CN201718163U - 柔性透明电磁屏蔽膜 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种柔性透明电磁屏蔽膜，包括PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括用卷绕镀膜方法，在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导电层，ZAO层作为过渡介质层。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：降低了成本，提高了电磁屏蔽效果。

Description

柔性透明电磁屏蔽膜
技术领域  本实用新型涉及一种柔性透明电磁屏蔽膜，具体是指在透明的柔性基底上(例如PET聚酯膜)，连续沉积Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5多层透明导电膜，形成高性能的电磁屏蔽膜。
背景技术  柔性透明电磁屏蔽膜广泛应用于LCD(液晶显示)，PDP(等离子显示)，电子仪器窗口及计算机房的信息防泄漏和干扰等。
现有技术中，柔性透明电磁屏蔽膜包括有以下几种，分别存在不足之处：一、柔性透明导电ITO膜，其价格昂贵，且屏蔽效果欠佳而应用上受到很大限制；二、ITO/Ag/ITO多层透明导电膜系，该导电膜尽管解决了屏蔽效果，但成本更高；三、TiO2/NiCr/Ag/NiCr/TiO2多层膜系，存在TiO2膜沉积速度慢，NiCr过渡层影响透光率等缺陷。
发明内容  本实用新型所解决的技术问题是：为避免现有技术的不足之处提出一种成本低、屏蔽效果好的柔性透明电磁屏蔽膜。
解决上述技术问题采用的技术方案如下：本实用新型柔性透明电磁屏蔽膜，包括PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括用卷绕镀膜方法，在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导电层，ZAO层作为过渡介质层。
所述电磁屏蔽层包括10-13层，其中Ag层不少于三层，底层和外层均是Nb2O5层。
所述Nb2O5底层和外层的厚度为28-35nm，Nb2O5中间层厚度为56-70nm，Ag层厚度为10-18nm，ZAO层厚度为3-5nm。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：降低了成本，提高了电磁屏蔽效果。
附图说明
图1是所述Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的3Ag多层膜系结构剖面图；
图2是所述Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的4Ag多层膜系结构剖面图。
具体实施方式
如图1所示，柔性透明电磁屏蔽膜是在透明的柔性基底PET膜1上，采用卷绕镀膜方法，连续磁控溅射沉积Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5多层膜，形成10-13层高性能的柔性透明电磁屏蔽膜。其中，Ag层3不少于3层。所述Nb2O5层2作为底层-中间层-外层的介质层，ZAO膜是作为Ag层3之前的过渡层介质膜，Ag层3是作为导电层。所述PET膜1是透光良好的光学级聚酯薄膜，其厚度根据需要选择50-125μm。Nb2O5层2是高折射率介质，是光学匹配层，底层2和表层11厚度为28-35nm，而中间层厚度为56-70nm。Nb2O5层2是采用中频磁控溅射沉积的，其溅射速率较高。Ag层3主要起导电作用，电磁屏蔽效果由它决定，膜越厚，污染越少，导电性越好，电磁屏蔽效果也越好；但膜太厚了透光率下降，反射增大，一般根据需要兼顾光电性能控制在10-18nm。ZAO层4是过渡层也是高折射率层，其作用是对Ag层3沉积过程其保护作用，避免氧气氛对Ag层3的污染，以形成良好的金属-介质界面，提高光学匹配和电磁屏蔽效果，厚度为3-5nm。Ag层3和ZAO层4均采用直流磁控溅射沉积。
图2是Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的4层Ag膜系结构。与图1所述实施例的3层Ag膜系结构不同之处在于：在3Ag膜系基础上增加了三层，即增加了Ag/ZAO/Nb2O5三层膜。在所述4层A膜系结构中，相应各层膜的厚度要求和制备方法都与图1所述实施例的3层Ag膜系结构相同。

Claims (3)

1.一种柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于：包括PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导电层，ZAO层作为过渡介质层。
2.如权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽层包括10-13层，其中Ag层不少于三层，底层和外层均是Nb2O5层。
3.如权利要求2所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于：所述Nb2O5底层和外层的厚度为28-35nm，Nb2O5中间层厚度为56-70nm，Ag层厚度为10-18nm，ZAO层厚度为3-5nm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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