JP2008209930A - 反射防止膜およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＲＴパネルガラス表面に貼り付けて用いる反射防止膜は、付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光線透過率に関する全ての条件を満たすことは困難であり、それらを満たそうとすると、生産性が低下して高価格となっていた。
【解決手段】ベースフィルム１１上に順に形成されたＳｉＯ_x膜２１、インジウムスズ酸化膜２２、ＳｉＯ₂膜２３、インジウムスズ酸化膜２４、ＳｉＯ₂膜２５を有し、最上層の酸化シリコン膜２５の膜厚は、その直下のインジウムスズ酸化膜２４の膜厚よりも厚く形成されていてＳｉＯ_x膜２１のｘの範囲は０．５〜１．９とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、反射防止膜およびその製造方法に関し、詳しくは酸化シリコン膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなる反射防止膜およびその製造方法に関する。

一般に導電膜を有する反射防止膜は、ベースフィルム上に大きな屈折率を有する膜と小さな屈折率を有する膜とを交互に積層して形成さている。小さな屈折率を有する膜には酸化シリコン（以下ＳｉＯ₂ という）膜を用い、大きな屈折率を有しかつ導電性を有する膜にはインジウムスズ酸化（以下、ＩＴＯという、ＩＴＯはIndium Tin Oxideの略）膜が良く用いられている。例えば、樹脂のベースフィルム上にＩＴＯ膜、ＳｉＯ₂ 膜、ＩＴＯ膜、ＳｉＯ₂ 膜、汚染防止膜の順に積層されたものが用いられている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）〔例えばブラウン管〕のパネルガラス表面に貼り付けて用いる反射防止膜として必要な特性は以下のようなものである。（ａ）樹脂ベースフィルムに対する反射防止膜の付着強度として、高温（例えば６０℃）かつ高湿（９８％）の雰囲気に２時間放置した後の付着強度、温度サイクル履歴が、例えば＋７０℃（５時間）と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイクル繰り返した後の付着強度、等が十分に大きいこと。（ｂ）反射率特性（波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光に対する平均反射率）が０．６％以下であり、十分に小さいこと。（ｃ）電気抵抗（電磁遮蔽および帯電防止を目的としている）が５００Ω／□以下であること。（ｄ）全光線（波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの光）透過率が９０％以上の透明性を有すること。以上のような相反する特性を同時に満足させる必要があった。

一般にＩＴＯ／ＳｉＯ₂ ／ＩＴＯ／ＳｉＯ₂ の積層構成を用いた膜（例えば、特許文献１参照。）では、上記（ａ）〜（ｄ）の各項目を同時に満足させることは困難であり、それを満足させようとすると、生産時に高い歩留りを得ることが難しくなり、高価な反射防止膜となっていた。

特開平９−１９７１０２号公報

解決しようとする問題点は、反射防止膜の付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光線透過率を同時に満足させることが困難な点である。

本発明は、膜構成を工夫して、反射防止膜の付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光線透過率を同時に満足させる。

本発明の反射防止膜は、ベースフィルム上に順に形成されたＳｉＯ _x 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜を有し、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成されていて、前記反射防止膜の波長が４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の全光線透過率が９０％以上を有し、ＳｉＯ_x 膜のｘの範囲を０．５〜１．９とする。

上記反射防止膜では、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成したことから、インジウムスズ酸化膜による光吸収が小さくなるので、全光線透過率の減少量が小さくなり全光線透過率の許容値（例えば９０％以上）を満たせる。またベースフィルムとの界面における反射防止膜の最下層にＳｉＯ_x 膜を設け、そのＳｉＯ_x のｘの範囲を０．５〜１．９としたことから、反射防止膜の付着強度を確保しながら、全光線透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保てる。

本発明の反射防止膜の製造方法は、ベースフィルム上にＳｉＯ _x 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜を順に形成する工程を有し、前記ＳｉＯ_x のｘの範囲を０．５〜１．９とし、前記ＳｉＯ ₂ 膜のうち最上層のＳｉＯ ₂ 膜の膜厚を、該ＳｉＯ ₂ 膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成する。

上記製造方法では、反射防止膜の波長が４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下での全光線透過率が９０％以上を有するように、反射防止膜における最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、該酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成することから、インジウムスズ酸化膜による光吸収は少なくなり、その分、全光線透過率の減少量が低減されるので、全光線透過率の許容値を満たす。また光の吸収を測定することによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリコン（ＳｉＯ_x ）膜を形成することで、ベースフィルムとの付着強度を保つとともに反射防止膜の全光線透過率を所定の値以上に保つことが可能になる。また上記ＳｉＯ_x 膜を形成する前に下地に対してアルミニウム電極を用いたグロー放電処理を行うことで、下地のベースフィルムに対する反射防止膜の付着強度が高められる。また反射防止膜を構成する膜は、デュアルマグネトロン方式のスパッタ装置により形成することで、成膜された膜は酸素の多い層と酸素の少ない層とからなる多層構造になるとともに、各層が薄く形成されることになる。そのため、酸素の多い層と酸素の少ない層との構成が粗い構造のもの、または単一酸素量からなる膜構成のものと比較すると、上記多層構造のものは、応力が分散され、また破壊の伝播に際して各膜の界面において破壊の伝播が妨げられるため、膜全体として破壊が起こり難くなる。一方、膜構成が粗い構造のもの、または単一酸素量からなる膜構成のものは、応力が分散され難く、膜破壊が起こり易くなる。

本発明の反射防止膜によれば、最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、この酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成されているので、全光線透過率の減少量を小さくでき全光線透過率の許容値を満たすことができる。またベースフィルムとの界面における反射防止膜の最下層にＳｉＯ_x 膜を設け、そのＳｉＯ_x のｘの範囲を０．５〜１．９としたので、反射防止膜の付着強度を確保しながら、全光線透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保つことができる。よって、付着強度、光学反射率、電気抵抗、全反射透過率の全ての条件を満足させることができるため、ＣＲＴの高品質化に寄与することができる。

本発明の製造方法によれば、光の吸収を測定することによりシリコンの酸化度を制御して酸化シリコン（ＳｉＯ_x ）膜を形成するので、ベースフィルムとの付着強度を保つことができるとともに反射防止膜の全光線透過率を所定の値以上に保つことができる。また最下層の酸化シリコン膜を形成する前に下地に対してアルミニウム電極を用いたグロー放電処理を行うことで、下地のベースフィルムに対する反射防止膜の付着強度を高めることができる。また反射防止膜を構成する膜は、デュアルマグネトロン方式のスパッタ装置により形成することで、成膜された膜は酸素の多い層と酸素の少ない層とからなる多層構造に形成できる。そのため、応力が分散され、破壊の伝播が妨げられるので、膜全体として破壊が起こり難くなる。したがって、付着強度、光学反射率、電気抵抗、全反射透過率の全てを満足させた状態で、反射防止膜を従来の方法に比較して高い歩留りで生産することができる。よって、ＣＲＴの高品質化、低価格化に寄与することができる。

本発明の実施形態の一例を、図１の要部断面図によって説明する。

図１に示すように、ベースフィルム１１は、例えば１８８μｍの厚さのＰＥＴフィルム１２上に、例えばポリメチルメタクリレート（以下、ＰＭＭという）系材料からなる５μｍの厚さのハードコート膜１３が形成されているものである。さらにそのハードコート膜１３上には、下層から順に、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）膜２１、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜２２、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）膜２３、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜２４、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）膜２５が積層され、このような膜構成によって反射防止膜２０が形成されている。以下、膜は上記（ ）内に示した略記を用いて示す。そして最上層のＳｉＯ₂ 膜２５の膜厚ｔ１は、このＳｉＯ₂ 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ２よりも厚く形成されているものである。また、上記ＳｉＯ_x 膜２１のｘの範囲を０．５〜１．９とする。

このように、反射防止膜２０は、酸化シリコン膜とインジウムスズ酸化膜とを多層に積層してなるものである。上記反射防止膜２０は、例えば、ＳｉＯ_x 膜２１の膜厚が３ｎｍ±２ｎｍ、ＩＴＯ膜２２の膜厚が２１ｎｍ±３ｎｍ、ＳｉＯ₂膜２３の膜厚が３２ｎｍ±３ｎｍ、ＩＴＯ膜２４の膜厚が４２ｎｍ±３ｎｍ、ＳｉＯ₂ 膜２５の膜厚が１０３ｎｍ±３ｎｍに形成されている。なお、ここで示した膜厚は一例であって、上記条件を満足すれば適宜膜厚は変更可能である。

なお、最上層のＳｉＯ₂ 膜２５の表面に汚染防止膜をコーティングしてもよい。この汚染防止膜は、例えば、パーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化合物を被覆することにより形成する。

次に図示はしないが比較例として、従来の反射防止膜の構成を以下に説明する。この膜構成では、最上層のＳｉＯ₂ 膜をその直下のＩＴＯ膜の膜厚よりも薄く形成してある。一般的に光学シミュレーションにより０．６％以下の反射率を得るためには、次のような膜構成になる。最下層より、ＳｉＯ_x 膜（５ｎｍ±２ｎｍ）、ＩＴＯ膜（１５ｎｍ±４ｎｍ）、ＳｉＯ₂ 膜（２０ｎｍ±４ｎｍ）、ＩＴＯ膜（９８ｎｍ±７ｎｍ）、ＳｉＯ₂ 膜（８５ｎｍ±３ｎｍ）となる。なお、（）内には膜厚を示す。

上記実施形態で説明した反射防止膜２０では、その最上層のＳｉＯ₂ 膜２５の直下におけるＩＴＯ膜２４が、比較例のＩＴＯ膜に比べ１／２以下となっているため、ＩＴＯ膜による光吸収は少なくなり、その分、全光線透過率の減少量が低減されるので、全光線透過率の規格（例えば９０％以上）を満足するためのＳｉＯ_x 膜２１の形成条件は範囲の広いものとなる。またベースフィルム１１との界面における反射防止膜２０の最下層にＳｉＯ_x 膜２１を設け、そのＳｉＯ_x 膜２１のｘの範囲を０．５〜１．９としたことから、反射防止膜２０の付着強度を確保しながら、全光線透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保てる。なお、ＳｉＯ_x 膜２１が上記ｘの範囲外で形成された場合には、付着強度が得られなくなる、全光線透過率が少なくなる等の問題を生じる。またＩＴＯ膜２４を薄く形成しても、反射防止膜２０の電気抵抗は、５００Ω／□以下となっている。

一方、上記比較例の膜構成では、最上層のＳｉＯ₂ 膜の厚さに比較してその直下のＩＴＯ膜の膜厚が厚いため、ＩＴＯ膜の吸収による全光線透過率の減少量が大きく、ＳｉＯ_x 膜の吸収と合わせた場合、製造上において許容できるＳｉＯ_x膜の吸収量が少なすぎることから、非常に生産性、歩留り等が悪くなり、反射防止膜としては高価なものになる。

また、上記実施形態で説明した反射防止膜２０のＳｉＯ_x 膜２１による光吸収を決められた範囲内に保つ場合、シリコンターゲットを用い、かつ酸素（Ｏ₂ ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガス雰囲気を用いた反応性スパッタリングによりＳｉＯ_x 膜２１を形成する。その際に、ガス雰囲気中の酸素ガス量は供給される酸素ガス量のみで決定されるのではなく、スパッタチャンバ内壁よりの脱離ガス、ロールＰＥＴフィルムからの放出ガスによっても大きく変動する。特にベースフィルム１１を形成するＰＥＴフィルム１２の表面およびＰＥＴフィルム１２の内部より放出される水分（Ｈ₂ Ｏ）を原因とする酸素（Ｏ₂ ）成分、またロールＰＥＴフィルムの製造条件、およびスパッタ成膜までの保管中の吸湿等による水分（Ｈ₂ Ｏ）を原因とする酸素（Ｏ₂ ）成分が変動するため、ＳｉＯ_x 膜２１による光吸収の変動は、製造時に生じ易い。

以上のことにより、ＩＴＯ膜２４による吸収を１／２以下にできる構成、すなわち、最上層のＳｉＯ₂ 膜２５の膜厚ｔ１がこのＳｉＯ₂ 膜２５の直下のＩＴＯ膜２４の膜厚ｔ２よりも厚く形成されている構成は、ロールＰＥＴフィルムからの水分放出がＳｉＯ_x 膜２１の形成に及ぼす変動要因を少なくする点で非常に優れている。上記実施形態の構成では、中間にあるＳｉＯ₂ 膜２３、ＩＴＯ膜２２，２４の許容膜厚精度は比較例よりも巾は広いが、吸収制御の容易さの点で比較例よりも優れている。

したがって、上記反射防止膜２０は、上記説明したように、最上層のＳｉＯ₂膜２５の膜厚ｔ１がこのＳｉＯ₂ 膜２５の直下のＩＴＯ２４の膜厚ｔ２よりも厚く形成されていることにより、またＳｉＯ_x 膜２１のｘの範囲が０．５〜１．９となっていることにより、付着強度、反射特性、全光線透過率、電気抵抗値等、全てを、高い歩留りを確保した状態で満足できる。

次に上記反射防止膜２０の製造方法を以下に説明する。まず、ＰＭＭ系材料のハードコート膜１３が表面に形成されたＰＥＴ系材料のＰＥＴフィルム１２からなるベースフィルム１１上に反射防止膜２０をスパッタリングで形成する。その際に、第１層のＳｉＯ_x 膜２１の光吸収特性を測定しながらその酸化度を調節することによりこのＳｉＯ_x 膜２１を形成する。その酸化度は、例えばＳｉＯ_x 膜２１のｘの値の範囲を０．５〜１．９とする。

一般にアクリル等のプラスチックレンズの表面に反射防止膜を形成するときにはプラスチックレンズと反射防止膜との付着強度を大きくするために、ＳｉＯ_x膜を介在させることが知られている。そこで、ＳｉＯ_x 膜の光吸収を測定しながらＳｉＯ_x 膜２１の形成条件を決定することで、付着強度を確保しながら反射防止膜２０の全体としての全光線透過率の規格を満たすようにしている。

例えば全光線透過率が９０％以上の反射防止膜２０を作製する場合、ＳｉＯ_x膜２１による全反射透過率の減少量を０．５％〜２．５％程度に保つことにより、付着強度を十分確保しながら反射光学特性も満足させることができる。ここでＳｉＯ_x 膜２１のｘは上記説明したように０．５〜１．９の範囲に保つことが必要である。

次に、上記ハードコート膜１３を形成したＰＥＴフィルム１２からなるベースフィルム１１と、最下層にＳｉＯ_x 膜２１を形成した上記実施形態で説明した構成を有する反射防止膜２０との付着強度をさらに強くして信頼性を増す方法を、図２によって以下に説明する。図２に示すように、その方法は、ＳｉＯ_x 膜を形成する前に、ベースフィルム１１のＰＥＴフィルム１２側にアース電極５１を配置し、ハードコート膜１３側にマイナス直流電圧を印加する電極５２を配置して、上記電極間にグロー放電を起こさせることにより、ハードコート膜１３の表面に対しての表面活性化処理を行う。その際に、上記電極５２にアルミニウム材料からなる電極を用いる。

一方、比較例として、上記電極５２に、鉄、銅、黄銅等の材料を用いて表面処理を行ったところ、上記アルミニウム材料からなる電極により行う表面活性化処理が、反射防止膜２０の付着強度を高めるうえで優れていた。

また、上記反射防止膜２０をスパッタリングにより形成する際には、デュアルマグネトロン方式のスパッタ方式を用いることにより、各層をより緻密な微細構造のスパッタ膜に形成することが可能になる。それによって、反射防止膜全体としての膜強度を高めることが可能になる。図３の（１）にデュアルマグネトロン方式によるスパッタリングの説明図を示し、図４の（１）にその成膜例の要部断面図を示す。また図３の（２）にシングルマグネトロン方式によるスパッタリングの説明図を示し、図４の（２）にその成膜例の要部断面図を示す。

図３の（１）に示すように、デュアルマグネトロン方式によるスパッタリングでは、例えばＳｉＯ₂ 膜を成膜する場合、ターゲット６１，６１にシリコンターゲットを用い、スパッタリング雰囲気にアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用い、上記ターゲット６１，６１間に交流を印加してスパッタリングを行う。その際に、ターゲット６１，６１の直上の領域Ａは領域Ｂに比較して新しい未反応なガスにさらされることが少なくなる。すなわち、領域Ａへ行くガスは、領域Ｂである程度の反応を行った残りのガスであるから、反応ガスが酸素であるＳｉＯ₂ の場合、酸素の少ないガス雰囲気にさらされることになる。このようなデュアルマグネトロン方式のスパッタリング装置（４０ｋＨｚの交流を２本のターゲット間に印加する方式のスパッタリング装置）により成膜された膜は、図４の（１）に示すように、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコン（ＳｉＯ _x ）膜は、酸素が少ない層の第１ＳｉＯ _x 膜７１が２層になり、それらを挟む酸素が多い層の第２ＳｉＯ _x 膜７２が３層になる。そしてターゲット数が多くなれば、酸素が少ない層の第１ＳｉＯ _x 膜７１および酸素が多い層の第２ＳｉＯ _x 膜７２は多くなる。

一方、図３の（２）に示すように、シングルマグネトロン方式のスパッタリング（直流電圧を印加する方式のスパッタリング）では、ターゲット６３に直流電圧を印加し、スパッタリング雰囲気にアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気を用いてスパッタリングを行う。これにより成膜された膜は、図４の（２）に示すように、ベースフィルム１１に形成される酸化シリコン膜は、酸素が少ない層の第１ＳｉＯ _x 膜７１が１層になり、それを挟む酸素が多い層の第２ＳｉＯ _x 膜７２が２層になる。

したがって、上記デュアルマグネトロン方式のスパッタリングにより成膜された膜は、多層、微細構造となり、各微細層の歪みを分散することができる。そのため、全体としての残留応力の分散が行われ、膜は外部応力に対し強くなる。多層構造、微細分散構造が、単一構造および粗構造よりも応力分散や破壊の伝播に際し、構造界面においても伝播障害となり、全体としての破壊が起こり難いことは、金属材料学においても周知である。

ここで、上記デュアルマグネトロン方式のスパッタリング装置の一例を、図５によって説明する。図５に示すように、デュアルマグネトロン方式のスパッタリング装置１０１は、ロールフィルム繰出室１１０、スパッタ室１２０、ロールフィルム巻取室１３０が連続して設けられている。上記ロールフィルム繰出室１１０にはベースフィルム１１を巻いたベースフィルムロール３１が収納されている。また上記スパッタ室１２０にはローラ１２１が設置されていて、そのローラ１２１を矢印ア方向に回転することにより、そのローラ１２１の表面の一部に上記ロールフィルム繰出室１１０から矢印イ方向に繰り出されたベースフィルム１１を巻き付けて、上記ロールフィルム巻取室１３０へ向けて矢印ウ方向に送出している。そして上記ローラ１２１の回動方向の表面にそって、かつ所定の距離をおいて、電極（カソード）１２２〔前記図３の（１）のターゲット６１の一組分に相当〕が複数設置されている。また上記ロールフィルム巻取室１３０には巻取ローラ１３１が設置されていて、その巻取ローラ１３１はスパッタ室１２０から送出されたベースフィルム１１を巻き取る。

上記スパッタリング装置１０１は、ロールフィルム繰出室１１０から繰り出されたベースフィルム１１をローラ１２１の表面の一部に巻き付けて、ロールフィルム巻取室１３０に送出する際に、電極１２２に交流を印加して、ベースフィルム１１にスパッタ成膜を行う。そしてスパッタリング雰囲気を変えることにより、ＳｉＯ_x 膜、ＳｉＯ₂ 膜、ＩＴＯ膜等を成膜して、上記実施形態で説明したような反射防止膜２０を形成する。

以下に、上記実施形態で説明したような条件により、反射防止膜を成膜する一例を、実施例として説明する。またあわせて従来の技術により反射防止膜を成膜した一例を比較例として示す。なお、実施例の各構成部品には前記実施形態で説明した構成部品と同様の符号を付与して説明する。

ベースフィルム１１には、１８８μｍの厚さのＰＥＴフィルム１２膜に５μｍの厚さのハードコート膜１３を形成したものを用いる。そしてこのハードコート膜１３上に反射防止膜２０を表１のような条件で成膜する。表１においては、実施例の各膜は最下層のＳｉＯ_x 膜２１から順にＳｉＯ₂ 膜２５まで記載してある。また同様に比較例の各膜も最下層より順に記載してある。その際のベースフィルム１１の走行速度は０．８ｍ／分とする。またスパッタリングにおけるグロー放電条件としては、真空度を０．４Ｐａ、アルゴン（Ａｒ）の流量を５０ｓｃｃｍ、電圧を５００Ｖ、パワーを０．１ｋＷに設定してスパッタリングを行った。この実施例では、スパッタリング装置の電極材料にアルミニウムを用い、比較例では、電極材料にステンレス（ＳＵＳ３０４）を用いた。

上記実施例および比較例ともに光学反射率は４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長領域において０．４％であり、電気抵抗は実施例が２５０Ω／□、比較例が１２０Ω／□であった。また全光線透過率は双方ともに９０％であった。次に高温高湿条件と＋７０℃（５時間）と−４０℃（５時間）とを１サイクルとして５サイクル繰り返すような温度サイクル後の付着強度を、図６の（１）に示すように、２ｋｇの負荷１７１をかけたヘッド１７２をエチルアルコールを湿らせたガーゼ１７３（例えば４枚重ねのガーゼ）を介して反射防止膜２０の表面に押しつけて、１０ｃｍの距離を矢印方向に２０往復擦る、荷重擦り試験を行った。図６の（２）に示すように、その荷重をかけるヘッド１７１の先端形状は、平面視円形状（直径２３．３ｍｍ）〔平面図参照〕でかつ断面楕円形状（長径２３．３ｍｍ、短径１０ｍｍ）〔断面図参照〕を成し、実際の接触面１７２Ａの直径がおよそ１７ｍｍ、接触面積がおよそ２．３ｃｍ² である。その結果、実施例により成膜した反射防止膜の表面傷発生は皆無であったが、比較例では、１００サンプル中５０サンプルで剥離傷を生じた。そのため、実施例の反射防止膜の歩留りは比較例の反射防止膜の歩留りよりも２倍程度良くなった。

なお、上記説明では、全光線透過率の規格を９０％以上とした場合について記載したが、その規格は適宜変更される。しかしながら、本発明により反射防止膜の製造上の許容度が広くなるという原理は何ら変わるものではない。すなわち、全光線透過率は、ＣＲＴに反射防止膜を貼り付けて用いる場合、９０％以上を必要とする場合の他、ＣＲＴパネルガラスに透過率を高めたガラスを用いた場合には反射防止膜の全光線透過率が８０％以上程度で良い場合がある。したがって、ＣＲＴパネルガラスの透過率に適合した全光線透過率の規格を用いればよい。

また、ハードコート付きＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムからなるベースフィルム自体の全光線透過率は９２％〜９４％であるため、反射防止膜全体として９０％以上の全光線透過率を得るためには、スパッタ膜による反射防止膜全体としての透過率の減少分に許容されるのは２％〜５％程度である。

本発明の反射防止膜に係わる実施形態の要部断面図である。 表面活性化処理の説明図である。 デュアルマグネトロン方式とシングルマグネトロン方式のスパッタリングの説明図である。 スパッタリング方式に相違による成膜例の要部断面図である。 デュアルマグネトロン方式のスパッタリング装置に係わる一例の概略構成図である。 荷重擦り試験装置の説明図である。

符号の説明

１１…ベースフィルム、２０…反射防止膜、２１…酸化シリコン（ＳｉＯ_x ）膜、２２，２４…インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、２３，２５…酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）膜

Claims (5)

1. ベースフィルム上に順に形成されたＳｉＯ _x 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜を有し、
   前記最上層の酸化シリコン膜の膜厚は、該酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成されていて、
   前記反射防止膜の波長が４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の全光線透過率が９０％以上を有し、
   前記ＳｉＯ _x 膜のｘの範囲を０．５〜１．９とする
   反射防止膜。
2. ベースフィルム上にＳｉＯ _x 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜、インジウムスズ酸化膜、ＳｉＯ ₂ 膜を順に形成する工程を有し、
   前記ＳｉＯ_x のｘの範囲を０．５〜１．９とし、
   前記最上層の酸化シリコン膜の膜厚を、該酸化シリコン膜の直下のインジウムスズ酸化膜の膜厚よりも厚く形成する
   反射防止膜の製造方法。
3. 前記ＳｉＯ _x 膜の光吸収を測定することによりシリコンの酸化度を制御する
   請求項３記載の反射防止膜の製造方法。
4. 前記ＳｉＯ _x 膜を形成する前に、ＳｉＯ _x 膜を形成する下地に対してアルミニウム電極を用いたグロー放電による表面活性化処理を行う
   請求項３記載の反射防止膜の製造方法。
5. 前記反射防止膜を構成する膜をデュアルマグネトロン方式のスパッタ装置により形成する
   請求項３記載の反射防止膜の製造方法。

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