CN202632797U - 电容触摸屏柔性导电薄膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电容触摸屏柔性导电薄膜，属于透明导电膜技术领域。目前我国ITOfilm的供应长期依赖进口，尤其是电容触摸屏用ITOfilm，国内几乎没有可大规模量产的制造工艺和制造设备。本实用新型提供一种附着性好、导电性和透过率高、高可靠性和防刮性、耐候性强的透明导电薄膜，具有四层结构，依次是基材，高折射率层、低折射率层和高折射率透明导电层，基材是PET聚酯薄膜，高折射率层是氮化硅薄膜，低折射率层是二氧化硅薄膜，高折射率透明导电层是氧化铟锡，符合电容触摸屏薄膜导电性能好，低反射，抗刮伤及耐候性强之特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电容触摸屏柔性导电薄膜，属于透明导电膜技术领域。
背景技术
可以预见，随着国内触摸屏制造、开发能力的增强，触摸屏的应用领域将会越来越广，触控性能会越来越佳。从个人应用产品如手机、个人掌上电脑到公共信息查询系统和金融、邮政、城市信息港触摸信息终端都将是触控产品的天地，人类将可以极大地感受触控技术带来的享受。随着信息社会的发展，触摸屏的发展呈现更专业化、多媒体化、立体化和大屏幕化等趋势。从原有的单点触控逐步向多点触控转化。从电阻式触摸屏逐步向电容式触摸屏发展。触控产业势将成为我国信息产业一个新的增长点。
ITO透明导电薄膜是触摸屏的关键性材料，触摸屏用ITO主要分为：ITO glass和ITO film，经过几十年的发展，ITO玻璃行业已经步入了成熟期，我国已经成为全球ITO导电玻璃的主要生产国。但是，在触摸屏厂家应用日益扩大的ITO film，却因制造技术比ITO玻璃难很多，制造设备（卷绻镀膜设备）价格昂贵，制造成本相对较高，整体技术受制于国外厂商等原因，使得我国ITO film的供应长期依赖进口，尤其是电容触摸屏用ITO film，国内几乎没有可大规模量产的制造工艺和制造设备。
触摸屏用ITO film是在PET柔性材料的基础上，磁控溅镀ITO而成，玻璃基板溅镀ITO可以在最优镀膜温度条件下（380℃）镀制，以达到最优的透过率与电阻率。然而为了在镀ITO膜层时不破坏柔性基材的性能，沉积温度不可太高，因而目前国内现有工艺的ITO film产品普遍存在透过率低，结晶程度低，膜层不够致密等缺点。本设计通过改进工艺、膜层优化等以改善ITO膜层性能,达到低温沉积优质ITO薄膜的目的。
发明内容
本实用新型提供一种附着性好、导电性和透过率高、高可靠性和防刮性、耐候性强的透明导电薄膜，该薄膜可用于电容触摸屏。解决其技术问题所采用的技术方案是：
本实用新型具有四层结构，依次是基材，高折射率层、低折射率层和高折射率透明导电层。
所述电容触摸屏柔性导电薄膜中的基材是PET聚酯薄膜。
所述电容触摸屏柔性导电薄膜中的高折射率层是氮化硅薄膜，厚度为5-15nm，折射率为1.9-2.4。
所述电容触摸屏柔性导电薄膜中的低折射率层是二氧化硅薄膜，厚度为30-70nm，折射率为1.4-1.6。
所述电容触摸屏用柔性导电薄膜中的高折射率透明导电层是氧化铟锡，厚度为15-40nm，折射率为1.9-2.2。
该电容触摸屏柔性导电薄膜镀膜前基材已通过红外加热炉进行热收缩，镀膜后该薄膜亦通过红外加热炉进行热处理，有效的提高了该薄膜的膜层致密性、结晶以及耐候性能。依照本实用新型，该薄膜产品在方阻低至200Ω/□时透过率可达88%，符合电容触摸屏薄膜导电性能好，低反射，抗刮伤及耐候性强之特点。
附图说明
图1为材料的膜层结构，如图所示：
（1）为基材，（2）为高折射率层，（3）为低折射层，（4）高折射率透明导电层。
具体实施方式
如图1所示，所述基材是PET聚酯薄膜，厚度选择50－200um，在镀膜前通过连续式卷绕红外加热设备80－180℃进行预处理（脱气、热收缩）。并且在卷绕镀膜设备上镀膜前对基材表面进行离子束轰击，以活化其表面性能。本实用新型所述膜层材料，均通过真空中频磁控溅射和直流磁控溅射沉积而成，通过调节溅射电压、卷绕速度、衬底温度、沉积压强、Ar,O2分压气体量，以达到合适的电阻和透过率。
所述高折射率层是氮化硅薄膜，厚度为5-15nm，折射率为1.9-2.4。所用靶材为Si靶，衬底温度在20－120℃，沉积压强为2.5－3.5mtorr,中频电源功率为5~25Kw，通入Ar气量450~750sccm,N2 60~200sccm中频反应溅射沉积而成Si3N4。
所述低折射率层是二氧化硅薄膜，厚度为30-70nm，折射率为1.4-1.6。所用靶材为Si靶，衬底温度在20－120℃，沉积压强为2.5－3.5mtorr,中频电源功率为5~25Kw，通入Ar气量450~750sccm,O2 60~200sccm中频反应溅射沉积而成SiO2。
所述高折射率透明导电层是氧化铟锡，厚度为15-40nm，折射率为1.9-2.2。所用靶材为ITO陶瓷靶，衬底温度在20－120℃，沉积压强为2.0－3.0mtorr,直流电源功率为1~10Kw，通入Ar气量450~750sccm,O2 10~45sccm生成ITO。
真空磁控溅镀所得薄膜再通过卷绕红外加热设备进行120－200℃热处理，以提高该薄膜膜层性能。
Claims (5)
1.一种电容触摸屏柔性导电薄膜，其特征是：具有四层结构，依次是基材，高折射率层、低折射率层和高折射率透明导电层。
2.根据权利要求1所述的电容触摸屏柔性导电薄膜，其特征是：基材是PET聚酯薄膜。
3.根据权利要求1所述的电容触摸屏柔性导电薄膜，其特征是：高折射率层是氮化硅薄膜，厚度为5-15nm，折射率为1.9-2.4。
4.根据权利要求1所述的电容触摸屏柔性导电薄膜，其特征是：低折射率层是二氧化硅薄膜，厚度为30-70nm，折射率为1.4-1.6。
5.根据权利要求1所述的电容触摸屏柔性导电薄膜，其特征是：高折射率透明导电层是氧化铟锡，厚度为15-40nm，折射率为1.9-2.2。
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