层，膜厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气），SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
c)      在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间；三层膜层综合折射率为1.5～2.0；x>0,0<y<2；其中x是：SiNxOy分子式中N原子的数目；y是：SiNxOy分子式中O原子的数目，使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm；
    第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
a)      首先在基板材料上表面沉积第一SiO2  膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
b)      在经过镀膜工艺生成的第一SiO2 膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间；生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2，其中x是SiNxOy分子式中N原子的数目，y是：SiNxOy分子式中O原子的数目；
c)      在经过镀膜工艺生成的第二SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm；
    第三种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
a)      首先在基板材料表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2
b)      在经过镀膜工艺生成的第一SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间， 
c)      在经过镀膜工艺生成的第二SiO2 膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm；
步骤三、在完成了SiO2 膜层、SiNxOy膜层沉积的基板材料的顶层上面可以沉积一层透明导电层（TCO），透明导电层（TCO）可采用AZO（掺铝氧化锌导电膜）、ITO（Indium Tin Oxides 氧化铟锡导电薄膜）、FTO（掺杂氟的SnO2导电膜）、或YZO（氧化锌掺钇透明导电薄膜）透明导电层。
    本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供成膜方法对透明材质达到的提高透过率、减少反射作用，而使采用更廉价，更方便的含元素Si的靶材进行的含有的SiNxOy层和SiO2 层膜系配比设计对透明材质达到的减少反射作用，主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业。
附图说明
图1、第一种膜层结构分布图A；
图2、第二种膜层结构分布图A；
图3、第三种膜层结构分布图A；
图4、单纯透明材质基板示意图；
图5、带透明导电膜层的透明材质基板示意图；
图6、第一种膜层结构分布图B；
图7、第二种膜层结构分布图B；
图8、第三种膜层结构分布图B；
图中：1.素透明材料基板，2.第一SiO2膜层，3.第二SiO2膜层，4.SiNxOy膜层，5.带透明导电膜层的透明材质基板，51．透明导电膜层图形。
 
具体实施方式
为了更清楚的理解本发明，结合附图和实施例详细描述本发明：
  如图1-8所示， 本方法在实施中可以选取不同的基板材料；例如
  图4所示的素透明材料基板1，基板上无任何其他层、多为玻璃材质。
  图5所示的带透明导电膜层51的素透明材料材质基5，是在素透明材料上沉积有带图形的透明导电膜层51；透明导电膜层图形51是通过已知技术和工艺在素透明材料基板上加工而得到的。
    分别按图1、图2和图3的分层结构，通过沉积薄膜的方式制备第一SiO2膜层2、第二SiO2  膜层3和SiNxOy膜层；本发明实施过程中，SiO2 层，SiNxOy层均可采用已知的沉积薄膜的方法制备，沉积薄膜的方法包括溅射、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）；其中溅射方式包含磁控溅射、直流溅射、中频溅射、射频溅射、脉冲溅射，溅射过程中可使用各种单靶，孪生靶。
    完成第一SiO2  膜层2、第二SiO2  膜层3和SiNxOy膜层沉积后，可在顶部膜层上面沉积一层透明导电层（TCO）。
    透明导电层（TCO）可采用AZO（掺铝氧化锌导电膜）、ITO（Indium Tin Oxides 氧化铟锡导电薄膜）、FTO（掺杂氟的SnO2导电膜）、或YZO（氧化锌掺钇透明导电薄膜）透明导电层；
步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料；
步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中：
第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
1)      首先在基板材料表面沉积第一SiO2膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）， SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间
2)      在经过镀膜工艺生成的第一SiO2  膜层表面沉积第二SiO2膜层，膜厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气），SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间
3)      在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；x>0,0<y<2；其中x是：SiNxOy分子式中N原子的数目，y是：SiNxOy分子式中O原子的数目，使用玻璃时成品量测透过率大于91%（550nm）（550nm是指测试光学透过率时使用的光波长）
第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
1)      首先在基板材料上表面沉积第一SiO2  膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间
2)      在经过镀膜工艺生成的第一SiO2 膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间；生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2，其中x是SiNxOy分子式中N原子的数目，y是：SiNxOy分子式中O原子的数目
3)      在经过镀膜工艺生成的第二SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%（550nm）（550nm是指测试光学透过率时使用的光波长） 
第三种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
1)      首先在基板材料表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2
2)      在经过镀膜工艺生成的第一SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间， 
3)      在经过镀膜工艺生成的第二SiO2 膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2（氮气），O2（氧气），Ar（氩气）；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%（550nm）（550nm是指测试光学透过率时使用的光波长）
   步骤三、在完成了SiO2 膜层、SiNxOy膜层沉积的基板材料的顶层上面可以沉积一层透明导电层（TCO），透明导电层（TCO）可采用AZO（掺铝氧化锌导电膜）、ITO（Indium Tin Oxides 氧化铟锡导电薄膜）、FTO（掺杂氟的SnO2导电膜）、或YZO（Yttrium掺钇氧化锌导电薄膜）透明导电层。
    本实验发明主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业，根据上述说明，结合公知技术即可再现本发明。

Claims (1)

1.一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2 膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2 层光学膜系配比设计，经分层SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，所述方法包括如下次序步骤： 
步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料；
步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中：
第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
ａ)首先在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar， SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
ｂ)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积第二SiO2膜层，膜厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar，SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
ｃ)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；x>0,0<y<2；其中x是：SiNxOy分子式中N原子的数目，y是：SiNxOy分子式中O原子的数目，使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长为550nm；
第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
ａ)首先在基板材料上表面沉积第一SiO2膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
ｂ)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2 膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间；生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2，其中x是SiNxOy分子式中N原子的数目，y是：SiNxOy分子式中O原子的数目；
ｃ)在经过镀膜工艺生成的第二SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm；
第三种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：
ａ)首先在基板材料表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2；
ｂ)在经过镀膜工艺生成的第一SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；
ｃ)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2 膜层表面沉积SiO2 膜层，厚度为30～500nm，通入
工艺气体包含N2，O2，Ar；SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm；
步骤三、在完成了SiO2 膜层、SiNxOy膜层沉积的基板材料的顶层上面可以沉积一层透
明导电层（TCO），透明导电层（TCO）可采用AZO（掺铝氧化锌导电膜）、ITO（Indium Tin Oxides 氧化铟锡导电薄膜）、FTO（掺杂氟的SnO2导电膜）、或YZO（氧化锌掺钇透明导电薄膜）透明导电层。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104049825A (zh) * 2014-06-25 2014-09-17 向火平 一种无需搭桥的投射式电容屏及其制作方法
CN104120398A (zh) * 2014-08-11 2014-10-29 中国建材国际工程集团有限公司 消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法
US20150079398A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Corning Incorporated Fracture-Resistant Layered-Substrates and Articles Including the Same
CN105585252A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 南昌欧菲光学技术有限公司 一种减反射膜、减反射膜制作方法及玻璃基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102206049A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 透明导电玻璃及SiNxOy在其中的应用
WO2012036527A2 (ko) * 2010-09-17 2012-03-22 (주)엘지하우시스 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102206049A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 透明导电玻璃及SiNxOy在其中的应用
WO2012036527A2 (ko) * 2010-09-17 2012-03-22 (주)엘지하우시스 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150079398A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Corning Incorporated Fracture-Resistant Layered-Substrates and Articles Including the Same
CN105980323A (zh) * 2013-09-13 2016-09-28 康宁股份有限公司 耐破裂的多层式基材及包含所述多层式基材的制品
US10160688B2 (en) * 2013-09-13 2018-12-25 Corning Incorporated Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same
TWI678286B (zh) * 2013-09-13 2019-12-01 康寧公司 抗斷裂之分層基板及包括其之物品
CN114195402A (zh) * 2013-09-13 2022-03-18 康宁股份有限公司 耐破裂的多层式基材及包含所述多层式基材的制品
CN104049825A (zh) * 2014-06-25 2014-09-17 向火平 一种无需搭桥的投射式电容屏及其制作方法
CN104049825B (zh) * 2014-06-25 2018-08-03 四川点燃科技有限公司 一种无需搭桥的投射式电容屏及其制作方法
CN104120398A (zh) * 2014-08-11 2014-10-29 中国建材国际工程集团有限公司 消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法
CN104120398B (zh) * 2014-08-11 2019-09-10 中国建材国际工程集团有限公司 消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法
CN105585252A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 南昌欧菲光学技术有限公司 一种减反射膜、减反射膜制作方法及玻璃基板

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