JP2003114302A - 反射防止フィルム及び反射防止偏光板の製造方法 - Google Patents
反射防止フィルム及び反射防止偏光板の製造方法Info
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- JP2003114302A JP2003114302A JP2001308542A JP2001308542A JP2003114302A JP 2003114302 A JP2003114302 A JP 2003114302A JP 2001308542 A JP2001308542 A JP 2001308542A JP 2001308542 A JP2001308542 A JP 2001308542A JP 2003114302 A JP2003114302 A JP 2003114302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐アルカリ性に優れたＡＲフィルムを用い
て、反射防止性能に優れたＬＣＤ用偏光板を容易に製造
する。 【解決手段】 ＴＡＣベースと反射防止層との間にＺｒ
Ｏx（但し、ｘ＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＳｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但
し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯ
x（但し、ｘ＝０．２〜１．５）から選択される少なく
とも一種の材料からなる下地層を設けるとともに、反射
防止層の表面にパーフルオロポリエーテル基を有するア
ルコキシシラン化合物からなる防汚層を形成し、さらに
その上に保護フィルムをラミネートして、偏光板貼着用
のＡＲフィルムを作製する。
て、反射防止性能に優れたＬＣＤ用偏光板を容易に製造
する。 【解決手段】 ＴＡＣベースと反射防止層との間にＺｒ
Ｏx（但し、ｘ＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＳｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但
し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯ
x（但し、ｘ＝０．２〜１．５）から選択される少なく
とも一種の材料からなる下地層を設けるとともに、反射
防止層の表面にパーフルオロポリエーテル基を有するア
ルコキシシラン化合物からなる防汚層を形成し、さらに
その上に保護フィルムをラミネートして、偏光板貼着用
のＡＲフィルムを作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＣ（トリアセ
チルセルロース）ベース上に高屈折率層と低屈折率層を
交互に積層してなる耐アルカリ性に優れた反射防止フィ
ルム及びこの耐アルカリ性に優れた反射防止フィルムを
用いて反射防止偏光板（反射防止層付き偏光板）を製造
する方法に関する。
チルセルロース）ベース上に高屈折率層と低屈折率層を
交互に積層してなる耐アルカリ性に優れた反射防止フィ
ルム及びこの耐アルカリ性に優れた反射防止フィルムを
用いて反射防止偏光板（反射防止層付き偏光板）を製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止（Anti-Reflection、以下略し
てＡＲという。）層は、ＣＲＴやＬＣＤ（液晶表示素
子）の画面表面に形成されて、外光の映り込みを防止し
て画面を見やすくしたり、コントラストを上げて画質を
向上させたり、さらにはＡＲ層中に導電性を有する層を
存在させることにより帯電防止や電磁遮蔽効果を持たせ
てホコリの付着防止、健康の安全促進等に対して寄与さ
せることもなされている。
てＡＲという。）層は、ＣＲＴやＬＣＤ（液晶表示素
子）の画面表面に形成されて、外光の映り込みを防止し
て画面を見やすくしたり、コントラストを上げて画質を
向上させたり、さらにはＡＲ層中に導電性を有する層を
存在させることにより帯電防止や電磁遮蔽効果を持たせ
てホコリの付着防止、健康の安全促進等に対して寄与さ
せることもなされている。
【０００３】ＣＲＴ用途としては、特開平11-218603号
公報、特開平9-80205号公報及びH. Ishikawa et al./th
in Solid Films 351 (1991) 212-215の文献等に示され
ているように、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
ベースの上にハードコート層を形成し、さらにその上に
ＳｉＯx／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／ＳｉＯ2やＳｉＯx
／ＴｉＮ／ＳｉＯ2等の積層構造のＡＲ層が形成された
ものが知られている。
公報、特開平9-80205号公報及びH. Ishikawa et al./th
in Solid Films 351 (1991) 212-215の文献等に示され
ているように、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
ベースの上にハードコート層を形成し、さらにその上に
ＳｉＯx／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／ＳｉＯ2やＳｉＯx
／ＴｉＮ／ＳｉＯ2等の積層構造のＡＲ層が形成された
ものが知られている。
【０００４】一方、ＬＣＤ表面に形成するＡＲフィルム
としては、ベース／ＳｉＯx／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2／ＳｉＯ2やベース／ＳｉＯx／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／
ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2等のＴｉＯ2を用いた透明
度の大きな構成が知られている。ＴｉＯ2膜はＩＴＯ膜
に比べて成膜速度が遅いが、ＩＴＯ膜を用いたＡＲ層は
やや黄色みを帯びており、ＬＣＤにおいてはＡＲ層に応
じて色調整することが容易ではないことから、透明度の
高いＴｉＯ2膜が使用されている。
としては、ベース／ＳｉＯx／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2／ＳｉＯ2やベース／ＳｉＯx／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／
ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2等のＴｉＯ2を用いた透明
度の大きな構成が知られている。ＴｉＯ2膜はＩＴＯ膜
に比べて成膜速度が遅いが、ＩＴＯ膜を用いたＡＲ層は
やや黄色みを帯びており、ＬＣＤにおいてはＡＲ層に応
じて色調整することが容易ではないことから、透明度の
高いＴｉＯ2膜が使用されている。
【０００５】ところで、ＬＣＤ用途の真空薄膜形成技術
によるＡＲ層は、従来、偏光板と称するＰＶＡ（ポリビ
ニールアルコール）フィルム偏光子をＴＡＣフィルムで
両側からラミネートした板の上に形成していた。この場
合、厚さ８０μｍのＴＡＣフィルムを用いると偏光板の
厚さは１６０μｍ以上となり、ＡＲ層の成膜を蒸着やス
パッタリングで行おうとすると、真空装置内に大量の材
料を持ち込まねばならず、フィルム２枚分のＴＡＣやＰ
ＶＡからのガス放出によって、安定な真空成膜に不都合
があった。このため、真空中のＡＲ成膜を１枚のＴＡＣ
フィルムのみに行い、これを偏光板に張り合わせる方法
も検討されている。
によるＡＲ層は、従来、偏光板と称するＰＶＡ（ポリビ
ニールアルコール）フィルム偏光子をＴＡＣフィルムで
両側からラミネートした板の上に形成していた。この場
合、厚さ８０μｍのＴＡＣフィルムを用いると偏光板の
厚さは１６０μｍ以上となり、ＡＲ層の成膜を蒸着やス
パッタリングで行おうとすると、真空装置内に大量の材
料を持ち込まねばならず、フィルム２枚分のＴＡＣやＰ
ＶＡからのガス放出によって、安定な真空成膜に不都合
があった。このため、真空中のＡＲ成膜を１枚のＴＡＣ
フィルムのみに行い、これを偏光板に張り合わせる方法
も検討されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では、ＴＡＣフィルムと偏光板のＰＶＡとの接着性を
高めるために前処理として行われるＴＡＣベース裏面の
熱アルカリ浴浸漬鹸化処理によって、ＴＡＣベース上の
ＡＲ層が破壊されるという不都合があった。
法では、ＴＡＣフィルムと偏光板のＰＶＡとの接着性を
高めるために前処理として行われるＴＡＣベース裏面の
熱アルカリ浴浸漬鹸化処理によって、ＴＡＣベース上の
ＡＲ層が破壊されるという不都合があった。
【０００７】ここで、熱アルカリ浴浸漬鹸化処理とは、
ＴＡＣフィルムの表面を荒らして表面積を大きくし、後
工程のＰＶＡフィルムとの接着強度を強めるために、Ｔ
ＡＣフィルムを１〜３規定度のＮａＯＨやＫＯＨ等のア
ルカリ溶液に４０〜７０℃程度の温度にて浸漬するもの
で、ＡＲ層をあらかじめ形成しておくとＡＲ層が浸食さ
れる不具合が生じていた。
ＴＡＣフィルムの表面を荒らして表面積を大きくし、後
工程のＰＶＡフィルムとの接着強度を強めるために、Ｔ
ＡＣフィルムを１〜３規定度のＮａＯＨやＫＯＨ等のア
ルカリ溶液に４０〜７０℃程度の温度にて浸漬するもの
で、ＡＲ層をあらかじめ形成しておくとＡＲ層が浸食さ
れる不具合が生じていた。
【０００８】本発明は、上記従来技術の問題点に対処し
てなされたもので、ＡＲ層形成後に熱アルカリ溶液に浸
漬されても損傷されることがない、ＬＣＤ用として好適
なＴＡＣベースのＡＲフィルム、及びＴＡＣベースのＡ
Ｒフィルムを用いてＡＲ層付きの反射防止偏光板を製造
する方法を提供することを目的とする。
てなされたもので、ＡＲ層形成後に熱アルカリ溶液に浸
漬されても損傷されることがない、ＬＣＤ用として好適
なＴＡＣベースのＡＲフィルム、及びＴＡＣベースのＡ
Ｒフィルムを用いてＡＲ層付きの反射防止偏光板を製造
する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、トリアセチルセルロースベース上に高屈折率層と
低屈折率層が交互に積層された反射防止層が形成されて
なる反射防止フィルムにおいて、前記トリアセチルセル
ロースベースと反射防止層との間にＺｒＯx（但し、ｘ
＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯ
x（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜
２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）から選択される少なくとも一種の材料
からなる下地層が形成され、かつ前記反射防止層の表面
に防汚層が形成されてなることを特徴とする反射防止フ
ィルムである。
明は、トリアセチルセルロースベース上に高屈折率層と
低屈折率層が交互に積層された反射防止層が形成されて
なる反射防止フィルムにおいて、前記トリアセチルセル
ロースベースと反射防止層との間にＺｒＯx（但し、ｘ
＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯ
x（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜
２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）から選択される少なくとも一種の材料
からなる下地層が形成され、かつ前記反射防止層の表面
に防汚層が形成されてなることを特徴とする反射防止フ
ィルムである。
【００１０】請求項１の発明においては、上記下地層に
よりＡＲ層とＴＡＣベースとの接着性が強まり、アルカ
リ溶液によるＡＲ層の剥離が抑制されるとともに、ＡＲ
層表面の防汚層と保護フィルムにより、ＡＲ層の表面か
らのアルカリ浸食が抑制され、耐アルカリ性に優れたＡ
Ｒフィルムを得ることが可能となる。
よりＡＲ層とＴＡＣベースとの接着性が強まり、アルカ
リ溶液によるＡＲ層の剥離が抑制されるとともに、ＡＲ
層表面の防汚層と保護フィルムにより、ＡＲ層の表面か
らのアルカリ浸食が抑制され、耐アルカリ性に優れたＡ
Ｒフィルムを得ることが可能となる。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１のＡＲフィル
ムにおいて、高屈折率層がＴｉＯ2層を有することを特
徴とする。ＴｉＯ2層は、ＩＴＯ層と比べて成膜速度は
遅いが、４００〜６５０ｎｍの波長範囲において透明度
が高く分光透過率の変動が小さいため、高屈折率層とし
て少なくとも１層にＴｉＯ2層を用いることにより、Ｌ
ＣＤ用途に適した無色高透明なＡＲ層を構成することが
可能となる。
ムにおいて、高屈折率層がＴｉＯ2層を有することを特
徴とする。ＴｉＯ2層は、ＩＴＯ層と比べて成膜速度は
遅いが、４００〜６５０ｎｍの波長範囲において透明度
が高く分光透過率の変動が小さいため、高屈折率層とし
て少なくとも１層にＴｉＯ2層を用いることにより、Ｌ
ＣＤ用途に適した無色高透明なＡＲ層を構成することが
可能となる。
【００１２】請求項３の発明は、請求項１のＡＲフィル
ムにおいて、高屈折率層がＮｂ2Ｏ5層を有することを特
徴とする。Ｎｂ2Ｏ5層は、ＴｉＯ2層とほぼ同様の透明
度を有するにもかかわらず、成膜速度を２〜３倍にする
ことができるため、高屈折率層として少なくとも１層に
Ｎｂ2Ｏ5層を用いることにより、ＬＣＤ用途に適した無
色高透明なＡＲフィルムをより安価に生産することが可
能となる。
ムにおいて、高屈折率層がＮｂ2Ｏ5層を有することを特
徴とする。Ｎｂ2Ｏ5層は、ＴｉＯ2層とほぼ同様の透明
度を有するにもかかわらず、成膜速度を２〜３倍にする
ことができるため、高屈折率層として少なくとも１層に
Ｎｂ2Ｏ5層を用いることにより、ＬＣＤ用途に適した無
色高透明なＡＲフィルムをより安価に生産することが可
能となる。
【００１３】請求項４の発明は、請求項１のＡＲフィル
ムにおいて、高屈折率層が、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から
選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を主成分として含
有し、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂから選ば
れる少なくとも一種の元素の酸化物成分を、ＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5に換
算して５モル％以上、４０モル％以下含有してなる酸化
物層を有することを特徴とする。
ムにおいて、高屈折率層が、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から
選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を主成分として含
有し、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂから選ば
れる少なくとも一種の元素の酸化物成分を、ＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5に換
算して５モル％以上、４０モル％以下含有してなる酸化
物層を有することを特徴とする。
【００１４】請求項４のＡＲフィルムにおいて、Ｉｎ2
Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれる少なくとも一種の金属酸化
物を主成分に、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、
ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一種の元
素の酸化物成分を５〜４０モル％含有する酸化物層は、
ＩＴＯ層と比べて４００ｎｍ近傍の分光透過率の低下が
改善され、かつＩＴＯ層とほぼ同等の成膜速度が得られ
るため、高屈折率層として少なくとも１層この層を用い
ることにより、ＬＣＤ用途に適した無色高透明のＡＲ層
を安価に構成することが可能となるとともに、透明性を
損なうことなくＡＲ層に導電性を付与することが可能と
なる。
Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれる少なくとも一種の金属酸化
物を主成分に、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、
ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一種の元
素の酸化物成分を５〜４０モル％含有する酸化物層は、
ＩＴＯ層と比べて４００ｎｍ近傍の分光透過率の低下が
改善され、かつＩＴＯ層とほぼ同等の成膜速度が得られ
るため、高屈折率層として少なくとも１層この層を用い
ることにより、ＬＣＤ用途に適した無色高透明のＡＲ層
を安価に構成することが可能となるとともに、透明性を
損なうことなくＡＲ層に導電性を付与することが可能と
なる。
【００１５】請求項５の発明は、請求項１のＡＲフィル
ムにおいて、防汚層が、パーフルオロポリエーテル基を
有するアルコキシシラン化合物により形成されてなるこ
とを特徴とする。パーフルオロポリエーテル基を有する
アルコキシシラン化合物は、３〜１０nm程度の薄い層で
十分な撥水性を有するので、光学反射特性を阻害するこ
となくＡＲ層表面の耐アルカリ性の向上が可能となり、
防汚層の上にさらに保護フィルムをラミネートすること
でＡＲ層表面のアルカリ浸食を完全に防ぐことが可能と
なる。
ムにおいて、防汚層が、パーフルオロポリエーテル基を
有するアルコキシシラン化合物により形成されてなるこ
とを特徴とする。パーフルオロポリエーテル基を有する
アルコキシシラン化合物は、３〜１０nm程度の薄い層で
十分な撥水性を有するので、光学反射特性を阻害するこ
となくＡＲ層表面の耐アルカリ性の向上が可能となり、
防汚層の上にさらに保護フィルムをラミネートすること
でＡＲ層表面のアルカリ浸食を完全に防ぐことが可能と
なる。
【００１６】請求項６の発明は、ＴＡＣベース上に高屈
折率層と低屈折率層が交互に積層されたＡＲ層を形成し
てなるＡＲフィルムの耐アルカリ性を向上させる方法に
おいて、ＴＡＣベースとＡＲ層との間にＺｒＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、Ｓ
ｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝
１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ
＝０．２〜１．５）から選択される少なくとも一種の材
料からなる下地層を設けるとともに、ＡＲ層の表面に防
汚層を形成し、さらにその上に保護フィルムをラミネー
トすることを特徴とする。
折率層と低屈折率層が交互に積層されたＡＲ層を形成し
てなるＡＲフィルムの耐アルカリ性を向上させる方法に
おいて、ＴＡＣベースとＡＲ層との間にＺｒＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、Ｓ
ｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝
１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ
＝０．２〜１．５）から選択される少なくとも一種の材
料からなる下地層を設けるとともに、ＡＲ層の表面に防
汚層を形成し、さらにその上に保護フィルムをラミネー
トすることを特徴とする。
【００１７】請求項７の発明は、ＡＲ層を有する反射防
止偏光板の製造方法において、高屈折率層と低屈折率層
が交互に積層されてなるＡＲ層をＺｒＯx（但し、ｘ＝
１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ
＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜
１．５）から選択される少なくとも一種の材料からなる
下地層を介してトリアセチルセルロースベースの上に形
成するとともに該ＡＲ層の表面に防汚層を形成してなる
ＡＲフィルムを用い、防汚層の表面に保護フィルムをラ
ミネートした状態で、ＴＡＣベースの裏面を熱アルカリ
浴浸漬鹸化処理した後、偏光板に貼着することを特徴と
する。
止偏光板の製造方法において、高屈折率層と低屈折率層
が交互に積層されてなるＡＲ層をＺｒＯx（但し、ｘ＝
１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ
＝０．２〜０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜
１．５）から選択される少なくとも一種の材料からなる
下地層を介してトリアセチルセルロースベースの上に形
成するとともに該ＡＲ層の表面に防汚層を形成してなる
ＡＲフィルムを用い、防汚層の表面に保護フィルムをラ
ミネートした状態で、ＴＡＣベースの裏面を熱アルカリ
浴浸漬鹸化処理した後、偏光板に貼着することを特徴と
する。
【００１８】請求項７の発明においては、耐アルカリ性
を向上させたＡＲフィルムを用いて、これを熱アルカリ
浴浸漬鹸化処理して、偏光板に張り合わせることによ
り、ＡＲ層を損なうことなくＡＲフィルムを偏光板に良
好に接着することができ、品質の優れた反射防止偏光板
を容易に製造することが可能となる。
を向上させたＡＲフィルムを用いて、これを熱アルカリ
浴浸漬鹸化処理して、偏光板に張り合わせることによ
り、ＡＲ層を損なうことなくＡＲフィルムを偏光板に良
好に接着することができ、品質の優れた反射防止偏光板
を容易に製造することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態に
かかるＡＲフィルムの積層断面を示すもので、ＴＡＣベ
ース１上に、ハードコート層３、下地層５、高屈折率層
７、低屈折率層９、高屈折率層１１、低屈折率層１３、
防汚層１５、及び保護フィルム１７が順次積層されてい
る。
施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態に
かかるＡＲフィルムの積層断面を示すもので、ＴＡＣベ
ース１上に、ハードコート層３、下地層５、高屈折率層
７、低屈折率層９、高屈折率層１１、低屈折率層１３、
防汚層１５、及び保護フィルム１７が順次積層されてい
る。
【００２０】すなわち、本実施の形態では、後工程で偏
光板に張り合わせるときに前処理として行われる熱アル
カリ浴浸漬鹸化処理に対して耐性を持たせるために、ハ
ードコート層３が形成されたＴＡＣベース１上に、スパ
ッタ膜の第１層として、ＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但し、
ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ＝
０．２〜０．６）またはＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜
１．５）からなる下地層５が形成され、ついでＡＲ層と
して高屈折率層７、ＳｉＯ2等の低屈折率層９、高屈折
率層１１、ＳｉＯ2等の低屈折率層１３の順でスパッタ
膜が形成された後、低屈折率層１３の表面に撥水作用を
有する防汚層１５が形成され、さらにその上に保護フィ
ルム１７がラミネートされる。
光板に張り合わせるときに前処理として行われる熱アル
カリ浴浸漬鹸化処理に対して耐性を持たせるために、ハ
ードコート層３が形成されたＴＡＣベース１上に、スパ
ッタ膜の第１層として、ＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但し、
ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ＝
０．２〜０．６）またはＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜
１．５）からなる下地層５が形成され、ついでＡＲ層と
して高屈折率層７、ＳｉＯ2等の低屈折率層９、高屈折
率層１１、ＳｉＯ2等の低屈折率層１３の順でスパッタ
膜が形成された後、低屈折率層１３の表面に撥水作用を
有する防汚層１５が形成され、さらにその上に保護フィ
ルム１７がラミネートされる。
【００２１】ＴＡＣベース上に形成されるハードコート
層３の材料としては、シリコン系材料、多官能アクリレ
ート系材料、ウレタン樹脂系材料、メラミン樹脂系材
料、エポキシ樹脂系材料等が挙げられるが、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）等の紫外線硬化処理を含む
アクリレート系材料が、鉛筆硬度、透明性、クラックの
発生し難さ等の総合性能の点で好ましい。
層３の材料としては、シリコン系材料、多官能アクリレ
ート系材料、ウレタン樹脂系材料、メラミン樹脂系材
料、エポキシ樹脂系材料等が挙げられるが、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）等の紫外線硬化処理を含む
アクリレート系材料が、鉛筆硬度、透明性、クラックの
発生し難さ等の総合性能の点で好ましい。
【００２２】下地層５、高屈折率層７、低屈折率層９、
高屈折率層１１及び低屈折率層１３のスパッタ膜は、上
記ハードコート層３を形成されたＴＡＣベース１上に、
例えば図２に示すようなスパッタ装置を用いて成膜され
る。
高屈折率層１１及び低屈折率層１３のスパッタ膜は、上
記ハードコート層３を形成されたＴＡＣベース１上に、
例えば図２に示すようなスパッタ装置を用いて成膜され
る。
【００２３】図２において、スパッタ装置はハードコー
ト層があらかじめ形成されたロール状のフィルム１０１
を繰り出す巻出し室１０３と、フィルム１０１上にスパ
ッタリングを行うスパッタ室１０５と、フィルム１０１
を巻き取る巻取り室１０７が連続して設けられている。
スパッタ室１０５には、フィルム１０１を巻き付けて矢
印方向に走行させるメインローラ１０９が設置され、メ
インローラ１０９の周囲に一定の距離をおいて、ターゲ
ットを載置したカソード１１１が複数設置されている。
この構成において、各カソード１１１表面に酸素ガス雰
囲気を形成し、カソード１１１に電圧を印加することに
より、各カソード１１１に載置したターゲットに応じた
スパッタ膜がフィルム１０１上に順次成膜される。
ト層があらかじめ形成されたロール状のフィルム１０１
を繰り出す巻出し室１０３と、フィルム１０１上にスパ
ッタリングを行うスパッタ室１０５と、フィルム１０１
を巻き取る巻取り室１０７が連続して設けられている。
スパッタ室１０５には、フィルム１０１を巻き付けて矢
印方向に走行させるメインローラ１０９が設置され、メ
インローラ１０９の周囲に一定の距離をおいて、ターゲ
ットを載置したカソード１１１が複数設置されている。
この構成において、各カソード１１１表面に酸素ガス雰
囲気を形成し、カソード１１１に電圧を印加することに
より、各カソード１１１に載置したターゲットに応じた
スパッタ膜がフィルム１０１上に順次成膜される。
【００２４】このようなスパッタ装置により、ＴＡＣベ
ース１のハードコート層３上に、ＺｒＯx（但し、ｘ＝
１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ
＝０．２〜０．６）またはＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２
〜１．５）から選ばれる少なくとも一種の材料からなる
下地層５が最初に形成される。このような下地層５は、
例えば、ターゲット材料として、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃ
ｒの酸素との親和力の大きい高融点金属を用いて、酸素
を５０体積％含むＡｒ雰囲気中でスパッタリングするこ
とにより形成される。これにより、ターゲット材料の金
属が一部酸化されて上述したような金属酸化物となると
きに、ハードコート材料の有機分子を構成する酸素とも
結合してハードコートとの間に強固な付着層を形成する
ことができる。一方、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｃ
ｒ2Ｏ3の酸化物材料をターゲットとしてスパッタ成膜す
る場合には、ハードコートとの間に強固な付着層を形成
することが難しい場合がある。
ース１のハードコート層３上に、ＺｒＯx（但し、ｘ＝
１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ
＝０．２〜０．６）またはＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２
〜１．５）から選ばれる少なくとも一種の材料からなる
下地層５が最初に形成される。このような下地層５は、
例えば、ターゲット材料として、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃ
ｒの酸素との親和力の大きい高融点金属を用いて、酸素
を５０体積％含むＡｒ雰囲気中でスパッタリングするこ
とにより形成される。これにより、ターゲット材料の金
属が一部酸化されて上述したような金属酸化物となると
きに、ハードコート材料の有機分子を構成する酸素とも
結合してハードコートとの間に強固な付着層を形成する
ことができる。一方、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｃ
ｒ2Ｏ3の酸化物材料をターゲットとしてスパッタ成膜す
る場合には、ハードコートとの間に強固な付着層を形成
することが難しい場合がある。
【００２５】図３は、ハードコートとの付着強度を調べ
るために用いた付着強度試験装置を示すもので、下地層
５及びＡＲ層のスパッタ膜を成膜したフィルム２０１上
に、２ｋｇの負荷２０３をかけたヘッド２０５をエチル
アルコールを含浸させた例えば４枚重ねのガーゼ２０７
を介して押し付け、１０ｃｍの距離を矢印方向に往復さ
せて、フィルム２０１におけるスパッタ膜の付着強度の
評価を行うものである。ここで、ヘッド２０５は断面が
楕円形状（長径２３．３ｍｍ、短径１０ｍｍ）であり、
平面が図４に示すように直径２３．３ｍｍの円形状で、
実際の接触面（図中点線で示す。）の直径が約１７ｍ
ｍ、接触面積が約２．３ｃｍ2である。この付着強度試
験装置を用いて、フィルム２０１に剥がれが生じるまで
のヘッド２０５の往復回数を測定したところ、上記Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒの金属ターゲットを用いて下地層
５を形成した場合は、３０〜５０回以上の往復テストに
無傷であったが、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ
3の酸化物ターゲットを用いた場合は、５回以下の往復
で剥離を生じた。なお、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒの中で
は、Ｓｉが低屈折率層のＳｉＯ2にも常時使用するもの
であるため使いやすい材料である。
るために用いた付着強度試験装置を示すもので、下地層
５及びＡＲ層のスパッタ膜を成膜したフィルム２０１上
に、２ｋｇの負荷２０３をかけたヘッド２０５をエチル
アルコールを含浸させた例えば４枚重ねのガーゼ２０７
を介して押し付け、１０ｃｍの距離を矢印方向に往復さ
せて、フィルム２０１におけるスパッタ膜の付着強度の
評価を行うものである。ここで、ヘッド２０５は断面が
楕円形状（長径２３．３ｍｍ、短径１０ｍｍ）であり、
平面が図４に示すように直径２３．３ｍｍの円形状で、
実際の接触面（図中点線で示す。）の直径が約１７ｍ
ｍ、接触面積が約２．３ｃｍ2である。この付着強度試
験装置を用いて、フィルム２０１に剥がれが生じるまで
のヘッド２０５の往復回数を測定したところ、上記Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒの金属ターゲットを用いて下地層
５を形成した場合は、３０〜５０回以上の往復テストに
無傷であったが、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ
3の酸化物ターゲットを用いた場合は、５回以下の往復
で剥離を生じた。なお、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒの中で
は、Ｓｉが低屈折率層のＳｉＯ2にも常時使用するもの
であるため使いやすい材料である。
【００２６】低屈折率層９、１３としては、ＳｉＯ2膜
などが用いられるが、高屈折率層７、１１には、ＴｉＯ
2膜、Ｎｂ2Ｏ5膜、ＩＴＯ膜、さらにはＩｎ2Ｏ3または
ＩＴＯに対してＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、
ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の酸化物成分が添加された酸化物
膜などが用いられる。特にＮｂ2Ｏ5膜は、可視光領域で
ＴｉＯ2膜とほぼ同等の透明度を有し、かつＴｉＯ2膜よ
り２〜３倍速く成膜することができるため、高屈折率層
７、１１の少なくとも一つにＮｂ2Ｏ5膜を用いることに
より、ＬＣＤ用として好適なＡＲフィルムを安価に生産
することができる。また、ＩＴＯ膜は４００ｎｍ近傍の
低波長域で透過率が低く黄色みを帯びる欠点があるが、
導電性を有するため、光学的に影響の小さい膜厚にして
ＴｉＯ2膜やＮｂ2Ｏ5膜と併用することで、透明度を損
なうことなくの導電性を付与することができる。さら
に、Ｉｎ2Ｏ3またはＩＴＯを基本材料としてＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5から選
ばれる少なくとも一種の酸化物成分を５〜４０モル％含
有する酸化物膜は、ＩＴＯ膜と比べて４００ｎｍ近傍の
低波長側の分光透過率が改善され、かつＩＴＯ膜と同等
の速度で成膜可能なため、導電性を有するＡＲ層を形成
する場合には好適である。
などが用いられるが、高屈折率層７、１１には、ＴｉＯ
2膜、Ｎｂ2Ｏ5膜、ＩＴＯ膜、さらにはＩｎ2Ｏ3または
ＩＴＯに対してＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、
ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の酸化物成分が添加された酸化物
膜などが用いられる。特にＮｂ2Ｏ5膜は、可視光領域で
ＴｉＯ2膜とほぼ同等の透明度を有し、かつＴｉＯ2膜よ
り２〜３倍速く成膜することができるため、高屈折率層
７、１１の少なくとも一つにＮｂ2Ｏ5膜を用いることに
より、ＬＣＤ用として好適なＡＲフィルムを安価に生産
することができる。また、ＩＴＯ膜は４００ｎｍ近傍の
低波長域で透過率が低く黄色みを帯びる欠点があるが、
導電性を有するため、光学的に影響の小さい膜厚にして
ＴｉＯ2膜やＮｂ2Ｏ5膜と併用することで、透明度を損
なうことなくの導電性を付与することができる。さら
に、Ｉｎ2Ｏ3またはＩＴＯを基本材料としてＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5から選
ばれる少なくとも一種の酸化物成分を５〜４０モル％含
有する酸化物膜は、ＩＴＯ膜と比べて４００ｎｍ近傍の
低波長側の分光透過率が改善され、かつＩＴＯ膜と同等
の速度で成膜可能なため、導電性を有するＡＲ層を形成
する場合には好適である。
【００２７】図５及び図６は、６０ｎｍ膜厚のＮｂ2Ｏ5
膜、ＴｉＯ2膜、ＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ2Ｏ3−１７モ
ル％ＳｎＯ2）膜及び上記複数の酸化物成分からなる酸
化物膜の各分光透過率特性を曲線ａ〜ｈにて示すもので
ある。図中、曲線ａ〜ｈに対応する酸化物膜の組成は、
ａ：Ｎｂ2Ｏ5膜、ｂ：ＴｉＯ2膜、ｃ：ＩＴＯ膜、ｄ：
７３モル％Ｉｎ2Ｏ3−２７モル％ＺｎＯ、ｅ：７８モル
％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％ＳｉＯ2、
ｆ：７８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モ
ル％ＭｇＯ、ｇ：８０モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％Ｓｎ
Ｏ2−８モル％Ａｌ2Ｏ3、ｈ：７５モル％Ｉｎ2Ｏ3−１
２モル％ＳｎＯ2−７モル％ＭｇＯ−６モル％ＴｉＯ2で
ある。なお、Ｎｂ2Ｏ5膜及びＴｉＯ2膜はＮｉまたはＴ
ｉの金属ターゲットを用い、ＩＴＯ膜及びその他の酸化
物膜はそれぞれ対応する組成の酸化物ターゲットを用い
て成膜しており、それぞれのスパッタ条件は次の通りで
ある。
膜、ＴｉＯ2膜、ＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ2Ｏ3−１７モ
ル％ＳｎＯ2）膜及び上記複数の酸化物成分からなる酸
化物膜の各分光透過率特性を曲線ａ〜ｈにて示すもので
ある。図中、曲線ａ〜ｈに対応する酸化物膜の組成は、
ａ：Ｎｂ2Ｏ5膜、ｂ：ＴｉＯ2膜、ｃ：ＩＴＯ膜、ｄ：
７３モル％Ｉｎ2Ｏ3−２７モル％ＺｎＯ、ｅ：７８モル
％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％ＳｉＯ2、
ｆ：７８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モ
ル％ＭｇＯ、ｇ：８０モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％Ｓｎ
Ｏ2−８モル％Ａｌ2Ｏ3、ｈ：７５モル％Ｉｎ2Ｏ3−１
２モル％ＳｎＯ2−７モル％ＭｇＯ−６モル％ＴｉＯ2で
ある。なお、Ｎｂ2Ｏ5膜及びＴｉＯ2膜はＮｉまたはＴ
ｉの金属ターゲットを用い、ＩＴＯ膜及びその他の酸化
物膜はそれぞれ対応する組成の酸化物ターゲットを用い
て成膜しており、それぞれのスパッタ条件は次の通りで
ある。
【００２８】＜Ｎｂ及びＴｉターゲット使用時のスパッ
タ条件＞ 雰囲気ガス：Ａｒ−５０体積％Ｏ2 電力密度：６Ｗ／ｃｍ2 基板：ハードコート付ＴＡＣベース ＜ＩＴＯ及びその他の酸化物ターゲット使用時のスパッ
タ条件＞ 雰囲気ガス：Ａｒ−１０体積％Ｏ2 電力密度：３．６Ｗ／ｃｍ2 基板：ハードコート付ＴＡＣベース 到達真空度としては、０．００１Ｐａ迄真空排気を行
い、その後、Ａｒガス、酸素ガス等のガスを導入し、ス
パッタリング時のガス圧として０．１〜０．５Ｐａにお
いて成膜を実施した。
タ条件＞ 雰囲気ガス：Ａｒ−５０体積％Ｏ2 電力密度：６Ｗ／ｃｍ2 基板：ハードコート付ＴＡＣベース ＜ＩＴＯ及びその他の酸化物ターゲット使用時のスパッ
タ条件＞ 雰囲気ガス：Ａｒ−１０体積％Ｏ2 電力密度：３．６Ｗ／ｃｍ2 基板：ハードコート付ＴＡＣベース 到達真空度としては、０．００１Ｐａ迄真空排気を行
い、その後、Ａｒガス、酸素ガス等のガスを導入し、ス
パッタリング時のガス圧として０．１〜０．５Ｐａにお
いて成膜を実施した。
【００２９】図５から明らかなように、ＴｉＯ2膜及び
Ｎｂ2Ｏ5膜は４００ｎｍの低波長域での光線透過率も高
く、広い波長範囲において高い透明性を有する。また、
図５及び図６から明らかなように、Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯに
ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2
Ｏ5等を添加した酸化物膜では、ＩＴＯ膜より４００ｎ
ｍの低波長側における透過率が約１０％程度以上大きく
なっている。
Ｎｂ2Ｏ5膜は４００ｎｍの低波長域での光線透過率も高
く、広い波長範囲において高い透明性を有する。また、
図５及び図６から明らかなように、Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯに
ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2
Ｏ5等を添加した酸化物膜では、ＩＴＯ膜より４００ｎ
ｍの低波長側における透過率が約１０％程度以上大きく
なっている。
【００３０】Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯに添加成分として用いら
れるＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及び
Ｎｂ2Ｏ5は、それ自体低波長側の光線透過率が高く、か
つＩｎ2Ｏ3やＳｎＯ2と混合融解したときにガラス化し
やすく、ガラス組織ネットワークを形成しやすい酸化物
（例えば、ＳｉＯ2はＳｉ同士の結合を介してのガラス
網目形成酸化物の代表である。）であり、これをＩｎ2
Ｏ3またはＩＴＯに添加することにより、Ｉｎ2Ｏ3また
はＩＴＯのみからなるものよりも低波長側の透過率を高
めることができるものである。したがって、これらの酸
化物膜は、ＩＴＯ膜と同程度の成膜速度を維持しながら
ＩＴＯ膜の黄色みを消すことが可能であり、そのために
は、Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯを基本材料とした酸化物膜中のＳ
ｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2
Ｏ5の含有量を合計で５モル％以上４０モル％以下とす
ることが望ましい。５モル％以下では低波長域での透過
率改善効果が少なく、４０モル％以上ではＩｎ2Ｏ3及び
ＳｎＯ2の比率が小さくなり過ぎてスパッタ成膜速度が
大きいという利点が得られなくなってしまう。さらに、
スパッタ成膜速度と低波長域での透過率特性の両立の観
点から、１０モル％以上３０モル％以下がより好まし
い。
れるＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及び
Ｎｂ2Ｏ5は、それ自体低波長側の光線透過率が高く、か
つＩｎ2Ｏ3やＳｎＯ2と混合融解したときにガラス化し
やすく、ガラス組織ネットワークを形成しやすい酸化物
（例えば、ＳｉＯ2はＳｉ同士の結合を介してのガラス
網目形成酸化物の代表である。）であり、これをＩｎ2
Ｏ3またはＩＴＯに添加することにより、Ｉｎ2Ｏ3また
はＩＴＯのみからなるものよりも低波長側の透過率を高
めることができるものである。したがって、これらの酸
化物膜は、ＩＴＯ膜と同程度の成膜速度を維持しながら
ＩＴＯ膜の黄色みを消すことが可能であり、そのために
は、Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯを基本材料とした酸化物膜中のＳ
ｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2
Ｏ5の含有量を合計で５モル％以上４０モル％以下とす
ることが望ましい。５モル％以下では低波長域での透過
率改善効果が少なく、４０モル％以上ではＩｎ2Ｏ3及び
ＳｎＯ2の比率が小さくなり過ぎてスパッタ成膜速度が
大きいという利点が得られなくなってしまう。さらに、
スパッタ成膜速度と低波長域での透過率特性の両立の観
点から、１０モル％以上３０モル％以下がより好まし
い。
【００３１】さらにまた、例えば７３モル％Ｉｎ2Ｏ3−
２７モル％ＺｎＯの酸化物組成は、ＩＴＯと同等レベル
すなわち３００〜５００μΩ・ｃｍ程度の比抵抗を有す
る膜を形成することができ、ＡＲ層に導電性を付与する
ことができる。すなわち、添加するＺｎＯ、ＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の種類と量を
上記含有量範囲において調整することにより、酸化物膜
の比抵抗を種々選択することができ、帯電防止に必要な
種々の導電性を付与することができる。
２７モル％ＺｎＯの酸化物組成は、ＩＴＯと同等レベル
すなわち３００〜５００μΩ・ｃｍ程度の比抵抗を有す
る膜を形成することができ、ＡＲ層に導電性を付与する
ことができる。すなわち、添加するＺｎＯ、ＳｉＯ2、
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等の種類と量を
上記含有量範囲において調整することにより、酸化物膜
の比抵抗を種々選択することができ、帯電防止に必要な
種々の導電性を付与することができる。
【００３２】これらの酸化物膜を成膜するにあたって
は、酸化物ターゲットを用いても、金属ターゲットを用
いてもよい。酸化物ターゲットとしては、目的のスパッ
タ膜の組成に応じてそれぞれの酸化物材料を混合し、型
プレスし、酸素濃度を調整した雰囲気で焼結したものを
用いることができる。金属ターゲットとしては、目的の
スパッタ膜の組成に対応した金属組成の合金が用いられ
る。金属ターゲットの場合には、スパッタ時に５０％酸
素−５０％Ａｒ流量比のガスを用いるのが好ましく、酸
化物ターゲットの場合には、酸素量を３０％以下、特に
１０％程度とすることが好ましい。
は、酸化物ターゲットを用いても、金属ターゲットを用
いてもよい。酸化物ターゲットとしては、目的のスパッ
タ膜の組成に応じてそれぞれの酸化物材料を混合し、型
プレスし、酸素濃度を調整した雰囲気で焼結したものを
用いることができる。金属ターゲットとしては、目的の
スパッタ膜の組成に対応した金属組成の合金が用いられ
る。金属ターゲットの場合には、スパッタ時に５０％酸
素−５０％Ａｒ流量比のガスを用いるのが好ましく、酸
化物ターゲットの場合には、酸素量を３０％以下、特に
１０％程度とすることが好ましい。
【００３３】さらにまた、これらの酸化物膜には、Ｓｉ
Ｏ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5
等に加えて、ごく微量のＳｂ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｃ
ｅＯ2、ＺｒＯ2、ＴｈＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2
Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3等の透明酸化物が添加されていてもよ
い。
Ｏ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5
等に加えて、ごく微量のＳｂ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｃ
ｅＯ2、ＺｒＯ2、ＴｈＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2
Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3等の透明酸化物が添加されていてもよ
い。
【００３４】ＡＲ層表面の防汚層１５は、低屈折率層１
３のＳｉＯ2層が反応性スパッタリング法により形成さ
れた後、防汚剤の塗布乾燥により形成される。この防汚
層１５を形成する防汚剤としては、好ましくはパーフル
オロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物が
用いられる。アルカリ溶液の浸食に対しては防汚層１５
の撥水作用が有効であり、耐アルカリ性向上の観点から
だけ言えば、撥水性能を有する他のフッ素系樹脂膜も使
用することができるが、パーフルオロポリエーテル基を
有するアルコキシシラン化合物は、防汚層表面の水との
接触角が大きいことや、高温高湿環境における防汚性能
の劣化が少ないこと、表面の摩擦接触後の防汚性能の劣
化が少ないこと、摩擦係数が小さいことなどから優れて
おり、好適である。また、パーフルオロポリエーテル基
を有するアルコキシシラン化合物からなる防汚層は、３
〜１０ｎｍ程度の薄い膜厚で光学反射特性を阻害するこ
となく目的を達することができる。
３のＳｉＯ2層が反応性スパッタリング法により形成さ
れた後、防汚剤の塗布乾燥により形成される。この防汚
層１５を形成する防汚剤としては、好ましくはパーフル
オロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物が
用いられる。アルカリ溶液の浸食に対しては防汚層１５
の撥水作用が有効であり、耐アルカリ性向上の観点から
だけ言えば、撥水性能を有する他のフッ素系樹脂膜も使
用することができるが、パーフルオロポリエーテル基を
有するアルコキシシラン化合物は、防汚層表面の水との
接触角が大きいことや、高温高湿環境における防汚性能
の劣化が少ないこと、表面の摩擦接触後の防汚性能の劣
化が少ないこと、摩擦係数が小さいことなどから優れて
おり、好適である。また、パーフルオロポリエーテル基
を有するアルコキシシラン化合物からなる防汚層は、３
〜１０ｎｍ程度の薄い膜厚で光学反射特性を阻害するこ
となく目的を達することができる。
【００３５】保護フィルム１７は、ＡＲフィルムの熱ア
ルカリ浴浸漬鹸化処理の際のアルカリ溶液の浸食を防ぐ
ために設けられるもので、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ナイロン、ビニール、ポリプロピレン等の
フレキシブルな耐アルカリ性フィルムが用いられる。
ルカリ浴浸漬鹸化処理の際のアルカリ溶液の浸食を防ぐ
ために設けられるもので、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ナイロン、ビニール、ポリプロピレン等の
フレキシブルな耐アルカリ性フィルムが用いられる。
【００３６】上記したように、本実施の形態において
は、ＴＡＣベース１とＡＲ層との間のＳｉＯx等の下地
層５により、外部振動などの応力によるＡＲ層の剥離を
防いでアルカリ浴浸漬時のアルカリ溶液の剥離面からの
浸食を防止するとともに、ＡＲ層表面の防汚層１５及び
保護フィルム１７の存在により、ＡＲ層上面及びＡＲ層
と保護フィルム１７との隙間からのアルカリ溶液の浸食
を防止することができるため、ＡＲフィルムを熱アルカ
リ浴に浸漬して、ガイドロールで屈曲させながらフィル
ム走行させても、ＡＲ層が損傷したり、剥離したりする
ことがなく、したがって品質の優れたＡＲフィルムをＰ
ＶＡフィルムからなる偏光板に接着性よく張り合わせる
ことができ、耐久性及び信頼性に優れたＡＲ層付きの偏
光板（ＡＲ偏光板）を容易に製造することができる。
は、ＴＡＣベース１とＡＲ層との間のＳｉＯx等の下地
層５により、外部振動などの応力によるＡＲ層の剥離を
防いでアルカリ浴浸漬時のアルカリ溶液の剥離面からの
浸食を防止するとともに、ＡＲ層表面の防汚層１５及び
保護フィルム１７の存在により、ＡＲ層上面及びＡＲ層
と保護フィルム１７との隙間からのアルカリ溶液の浸食
を防止することができるため、ＡＲフィルムを熱アルカ
リ浴に浸漬して、ガイドロールで屈曲させながらフィル
ム走行させても、ＡＲ層が損傷したり、剥離したりする
ことがなく、したがって品質の優れたＡＲフィルムをＰ
ＶＡフィルムからなる偏光板に接着性よく張り合わせる
ことができ、耐久性及び信頼性に優れたＡＲ層付きの偏
光板（ＡＲ偏光板）を容易に製造することができる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明を実施例についてさらに詳細に
説明する。 （実施例１）６μｍ厚のハードコート層を形成した８０
μｍ厚のＴＡＣベース上に、 ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ＴｉＯ2層 １２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ３０ｎｍ／ ＴｉＯ2層 １０７ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８６ｎｍ からなる下地層及びＡＲ層をスパッタリング法により形
成し、最上層の表面にパーフルオロポリエーテル基を有
するアルコキシシラン化合物からなる防汚剤を塗布乾燥
して５ｎｍ厚の防汚層を形成し、さらにその上に保護フ
ィルムとして２５μｍ厚のＰＥＴフィルムをラミネート
した。
説明する。 （実施例１）６μｍ厚のハードコート層を形成した８０
μｍ厚のＴＡＣベース上に、 ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ＴｉＯ2層 １２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ３０ｎｍ／ ＴｉＯ2層 １０７ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８６ｎｍ からなる下地層及びＡＲ層をスパッタリング法により形
成し、最上層の表面にパーフルオロポリエーテル基を有
するアルコキシシラン化合物からなる防汚剤を塗布乾燥
して５ｎｍ厚の防汚層を形成し、さらにその上に保護フ
ィルムとして２５μｍ厚のＰＥＴフィルムをラミネート
した。
【００３８】このようにして得られたＡＲフィルムを、
６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に浸漬し、超音波撹拌保
持したところ、１０分以上経過しても全くＡＲ層の剥離
等の異常は認められなかった。一方、上記構成において
ＳｉＯx層、防汚層及び保護フィルムを設けなかったＡ
Ｒフィルムは、同浸漬試験で２分程度でＡＲ層にクラッ
ク及び剥離を発生した。また、このＡＲフィルムにＰＥ
Ｔ保護フィルムをラミネートした場合も、同様に２分程
度でＡＲ層にクラック及び剥離を発生した。これは、た
とえ表面に保護フィルムをラミネートしても、防汚層が
ないため保護フィルムとＡＲ層の界面より熱アルカリ液
の浸透を防止できないこと、また下地層がないため超音
波振動によりハードコートとＡＲ層の界面の剥離が進行
したものと考えられる。
６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に浸漬し、超音波撹拌保
持したところ、１０分以上経過しても全くＡＲ層の剥離
等の異常は認められなかった。一方、上記構成において
ＳｉＯx層、防汚層及び保護フィルムを設けなかったＡ
Ｒフィルムは、同浸漬試験で２分程度でＡＲ層にクラッ
ク及び剥離を発生した。また、このＡＲフィルムにＰＥ
Ｔ保護フィルムをラミネートした場合も、同様に２分程
度でＡＲ層にクラック及び剥離を発生した。これは、た
とえ表面に保護フィルムをラミネートしても、防汚層が
ないため保護フィルムとＡＲ層の界面より熱アルカリ液
の浸透を防止できないこと、また下地層がないため超音
波振動によりハードコートとＡＲ層の界面の剥離が進行
したものと考えられる。
【００３９】以上のことから、ＳｉＯxの下地層の存在
と、パーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシ
ラン化合物からなる防汚層の存在と、ラミネートされた
保護フィルムの存在が極めて有効であることが明らかに
なった。
と、パーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシ
ラン化合物からなる防汚層の存在と、ラミネートされた
保護フィルムの存在が極めて有効であることが明らかに
なった。
【００４０】（実施例２）下記の構成のＡＲフィルムを
作製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートし
た。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
作製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートし
た。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
【００４１】ここで、Ｎｂ2Ｏ5層のスパッタリングは、
デュアルマグネトロン方式のカソードにて２本のＮｂタ
ーゲット間に４０ＫＨｚの交流を印加して、Ａｒ：酸素
ガスの体積比１：１、ガス圧０．１Ｐａで実施した。こ
のスパッタ条件で、ＴｉＯ2層の成膜に比べて２．２倍
の成膜速度を実現することができた。
デュアルマグネトロン方式のカソードにて２本のＮｂタ
ーゲット間に４０ＫＨｚの交流を印加して、Ａｒ：酸素
ガスの体積比１：１、ガス圧０．１Ｐａで実施した。こ
のスパッタ条件で、ＴｉＯ2層の成膜に比べて２．２倍
の成膜速度を実現することができた。
【００４２】また、ＳｉＯx層は、この層による全光線
透過率の低減を０．５〜２．５％に保つようにＡｒ：酸
素の比を１：１を中心的な比としてコントロールしなが
らスパッタリングを実施した。このとき、ＳｉＯxのｘ
の値は、分析によると、ｘは０．５以上から２．０未満
の範囲で可能であるが、１．０から１．８の範囲がより
好ましい。このようなＳｉＯx層を形成しない場合に
は、図３に示す付着強度試験において剥がれが発生し、
必要な付着強度が得られないことが判明した。
透過率の低減を０．５〜２．５％に保つようにＡｒ：酸
素の比を１：１を中心的な比としてコントロールしなが
らスパッタリングを実施した。このとき、ＳｉＯxのｘ
の値は、分析によると、ｘは０．５以上から２．０未満
の範囲で可能であるが、１．０から１．８の範囲がより
好ましい。このようなＳｉＯx層を形成しない場合に
は、図３に示す付着強度試験において剥がれが発生し、
必要な付着強度が得られないことが判明した。
【００４３】また、ＳｉＯ2層は、スパッタ条件として
Ａｒ：酸素ガスの体積比を１：１にして同様にしてデュ
アルマグネトロン方式のカソードにより形成した。ま
た、ＴＡＣベース上に紫外線硬化型樹脂を用いてハード
コート層を形成したが、ハードコートのないときは、鉛
筆硬度１Ｈの硬度であるのに対して、ハードコートの形
成により鉛筆硬度３Ｈの硬度を実現することができた。
Ａｒ：酸素ガスの体積比を１：１にして同様にしてデュ
アルマグネトロン方式のカソードにより形成した。ま
た、ＴＡＣベース上に紫外線硬化型樹脂を用いてハード
コート層を形成したが、ハードコートのないときは、鉛
筆硬度１Ｈの硬度であるのに対して、ハードコートの形
成により鉛筆硬度３Ｈの硬度を実現することができた。
【００４４】図７及び図８はＡＲフィルム（保護フィル
ムなしの状態）の分光透過率と分光反射率を微小なゆら
ぎを平均化した曲線にて簡便に示したもので、実施例２
のＡＲフィルムを一点鎖線で、比較例として高屈折率層
にＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ2Ｏ3−１７モル％ＳｎＯ2）
を用いた、ベース／ＳｉＯx ４ｎｍ／ＩＴＯ ２１ｎ
ｍ／ＳｉＯ2 ３２ｎｍ／ＩＴＯ ６０ｎｍ／ＳｉＯ2
９５ｎｍの膜構成のＡＲフィルムを実線で示した。図７
に示すように、実施例２のＡＲフィルムは、比較例のも
のと比較して、４００ｎｍの光学波長において約１６％
の透過率改善が認められた。これは、ＩＴＯ層とＮｂ2
Ｏ5層との波長に対する光吸収特性の違いによるもので
ある。
ムなしの状態）の分光透過率と分光反射率を微小なゆら
ぎを平均化した曲線にて簡便に示したもので、実施例２
のＡＲフィルムを一点鎖線で、比較例として高屈折率層
にＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ2Ｏ3−１７モル％ＳｎＯ2）
を用いた、ベース／ＳｉＯx ４ｎｍ／ＩＴＯ ２１ｎ
ｍ／ＳｉＯ2 ３２ｎｍ／ＩＴＯ ６０ｎｍ／ＳｉＯ2
９５ｎｍの膜構成のＡＲフィルムを実線で示した。図７
に示すように、実施例２のＡＲフィルムは、比較例のも
のと比較して、４００ｎｍの光学波長において約１６％
の透過率改善が認められた。これは、ＩＴＯ層とＮｂ2
Ｏ5層との波長に対する光吸収特性の違いによるもので
ある。
【００４５】また、保護フィルムをラミネートした実施
例２のＡＲフィルムを６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に
浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経過し
ても全くＡＲ層の剥離等の異常は認められなかった。
例２のＡＲフィルムを６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に
浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経過し
ても全くＡＲ層の剥離等の異常は認められなかった。
【００４６】上記のことから明らかなように、実施例２
においては、高屈折率層に分光透過率特性がＴｉＯ2と
ほぼ同等で、成膜速度がＴｉＯ2の２倍以上速いＮｂ2Ｏ
5用いることで、ＬＣＤ用として好適な無色高透明なＡ
Ｒフィルムを実施例１よりも安価に提供することができ
るとともに、実施例１と同様にＳｉＯxの下地層、パー
フルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合
物からなる防汚層、及び保護フィルムの存在により、耐
アルカリ性に優れたＡＲフィルムを実現することができ
た。
においては、高屈折率層に分光透過率特性がＴｉＯ2と
ほぼ同等で、成膜速度がＴｉＯ2の２倍以上速いＮｂ2Ｏ
5用いることで、ＬＣＤ用として好適な無色高透明なＡ
Ｒフィルムを実施例１よりも安価に提供することができ
るとともに、実施例１と同様にＳｉＯxの下地層、パー
フルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合
物からなる防汚層、及び保護フィルムの存在により、耐
アルカリ性に優れたＡＲフィルムを実現することができ
た。
【００４７】(実施例３)下記の構成のＡＲフィルムを作
製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートした。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ＩＴＯ層 ４ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートした。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ＩＴＯ層 ４ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１２ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
【００４８】ここで、ＳｉＯx、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2のス
パッタ条件は実施例２と同じであるが、ＩＴＯについて
はＩＴＯターゲットを用いて、Ａｒ：酸素の体積比＝
９：１のガス雰囲気で成膜した。
パッタ条件は実施例２と同じであるが、ＩＴＯについて
はＩＴＯターゲットを用いて、Ａｒ：酸素の体積比＝
９：１のガス雰囲気で成膜した。
【００４９】その結果、４００ｎｍ波長における透過率
は、実施例２のものに比べて１％程度低下したが、導電
性として１×１０4Ω／□の値を得ることができ、導電
性の付与が可視光波長領域での透過率特性の平坦性を損
なうことなく可能であった。また、ＩＴＯ層は成膜速度
もＴｉＯ2層の２．５倍以上が可能であり、スパッタ時
の生産スピードは良好であった。また、この保護フィル
ムをラミネートした実施例３のＡＲフィルムを、６０℃
の３ＮのＮａＯＨ水溶液に浸漬し、超音波撹拌保持した
ところ、１０分以上経過しても全くＡＲ層の剥離等の異
常は認められなかった。
は、実施例２のものに比べて１％程度低下したが、導電
性として１×１０4Ω／□の値を得ることができ、導電
性の付与が可視光波長領域での透過率特性の平坦性を損
なうことなく可能であった。また、ＩＴＯ層は成膜速度
もＴｉＯ2層の２．５倍以上が可能であり、スパッタ時
の生産スピードは良好であった。また、この保護フィル
ムをラミネートした実施例３のＡＲフィルムを、６０℃
の３ＮのＮａＯＨ水溶液に浸漬し、超音波撹拌保持した
ところ、１０分以上経過しても全くＡＲ層の剥離等の異
常は認められなかった。
【００５０】以上のことから明らかなように、本実施例
においては、耐アルカリ性及び生産性に優れた無色高透
明の導電性を有するＡＲフィルムを得ることができた。
においては、耐アルカリ性及び生産性に優れた無色高透
明の導電性を有するＡＲフィルムを得ることができた。
【００５１】なお、実施例１〜３ともに図２に示すスパ
ッタ装置にてＡＲフィルムを成膜することができるが、
実施例３の場合には、図２において５基のカソード１１
１のうち１基目の部分をフィルム走行方向において短い
寸法のカソード２基と入れ替えて、合計６基のカソード
１１１とすることにより、１回のフィルムパスで６層の
スパッタ膜を成膜することができる。１層目のＳｉＯx
膜及び２層目のＩＴＯ膜は共に４ｎｍ程度の薄い層なの
で、寸法の短いカソードを用いても成膜は可能である。
ッタ装置にてＡＲフィルムを成膜することができるが、
実施例３の場合には、図２において５基のカソード１１
１のうち１基目の部分をフィルム走行方向において短い
寸法のカソード２基と入れ替えて、合計６基のカソード
１１１とすることにより、１回のフィルムパスで６層の
スパッタ膜を成膜することができる。１層目のＳｉＯx
膜及び２層目のＩＴＯ膜は共に４ｎｍ程度の薄い層なの
で、寸法の短いカソードを用いても成膜は可能である。
【００５２】(実施例４)下記の構成のＡＲフィルムを作
製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートした。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ３μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ７５モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−７モル％Ｍ
ｇＯ−６モル％ＴｉＯ2組成の層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１０ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８７ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートした。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ３μｍ／ ＳｉＯx層 ４ｎｍ／ ７５モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−７モル％Ｍ
ｇＯ−６モル％ＴｉＯ2組成の層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２８ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 １１０ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８７ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
【００５３】実施例４の分光透過率を図９に、分光反射
率を図１０にそれぞれ二点鎖線で示す。図中、比較のた
め図７、８に比較例として示したものを実線にて示す。
図９から明らかなように、実施例４のＡＲフィルムは、
高屈折率層をすべてＩＴＯで形成した比較例と比べて、
４００ｎｍの光学波長において約１０％の透過率の改善
が見られ、４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光
透過率のばらつき幅は１０％程度と大幅に縮小した。一
方、図１０から明らかなように、実施例４の５００〜６
００ｎｍの波長範囲における分光反射率は、比較例とほ
とんど同等の値を得ることができた。
率を図１０にそれぞれ二点鎖線で示す。図中、比較のた
め図７、８に比較例として示したものを実線にて示す。
図９から明らかなように、実施例４のＡＲフィルムは、
高屈折率層をすべてＩＴＯで形成した比較例と比べて、
４００ｎｍの光学波長において約１０％の透過率の改善
が見られ、４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光
透過率のばらつき幅は１０％程度と大幅に縮小した。一
方、図１０から明らかなように、実施例４の５００〜６
００ｎｍの波長範囲における分光反射率は、比較例とほ
とんど同等の値を得ることができた。
【００５４】このように、本実施例のＡＲフィルムの高
屈折率層は、低波長域における透明度が高くて、成膜速
度もＩＴＯと同等の値が得られるため、スパッタ膜構成
として５層のままで、導電性についても、１１００Ω／
□の値を得た。ＡＲフィルムの用途により、導電性を必
要とするケース、必要としないケース、わずかの導電性
が必要とされるケースがあるが、本実施例のように、薄
い高屈折率層にはＩｎ 2Ｏ3やＩＴＯにＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等を含有さ
せた導電率の高い酸化物層を適用し、厚い高屈折率層に
は透明度においてより優れているＮｂ2Ｏ5層を適用する
ことにより、安価で帯電防止効果を有する信頼性の高い
無色高透明なＡＲフィルムを提供することができる。
屈折率層は、低波長域における透明度が高くて、成膜速
度もＩＴＯと同等の値が得られるため、スパッタ膜構成
として５層のままで、導電性についても、１１００Ω／
□の値を得た。ＡＲフィルムの用途により、導電性を必
要とするケース、必要としないケース、わずかの導電性
が必要とされるケースがあるが、本実施例のように、薄
い高屈折率層にはＩｎ 2Ｏ3やＩＴＯにＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5等を含有さ
せた導電率の高い酸化物層を適用し、厚い高屈折率層に
は透明度においてより優れているＮｂ2Ｏ5層を適用する
ことにより、安価で帯電防止効果を有する信頼性の高い
無色高透明なＡＲフィルムを提供することができる。
【００５５】また、保護フィルムをラミネートした実施
例４のＡＲフィルムを、６０℃にて３ＮのＮａＯＨ水溶
液に浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経
過しても全く異常は認められなかった。
例４のＡＲフィルムを、６０℃にて３ＮのＮａＯＨ水溶
液に浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経
過しても全く異常は認められなかった。
【００５６】上記したように、本実施例においては、耐
アルカリ性及び生産性に優れた安価で帯電防止効果を有
する信頼性の高い無色高透明なＡＲフィルムを得ること
ができた。
アルカリ性及び生産性に優れた安価で帯電防止効果を有
する信頼性の高い無色高透明なＡＲフィルムを得ること
ができた。
【００５７】（実施例５）下記の構成のＡＲフィルムを
作製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートし
た。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ５ｎｍ／ ７８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％
ＭｇＯ組成の層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２０ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 ８３ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
作製し、ＡＲ層の表面に保護フィルムをラミネートし
た。 ＴＡＣベース ８０μｍ／ ハードコート層 ６μｍ／ ＳｉＯx層 ５ｎｍ／ ７８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％
ＭｇＯ組成の層 １５ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ２０ｎｍ／ Ｎｂ2Ｏ5層 ８３ｎｍ／ ＳｉＯ2層 ８５ｎｍ／ 防汚層 ５ｎｍ
【００５８】本実施例のＡＲフィルムの分光透過率と分
光反射率は、ＴＡＣベース ８０μｍ／ハードコート層
６μｍ／ＳｉＯx ５ｎｍ／ＩＴＯ １５ｎｍ／Ｓｉ
Ｏ2２０ｎｍ／ＩＴＯ ９８ｎｍ／ＳｉＯ2 ８５ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ構成のＡＲフィルムに比べて，５００〜
６００ｎｍにおける反射率は同等であるが、低波長４０
０ｎｍにおける光線透過率において１２％の改善が見ら
れた。
光反射率は、ＴＡＣベース ８０μｍ／ハードコート層
６μｍ／ＳｉＯx ５ｎｍ／ＩＴＯ １５ｎｍ／Ｓｉ
Ｏ2２０ｎｍ／ＩＴＯ ９８ｎｍ／ＳｉＯ2 ８５ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ構成のＡＲフィルムに比べて，５００〜
６００ｎｍにおける反射率は同等であるが、低波長４０
０ｎｍにおける光線透過率において１２％の改善が見ら
れた。
【００５９】また、保護フィルムをラミネートした実施
例５のＡＲフィルムを６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に
浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経過し
ても全くＡＲ層の剥離等の異常は認められなかった。
例５のＡＲフィルムを６０℃の３ＮのＮａＯＨ水溶液に
浸漬し、超音波撹拌保持したところ、１０分以上経過し
ても全くＡＲ層の剥離等の異常は認められなかった。
【００６０】本実施例においても、実施例４と同様に耐
アルカリ性及び生産性に優れた無色高透明の帯電防止効
果を有するＡＲフィルムを得ることができた。
アルカリ性及び生産性に優れた無色高透明の帯電防止効
果を有するＡＲフィルムを得ることができた。
【００６１】なお、上記実施例では高屈折率層に同一材
料を用いているが、これに限定されるものではなく、例
えば一つの透明高屈折率層のうちほぼ上半分の厚さを７
８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％Ｍ
ｇＯ組成の酸化物膜とし、下半分の厚さを７５モル％Ｉ
ｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−７モル％ＭｇＯ−６モル
％ＴｉＯ2組成の酸化物膜とすることも可能である。こ
の場合には、実施例３と同様に図２におけるカソード１
１１を６基とすることで対応することができる。
料を用いているが、これに限定されるものではなく、例
えば一つの透明高屈折率層のうちほぼ上半分の厚さを７
８モル％Ｉｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−１０モル％Ｍ
ｇＯ組成の酸化物膜とし、下半分の厚さを７５モル％Ｉ
ｎ2Ｏ3−１２モル％ＳｎＯ2−７モル％ＭｇＯ−６モル
％ＴｉＯ2組成の酸化物膜とすることも可能である。こ
の場合には、実施例３と同様に図２におけるカソード１
１１を６基とすることで対応することができる。
【００６２】実施例１から実施例６までのなかで、ハー
ドコート層の直上に形成する下地層については、ＳｉＯ
xを用いた場合を示したが、本発明の中では金属ターゲ
ットのＺｒ、Ｔｉ又はＣｒを用いてＡｒ：酸素ガスの比
を１：１を中心にコントロールしながら反応性スパッタ
リングにより形成しても高い付着強度を得ることができ
た。即ち、実施例１の成膜条件の中で、ＳｉＯx層４ｎ
ｍの部分を、Ｚｒをターゲットとして反応性スパッタリ
ングによりＺｒＯx層４ｎｍに置き換えた物を形成した
が、図３に示す付着強度試験においてＳｉＯxの場合と
同様３０〜５０回以上の往復擦りテストにおいて剥がれ
は皆無であった。ＺｒＯxの反応性スパッタ条件のコン
トロール方法としては、ＺｒＯx層による全光線透過率
の低減を０．５〜２．５％に保つように全光線透過率を
モニタリングしながら最適なＡｒ：酸素のガス量比を決
定したが、Ａｒ：酸素＝１：０．８５において全光線透
過率の低減量は０．６％であった。この条件においては
ＺｒＯxのｘの値は１．８であることがわかった。又Ｔ
ｉ及びＣｒターゲットを用いたＴｉＯx及びＣｒＯxの形
成においても、全光線透過率のモニタリングと膜厚設定
の両方をコントロールすることによって反射率に悪影響
を与えない程度の４ｎｍの厚さのＴｉＯxやＣｒＯxを形
成することができた。一方、ＳｉＯxＮｙの形成の場合
には、Ａｒ：酸素：窒素のガス比を１：０．８５：０．
２とすることで付着強度の向上に大きな効果があった。
ドコート層の直上に形成する下地層については、ＳｉＯ
xを用いた場合を示したが、本発明の中では金属ターゲ
ットのＺｒ、Ｔｉ又はＣｒを用いてＡｒ：酸素ガスの比
を１：１を中心にコントロールしながら反応性スパッタ
リングにより形成しても高い付着強度を得ることができ
た。即ち、実施例１の成膜条件の中で、ＳｉＯx層４ｎ
ｍの部分を、Ｚｒをターゲットとして反応性スパッタリ
ングによりＺｒＯx層４ｎｍに置き換えた物を形成した
が、図３に示す付着強度試験においてＳｉＯxの場合と
同様３０〜５０回以上の往復擦りテストにおいて剥がれ
は皆無であった。ＺｒＯxの反応性スパッタ条件のコン
トロール方法としては、ＺｒＯx層による全光線透過率
の低減を０．５〜２．５％に保つように全光線透過率を
モニタリングしながら最適なＡｒ：酸素のガス量比を決
定したが、Ａｒ：酸素＝１：０．８５において全光線透
過率の低減量は０．６％であった。この条件においては
ＺｒＯxのｘの値は１．８であることがわかった。又Ｔ
ｉ及びＣｒターゲットを用いたＴｉＯx及びＣｒＯxの形
成においても、全光線透過率のモニタリングと膜厚設定
の両方をコントロールすることによって反射率に悪影響
を与えない程度の４ｎｍの厚さのＴｉＯxやＣｒＯxを形
成することができた。一方、ＳｉＯxＮｙの形成の場合
には、Ａｒ：酸素：窒素のガス比を１：０．８５：０．
２とすることで付着強度の向上に大きな効果があった。
【００６３】
【発明の効果】上記したように、請求項１および請求項
６の発明によれば、ＴＡＣベース上に付着性に優れた下
地層を形成し、ＡＲ層上面に撥水性に優れた防汚層を形
成し、この防汚層の上に保護フィルムをラミネートする
ことにより、熱アルカリ液に浸漬して、ガイドロールで
屈曲させながらフィルム走行させても、ＡＲ層の損傷や
剥離のないＡＲフィルムを実現することができ、容易に
偏光板に貼着が可能な耐アルカリ性に優れたＡＲフィル
ムを提供することができる。
６の発明によれば、ＴＡＣベース上に付着性に優れた下
地層を形成し、ＡＲ層上面に撥水性に優れた防汚層を形
成し、この防汚層の上に保護フィルムをラミネートする
ことにより、熱アルカリ液に浸漬して、ガイドロールで
屈曲させながらフィルム走行させても、ＡＲ層の損傷や
剥離のないＡＲフィルムを実現することができ、容易に
偏光板に貼着が可能な耐アルカリ性に優れたＡＲフィル
ムを提供することができる。
【００６４】請求項２の発明によれば、ＡＲ層の高屈折
率層にＴｉＯ2層を適用することにより、ＬＣＤ偏光板
貼着用として好適な無色高透明で耐アルカリ性に優れた
ＡＲフィルムを提供することができる。
率層にＴｉＯ2層を適用することにより、ＬＣＤ偏光板
貼着用として好適な無色高透明で耐アルカリ性に優れた
ＡＲフィルムを提供することができる。
【００６５】請求項３の発明によれば、ＡＲ層の高屈折
率層にＮｂ2Ｏ5層を適用することにより、ＬＣＤ偏光板
貼着用として好適な無色高透明で耐アルカリ性に優れた
ＡＲフィルムを安価に提供することができる。
率層にＮｂ2Ｏ5層を適用することにより、ＬＣＤ偏光板
貼着用として好適な無色高透明で耐アルカリ性に優れた
ＡＲフィルムを安価に提供することができる。
【００６６】請求項４の発明によれば、ＡＲ層の高屈折
率層として、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれる少なく
とも一種の金属酸化物を基本成分にして、ＳｉＯ2、Ｍ
ｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5、から
選ばれる少なくとも一種の添加物成分を含有した酸化物
層を使用することにより、ＬＣＤ偏光板貼着用として好
適な無色高透明で耐アルカリ性に優れかつ帯電防止効果
を有するＡＲフィルムを安価に提供することができる。
率層として、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれる少なく
とも一種の金属酸化物を基本成分にして、ＳｉＯ2、Ｍ
ｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5、から
選ばれる少なくとも一種の添加物成分を含有した酸化物
層を使用することにより、ＬＣＤ偏光板貼着用として好
適な無色高透明で耐アルカリ性に優れかつ帯電防止効果
を有するＡＲフィルムを安価に提供することができる。
【００６７】請求項５の発明によれば、パーフルオロポ
リエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を用いる
ことにより、防汚性能及びその耐久性に優れかつ耐アル
カリ性を大幅に向上させる防汚層を形成することができ
る。
リエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を用いる
ことにより、防汚性能及びその耐久性に優れかつ耐アル
カリ性を大幅に向上させる防汚層を形成することができ
る。
【００６８】請求項７の発明によれば、請求項１のＡＲ
フィルムのベース裏面を熱アルカリ浴浸漬鹸化処理して
偏光板に張り合わせることにより、反射防止性能を有す
る高品質の偏光板を容易に製造することができる。
フィルムのベース裏面を熱アルカリ浴浸漬鹸化処理して
偏光板に張り合わせることにより、反射防止性能を有す
る高品質の偏光板を容易に製造することができる。
【図１】本発明にかかる反射防止フィルムの一実施の形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図２】反射防止フィルムの各酸化物層を連続的に成膜
するスパッタ装置を模式的に示す図である。
するスパッタ装置を模式的に示す図である。
【図３】反射防フィルムのベースと付着強度を評価する
ための付着強度試験装置を模式的に示す図である。
ための付着強度試験装置を模式的に示す図である。
【図４】図３中のヘッド部の形状を示す平面図である。
【図５】各種酸化物膜の分光透過率特性を示す図であ
る。
る。
【図６】各種酸化物膜の分光透過率特性を示す図であ
る。
る。
【図７】実施例２と比較例の分光透過率特性を示す図で
ある。
ある。
【図８】実施例２と比較例の分光反射率特性を示す図で
ある。
ある。
【図９】実施例４と比較例の分光透過率特性を示す図で
ある。
ある。
【図１０】実施例４と比較例の分光反射率特性を示す図
である。
である。
１……ＴＡＣベース、３……ハードコート層、５……下
地層、７、１１……高屈折率層、９、１３……低屈折率
層、１５……防汚層、１７……保護フィルム、１０１、
２０１……フィルム、１０５……スパッタ室、１０９…
…メインローラ、１１１……カソード、２０３……負
荷、２０５……ヘッド、２０７……ガーゼ。
地層、７、１１……高屈折率層、９、１３……低屈折率
層、１５……防汚層、１７……保護フィルム、１０１、
２０１……フィルム、１０５……スパッタ室、１０９…
…メインローラ、１１１……カソード、２０３……負
荷、２０５……ヘッド、２０７……ガーゼ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０
Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ
５１０ Ｚ
(72)発明者 石崎 晴朗
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 香川 正毅
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 李 成吉
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BB33 BB49 BB51 BB65
2H091 FA08X FA08Z FA37X FB06
LA02 LA12 LA30
2K009 AA07 AA15 BB28 CC03 CC42
DD04 EE05
4F100 AA17B AA17C AA20B AA21B
AA21C AA27B AA28C AA40C
AH06E AJ06A AK52E AL06E
AR00C AR00D AR00E AS00E
BA05 BA07 BA10A BA10E
EJ91E JL06E JN18C JN18D
JN18E
Claims (7)
- 【請求項１】 トリアセチルセルロースベース上に高屈
折率層と低屈折率層が交互に積層された反射防止層が形
成されてなる反射防止フィルムにおいて、前記トリアセ
チルセルロースベースと反射防止層との間にＺｒＯ
x（但し、ｘ＝１〜２）、ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＳｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯ xＮy（但
し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）及びＣｒＯ
x（但し、ｘ＝０．２〜１．５）から選択される少なく
とも一種の材料からなる下地層が形成され、かつ前記反
射防止層の表面に防汚層が形成されてなることを特徴と
する反射防止フィルム。 - 【請求項２】 前記高屈折率層がＴｉＯ2層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。 - 【請求項３】 前記高屈折率層がＮｂ2Ｏ5層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。 - 【請求項４】 前記高屈折率層が、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ
2から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を主成分と
して含有し、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂか
ら選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物成分を、Ｓｉ
Ｏ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ2及びＮｂ2Ｏ5
に換算して５モル％以上、４０モル％以下含有してなる
酸化物層を有することを特徴とする請求項１記載の反射
防止フィルム。 - 【請求項５】 前記防汚層が、パーフルオロポリエーテ
ル基を有するアルコキシシラン化合物により形成されて
なることを特徴とする請求項１記載の反射防止フィル
ム。 - 【請求項６】 トリアセチルセルロースベース上に高屈
折率層と低屈折率層が交互に積層された反射防止層を形
成してなる反射防止フィルムの耐アルカリ性を向上させ
る方法において、前記トリアセチルセルロースベースと
反射防止層との間にＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）、Ｔ
ｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但し、ｘ＝１〜
２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜
０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜１．５）か
ら選択される少なくとも一種の材料からなる下地層を設
けるとともに、前記反射防止層の表面に防汚層を形成
し、さらにその上に保護フィルムをラミネートすること
を特徴とする反射防止フィルムの耐アルカリ性向上方
法。 - 【請求項７】 高屈折率層と低屈折率層が交互に積層さ
れてなる反射防止層をＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）、
ＴｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＯx（但し、ｘ＝１
〜２）、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜
０．６）及びＣｒＯx（但し、ｘ＝０．２〜１．５）か
ら選択される少なくとも一種の材料からなる下地層を介
してトリアセチルセルロースベースの上に形成するとと
もに該反射防止層の表面に防汚層を形成してなる反射防
止フィルムを用い、防汚層の表面に保護フィルムをラミ
ネートした状態で、トリアセチルセルロースベースの裏
面を熱アルカリ浴浸漬鹸化処理した後、偏光板に貼着す
ることを特徴とする反射防止偏光板の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001308542A JP2003114302A (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 反射防止フィルム及び反射防止偏光板の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001308542A Pending JP2003114302A (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 反射防止フィルム及び反射防止偏光板の製造方法 |
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