KR200480620Y1 - 러프화 구조를 구비한 터치패널 - Google Patents

러프화 구조를 구비한 터치패널 Download PDF

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Abstract

러프화 구조를 구비한 터치패널을 제공한다.
러프화 구조를 구비한 터치패널(2)은, 터치패널(2)의 상측덮개 기판(24)의 적어도 일 표면에 러프화 구조(25)를 형성한다. 러프화 구조(25)의 평균 러프도는 0.001㎛~0.2㎛이고, 또한 두께는 1㎚~10㎛의 사이이다. 러프화 구조(25)의 단면 형태는, 피라미드형, 대(臺)형, 방(方)형, 장방(長方)형, 산(山)형, 원(圓)형, 융모(絨毛)형, 혹은 불규칙형 등이고, 상측덮개 기판(24)에 안티글레어의 러프화 구조(25)를 직접 형성할 수 있고, 혹은 상측덮개 기판(24)에, 표면 구조를 구비하는 러프화 구조(25)를 따로 형성한다. 이에 의해 터치패널(2) 상의 메탈 메쉬의 반사광을 발산시켜 버리거나, 혹은 메탈 메쉬와 패널의 양자가 합성하는 반사광을 저하시킬 수 있다.

Description

러프화 구조를 구비한 터치패널{Touch panel having roughened structure}
본 고안은, 러프화 구조를 구비한 터치패널에 관한 것으로서, 메탈 메쉬(metal　mesh)를 채용하는 터치패널에 있어서 안티글레어(anti-glare) 작용을 발휘하는 러프화 구조에 관한 것이다.
터치패널 산업의 기술발전은 신속하다. 투명한 도전 감지(感知)재료인 ITO(인듐 주석 산화물)의 응용 니즈는, 터치패널의 수요 급증과 함께 높아지고 있다. 터치패널 구조는, G/G 2층 유리에서 단층 유리(CGS, Touch　on　Lens, In-cell, On-cell 등을 포함함)로 발전하고 있다. 게다가, 박막 기술(GIF 혹은 G/F/F)은 주류로 복귀하고, 이에 의해 터치패널 기술 영역에는, 다(多)주류 국면이 출현하고 있다. 그 중에서도, OGS는, 대형 터치패널 응용 시장의 주류 기술이 될 것이라고 기대되고 있었지만, 대(大)화면의 응용에서는, 접착 수율이 낮다고 하는 문제에 직면하고 있다. 그러나, 태블릿용의 GF1 혹은 GF2 등 박막 솔루션을 채용할 수 있고, 또한 유리의 커버 렌즈(Cover　Lens)를 이용하지 않고, 즉 단층 유리의 OGS(One　Glass　Solution)를, 단층박막의 OPS(One　Plastic　Solution)로 바꿀 수 있으면, 물론 보다 이상적이다.
그러나, 종래의 ITO(인듐 주석 산화물) 박막은 고가이고, 대부분을 일본 메이커의 공급에 의존하고 있기 때문에, 가격 경쟁의 여지가 없다. 게다가 표면 전기 저항이 높아, 구동 IC의 연산 속도에 영향을 미치기 쉽고, 도전성도 중대형 터치패널에의 응용에 별로 적합하지 않다. 노트형 컴퓨터, PC 등의 중대형 터치패널의 대부분은, OGS 단층 유리 터치패널 기술, G/G 2층 유리 터치패널 기술을 채용하고 있다. GF1 혹은 GF2의 솔루션에 있어서, ITO박막의 전기 저항값은, 터치 IC를 움직일 수 없게 할 정도로 높다. 한편, OPS 솔루션은, 제조공정에 있어서, ITO 스퍼터링 프로세스의 온도가 너무 높다(약 300℃)고 하는 문제에 부딪쳐 있고, 박막이 변형하여, 비투명하게 되어 버린다. 이로써, ITO는 대화면의 응용에 있어서, 보다 컴팩트한 플라스틱 재료를 채용할 수 없다. 그 때문에, 터치패널이 중대형화에, 더욱 만곡 가능, 플렉서블 응용으로 향하고 있는 현재, ITO의 응용의 한계가 밝혀지고 있다. 따라서, 다양한 사이즈의 터치패널 응용 시장을 타겟으로, 비용 경쟁력도 구비하는 차세대의 터치패널 기술로서 Metal　Mesh가 주목을 모으고 있다. 이로써, 장래는 OGS가 대(大)화면 응용의 발전의 탑 러너(top runner)가 될 수 있을 것으로 예상된다.
이른바 Metal　Mesh란, 일종의 도전재료이다. 그 형상은, 극세의 금속선을 망 형상으로 교차시킨 것처럼 보인다. 즉, 금속선을 터치 센서(sensor)(바닥재는 PET 박막 종류)상면에 설치한다. 그 목적은, 종래의 ITO　Film, ITO 박막 등의 도전재료에 대해 치환하는 것이다. Metal　Mesh는 근래, 차세대의 중요한 터치 기술이라고 주목받고 있는 주된 요인은, Metal　Mesh는 저항값이 낮다고 하는 우위를 구비하는 점이다. 그 저항값은, 대략 5-10Ω에 지나지 않는데, 유리 터치 센서의 저항값은, 대략 50-100Ω이고, 박막 터치 센서의 저항값은 150Ω이나 된다. 저항값이 너무 높으면 노이즈가 많아지고, 신호원 간섭도 많아지기 때문에, 업계에서는 금속 도선을 감지 전극으로 하는 메탈 메쉬 기술(metal　mesh)에의 전환이 진행되고 있다. 금속은 ITO보다 우수한 도전율을 구비하고, 비용도 낮다. 그러나, 금속은 투명체가 아니기 때문에, 터치패널이 사용하는 금속 감지 전극은, 사용자 가시성이 발생하고, 금속은 빛을 반사하여 글레어(glare)가 발생하여, 시각 효과에 영향을 미친다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 종래의 메탈 메쉬(metal　mesh) 터치패널을 채용하는 기술에 있어서는, 차례로, 액정 표시 모듈(16), 제 1 광학 접착제(15), 메탈 메쉬 터치패널(metal　mesh　touch　panel), 메탈 메쉬 터치패널 위와 아래에 각각 설치하는 금속전극(101, 102), 제 2 광학 접착제(11), 안티글레어필름(Anti-glare　film), 제3 광학 접착제(13), 상측덮개 기판(Cover　Lens)(14)을 설치한다. 기판이 빛을 반사하는 것 외에, 터치 기판 중의 금속전극도, 빛을 반사하고, 기판이 반사하는 빛과 결합하여, 그 간섭은 커진다. 이로써, 금속전극의 간섭 현상이 눈에 들어오기 쉬워지고, 게다가 시각 피로가 쉽게 생겨서, 표시 품질의 저하를 초래하게 되어 버린다. 따라서, 따로 안티글레어((Anti-glare)처리 막을 추가하여, 금속전극과 기판이 생기는 반사광을 저하시킬 필요가 있다.
그러나, 상술한 고안은 사용상에 결점이 있어, 개선할 필요가 있다. 그 원인은 하기와 같다.
안티글레어 처리 막을 채용함으로써, 터치패널은 두께가 두꺼워져 버려, 광투과 영역의 광투과성에 영향을 미치기 때문에, 생산 비용은 더 삭감할 수 없다.
본 고안은, 상술의 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 메탈 메쉬(metal　mesh)를 채용하는 터치패널에 있어서 안티글레어 작용을 발휘하는 러프화 구조를 구비한 터치패널을 제공하는 것에 있다.　
본 고안에 의한 러프화 구조를 구비한 터치패널은, 적어도 한쪽 표면에 금속전극을 형성하는 터치 기판, 터치 기판상에 설치하는 상측덮개 기판, 러프화 구조를 구비하고, 터치 기판에 인접하는 상측덮개 기판의 표면에 설치하는 러프화 구조를 구비한다.
러프화 구조의 평균 러프도는 0.001㎛~0.2㎛이며, 게다가 두께는 1㎚~10㎛의 사이이다.
러프화 구조의 단면 형태는, 피라미드형, 대(臺)형, 방(方)형, 장방(長方)형, 산(山)형, 원(圓)형, 융모(絨毛)형, 혹은 불규칙형 등이다.
러프화 구조는, 다종의 방식에 의해 형성되고, 그 중 한 방식은, 상측덮개 기판에 표면 가공 처리를 실시하여 직접 형성하고, 다른 방식은, 상측덮개 기판의 표면에 따로 형성하는 표면 구조를 구비하는 러프화 구조이다.
터치 기판과 상측덮개 기판 사이에는 또한 광학 접착제를 구비하고, 이에 의해 접착하여, 러프화 구조의 표면을 메우고, 러프화 구조에 의해 증가한 무도(霧度)가 저하되어 패널 전체의 광투과율에 영향이 미치지 않게 한다.
본 고안은, 터치패널 모듈의 커버 렌즈에 안티글레어 처리를 직접 실시함으로써, 1층의 안티글레어막을 생략하여, 터치패널 전체의 두께를 저하시켜, 제조 비용을 삭감하여, 더욱 접착 프로세스를 줄임으로써, 수율을 높일 수 있다.
도 1은, 종래의 안티글레어의 메탈 메쉬 터치패널 구조의 모식도이다.
도 2a는, 본 고안의 일실시형태에 의한 러프화 구조를 구비한 터치패널을 나타내는 구조 모식도이다.
도 2b는, 본 고안의 일실시형태에 의한 러프화 구조를 구비한 터치패널을 나타내는 다른 종의 구조 모식도이다.
도 3a는, 본 고안의 일실시형태에 의한 러프화 구조를 나타내는 형태 모식도이다.
도 3b는, 본 고안의 일실시형태에 의한 러프화 구조를 나타내는 다른 종의 형태 모식도이다.
본 고안의 일실시형태에 의한 러프화 구조를 구비한 터치패널을 도면에 기초하여 설명한다. 러프화 구조를 구비한 터치패널은, 메탈 메쉬 터치패널(metal　mesh　touch　panel)에 응용하고, 터치 모듈의 커버 유리에 있어서, 직접 안티글레어(Anti-glare) 처리를 행하여, Anti-glare층을 줄임으로써, 전체 두께와 비용을 저하시켜, 광학 접착제의 접착 프로세스를 줄일 수 있다.
도 2a에 나타내는 바와 같이, 러프화 구조를 구비한 터치패널은, 터치패널(2)을 구비한다. 터치패널(2)은, 액정 표시 모듈(LCM, Liquid　Crystal　Module)(30) 상에 설치하고, 게다가 양자간에는, 광학 접착제(OCAOptical　Clear　Adhesive)(31)를 구비한다. 광학 접착제(31)는, 액체, 혹은 박막 중 어느 하나의 형식을 선택할 수 있다. 광학 접착제(31) 상에 터치 기판(20)을 설치한다. 터치 기판(20)은, 상측과 하측의 표면에 각각, 상측 금속전극(201)과 하측 금속전극(202), 고(高) 광투과성의 상측덮개 기판(24), 터치 기판(20)에 인접하는 상측덮개 기판(24)의 한쪽 표면에 형성하는 러프화 구조(25)를 설치한다. 상측덮개 기판(24)의 광투과율은, 액정 표시 모듈(30)이 발하는 빛을 터치패널(2)까지 투과하게 되어 영상을 사용자에게 보이게 할 수 있다. 사용자는, 상측덮개 기판(24)을 터치하여, 대응하는 조작을 행할 수 있다.
러프화 구조(25)는, 표면의 러프도가 0.001㎛~0.2㎛이며, 두께가 1㎚~10㎛의 요철 형상 구조이다. 바람직하게는, 그 표면 평균 러프도는, 0.02㎛~0.1㎛이며, 두께는 50㎚~2㎛ 사이이다. 러프화 구조(25)의 단면 형태는, 피라미드형, 대(臺)형, 방(方)형, 장방(長方)형, 산(山)형, 원(圓)형, 융모(絨毛)형, 혹은 불규칙형 등이다.
러프화 구조(25)의 형성에는, 다종의 방식이 있다. 그 중에, 한 방식은, 상측덮개 기판(24)에, 화학 에칭 방식 등으로 표면 가공 처리를 실시하여 직접 형성하는 방식이다. 예를 들면, 수산화 칼륨(KOH), 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH), 혹은 산화하프늄(HF) 등의 약액으로, 상측덮개 기판(24)에 에칭을 행하여, 상측덮개 기판(24) 표면에, 러프화 구조(25)를 형성한다. 혹은, 물리 연마 방식을 이용한다. 이 경우에는, 경질(硬質) 입자에 연마액(液)과 연마반(盤)을 조합하고, 상측덮개 기판(24)에 대하여 물리 연마를 행하여, 상측덮개 기판(24) 표면에, 러프화 구조(25)를 형성한다.
다른 방식은, 상측덮개 기판(24)의 표면에, 표면 구조를 구비하는 러프화 구조(25)를 따로 형성하는 것이다.
그 형성 방식은, 하기와 같이 다수의 방식이 있다.
A. 전해 환원 방식을 이용하여, 실리콘 이온을 포함하는 전해질(TEOS 유기 실리콘 합성 재료 등)을 배치하고, 전극을, 상측덮개 기판(24) 배면에 부착시킨다.다음으로, 상측덮개 기판(24)에 대하여 전해 환원을 행하여, 상측덮개 기판(24) 표면에 따로, 1층의 산화 실리콘 재료를 부착시켜, 러프화 구조(25)를 형성한다.
B. 아크 산화 방식을 이용하고, 실리콘 이온을 포함하는 전해질(TEOS 유기 실리콘 합성 재료 등)을 배치하고, 다음으로 유기 실리콘 합성 재료에 고압을 통하여 아크를 발생시킨 후, 상측덮개 기판(24)에 대하여 아크 산화를 행한다. 이것에 의해, 상측덮개 기판(24)에는, 1층의 산화 실리콘의 러프화 구조(25)가 부착된다.
C. 스퍼터링에 에칭을 조합하는 방식은, 상측덮개 기판(24)상에, 먼저 실리콘을 포함하는 막층을 스퍼터링 한다. 다음으로, 수산화 칼륨(KOH)을 이용하여, 선택적 에칭을 행하여, 피라미드형, 대(臺)형 등의 비규격 형상의 러프화 구조(25)를 형성한다.
D. 플라스마 화학 기상(氣相) 성장(PECVD) 방식을 이용하여, 반응 기체, 기상 조건을 제어하여, 상측덮개 기판(24)에 산화 실리콘의 러프화 구조(25)를 형성한다.
E. 플라스마 용해 제트 코팅 방식을 이용하고, 플라스마 혹은 아크를 이용하여 산화 실리콘을 용해하고, 상측덮개 기판(24) 표면에 제트 코팅하여, 러프화 구조(25)를 형성한다.
F. 셀프 어셈블리 적층 방식을 이용하여, 전해질 내에 산화 실리콘 마이크로 나노 레벨 입자를 넣고, 적당한 양의 현탁제와 PH치의 조정제를 첨가하여, 나노 레벨 입자의 표면에 전쌍층(電雙層)을 띠게 하고, 표면 처리(산세(酸洗) 처리)를 거친 상측덮개 기판(24)을 전해액에 담근다. 셀프 어셈블리 방식을 거친 산화 실리콘 마이크로 나노 입자를, 상측덮개 기판(24) 표면에 형성하여, 러프화 구조(25)를 형성한다.
G. 전기 영동(泳動) 방식을 이용하여, 상측덮개 기판(24)의 일 표면에, 투명 도전층을 도포하고, 다음으로 상측덮개 기판(24)을 전해액 내에 담구고, 전압 전류를 통하여, 마이크로 나노 레벨 입자를 영동시켜, 상측덮개 기판(24) 표면에 대전시켜, 러프화 구조(25)를 형성한다.
H. 유기 수지와, 0.05㎛~3㎛의 마이크로 나노 입자를 이용하여, 하이브리드 페이스트(Hybrid　paste)를 합성하고, 스크레이퍼, 회전 도포, 혹은 딥을 이용하여, 하이브리드 페이스트를 상측덮개 기판(24) 표면에 도포하여, 상측덮개 기판(24) 표면에 러프화 구조(25)를 형성한다.
I. 금속층 스퍼터링에, 고온 열 아닐 부식 방식을 대응시켜, 초박층의 저 용해점 금속(알루미늄, 은 등)을 상측덮개 기판(24)의 일 표면에 스퍼터링 한다. 다음으로, 열 아닐 방식에 의해, 금속층은, 표면장력의 관계로, 미소 나노 입자를 모아, 상측덮개 기판(24)상에 균일하게 살포한다.
J. 유기 금속 혼합 재료에 열 아닐 방식을 대응시켜, 유기 수지와 무기 혹은 유기 금속의 전구물(前驅物)을 상측덮개 기판(24) 표면상에 배치하고, 열 아닐을 이용하여, 금속 이온을 모아, 유기 수지 중에 정핵(正核), 적층, 성장시킨다. 미소 나노 입자로서 모아, 상측덮개 기판(24)상에 균일하게 살포하여, 러프화 구조(25)를 형성한다.
상술의 제조 프로세스는, 상측덮개 기판(24)에 따로 러프화 구조(25)를 형성하는 것이다.　러프화 구조(25)의 재료는, 실리콘, 알루미늄, 은 등의 금속, 혹은 고분자 재료, 유기 실리콘재, 폴리메타크릴산 메틸 수지(PMMA) 등의 비금속 재질, 혹은 TiO2, ZnO, SiO2, ZnS, MgF2 등의 세라믹/산화물로부터 선택한다.
도 3a에 나타내는 바와 같이, 상술의 (F) 혹은 (G) 혹은 (H)가, 상측덮개 기판(24)에 형성하는 러프화 구조(25)는, 입자(마이크로 나노 입자) 돌출 형태(251)이다. 도 3b에 나타내는 바와 같이, 그것은, 입자(마이크로 나노 입자)를 박아 넣은 형태의 러프화 구조(252)이지만, 이것으로 한정되지 않고, 실제 필요에 따라서 개변할 수 있다.
본 고안의 러프화 구조를 구비하는 터치패널의 다른 종의 실시형태인 도 2b에 나타내는 바와 같이, 상기한 실시형태를 나타내는 도 2a의 부호를 이용한다. 본 실시형태에 의한 터치패널(4)과, 상술의 실시형태의 주요한 차이는 이하와 같다.
상측덮개 기판(24)과 터치 기판(20) 사이에는 광학 접착제(23)를 더 구비한다. 광학 접착제(23)를 통하여, 러프화 구조(25) 표면을 메운다. 이로써, 광투과도가 향상할 뿐만 아니라, 러프화 구조(25)에 의해 생기는 백무(白霧)현상을 저하시킬 수 있다. 이렇게 하여, 메탈 메쉬를 효과적으로 차폐하여, 사람 눈의 쾌적성을 높일 수 있다.
본 고안이 개시하는 러프화 구조(25)를 구비하는 터치패널은, 제 1 실시형태에서는, 러프화 구조(25)의 상측덮개 기판(24)과 터치 기판(20)을 구비하는 터치패널(2)을 나타낸다. 그 러프화 구조(25)의 두께와 러프도는 상이하고, 광투과율을 90 이상, 바람직하게는 95 이상, 무도(霧度)(Haze)는 6 이상으로, 바람직한 무도 범위를 6~8로, 광반사율을 50 이하로, 바람직하게는 30 이하로 컨트롤할 수 있다. 제 2 실시형태의 터치 기판(20)과 상측덮개 기판(24)과의 사이에는 광학 접착제(23)를 포함하는 터치패널(4)을 구비한다. 그것은, 광투과율을 90 이상, 바람직하게는 95 이상, 무도(Haze)는 2 이상으로, 바람직한 무도 범위를 0.8~2로, 광반사율을 50 이하로, 바람직하게는 30 이하로 컨트롤할 수 있다.
러프화 구조(25)가 선택한 TiO2(n~2.2), ZnO(n~2.35), ZnS(n~2.35) 등 재료의 굴절률이, 상측덮개 기판(24)의 굴절률보다 높을 때에는, 고(高) 굴절 설계에 속한다. 이에 의해 사용자는, 메탈 메쉬가 빛을 반사한 후의 금속 세선(細線)의 모양을 용이하게 관찰할 수 없다. 러프화 구조(25)가 선택한 PMMA(n~1.5), 유기 실리콘 수지(n~1.3-1.6), MgF2(n~1.38) 등 재료의 굴절률이, 상측덮개 기판(24)의 굴절률보다 낮을 때에는, 패널 전체의 광투과율을 올릴 수 있다. 게다가, 저항은, OCA/TP/OCA 스크린 등 3개의 매개면이 반사하는 기능으로부터 오기 때문에, 러프화 구조(25)는, 상측덮개 기판(24)에, 동시에 안티 반사(AR)와 안티글레어(AG)의 효과를 가지게 할 수 있다. 게다가 마이크로 나노 입자를 첨가하여, 안티글레어(AG) 효과를 향상시키게 된다.　본 고안은, 상측덮개 기판(24)에 안티글레어(AG)의 러프화 구조(25)를 직접 형성하여, 메탈 메쉬의 반사광을 발산시켜 버리거나, 혹은 메탈 메쉬와 패널의 양자가 합성하는 반사광을 저하시킬 수 있다. 게다가, 종래의 기술에 비해, 터치패널 전체에 있어서, 1층의 안티글레어막을 생략할 수 있어, 터치패널의 두께를 저하시키고, 안티글레어막의 접착 프로세스를 줄일 수 있어, 수율을 높여 제조 비용을 삭감할 수 있다.
상술의 실시형태의 설명을 종합하면, 본 고안의 조작, 사용, 및 본 고안이 만들어 내는 효과를 충분히 이해할 수 있다. 그러나, 이상에서 서술한 실시형태는 단지 본 고안의 바람직한 실시형태이며, 이에 의해서 본 고안의 특허 청구의 범위를 한정하는 것은 아니다. 즉 본 고안의 특허 청구의 범위 및 설명서의 내용에 기초하여, 동등 효과를 가지는 간단한 변화 및 수식은, 모두, 본 고안의 범위 내에 속하는 것으로 한다.
2. 터치패널
20. 터치 기판
201. 상측 금속전극
202. 하측 금속전극
23. 광학 접착제
24. 상측덮개 기판
25. 러프화 구조
251. 돌출 형태
252. 박아 넣은 형태
30. 액정 표시 모듈
31. 광학 접착제
4. 터치패널

Claims (10)

  1. 러프화 구조를 구비한 터치패널로서,
    러프화 구조를 구비한 터치패널은, 터치 기판, 상측덮개 기판, 러프화 구조를 구비하고,
    상기 터치 기판은, 적어도 일 표면에, 메탈 메쉬(metal mesh) 전극을 형성하며,
    상기 상측덮개 기판은, 상기 터치 기판 위에 설치하고,
    상기 러프화 구조는, 상기 메탈 메쉬 전극에 의한 글레어(glare)에 대해 안티글레어(anti-glare) 작용을 발휘하도록, 상기 터치 기판에 인접하는 상기 상측덮개 기판의 표면에 설치하며,
    상기 러프화 구조의 평균 러프도는 0.001㎛~0.2㎛이며, 두께는 1㎚~10㎛의 사이인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 러프화 구조의 평균 러프도는, 0.02㎛~0.1㎛인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 러프화 구조의 두께는, 50㎚~2㎛인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 러프화 구조의 단면 형태는, 피라미드형, 대(臺)형, 방(方)형, 장방(長方)형, 산(山)형, 원(圓)형, 융모(絨毛)형, 혹은 불규칙형 등인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 러프화 구조는, 상기 상측덮개 기판에 표면 가공 처리를 실시하여 직접 형성하는 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 러프화 구조는, 상기 상측덮개 기판의 표면에 따로 형성하는 표면 구조를 구비하는 러프화 구조인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 러프화 구조는, 화학 에칭 방식, 혹은 물리 연마 방식에 의해, 상기 상측덮개 기판 표면에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 러프화 구조는, 전해 환원 방식, 아크 산화 방식, 스퍼터링 대응 에칭 방식, 플라스마 용해 제트 코팅 방식, 플라스마 보조 화학 기상 적층 방식, 셀프 어셈블리 적층 방식, 스크레이퍼/회전 도포/딥 방식, 스퍼터링 대응 열 아닐 방식, 혹은 도포 대응 열 아닐 방식을 이용하여, 상기 상측덮개 기판의 표면에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 셀프 어셈블리 적층 방식, 혹은 전기 영동 적층 방식, 혹은 스크레이퍼/회전 도포/딥 방식에 의해, 상기 상측덮개 기판상에 형성되는 러프화 구조는, 입자 박아 넣음 형태, 혹은 입자 돌출 형태인 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.　
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 기판과 상기 상측덮개 기판 사이에는 광학 접착제를 더 구비하고, 이에 의해 접착하여, 상기 러프화 구조의 표면을 메우는 것
    을 특징으로 하는 러프화 구조를 구비한 터치패널.
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