JP4701528B2 - 反射防止フィルム - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体上に透明高屈折率酸化物層と透明低屈折率酸化物層を交互に積層してなる反射防止フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
反射防止（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、以下略してＡＲという。）フィルムは、ＣＲＴやＬＣＤ（液晶表示素子）の画面表面に形成されて、外光の映り込みを防止して画面を見やすくしたり、コントラストを上げて画質を向上させたりするために用いられている。さらにＡＲフィルムは、導電層を存在させることにより、帯電防止や電磁遮蔽効果を持たせてホコリの付着防止や環境保全に寄与させることもなされている。
【０００３】
ＣＲＴ用途としては、特開平１１−２１８６０３号公報、特開平９−８０２０５号公報及びＨ．Ｉｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ．／ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ３５１ （１９９９） ２１２−２１５の文献等に示されているように、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）ベースの上にハードコート層を形成し、さらにその上にＳｉＯ_x ／ＩＴＯ／ＳｉＯ₂ ／ＩＴＯ／ＳｉＯ₂ やＳｉＯ_x ／ＴｉＮ／ＳｉＯ₂ 等の積層構造のＡＲ層が形成されたものが知られている。
【０００４】
一方、ＬＣＤ表面に形成するＡＲフィルムとしては、ベース／ＳｉＯ_x ／ＴｉＯ₂ ／ＳｉＯ₂ ／ＴｉＯ₂ ／ＳｉＯ₂ やベース／ＳｉＯ_x ／ＴｉＯ₂ ／ＳｉＯ₂ ／ＴｉＯ₂ ／Ａｌ₂ Ｏ₃ ／ＳｉＯ₂ 等のＴｉＯ₂ を用いた透明度の大きな構成が知られている。
【０００５】
ＡＲフィルムを構成する各層はスパッタリングによって成膜されるが、その成膜スピードを考えると、高屈折率酸化物層としてはＴｉＯ₂ スパッタ層を用いた構成よりも、ＳｉＯ_x ／ＩＴＯ／ＳｉＯ₂ ／ＩＴＯ／ＳｉＯ₂ のようなＩＴＯスパッタ層を用いた構成の方が生産性に優れている。図２に示すようなフィルム用の連続スパッタ機を用いて成膜する場合、スパッタ室１０１においてメインローラ１０３に沿って走行するフィルム１０５の走行方向の成膜可能長さ、すなわちカソード１０７を付けられる長さは限られており、同一のフィルム走行長さで比較すると、ＩＴＯとＴｉＯ₂ の成膜速度の比は約３対１程度となる。また、同一のスパッタ電力密度で比較しても、ＴｉＯ₂ はＩＴＯの１／３から１／６の成膜速度となる。これは、ＩＴＯの透明性と導電性を両立させる観点からの成膜速度であって、透明性を無視すれば速度の差はさらに大きくなる。ＴｉＯ₂ の成膜速度が遅いのは、ＴｉがＩＴＯの成分元素であるＩｎやＳｎに比べてスパッタ率が小さいことに大きく依存している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、ＩＴＯ膜はＴｉＯ₂ 膜よりも生産性に優れているが、ＩＴＯ膜を用いたＡＲフィルム、例えばベース／ＳｉＯ_x ４ｎｍ／ＩＴＯ １８ｎｍ／ＳｉＯ₂ ３２ｎｍ／ＩＴＯ ６０ｎｍ／ＳｉＯ₂ ９５ｎｍで構成されるようなＡＲフィルムは、透明であるけれど黄色みがかかっているという欠点を有している。ＣＲＴ用途においては、ＡＲ層が黄色みがかかっていても、Ｒ／Ｇ／Ｂのカソード電流を黄色みを打消す方向へ調整することにより、ＡＲ層の黄色みの影響を受けないようにすることがある程度可能であるが、ＬＣＤの場合にはＡＲフィルムに対応させるためにだけ色調整をすることは容易ではない。カラーフィルター他を含めての調整が必要になるからである。このような事情から、成膜速度が遅くてもＴｉＯ₂ が透明高屈折率材料として用いられているが、このためＡＲフィルムを高価なものとしていた。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に対処してなされたもので、ＩＴＯのように高速スパッタリングが可能で低価格な金属酸化物膜を用いて、色が中性に近い透明タイプのＡＲフィルムを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１の発明は、基体上に透明高屈折率酸化物層と透明低屈折率酸化物層を交互に積層してなる反射防止フィルムであって、透明高屈折率酸化物層がＩｎ₂ Ｏ₃ 及びＳｎＯ₂ から選ばれた少なくとも一種の金属酸化物を主成分として含有し、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物成分を、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ に換算して５モル％以上４０モル％以下含有する酸化物膜を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、導電性を有することで多くの用途に使用されているＩｎ₂ Ｏ₃ またはＩＴＯ等のスパッタ膜に分光透過率調整用の酸化物を添加することにより、高速スパッタリングが可能で低価格な金属酸化物膜を高屈折率酸化物層に用いて４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光透過率のばらつきを１０％以内に抑えることが可能となり、生産性に優れかつ無色に近い透明タイプのＡＲフィルムを得ることができる。
【００１０】
分光透過率調整用の添加成分としては、Ｉｎ₂ Ｏ₃ やＳｎＯ₂ と混合融解したときにガラス化しやすく、ガラス組織ネットワークを構成しやすいガラス網目形成酸化物であって、純粋組成のときに低波長側の光線透過率の高いものが選択される。このような条件を満たすものとしては、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂの元素の酸化物、代表的にはＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ 等で表される酸化物が挙げられる。
【００１１】
Ｉｎ₂ Ｏ₃ またはＩＴＯの基本材料に対して添加する酸化物の量は、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ に換算して合計で５モル％以上，４０モル％以下であることが好ましい。５モル％以下では低波長域での透過率改善効果が少なく、４０モル％以上ではＩｎ₂ Ｏ₃ 及びＳｎＯ₂ の比率が下がり過ぎてしまい、スパッタ成膜速度の高速性が得られなくなってしまう。さらに好ましくは、１０モル％以上，３０モル％以下がスパッタ成膜速度と低波長域での透過率特性の両立において最も効果的である。
【００１２】
また、透明高屈折率酸化物層は必ずしも同一組成の材料で形成する必要はない。一つの所定膜厚の透明高屈折率酸化物層を例えば厚さ半分づつ、添加する酸化物成分の元素または濃度を変えた組成の異なる材料を用いて形成してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の一実施の形態にかかるＡＲフィルムの積層構成を示す断面図、図２は、ＡＲフィルムの各酸化物層を成膜するための連続スパッタ機を模式的に示す図である。
【００１４】
図１において、ＡＲフィルムは、ＰＥＴ等のベース１、アクリル系等のハードコート層３、ＳｉＯ_x 層５、透明高屈折率酸化物層７、透明低屈折率酸化物層９、透明高屈折率酸化物層１１、透明低屈折率酸化物層１３、及び防汚層１５によって構成されている。本実施の形態では、透明高屈折率酸化物層７、１１に、Ｉｎ₂ Ｏ₃ またはＩＴＯを主成分とし、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂのうちのいずれか１種以上の元素の酸化物を添加成分として、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ に換算して５〜４０モル％、より好ましくは１０〜３０モル％の範囲で含有するスパッタ膜が用いられる。また、透明低屈折率酸化物層９、１３としては、例えばＳｉＯ₂ が用いられる。さらにＡＲフィルムの表面には、汚染を防止する防汚層１５が適宜コーティングされる。
【００１５】
上記構成のＡＲフィルムは、ハードコート層３が形成されたベース１上に、例えば図２に示すような連続スパッタ機を用いて、スパッタリング法によりＳｉＯ_x 層５、透明高屈折率酸化物層７、透明低屈折率酸化物層９、透明高屈折率酸化物層１１、透明低屈折率酸化物層１３を順次成膜することにより製作される。
【００１６】
図２において、連続スパッタ機は、ハードコート層があらかじめ形成されたロール状のフィルム１０５を繰り出す巻出し室１０９と、フィルム１０５上にスパッタリングを行うスパッタ室１０１と、フィルム１０５を巻き取る巻取り室１１０が連続して設けられている。スパッタ室１０１には、フィルム１０５を巻き付けて矢印方向に走行させるメインローラ１０３が設置され、メインローラ１０３の周囲に一定の距離をおいて、ターゲットを載置したカソード１０７が複数設置されている。この構成において、各カソード１０７表面に酸素ガス雰囲気を形成し、カソード１０７に電圧を印加することにより、各カソード１０７に載置したターゲットに応じたスパッタ膜がフィルム１０５上に順次成膜される。
【００１７】
本実施の形態の透明高屈折率酸化物層７、１１において、添加成分として用いられるＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ は、それ自体低波長側の光線透過率が高く、かつＩｎ₂ Ｏ₃ やＳｎＯ₂ と混合融解したときにガラス化しやすく、ガラス組織ネットワークを形成しやすい酸化物（例えば、ＳｉＯ₂ はＳｉ同士の結合を介してのガラス網目形成酸化物の代表である。）で、これをＩｎ₂ Ｏ₃、ＳｎＯ₂またはＩＴＯに添加することにより、Ｉｎ₂ Ｏ₃、ＳｎＯ₂またはＩＴＯのみからなるものよりも低波長側の透過率を高めることができる。
【００１８】
例えば、図１に示す本実施の形態と同じ膜構成で透明高屈折率酸化物層としてＩＴＯ（ここではＩｎ₂ Ｏ₃ とＳｎＯ₂ が質量比で９：１、モル比で約８３：１７の組成）のスパッタ膜を用いた従来のＡＲフィルム
ベース／
ＳｉＯ_x 層 ４ｎｍ／
ＩＴＯ層 ２１ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ３２ｎｍ／
ＩＴＯ層 ６０ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ９５ｎｍ
を考えると、この従来のＡＲフィルム中の６０ｎｍ膜厚のＩＴＯ層を、７３モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −２７モル％ＺｎＯの組成のスパッタ膜とすることにより、４００ｎｍの波長における透過率が１２％向上することが認められる。これは、ＩＴＯ膜とＩｎ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系膜との波長に対する光吸収特性の違いによるものであり、６０ｎｍ膜厚においてはＩｎ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系膜の方が４００ｎｍ近くの短波長域まで透過率が相対的に大きくなっているためと考えられる。
【００１９】
図３及び図４は、ハードコート層を形成したＰＥＴベース上に設けた６０ｎｍ膜厚の各種組成のスパッタ膜について、光学波長変化に伴う透過率変化を示すもので、図中曲線ａはＴｉＯ₂ 、曲線ｂはＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１７モル％ＳｎＯ₂ ）、曲線ｃは７３モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −２７モル％ＺｎＯ、曲線ｄは７８モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −５モル％ＺｎＯ−５モル％ＳｉＯ₂ 、曲線ｅは７０モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１０モル％ＳｎＯ₂ −２０モル％Ｎｂ₂ Ｏ₅ 、曲線ｆは７８モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −１０モル％ＭｇＯ、曲線ｇは８０モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −８モル％Ａｌ₂ Ｏ₃ 、曲線ｈは７５モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −７モル％ＭｇＯ−６モル％ＴｉＯ₂ の分光透過率を示す。
【００２０】
図３及び図４において、曲線ａのＴｉＯ₂ の成膜ではＴｉをターゲットとして用い、曲線ｂ〜ｇのＩｎ₂ Ｏ₃ 系の成膜ではそれぞれの酸化物組成をターゲットとして用いている。Ｔｉターゲットを使用した時とＩｎ₂ Ｏ₃ 系ターゲットを使用した時では、最適な光学特性を得るためのスパッタ条件は異なる。それぞれのスパッタ条件は次の通りである。
Ｉｎ₂ Ｏ₃ 系ターゲット使用時のスパッタ条件
雰囲気ガス：Ａｒ−１０体積％Ｏ₂ ガス
電力密度：３．６Ｗ／ｃｍ²
基板：ハードコート付ＰＥＴベース
Ｔｉターゲット使用時のスパッタ条件
雰囲気ガス：Ａｒ−５０体積％Ｏ₂ ガス
電力密度：６Ｗ／ｃｍ²
基板：ハードコート付ＰＥＴベース
【００２１】
図３及び図４から明らかなように、Ｉｎ₂ Ｏ₃ やＩＴＯにＺｎＯ、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ 等を添加することにより、ＩＴＯ膜より４００ｎｍの低波長側における透過率が向上している。なお、ＴｉをターゲットとしたＴｉＯ₂ 膜より透過率が大きくなる成膜条件は見出せていないが、相対的に透過率を大きく取りながらＴｉＯ₂ 膜の成膜速度より速いＩＴＯ膜と同程度の成膜速度を維持することが可能である。そのためには、Ｉｎ₂ Ｏ₃ やＩＴＯの基本材料に対してＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ 等に換算した酸化物の含有量を合計で５モル％以上，４０モル％以下とすることが望ましい。５モル％以下では低波長域での透過率改善効果が少なく、４０モル％以上ではＩｎ₂ Ｏ₃ 及びＳｎＯ₂ の比率が小さくなり過ぎてスパッタ成膜速度が大きいという利点が得られなくなってしまう。さらに、スパッタ成膜速度と低波長域での透過率特性の両立の観点から、１０モル％以上，３０モル％以下がより好ましい。
【００２２】
また、透明高屈折率酸化物層７、１１のスパッタ成膜時のターゲットには、酸化物ターゲットを用いても、金属ターゲットを用いてもよい。酸化物ターゲットとしては、目的のスパッタ膜の組成に応じてそれぞれの酸化物材料を混合し、型プレスし、酸素濃度を調整した雰囲気で焼結したものを用いることができる。金属ターゲットとしては、目的のスパッタ膜の組成に対応した金属組成の合金が用いられる。金属ターゲットの場合には、スパッタ時に５０％酸素−５０％Ａｒ流量比のガスを用いるのが好ましく、酸化物ターゲットの場合には、酸素量を３０％以下、特に１０％程度とすることが好ましい。
【００２３】
また、透明高屈折率酸化物層７、１１に、ごく微量のＳｂ₂ Ｏ₃ 、Ｂ₂ Ｏ₃ 、Ｙ₂ Ｏ₃ 、ＣｅＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｈＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、Ｌａ₂ Ｏ₃ 、Ｎｄ₂ Ｏ₃ 等の透明酸化物を添加してもよい。これらの添加はスパッタ成膜速度、低波長側透過率に大きな影響を与えるものではなく、本発明の要旨を逸脱するものではない。
【００２４】
なお、本実施の形態では、透明高屈折率酸化物層７、１１の両方に、Ｉｎ₂ Ｏ₃ またはＩＴＯにＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 及びＮｂ₂ Ｏ₅ 等の酸化物成分を添加した酸化物膜を用いたが、この酸化物膜をいずれか一方にのみ用いてもよい。その場合、より膜厚の厚い透明高屈折率酸化物層１１に適用する方が効果的である。
【００２５】
また、本実施の形態では、ハードコート層３を形成したＰＥＴ等のベース１上に酸化物層を積層する構成としたが、この他にも、より透過率を高める目的や偏光を扱う観点から、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）ベース上に形成する構成やハードコート層を設けたＴＡＣベース上に形成する構成を取ることもできる。さらには、ポリカーボネート等のフィルム上や、ガラスやアクリル板の上に形成してもよいことはいうまでもない。また、本実施の形態のＡＲフィルムは、ベースの裏に粘着剤を塗布して反射防止を施したい面に貼り付けて使用することができる形態であるが、本発明は、これ以外にも、透明アクリル板の裏表に酸化物層を形成して使用するなど種々の形態に適用することができる。
【００２６】
【実施例】
以下、本発明を実施例についてさらに詳細に説明する。
実施例１
本発明の実施例として下記構成のＡＲフィルムを作成した。
ＰＥＴベース １８８μｍ／
ハードコート層 ６μｍ／
ＳｉＯ_x 層 ４ｎｍ／
７５モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −２５モル％ＺｎＯ組成の層 １５ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ３２ｎｍ／
７８モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −１０モル％ＳｉＯ₂ 組成の層 ７５ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ９７ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ
【００２７】
また、この実施例に対応する従来例として下記構成のＡＲフィルムを作成した。
ＰＥＴベース １８８μｍ／
ハードコート層 ６μｍ／
ＳｉＯ_x 層 ４ｎｍ／
ＩＴＯ（８３モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１７モル％ＳｎＯ₂ 組成）層 ２１ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ３２ｎｍ／
ＩＴＯ層 ６０ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ９５ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ
【００２８】
本実施例と従来例のそれぞれのＡＲフィルムの分光透過率を図５に、分光反射率を図６に示す。なお、図５及び図６は、分光透過率及び分光反射率を微小なゆらぎを平均化した曲線にて簡便に示している。図５から明らかなように、本実施例のＡＲフィルムは、従来例のものと比較して、４００ｎｍの光学波長において約１５％の透過率の改善が見られ、４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光透過率のばらつき幅は９％程度に縮小した。一方、図６から明らかなように、本実施例の４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光反射率は、従来例とほとんど変わらない値を得ることができた。
【００２９】
実施例２
本発明の他の実施例として次のような構成のＡＲフィルムを作成した。
ＰＥＴベース ７５μｍ／
ハードコート層 ６μｍ／
ＳｉＯ_x 層 ５ｎｍ／
７８モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −１０モル％ＭｇＯ組成の層 １８ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ２０ｎｍ／
７５モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −７モル％ＭｇＯ−６モル％ＴｉＯ₂ 組成の層 １００ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ８５ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ
【００３０】
また、この実施例に対応する従来例として下記構成のＡＲフィルムを作成した。
ＰＥＴベース ７５μｍ／
ハードコート層 ６μｍ／
ＳｉＯ_x 層 ５ｎｍ／
ＩＴＯ層 １５ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ２０ｎｍ／
ＩＴＯ層 ９８ｎｍ／
ＳｉＯ₂ 層 ８５ｎｍ／
防汚層 ５ｎｍ
【００３１】
本実施例においては、従来例に比べて５００〜６００ｎｍにおける反射率は同等の特性が得られ、かつ４００ｎｍの低波長側における光線透過率は１０％の改善が見られた。
【００３２】
以上の説明からも明らかなように、上記実施例１、２における透明高屈折率酸化物層は、ＩＴＯ層よりも４００ｎｍ近傍の低波長側での透明度が高く、かつＩＴＯ層と同程度の成膜速度が得られるため、ＩＴＯ層を用いたＡＲフィルムよりも高透明で無色に近いＡＲフィルムを、ＴｉＯ₂ 層を用いたＡＲフィルムより低コストで製造することができる。
【００３３】
また、ＡＲフィルムの用途により、導電性を必要とするケース、必要としないケース、わずかの導電性を必要とするケースなどいろいろあるが、ＴｉＯ₂ では導電性を持たせることが困難であるのに対して、本発明にかかる透明高屈折率酸化物材料を用いることで、自由な設計が可能となる。例えば、実施例１に示したように、薄い高屈折率層に７５モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −２５モル％ＺｎＯのような導電率の高い材料を用い、厚い高屈折率層には透明度のより優れた材料を用いるなど、用途に応じた最適な透明高屈折率酸化物材料を選択することができる。
【００３４】
なお、上記実施例では一つの透明高屈折率酸化物層に同一材料を用いているが、これに限定されるものではなく、例えば一つの透明高屈折率酸化物層のうちほぼ上半分の厚さを７８モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −１０モル％ＭｇＯによる酸化物膜とし、下半分の厚さを７５モル％Ｉｎ₂ Ｏ₃ −１２モル％ＳｎＯ₂ −７モル％ＭｇＯ−６モル％ＴｉＯ₂ による酸化物膜とすることも可能である。ターゲットを２セット並べてスパッタさせる場合に、前者と後者を別のタイプの組成とすることにより、種々の組み合わせが可能となるのはいうまでもない。
【００３５】
【発明の効果】
上述したように、請求項１の発明によれば、Ｉｎ₂ Ｏ₃ またはＩＴＯの基本材料に分光透過率調整用の酸化物を添加した材料を用いて透明高屈折率酸化物層を形成することにより、ＩＴＯを用いたものよりも４００ｎｍ近傍の低波長域での光線透過率を高めることができ、かつＴｉＯ₂ 膜よりも速いＩＴＯ膜と同等の成膜速度で成膜することができるため、ＩＴＯ膜を用いたものよりも透明度の高い無色のＡＲフィルムを、ＴｉＯ₂ 膜を用いたものよりも低コストで得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかる反射防止フィルムの積層構成を示す断面図である。
【図２】反射防止フィルム製造用の連続スパッタ機の一例を模式的に示す図である。
【図３】各スパッタ膜の分光透過率を示す図である。
【図４】各スパッタ膜の分光透過率を示す図である。
【図５】実施例１の反射防止フィルムの分光透過率を従来例と比較して示す図である。
【図６】実施例１と反射防止フィルムの分光反射率を従来例と比較して示す図である。
【符号の説明】
１……ベース、３……ハードコート層、５……ＳｉＯ_x 層、７、１１……透明高屈折率酸化物層、９、１３……透明低屈折率酸化物層、１５……防汚層、１０１……スパッタ室、１０３……メインローラ、１０５……フィルム、１０７……カソード

Claims (6)

1. 基体上に透明高屈折率酸化物層と透明低屈折率酸化物層を交互に積層してなる反射防止フィルムであって、
   少なくとも一つの透明高屈折率酸化物層が、Ｉｎ₂Ｏ₃及びＳｎＯ₂から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を主成分として含有し、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ及びＮｂから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物成分を、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂及びＮｂ₂Ｏ₅に換算して５モル％以上，４０モル％以下含有する酸化物膜を有することを特徴とする反射防止フィルム。
2. 前記酸化物膜が、前記酸化物成分を、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂及びＮｂ₂Ｏ₅に換算して１０モル％以上，３０モル％以下含有することを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。
3. 少なくとも一つの透明高屈折率酸化物層が組成の異なる複数の酸化物膜からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。
4. 透明高屈折率酸化物層を構成する複数の酸化物膜が、互いに前記酸化物成分の元素または濃度が異なる組成を有することを特徴とする請求項３記載の反射防止フィルム。
5. 前記透明高屈折率酸化物層及び透明低屈折率酸化物層がスパッタリング法により形成されてなることを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。
6. ４００〜６５０ｎｍの波長範囲における分光透過率の最大差が１０％以下であることを特徴とする請求項１記載の反射防止フィルム。

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