TWM483483U - 具粗化結構之觸控面板 - Google Patents

Description

具粗化結構之觸控面板

本創作係有關一種具粗化結構之觸控面板，尤指一種採用金屬感應電極(metal mesh)之觸控面板中，用以抗眩光的粗化結構。

觸控面板產業技術發展快速推演，ITO(銦錫氧化物)這個透明導電感測材料的應用需求因觸控面板火紅而跟著水漲船高，而觸控面板結構從G/G雙層玻璃、蛻變為單片玻璃(包括OGS、Touch on Lens、In-cell、On-cell等等)，並且薄膜技術(G1F或G/F/F)重返主流，使觸控技術領域呈現多主流局面，原本外界看好OGS最有機會成為大尺寸觸控應用市場的主流技術，不過，在大尺寸應用上，OGS會遇到貼合良率降低的問題，若能採薄膜方案，如平板用的GF1或GF2，甚至都不用玻璃的保護蓋(Cover Lens)，也就是將單層玻璃的OGS(One Glass Solution)改為單層薄膜的OPS(One Plastic Solution)，自然更為理想。

然而，傳統的氧化銦錫(ITO)薄膜價格高昂，來源大部分受控於日廠，在價格競爭上有瓶頸，加上表面電阻值高，容易影響到驅動IC的演算速度，導電性較不適合應用在中大尺寸觸控面板上，包括：NB、PC，目前中大尺寸觸控面板大多仍採用OGS單片玻璃觸控技術、G/G雙片玻璃觸控面板技術，而在GF1或GF2的方案，ITO薄膜的片電阻值因高到讓觸控IC跑不動，而OPS的方案，在製程上會遭到ITO濺鍍程序溫度過高(約300℃)的問題，會讓薄膜變形及不透明，使得ITO在大尺寸應用上，無法採用更輕薄的塑膠材料，故當觸控應用走向中大尺寸，甚至是彎曲式、可撓性應用時，ITO的應用限制就明顯浮現了，因此，同樣瞄準不同尺寸觸控應用市場、並挾成本競爭力而來的新一代觸控技術Metal Mesh已正在加緊醞 釀，預料成為OGS未來在大尺寸應用發展的頭號勁敵。

所謂Metal Mesh係屬於一種導電材料，形狀看起來就像極細金屬線組成的交錯網格狀，也就是把金屬線做在觸控sensor(底材仍是PET薄膜之類)上面，目的在於用來取代傳統ITO Film、ITO薄膜等導電材料，Metal Mesh近來之所以被視為是下一階段的重要觸控技術，主因是Metal Mesh具備低阻抗優勢、其阻抗大約僅5-10Ω，而玻璃觸控感測器的阻抗大約是50-100Ω，薄膜觸控感測器阻抗甚至達到150Ω，阻抗太高則雜訊就會比較多，亦即訊號源干擾較多，故業界發展出改用金屬導線作為感應電極之金屬網格技術(metal mesh)，因金屬具有比ITO更好的電導率且成本較低，然因金屬非透明體，觸控面板使用金屬感應電極將產生使用者可視性，及金屬反光眩光，影響視覺效果。

請參閱圖1所示為採用習知金屬網格(metal mesh)觸控顯示面板的技術中，其依序包含有一液晶顯示模組16、一第一光學膠15、一金屬網格之觸控基板10(metal mesh touch panel)、一分別設於金屬網格之觸控基板的上、下金屬電極101/102、一第二光學膠11、一抗眩光膜12(Anti-glare film)、一第三光學膠13與一上蓋基板14(cover lens)，除基板反光外，觸控基板中的金屬電極亦會產生金屬反光，與前述基板反光結合，干擾更甚，使得人眼更容易觀察到金屬電極的干涉現象且容易視覺疲勞，而造成顯示品質下降的問題，故其需要額外添加一層抗眩光處理(Anti-Glare)膜，以降低金屬電極與基板本身造成的反光

然而，習知採用抗眩光處理膜可能會增加觸控面板的厚度，並且影響到透光區的透光性，亦無法進一步有效降低生產成本。

有鑑於此，為改善上述之問題，本創作係提供一種具粗化結構之觸控面板，其至少包含有一觸控基板，其係於至少一側表面形成一金屬電極，一上蓋基板，其係設於該觸控基板上，且於鄰近觸控基板之上蓋基板一側表面形成一粗化結構，該粗化結構係為平均粗糙度介於0.001μm~0.2μm且厚度介於1nm~10μm之間， 其中該粗化結構之截面型態可為金字塔形、梯形、方形、長方形、山丘形、圓形、絨毛形或不規則形。

上述之該粗化結構之形成有多種方式，其一方式係於上蓋基板24經表面加工處理直接產生，另一方式係於上蓋基板24的表面額外形成一具有表面結構的粗化結構25，進一步說明，上蓋基板與觸控基板之間更可進一步具有一光學膠，用以填補於粗化結構的表面，以降低因粗化結構而增加的霧度，使整體面板透光性不至於受到影響。

基於上述之技術特徵，本創作所揭露之一種具粗化結構之觸控面板，可直接於觸控模組的保護玻璃進行抗眩光處理(anti-glare)，因此可減少一層抗眩光膜，直接降低觸控面板整體的厚度以及製造成本，更減少一道貼合製程，進一步提升整體製程良率。

10‧‧‧觸控基板

101‧‧‧上金屬電極

102‧‧‧下金屬電極

11‧‧‧第二光學膠

12‧‧‧抗眩光膜

13‧‧‧第三光學膠

14‧‧‧上蓋基板

15‧‧‧第一光學膠

16‧‧‧液晶顯示模組

2‧‧‧觸控面板

20‧‧‧觸控基板

201‧‧‧上金屬電極

202‧‧‧下金屬電極

23‧‧‧光學膠

24‧‧‧上蓋基板

25‧‧‧粗化結構

251‧‧‧粒子突出形態之粗化結構

252‧‧‧粒子嵌入形態之粗化結構

30‧‧‧液晶顯示模組

31‧‧‧光學膠

圖1係為習知抗眩光之金屬網格觸控面板結構示意圖。

圖2A係為本創作之具粗化結構之觸控面板其一結構示意圖。

圖2B係為本創作之具粗化結構之觸控面板另一結構示意圖。

圖3A係為本創作之粗化結構其一型態示意圖。

圖3B係為本創作之粗化結構另一型態示意圖。

本創作係揭露一種具粗化結構之觸控面板，其應用於金屬網格觸控面板(metal mesh touch panel)，係主要直接於觸控模組之保護玻璃進行抗眩(anti-glare)處理，可減少一層anti-glare膜，可降低整體厚度及成本，並省卻一道光學膠之貼合製程。

請參考圖2A所示，本創作揭露一觸控面板2，其係設於一液晶顯示模組(LCM,Liquid Crystal Module)30之上，且該兩者之間具有一光學膠31(OCA,Optical Clear Adhesive)，該光學膠選擇性可為液態或薄膜之形式， 在此不限定；於光學膠31之上依序為一觸控基板20，而該觸控基板20於上側與下側表面分別設有一上金屬電極201與一下金屬電極202、一高透光性之上蓋基板24，以及於該鄰近觸控基板20之上蓋基板24的一側表面形成一粗化結構25，而該上蓋基板24之穿透率係其由該液晶顯示模組30發出的光源透過該觸控面板2並將影像呈現給使用者，而使用者可觸碰上蓋基板24進行相對應的操作。

承上所述，該粗化結構25，其係為一表面平均粗糙度介於0.001μm~0.2μm且厚度介於1nm~10μm之凹凸狀結構，較佳地，其表面平均粗糙度可介於0.02μm~0.1μm，厚度可為50nm~2μm之間，而該粗化結構25之截面型態可為金字塔形、梯形、方形、長方形、山丘形、圓形、絨毛形或不規則形等等。

承上所述，該粗化結構25之形成有多種方式，其一方式係於上蓋基板24經表面加工處理直接產生，例如以化學蝕刻方式，將上蓋基板24直接利用氫氧化鉀(KOH)、氫氧化四甲基銨(TMAH)或氫氟酸(HF)等藥液進行蝕刻，使上蓋基板24表面直接形成該粗化結構25，或以物理研磨方式，用硬質粒子搭配研磨液與研磨盤，對上蓋基板24進行物理研磨，使上蓋基板24表面產生一該粗化結構25。

承上所述，另一方式係於上蓋基板24的表面額外形成一具有表面結構的粗化結構25，而該形成方式可為下述多個製備方法：

A.利用一電解還原方式，其係配置一含矽離子之電解質(如TEOS有機矽合成材料)，將電極附於該上蓋基板24背側，爾後對該上蓋基板24進行電解還原，使上蓋基板24表面額外附著一層氧化矽材料而形成該粗化結構25。

B.利用一電弧氧化方式，其係配置一含矽離子之電解質(如TEOS有機矽合成材料)，再將有機矽合成材料通以高壓產生電弧後，對上蓋基板24進行電弧氧化，使該上蓋基板24附著一層氧化矽之粗化結構25。

C.利用一濺鍍配合蝕刻方式，在上蓋基板24上先濺鍍一含矽膜層，再利用氫氧化鉀KOH進行選擇性蝕刻，產生如金字塔、梯形等不規格形狀之該粗化結構25。

D.利用一電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)方式，並控制反應氣體、沉積條件，於上蓋基板24形成具氧化矽之粗化結構25。

E.利用一電漿融解噴塗的方式，使用電漿或電弧溶化氧化矽，再噴塗於該上蓋基板24表面，以形成該粗化結構25。

F.利用一自組裝沉積方式，在電解質內放置氧化矽微奈米級粒子，添加式當量的懸浮劑與PH值的調整劑，使奈米級粒子表面帶電雙層，並將經過表面處理(酸洗)的上蓋基板24浸入電解液，經自組裝方式使氧化矽微奈米粒子形成於上蓋基板24表面上而形成該粗化結構25。

G利用一電泳沉積方式，於上蓋基板24之一表面上塗佈一透明導電層，再將上蓋基板24浸入前述該電解液中，通以電壓電流，使微納米級粒子泳動至帶電上蓋基板24表面上，以形成該粗化結構25。

H.利用一有機樹酯與介於0.05μm~3μm之微奈米粒子調配合成混合材料(Hybrid paste)，再利用刮刀、旋轉塗佈或浸鍍該混合材料於上蓋基板24之表面上，使上蓋基板24的表面形成該粗化結構25。

I.利用一濺鍍金屬層配合高溫熱退火腐蝕方式，濺鍍一超薄層的低熔點金屬(如鋁、銀等)於上蓋基板24之一表面上，再以熱退火方式使該金屬層因表面張力的關係，團聚成微小奈米粒子均勻散佈於基板上。

J.利用一塗佈有機金屬混合材料配合熱退火方式，配置一有機樹酯與無機或有機金屬之前驅物於上蓋基板24表面上，利用熱退火使金屬離子團聚並成核/成相/成長於有機樹酯中，而團聚成微小奈米粒子並均勻散佈於上蓋基板上，以形成該粗化結構25。

承上所述，由上述該些製備方法係於上蓋基板24所額外形成該粗化結構25材料可選自為金屬，例如矽、鋁、銀等，或為非金屬材質，例如高分子材料、有機矽材、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，或者為陶瓷/氧化物，例如TiO2、ZnO、SiO2、ZnS、MgF2等。

請參考圖3A所示，以上述(F)或(G)或(H)於上蓋基板24所形成之該粗化結構25，其係可為一粒子(微奈米粒子)突出型態251，再請參考圖3B所示，其亦可為一粒子(微奈米粒子)嵌入型態之粗化結構252，在此不限定，依實際需求作改變。

請再配合參閱圖2B所示，其表示為本創作之具粗化結構之觸控面板另一實施例，其相似於前一實施例之處則沿用圖2A之元件符號，並不再加以贅述，本實施例中所述之一觸控面板4與前一實施例主要差異為：於上蓋基板24與觸控基板20之間更包含有一光學膠23，透過此光學膠23填補於粗化結構25表面，不僅可增加透光度，降低因粗化結構25可能產生的白霧效果，以有效遮蔽金屬網格，提升人眼舒適度。

綜所上述，本創作所揭露之具有粗化結構25之觸控面板，於第一實施例所述僅包含粗化結構25之上蓋基板24與觸控基板20的觸控面板2，其依粗化結構25的厚度與粗糙度不同，其可控制光穿透率大於90，較佳可達95以上，而霧度(Haze)可大於6，較佳的霧度範圍係在6~8之間，而光反射率係小於50，較佳係小於30，而第二實施例所述之於觸控基板20與上蓋基板24之間更包含有該光學膠23的觸控面板4，其可控制光穿透率大於90，較佳可達95以上，而霧度(Haze)可小於2，較佳的霧度範圍係在0.8~2之間，而光反射率係小於50，較佳係小於30。

進一步說明，當粗化結構25所選用材料的折射率高於上蓋基板24的折射率時，例如TiO2(n~2.2)、ZnS(n~2.35)、ZnO(n~2.35)等等時，其屬於高折射設計，以令使用者不易觀察到金屬網格反光後的金屬細線紋路，當粗化結構25所選用材料的折射率低於之上蓋基板24的折射率時，例如PMMA(n~1.5)、有機矽樹酯(n~1.3-1.6)、MgF2(n~1.38)等等，其可提升面板整體的穿透率，並且具有抵抗來自OCA/TP/OCA/螢幕等三個介面反射的功能，該粗化結構25同時可以使上蓋基板24具有抗反射(AR)與抗眩光(AG)之功效，再者，添加微奈米粒子係有助於提升抗眩光(AG)的效果，而本案係直接於上蓋基板24形成防眩光(AG)的粗化結構25，其用以將金屬網格之反光散射掉，或是用以降低金屬網格與面板兩者合成的反光，且相較於習知技術於觸控面板整體可減少一層抗眩光膜，可降低整體觸控面板的厚度，並省卻一道抗眩光膜的貼合製程，有效提升生產良率與生產成本。

惟以上所述之具體實施例，僅係用於例釋本創作之特點及功 效，而非用於限定本創作之可實施範疇，於未脫離本創作上揭示之精神與技術範疇下，任何運用本創作所揭示內容而完成之等效改變、修飾或是等效元件之數量變更，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。

2‧‧‧觸控面板

20‧‧‧觸控基板

201‧‧‧上金屬電極

202‧‧‧下金屬電極

24‧‧‧上蓋基板

25‧‧‧粗化結構

30‧‧‧液晶顯示模組

31‧‧‧光學膠

Claims (11)

1. 一種具粗化結構之觸控面板，其包含有：一觸控基板，其係於至少一表面形成有金屬電極；一上蓋基板，其係設於該觸控基板上；一粗化結構，其係設於鄰近該觸控基板之該上蓋基板的表面；其中，該粗化結構係為平均粗糙度介於0.001μm~0.2μm且厚度介於1nm~10μm之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構之平均粗糙度更佳可介於0.02μm~0.1μm。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構之厚度更佳可介於50nm~2μm。
4. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構之截面型態可為金字塔形、梯形、方形、長方形、山丘形、圓形、絨毛形或不規則形。
5. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構係於該上蓋基板之經表面加工處理直接產生。
6. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構係為於該上蓋基板之表面額外形成一具有表面結構的粗化結構。
7. 如申請專利範圍第5項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構係以化學蝕刻方式或物理研磨方式於該上蓋基板之表面形成。
8. 如申請專利範圍第6項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構係以一電解還原方式、一電弧氧化方式、一濺鍍配合蝕刻方式、一電漿融解噴塗方式、一電漿輔助化學氣相沈積方式、一自組裝沉積方式、 一電泳沉積方式、一刮刀/旋轉塗佈/浸鍍方式、一濺鍍配合熱退火方式或一塗佈配合熱退火方式形成於上蓋基板之表面。
9. 如申請專利範圍第8項所述之具粗化結構之觸控面板，其中以該自組裝沉積或該電泳沉積方式，或者該刮刀/旋轉塗佈/浸鍍方式所形成於該上蓋基板之該粗化結構，其結構可為一粒子嵌入型態或一粒子突出型態。
10. 如申請專利範圍第8項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該粗化結構材料可為金屬材料、非金屬材料、高分子材料、陶瓷材料或氧化物。
11. 如申請專利範圍第1項所述之具粗化結構之觸控面板，其中該觸控基板與該上蓋基板之間更具有一光學膠，其用以貼附並填補於該粗化結構的表面。