JPH11248904A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents
反射防止膜の製造方法Info
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- JPH11248904A JPH11248904A JP10055074A JP5507498A JPH11248904A JP H11248904 A JPH11248904 A JP H11248904A JP 10055074 A JP10055074 A JP 10055074A JP 5507498 A JP5507498 A JP 5507498A JP H11248904 A JPH11248904 A JP H11248904A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＲＴやＬＣＤ等のディスプレイ表面の反射防
止膜１をスパッタリング法で形成する。 【解決手段】２種類の異なる金属酸化物を、それぞれ化
学量論的組成となる成膜条件よりも１種類は酸素過多、
もう１種類は酸素不足で、共に反応性スパッタリング法
によって交互に複数層４１、４２形成する。
止膜１をスパッタリング法で形成する。 【解決手段】２種類の異なる金属酸化物を、それぞれ化
学量論的組成となる成膜条件よりも１種類は酸素過多、
もう１種類は酸素不足で、共に反応性スパッタリング法
によって交互に複数層４１、４２形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＲＴやＬＣＤ等
のディスプレイの表面に設ける反射防止膜の製造方法、
特には導電性に優れた反射防止膜の製造方法に関するも
のである。
のディスプレイの表面に設ける反射防止膜の製造方法、
特には導電性に優れた反射防止膜の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＲＴ等のディスプレイでは、表
面の反射を防止する手段として、その表面に多層膜を真
空蒸着法等により塗布形成する手法が用いられ、更に普
及が進むＬＣＤ（液晶ディスプレイ）においては、上記
技術に加え、基板表面に凹凸構造を設けて乱反射を防ぐ
手法等が用いられている。
面の反射を防止する手段として、その表面に多層膜を真
空蒸着法等により塗布形成する手法が用いられ、更に普
及が進むＬＣＤ（液晶ディスプレイ）においては、上記
技術に加え、基板表面に凹凸構造を設けて乱反射を防ぐ
手法等が用いられている。
【０００３】透明性、且つ、導電性を有する薄膜を反射
防止膜とする発明は、例えば、特開昭５０−９９３４５
号公報に代表されるような酸化インジウムや酸化スズを
ベースとしたものが知られており、また、特開昭５１−
７３４５３号公報として開示された発明のように非常に
薄い金属膜を利用しているものが知られている。
防止膜とする発明は、例えば、特開昭５０−９９３４５
号公報に代表されるような酸化インジウムや酸化スズを
ベースとしたものが知られており、また、特開昭５１−
７３４５３号公報として開示された発明のように非常に
薄い金属膜を利用しているものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、多層膜を真空蒸着法等により塗布形成する際には、
その成膜レートに基づく生産性の高さから主として電子
ビーム蒸着法が使われており、スパッタリング法による
形成は、密着性や膜厚の均一性等の膜質が高いにも係わ
らず、成膜レートの低さから特に基材を高分子フィルム
として巻き取り式で蒸着する際には利用に適さないとい
う問題があった。
て、多層膜を真空蒸着法等により塗布形成する際には、
その成膜レートに基づく生産性の高さから主として電子
ビーム蒸着法が使われており、スパッタリング法による
形成は、密着性や膜厚の均一性等の膜質が高いにも係わ
らず、成膜レートの低さから特に基材を高分子フィルム
として巻き取り式で蒸着する際には利用に適さないとい
う問題があった。
【０００５】本発明の目的は、反射防止膜に関する以上
のような問題点を解決し、良質な導電性を有する反射防
止膜をスパッタリング法を用いて形成し提供することに
ある。
のような問題点を解決し、良質な導電性を有する反射防
止膜をスパッタリング法を用いて形成し提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
２種類の異なる金属酸化物を、それぞれ化学量論的組成
となる成膜条件よりも１種類を酸素過多、もう１種類を
酸素不足で、共に反応性スパッタリング法によって交互
に複数層形成することを特徴とする反射防止膜の製造方
法である。
２種類の異なる金属酸化物を、それぞれ化学量論的組成
となる成膜条件よりも１種類を酸素過多、もう１種類を
酸素不足で、共に反応性スパッタリング法によって交互
に複数層形成することを特徴とする反射防止膜の製造方
法である。
【０００７】第２の発明は、第１の発明において、前記
金属酸化物が酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛のい
ずれか１種類を主体とし、別の１種類が酸化珪素を主体
とすることを特徴とする反射防止膜の製造方法である。
金属酸化物が酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛のい
ずれか１種類を主体とし、別の１種類が酸化珪素を主体
とすることを特徴とする反射防止膜の製造方法である。
【０００８】さらにまた、第３の発明は、第１、第２の
発明において、順次交互に積層して多層膜を形成した後
に焼成工程を設けたことを特徴とする反射防止膜の製造
方法である。
発明において、順次交互に積層して多層膜を形成した後
に焼成工程を設けたことを特徴とする反射防止膜の製造
方法である。
【０００９】反射防止膜の場合、それを多層膜として形
成する必要性から各膜の成膜レートが一つの問題点とな
っており、スパッタリング法で成膜する場合に特に問題
となるのが成膜レートの低さである。
成する必要性から各膜の成膜レートが一つの問題点とな
っており、スパッタリング法で成膜する場合に特に問題
となるのが成膜レートの低さである。
【００１０】そしてまた、特に酸素を導入しての反応性
スパッタリング法に関しては、その手法で酸化膜を形成
する際に、物質によっては酸素導入量の僅かな違いによ
り、成膜レートが数倍以上も異なることが判明してい
る。
スパッタリング法に関しては、その手法で酸化膜を形成
する際に、物質によっては酸素導入量の僅かな違いによ
り、成膜レートが数倍以上も異なることが判明してい
る。
【００１１】実際に、ＳｉＯ2 （二酸化珪素）膜を反応
性スパッタリング法で形成する場合、成膜レートが最も
高いのは５〜２０％程度酸素が不足気味でＳｉＯX （珪
素酸化物 Ｘ＜２）を形成する条件である。
性スパッタリング法で形成する場合、成膜レートが最も
高いのは５〜２０％程度酸素が不足気味でＳｉＯX （珪
素酸化物 Ｘ＜２）を形成する条件である。
【００１２】そして、その成膜レートと実際に必要な特
性を有するＳｉＯ2 膜を形成した場合の成膜レートで
は、パワー等の条件を一定にした場合でも、約５倍の成
膜レートの差が生じていることを確認している。
性を有するＳｉＯ2 膜を形成した場合の成膜レートで
は、パワー等の条件を一定にした場合でも、約５倍の成
膜レートの差が生じていることを確認している。
【００１３】また、一方、透明導電性物質として広く用
いられているインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の場合
は、その透明性と抵抗値等の特性を考慮した化学量論的
最適組成となる成膜条件よりも、２０倍程度酸素が過多
気味でも、成膜レートはほとんど変わらず、さらにま
た、形成した膜の特性も焼成することで、最適組成に近
い膜とすることができることも確認している。
いられているインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の場合
は、その透明性と抵抗値等の特性を考慮した化学量論的
最適組成となる成膜条件よりも、２０倍程度酸素が過多
気味でも、成膜レートはほとんど変わらず、さらにま
た、形成した膜の特性も焼成することで、最適組成に近
い膜とすることができることも確認している。
【００１４】以上のことから、多層構造の反射防止膜を
形成する場合、その酸化物の成膜レートを調べ、その膜
の化学量論的組成となる成膜条件よりも酸素過多で形成
しても成膜レートがあまり変わらない膜を、酸素過多に
して成膜し、続いて、酸素不足で形成した方が成膜レー
トが極端に高くなる膜を、酸素不足で成膜することで、
多層膜自体の成膜レートを大きく向上させることが可能
となる。
形成する場合、その酸化物の成膜レートを調べ、その膜
の化学量論的組成となる成膜条件よりも酸素過多で形成
しても成膜レートがあまり変わらない膜を、酸素過多に
して成膜し、続いて、酸素不足で形成した方が成膜レー
トが極端に高くなる膜を、酸素不足で成膜することで、
多層膜自体の成膜レートを大きく向上させることが可能
となる。
【００１５】そしてまた、酸素過多膜と酸素不足膜とを
密接させて積層することで、酸素過多膜から酸素不足膜
へと酸素はある程度移動し、各膜は化学量論的組成に近
付き安定するが、好ましくは、焼成することにより酸素
をより完全に移動させ安定させることが可能である。な
お、この場合、焼成条件は基材の種類にもよるがガラス
の場合は２００°Ｃで３０分で十分である。
密接させて積層することで、酸素過多膜から酸素不足膜
へと酸素はある程度移動し、各膜は化学量論的組成に近
付き安定するが、好ましくは、焼成することにより酸素
をより完全に移動させ安定させることが可能である。な
お、この場合、焼成条件は基材の種類にもよるがガラス
の場合は２００°Ｃで３０分で十分である。
【００１６】このように、本発明の手法を用いることに
より、スパッタリング法による多層膜形成の際の課題で
ある成膜レートを高めて生産性を向上させることが可能
となる。
より、スパッタリング法による多層膜形成の際の課題で
ある成膜レートを高めて生産性を向上させることが可能
となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。図１は、本発明の反射防止膜の
構成の一例を示す断面図である。
用いて詳細に説明する。図１は、本発明の反射防止膜の
構成の一例を示す断面図である。
【００１８】１は本発明の導電性反射防止膜であり、基
材２上に高屈折率層４１、低屈折率層４２、高屈折率層
４１、低屈折率層４２が順次積層されて多層膜４となっ
ており、この多層膜４により反射防止性を示す構成とな
っている。
材２上に高屈折率層４１、低屈折率層４２、高屈折率層
４１、低屈折率層４２が順次積層されて多層膜４となっ
ており、この多層膜４により反射防止性を示す構成とな
っている。
【００１９】そしてさらに、多層膜の４つの膜のうちの
少なくともいずれか１種類、あるいは、低屈折率層もし
くは高屈折率層のいずれか１種類、に導電性を付与する
ことで導電性に優れた反射防止膜１となる。
少なくともいずれか１種類、あるいは、低屈折率層もし
くは高屈折率層のいずれか１種類、に導電性を付与する
ことで導電性に優れた反射防止膜１となる。
【００２０】基材２は、十分な透明性を有することが必
要であり、さらにある程度の剛性及び表面平滑性を有し
ていればよい。ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカ
ーボネート、トリアセチルセルロース、ポリアクリレー
ト、ポリエーテルサルホン等の高分子フィルムやガラス
等が好適なものとして例示される。
要であり、さらにある程度の剛性及び表面平滑性を有し
ていればよい。ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカ
ーボネート、トリアセチルセルロース、ポリアクリレー
ト、ポリエーテルサルホン等の高分子フィルムやガラス
等が好適なものとして例示される。
【００２１】本発明の反射防止膜１は、屈折率の異なる
層を交互に特定の膜厚で複数積層することにより形成で
き、低屈折率層４２としては、酸化マグネシウム（屈折
率ｎ＝１．６）、二酸化珪素（ｎ＝１．５）、酸化アル
ミニウム（ｎ＝１．６）等が、高屈折率層４１として
は、二酸化チタン（ｎ＝２．４）、二酸化ジルコニウム
（ｎ＝２．０）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、酸化
インジウム（ｎ＝２．０）、酸化タンタル（ｎ＝２．
１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）、酸化スズ（ｎ＝２．
１）等が好適なものとして例示される。
層を交互に特定の膜厚で複数積層することにより形成で
き、低屈折率層４２としては、酸化マグネシウム（屈折
率ｎ＝１．６）、二酸化珪素（ｎ＝１．５）、酸化アル
ミニウム（ｎ＝１．６）等が、高屈折率層４１として
は、二酸化チタン（ｎ＝２．４）、二酸化ジルコニウム
（ｎ＝２．０）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、酸化
インジウム（ｎ＝２．０）、酸化タンタル（ｎ＝２．
１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）、酸化スズ（ｎ＝２．
１）等が好適なものとして例示される。
【００２２】また、図１に示すように、撥水層５やハー
ドコート層３を設けてもよい。撥水層５は、反射防止機
能に影響を与えないものであれば、その成膜方法はいか
なる手法を用いてもよく、目的用途に応じての選択が可
能である。一例として、フロンシラン系のものを化学的
気相析出（ＣＶＤ）法で形成することが挙げられる。
ドコート層３を設けてもよい。撥水層５は、反射防止機
能に影響を与えないものであれば、その成膜方法はいか
なる手法を用いてもよく、目的用途に応じての選択が可
能である。一例として、フロンシラン系のものを化学的
気相析出（ＣＶＤ）法で形成することが挙げられる。
【００２３】ハードコート層３は、全体の透明性を阻害
しない程度に透明性を有し、かつ、屈折率が基材２と同
程度のものが望ましく、紫外線硬化型のアクリル樹脂等
が好適なものとして例示される。
しない程度に透明性を有し、かつ、屈折率が基材２と同
程度のものが望ましく、紫外線硬化型のアクリル樹脂等
が好適なものとして例示される。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例（４層構成の反射防止
膜の一例）をさらに具体的に説明する。 〈実施例１〉基材２としてガラス板を使用し、反射防止
膜には、先ず、基材側より高屈折率膜４１であるインジ
ウム−スズ酸化物ＩＴＯ（酸化スズ５ｗｔ％）膜を、透
明性や導電性等の必要特性を示す化学量論的組成となる
成膜条件の１５倍の酸素過多下の条件で、反応スパッタ
リング法により７０ｎｍ形成した。
膜の一例）をさらに具体的に説明する。 〈実施例１〉基材２としてガラス板を使用し、反射防止
膜には、先ず、基材側より高屈折率膜４１であるインジ
ウム−スズ酸化物ＩＴＯ（酸化スズ５ｗｔ％）膜を、透
明性や導電性等の必要特性を示す化学量論的組成となる
成膜条件の１５倍の酸素過多下の条件で、反応スパッタ
リング法により７０ｎｍ形成した。
【００２５】続いて、得られたＩＴＯ膜の上に珪素（Ｓ
ｉ）をターゲットにして、化学量論的組成となる成膜条
件よりも１０％酸素不足下の条件で、反応性スパッタリ
ングを行い、７０ｎｍのＳｉＯX 膜を形成した。
ｉ）をターゲットにして、化学量論的組成となる成膜条
件よりも１０％酸素不足下の条件で、反応性スパッタリ
ングを行い、７０ｎｍのＳｉＯX 膜を形成した。
【００２６】さらに、その上に、同様にして順次、ＩＴ
Ｏ膜及びＳｉＯX 膜をそれぞれ１４０ｎｍ形成した。
Ｏ膜及びＳｉＯX 膜をそれぞれ１４０ｎｍ形成した。
【００２７】そして、このようにして形成した多層膜を
２００°Ｃで３０ｍｉｎ．焼成し、ＩＴＯ膜を最適組成
に、ＳｉＯX 膜をＳｉＯ2 膜に変化させて、反射防止膜
を完成させた。
２００°Ｃで３０ｍｉｎ．焼成し、ＩＴＯ膜を最適組成
に、ＳｉＯX 膜をＳｉＯ2 膜に変化させて、反射防止膜
を完成させた。
【００２８】形成した反射防止膜の５５０ｎｍにおける
反射率は０．５％であり、また、電磁遮蔽効果を測定し
たところ−２０ｄＢであり、良質な導電性を有する反射
防止膜が形成できた。
反射率は０．５％であり、また、電磁遮蔽効果を測定し
たところ−２０ｄＢであり、良質な導電性を有する反射
防止膜が形成できた。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、２種類の異なる金属酸
化物からなる多層構造の反射防止膜をスパッタリング法
で形成する場合、それぞれ化学量論的組成となる成膜条
件よりも、１種類を酸素過多、もう１種類を酸素不足
で、ともに反応性スパッタリング法によって交互に複数
層形成し、好ましくは焼成することで、スパッタリング
法による多層膜自体の成膜のレートを高め、生産性を向
上させることが可能となった。
化物からなる多層構造の反射防止膜をスパッタリング法
で形成する場合、それぞれ化学量論的組成となる成膜条
件よりも、１種類を酸素過多、もう１種類を酸素不足
で、ともに反応性スパッタリング法によって交互に複数
層形成し、好ましくは焼成することで、スパッタリング
法による多層膜自体の成膜のレートを高め、生産性を向
上させることが可能となった。
【図１】本発明の実施の形態に係わる反射防止膜の断面
図である。
図である。
１‥‥反射防止膜 ２‥‥基材 ３‥‥ハードコート層 ４‥‥多層膜 ４１‥‥高屈折率膜 ４２‥‥低屈折率膜 ５‥‥撥水層
Claims (3)
- 【請求項１】２種類の異なる金属酸化物を、それぞれ化
学量論的組成となる成膜条件よりも１種類を酸素過多、
もう１種類を酸素不足で、共に反応性スパッタリング法
によって交互に複数層形成することを特徴とする反射防
止膜の製造方法。 - 【請求項２】前記金属酸化物が酸化インジウム、酸化ス
ズ、酸化亜鉛のいずれか１種類を主体とし、別の１種類
が酸化珪素を主体とすることを特徴とする請求項１記載
の反射防止膜の製造方法。 - 【請求項３】前記請求項１または２において、順次交互
に積層して形成した後に焼成工程を設けたことを特徴と
する反射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055074A JPH11248904A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055074A JPH11248904A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11248904A true JPH11248904A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12988561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10055074A Pending JPH11248904A (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11248904A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516097B1 (ko) * | 2003-02-14 | 2005-09-23 | 한국과학기술연구원 | 투광성 반사방지막 및 그를 포함하는 물품 |
| JP2008525861A (ja) * | 2004-12-29 | 2008-07-17 | コーニング インコーポレイテッド | 光学窓及び素子のための反射防止膜 |
| CN102375164A (zh) * | 2010-08-18 | 2012-03-14 | 素塔电子科技(上海)有限公司 | 一种防反射塑料薄膜及其制备方法 |
| US8619365B2 (en) | 2004-12-29 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
| CN110174717A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-27 | 厦门大学 | 一种蓝光防护光学薄膜及其制造方法 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP10055074A patent/JPH11248904A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516097B1 (ko) * | 2003-02-14 | 2005-09-23 | 한국과학기술연구원 | 투광성 반사방지막 및 그를 포함하는 물품 |
| JP2008525861A (ja) * | 2004-12-29 | 2008-07-17 | コーニング インコーポレイテッド | 光学窓及び素子のための反射防止膜 |
| US8619365B2 (en) | 2004-12-29 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
| CN102375164A (zh) * | 2010-08-18 | 2012-03-14 | 素塔电子科技(上海)有限公司 | 一种防反射塑料薄膜及其制备方法 |
| CN110174717A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-08-27 | 厦门大学 | 一种蓝光防护光学薄膜及其制造方法 |
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