WO2015046208A1 - 透明導電性フィルムの製造方法 - Google Patents

透明導電性フィルムの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015046208A1
WO2015046208A1 PCT/JP2014/075206 JP2014075206W WO2015046208A1 WO 2015046208 A1 WO2015046208 A1 WO 2015046208A1 JP 2014075206 W JP2014075206 W JP 2014075206W WO 2015046208 A1 WO2015046208 A1 WO 2015046208A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transparent conductive
film
sputtering
conductive layer
targets
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/075206
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智剛 梨木
久登 加藤
浩史 別府
大輔 梶原
佳史 高見
Original Assignee
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=52743344&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2015046208(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 日東電工株式会社 filed Critical 日東電工株式会社
Priority to CN201480047600.1A priority Critical patent/CN105492655A/zh
Priority to KR1020167001691A priority patent/KR20160061961A/ko
Publication of WO2015046208A1 publication Critical patent/WO2015046208A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a transparent conductive film.
  • the demand for transparent conductive films having a transparent conductive layer with low resistance (high conductivity) for the purpose of low power consumption is increasing. Further, in order to cope with such an increase in demand, film formation at a higher speed is required.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing a transparent conductive film capable of forming a transparent conductive layer having a reduced resistance at a higher speed.
  • the present invention is a method for producing a transparent conductive film comprising a step of forming a transparent conductive layer by sputtering from a target containing indium-tin composite oxide on a base film,
  • the sputtering method is a DC dual target sputtering method performed by connecting a DC power source to each of the two targets provided per sputtering chamber in the sputtering film forming apparatus.
  • a DC dual target sputtering method in which a DC power source is connected to each of the two targets provided per sputtering chamber is employed as a sputtering method when forming the transparent conductive layer.
  • the sputtering speed can be doubled as compared with the single target sputtering method, and the film forming process can be accelerated.
  • the plasma density in the sputtering chamber can be increased by installing two targets in one sputtering chamber. As a result, a denser sputtered film can be formed, and the specific resistance of the obtained transparent conductive layer can be reduced.
  • the plasma density can be increased by increasing the output of the DC power source.
  • the output is increased too much, the load on the target will increase, causing cracks and nodules (a state of being burnt due to foreign matter), so the output that can be loaded on the target will be limited. Therefore, it is not possible to reduce the resistance as much as the DC dual target sputtering method and to increase the speed of sputtering film formation.
  • the shortest distance between the two targets is preferably 10 mm or more and 150 mm or less.
  • the shortest distance between the targets is preferably 10 mm or more and 150 mm or less.
  • the transparent conductive layer may be formed independently by DC dual target sputtering in each sputter chamber.
  • the transparent conductive layer having a laminated structure can be efficiently obtained by changing the conditions of the DC dual target sputtering method in each sputtering chamber according to the properties of each layer. Can be formed.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a sputter deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the roll film to which the base film 1 is fed from the feed roll 53 is conveyed by the temperature control roll 52 through the guide roll 55, and is taken up by the take-up roll 54 through the guide roll 56. ⁇
  • the roll method is adopted.
  • the inside of the sputter deposition apparatus 100 is evacuated to a predetermined pressure or less (exhaust means is not shown).
  • the temperature adjustment roll 52 is controlled to reach a predetermined temperature.
  • the sputter deposition apparatus 100 of this embodiment includes one sputter chamber 11.
  • the sputter chamber 11 is a region surrounded by the casing 101 of the sputter deposition apparatus 100, the partition wall 12, and the temperature control roll 52, and can be set to an independent sputter atmosphere during sputter deposition.
  • the sputtering chamber 11 includes two indium-tin composite oxide (ITO) targets 13A and 13B.
  • the ITO targets 13 ⁇ / b> A and 13 ⁇ / b> B are each connected to a DC power source 16, and are discharged from the DC power source, so that a transparent conductive layer is formed on the base film 1.
  • the sputtering rate can be doubled as compared with the single target sputtering method, and the deposition process can be speeded up.
  • the plasma density in the sputtering chamber can be increased, and as a result, a denser sputtered film can be formed and the specific resistance of the obtained transparent conductive layer can be reduced.
  • the shape of the ITO targets 13A and 13B may be a flat plate type (planar) as shown in FIG. 1 or a cylindrical type (rotary).
  • the shortest distance between the two ITO targets 13A and 13B is preferably 10 mm or more and 150 mm or less, and more preferably 20 mm or more and 140 mm or less. If the shortest distance between the ITO targets is too small, the magnetic fields may interfere with each other when the magnetic field is applied together with the DC power to form a desired film. By adopting the lower limit of the shortest distance, it is possible to prevent such magnetic field interference and form a transparent conductive layer having good film quality. On the other hand, if the shortest distance is too large, the plasma density will not increase sufficiently because two single ITO targets are arranged side by side. In some cases, the advantages of provisioning cannot be fully obtained. By setting the shortest distance to a predetermined value or less, the plasma density in the sputtering chamber 11 can be efficiently increased.
  • a target containing an indium-tin composite oxide (In 2 O 3 —SnO 2 target) is preferably used.
  • the amount of SnO 2 in the metal oxide target is 0.5 weight relative to the weight of In 2 O 3 and SnO 2 added. % To 15% by weight, preferably 1 to 12% by weight, more preferably 2 to 12% by weight. If the amount of SnO 2 in the target is too small, the durability of the ITO film may be inferior. If the amount of SnO 2 is too large, it ITO film is hardly crystallized, there is a case stability transparency and resistance is not sufficient.
  • the degree of vacuum (degree of ultimate vacuum) in the sputter film formation apparatus 100 is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less. It is preferable to evacuate to an atmosphere in which impurities such as moisture in the sputter deposition apparatus 100 and organic gas generated from the base film 1 are removed. This is because the presence of moisture or organic gas terminates dangling bonds generated during sputtering film formation and hinders the crystal growth of a conductive oxide such as ITO.
  • an inert gas such as Ar and oxygen gas as a reactive gas are introduced as necessary, and sputter film formation is performed under a reduced pressure of 1 Pa or less.
  • the pressure in the sputtering chamber 11 during film formation is preferably 0.05 Pa to 1 Pa, and more preferably 0.1 Pa to 0.7 Pa. If the film formation pressure is too high, the film formation rate tends to decrease. Conversely, if the pressure is too low, the discharge tends to become unstable.
  • the power density of the DC power source 16 for each ITO target 13A, 13B can be set as appropriate in consideration of the thickness, specific resistance, production efficiency, etc. of the target transparent conductive layer.
  • Power density of DC power source 16 is preferably 0.6 W / cm 2 or more 9.0W / cm 2 or less, 0.9 W / cm 2 or more 8.0 W / cm 2 or less being more preferred.
  • Transparent conductive film A transparent conductive film obtained by the above-described DC dual target sputtering method will be described. As shown in FIG. 2, in the transparent conductive film 10, the transparent conductive layer 2 containing indium-tin composite oxide is formed on the base film 1.
  • the base film 1 is not particularly limited as long as it is flexible and transparent in the visible light region, and a plastic film having transparency and a polyester resin as a constituent material is used. Polyester resins are preferably used because of their excellent transparency, heat resistance, and mechanical properties. As the polyester resin, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN) and the like are particularly suitable.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the plastic film is preferably stretched from the viewpoint of strength, and more preferably biaxially stretched. It does not specifically limit as a extending
  • the thickness of the base film is preferably in the range of 2 to 200 ⁇ m, more preferably in the range of 2 to 130 ⁇ m, and still more preferably in the range of 2 to 110 ⁇ m.
  • the thickness of the film is less than 2 ⁇ m, the mechanical strength is insufficient, and the operation of continuously forming the transparent conductive layer 2 and the conductive metal layer 3 in a roll shape may be difficult.
  • the thickness of the film exceeds 200 ⁇ m, the scratch resistance of the transparent conductive layer 2 and the dot characteristics when a touch panel is formed may not be achieved.
  • the base film is preliminarily subjected to etching treatment such as sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, oxidation and undercoating treatment on the surface, and the transparent conductive layer 2 formed on the film base You may make it improve the adhesiveness of. Moreover, before forming a transparent conductive layer, you may remove and clean the film base-material surface by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, etc. as needed.
  • Such a base film 1 is provided as a roll of a long film, and a transparent conductive layer 2 is continuously formed thereon to obtain a long transparent conductive film.
  • the composition of the transparent conductive layer 2 can be the same composition as the ITO targets 13A and 13B described above.
  • the thickness of the transparent conductive layer is not particularly limited, but the thickness is preferably 10 nm or more in order to obtain a continuous film having good conductivity with a surface resistance of 1 ⁇ 10 3 ⁇ / ⁇ or less. If the film thickness becomes too thick, the transparency is lowered, and therefore the thickness is preferably 15 to 35 nm, more preferably 20 to 30 nm. When the thickness of the transparent conductive layer is less than 15 nm, the electrical resistance of the film surface increases and it becomes difficult to form a continuous film. Further, when the thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm, the transparency may be lowered.
  • the transparent conductive layer 2 may be crystalline or amorphous.
  • the ITO film when the ITO film is formed as the transparent conductive layer by the sputtering method, there is a restriction due to the heat resistance of the base film 1, so that the sputtering film formation cannot be performed at a high temperature. For this reason, the ITO immediately after film formation is an amorphous film (some of which may be crystallized). Such an amorphous ITO film has a lower transmittance than a crystalline ITO film, and may cause problems such as a large resistance change after a humidification heat test.
  • the transparent conductive layer may be converted into a crystalline film by annealing in the presence of oxygen in the atmosphere.
  • the transparency is improved, the resistance change after the humidification heat test is small, and the humidification heat reliability is improved.
  • the transparent conductive layer 2 after crystallization preferably has a low specific resistance value of 1.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more and 6.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the specific resistance value is more preferably 1.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more and 4.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less, and further 1.2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more and 3. It is preferably 5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the transparent conductive layer 2 may be patterned by etching or the like.
  • the transparent conductive layer 2 is preferably patterned in a stripe shape.
  • the transparent conductive layer 2 is patterned by etching, if the transparent conductive layer 2 is first crystallized, patterning by etching may be difficult. Therefore, it is preferable to perform the annealing treatment of the transparent conductive layer 2 after patterning the transparent conductive layer 3.
  • undercoat layers such as a dielectric material layer and a hard-coat layer, may be formed between the base film 1 and the transparent conductive layer 2.
  • the dielectric layer formed on the surface of the base film 1 on the surface side where the transparent conductive layer is formed does not have a function as a conductive layer, and the surface resistance is, for example, 1 ⁇ 10 6 ⁇ / ⁇ or more. It is preferably 1 ⁇ 10 7 ⁇ / ⁇ or more, more preferably 1 ⁇ 10 8 ⁇ / ⁇ or more.
  • the upper limit of the surface resistance of the dielectric layer is about 1 ⁇ 10 13 ⁇ / ⁇ , which is a measurement limit, but may exceed 1 ⁇ 10 13 ⁇ / ⁇ .
  • the numerical value in the parenthesis indicates the refractive index
  • an organic substance such as an acrylic resin, urethane resin, melamine resin, alkyd resin, siloxane polymer, organosilane condensate having a refractive index of about 1.4 to 1.6, or the above
  • a mixture of an inorganic substance and the organic substance can be given.
  • a dielectric layer on the transparent conductive layer forming surface side of the base film, for example, even when the transparent conductive layer 2 is patterned into a plurality of transparent electrodes, the transparent conductive layer forming region and the transparent film are transparent. It is possible to reduce the difference in visibility between the conductive layer non-formation region.
  • a dielectric material layer can act also as a sealing layer which suppresses precipitation of low molecular weight components, such as an oligomer from a plastic film.
  • the surface of the base film 1 opposite to the surface on which the transparent conductive layer 2 is formed may be provided with a hard coat layer, an easy adhesion layer, an anti-blocking layer, or the like as necessary.
  • a hard coat layer such as an easy adhesion layer, an anti-blocking layer, or the like as necessary.
  • those with other substrates bonded using appropriate adhesive means such as pressure-sensitive adhesives, or those in which a protective layer such as a separator is temporarily attached to a pressure-sensitive adhesive layer for bonding with other substrates It may be.
  • the sputter deposition apparatus 100 includes one sputter chamber 11, but the number of sputter chambers in the sputter deposition apparatus is not limited to one, and may be two or three or more. . What is necessary is just to change the number of the sputtering chambers to operate according to the layer structure of a transparent conductive layer. That is, when the transparent conductive layer is made of a single layer of ITO film, the number of sputtering chambers is one. From this point onward, in the case of two layers of ITO film, two sputtering chambers are used. Three chambers may be provided. In the present embodiment, an aspect in which three sputtering chambers are provided will be described.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram showing a configuration of a sputter deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • the basic configuration of the sputter deposition apparatus 110 is the same as that of the sputter deposition apparatus 100 in the first embodiment.
  • a sputter chamber 21 is provided on the upstream side of the sputter chamber 11.
  • a sputtering chamber 31 is provided on the downstream side. Therefore, the sputter deposition apparatus 110 has a total of three sputter chambers.
  • the sputtering chambers 21 and 31 are provided with ITO targets 23A and 23B and ITO targets 33A and 33B, respectively, and DC power sources 26 and 36 are connected to the targets.
  • the DC dual target sputtering method can be performed under independent conditions in each sputtering chamber.
  • the sputter chamber 21 starts from the base film 1.
  • the first ITO film is formed, and then the second ITO film is formed in the sputtering chamber 11 and the third ITO film is formed in the sputtering chamber 31.
  • the conditions of each sputtering chamber may be the same or different.
  • the sputtering conditions in each sputtering chamber may be set in consideration of the thickness, specific resistance, optical characteristics, etching properties, etc. of the transparent conductive layer 2 to be formed.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a transparent conductive film according to another embodiment of the present invention.
  • the transparent conductive film 10 ′ includes transparent conductive layers 2 a, 2 b, and 2 c in order on the base film 1.
  • Each transparent conductive layer has a different composition of indium-tin composite oxide, and the weight ratio of tin oxide to the total weight of indium oxide and tin oxide is 0.5% by weight to 5.0% by weight in the transparent conductive layer 2a.
  • the transparent conductive layer 2b is 5.0% by weight to 15.0% by weight, and the transparent conductive layer 2c is 0.5% by weight to 5.0% by weight.
  • the composition of the ITO targets 23A and 23B mounted in the sputtering chamber 21 is 0.5 wt% to 5.0 wt%, and the ITO target 13A mounted in the sputtering chamber 11
  • the composition of 13B may be 5.0% by weight to 15.0% by weight, and the composition of ITO targets 33A and 33B mounted in the sputtering chamber 31 may be 0.5% by weight to 15.0% by weight.
  • a sputter deposition may be performed while a magnet electrode (not shown) is installed together with a DC power source and a magnetic field is applied.
  • the magnetic field to be applied may be set in consideration of the film forming speed and the like. For example, it may be 20 to 150 mT, and preferably 30 to 140 mT.
  • Example 1 On a polyethylene terephthalate having a thickness of 50 ⁇ m, a layer made of a thermosetting resin having a weight ratio of 2: 2: 1, which is a condensate of melamine resin: alkyd resin: organosilane, is formed as an undercoat layer to a thickness of 35 nm. Formed. Two sintered bodies of 90% by weight indium oxide and 10% by weight of tin oxide are prepared as targets 13A and 13B, and the targets 13A and 13B are placed in one sputter chamber 11 of the sputter deposition apparatus 100 as shown in FIG. Two DC power supplies 16 were connected to each.
  • the inside of the sputter film forming apparatus 100 was depressurized to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa by evacuation, and the base film 1 was sufficiently degassed.
  • the target 13A and 13B have a DC dual target sputtering method in which the power density is 2.1 W / cm 2, and argon gas is 98 vol% on the undercoat layer.
  • a transparent conductive layer made of an indium-tin composite oxide with an amorphous thickness of 25 nm was formed in a 0.4 Pa sputtering chamber atmosphere composed of 2% by volume of oxygen gas. Then, the transparent conductive layer was crystallized by performing an annealing treatment at 150 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to produce a transparent conductive film.
  • Example 1 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that one ITO target was mounted in the sputter chamber 11 in the sputter deposition apparatus 100 shown in FIG.
  • Example 2 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that an MF-AC power supply (40 kHz) was connected to the ITO target instead of the DC power supply.
  • Table 1 also shows the sputtering rate. This is the relative ratio of Example 1 and Comparative Example 2 when the sputtering rate of Comparative Example 1 employing the conventional DC single target sputtering method is 100%.
  • Example 1 the specific resistance of the transparent conductive layer after crystallization was reduced by about 14% compared to Comparative Example 1 by the conventional sputtering method. This is considered to be caused by the fact that the plasma density is increased by adopting the DC dual target sputtering method and a dense ITO film is formed.
  • the DC power source is connected to each of the two ITO targets, the sputtering rate can be doubled as compared with Comparative Example 1, and the speed of ITO film formation can be increased.
  • Comparative Example 2 although two targets were used, plasma discharge was alternately performed by the MF-AC power source, and on the contrary, both the sputtering rate and the specific resistance were inferior.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

　低抵抗化された透明導電層をより高速で成膜可能な透明導電性フィルムの製造方法を提供する。本発明は、基材フィルム上にインジウム－スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、前記スパッタ法は、スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法である。

Description

透明導電性フィルムの製造方法
　本発明は、透明導電性フィルムの製造方法に関する。
　近年、投影型静電容量方式のタッチパネルや、マトリックス型の抵抗膜方式タッチパネルは、多点入力（マルチタッチ）が可能であるため、操作性に優れ、その需要が急速に高まっている。このようなタッチパネルの電極部材として、基材フィルム上に透明導電性薄膜が形成された透明導電性フィルムが提案されている。透明導電性薄膜の付与は、一般的に真空環境下におけるスパッタリングによってインジウム－スズ複合酸化物膜を成膜することによって行われる（特許文献１）。
特開２００９－０７６４３２号公報
　特にタッチパネル付きディスプレイ製品の市場が拡大されている中で、低電力消費を目的として低抵抗化（高導電性化）された透明導電層を有する透明導電性フィルムの需要が高まってきている。また、このような需要増に対応するために、より高速での成膜が要求されている。
　本発明は、低抵抗化された透明導電層をより高速で成膜可能な透明導電性フィルムの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記構成により上記目的を達成し得ることを見出し本発明にいたった。
　すなわち、本発明は、基材フィルム上にインジウム－スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、
　前記スパッタ法は、スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法である。
　当該製造方法では、透明導電層を成膜する際のスパッタ法として、１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法を採用しているので、スパッタ速度を単一ターゲットスパッタ法の２倍にすることができ、成膜工程の高速化を図ることができる。また、１つのスパッタ室に２つのターゲットを設置することにより、スパッタ室内のプラズマ密度を高めることができる。その結果、より緻密なスパッタ膜を形成することができるので、得られる透明導電層の比抵抗を低減することができる。なお、１つのスパッタ室に１つのターゲットを備える従来型のスパッタ成膜装置において、ＤＣ電源の出力を上げてプラズマ密度を高めることはできる。しかしながら、あまり出力を上げ過ぎるとターゲットへの負荷が大きくなり、クラックやノジュール（異物混入により焦げたようになる状態）が発生してしまうことから、ターゲットに負荷可能な出力は限られることになり、ＤＣデュアルターゲットスパッタ法ほどの低抵抗化及びスパッタ成膜の高速化は望めない。
　前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であることが好ましい。ターゲット間の最短距離を上記下限以上とすることにより、ＤＣ電力とともに磁場を印加して成膜する際の磁場同士の干渉を防止して良好な膜質の透明導電層を形成することができる。一方、上記最短距離を上記上限以下とすることにより、スパッタ室内のプラズマ密度を効率的に高めることができる。
　前記スパッタ成膜装置には、２つ以上のスパッタ室が設けられており、各スパッタ室において独立してＤＣデュアルターゲットスパッタ法により前記透明導電層を形成してもよい。２層以上の積層構造を有する透明導電層を形成する場合、各層の性状に応じて各スパッタ室でのＤＣデュアルターゲットスパッタ法の条件を変更することにより、積層構造を有する透明導電層を効率良く形成することができる。
本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置の構成を示す概念図である。 本発明の一実施形態に係る透明導電性フィルムの模式的断面図である。 本発明の別の実施形態に係るスパッタ成膜装置の構成を示す概念図である。 本発明の別の実施形態に係る透明導電性フィルムの模式的断面図である。
　本発明の透明導電性フィルムの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。
《第１実施形態》
　以下、本発明の一実施形態である第１実施形態について説明する。まず透明導電性フィルムの製造方法について説明した後、結果物である透明導電性フィルムについて説明する。
［透明導電性フィルムの製造方法］
　図１は、本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置の構成を示す概念図である。スパッタ成膜装置１００は、基材フィルム１が送り出しロール５３から送り出され、ガイドロール５５を経て、温度調節ロール５２により搬送され、ガイドロール５６を経て、巻き取りロール５４で巻き取られるロール・トゥ・ロール方式を採用している。スパッタ成膜装置１００内は、所定の圧力以下になるように排気されている（排気手段は図示せず）。温度調節ロール５２は、所定の温度になるように制御されている。
　本実施形態のスパッタ成膜装置１００はスパッタ室１１を１つ備えている。スパッタ室１１は、スパッタ成膜装置１００の筐体１０１と隔壁１２と温度調節ロール５２とで囲まれた領域であり、スパッタ成膜の際には独立したスパッタ雰囲気とすることができる。スパッタ室１１は、２枚のインジウム－スズ複合酸化物（ＩＴＯ）ターゲット１３Ａ、１３Ｂを備えている。ＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂは、それぞれＤＣ電源１６に接続されており、このＤＣ電源より放電がなされ、透明導電層が基材フィルム１上に形成される。スパッタ室１１内ではＤＣ電源１６のプラズマ制御を行うとともに、アルゴンガス及び酸素ガスが所定の体積比（例えば、アルゴンガス：酸素ガス＝９８：２）でスパッタ室１１内に導入されている。このように、スパッタ成膜装置１００では、スパッタ室１１が２つのＩＴＯターゲットを備えているので、スパッタ速度を単一ターゲットスパッタ法の２倍にして成膜工程の高速化を図ることができるとともに、スパッタ室内のプラズマ密度を高めることができ、その結果、より緻密なスパッタ膜が形成されて、得られる透明導電層の比抵抗を低減することができる。
　ＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂの形状は、図１に示すような平板型（プレーナー）であってもよく、円筒型（ロータリー）であってもよい。
　２つのＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂ間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であることが好ましく、２０ｍｍ以上１４０ｍｍ以下であることがより好ましい。ＩＴＯターゲット間の最短距離が小さすぎると、ＤＣ電力とともに磁場を印加して成膜する際に磁場同士が干渉して所望の成膜を行うことができない場合がある。上記最短距離の下限を採用することにより、そのような磁場の干渉を防止して良好な膜質の透明導電層を形成することができる。一方、上記最短距離が大きすぎると、単一ＩＴＯターゲットを２つ並べたのと同様の状態となってプラズマ密度が十分に増加しなくなってしまい、１つのスパッタ室１１内に２つのＩＴＯターゲットを備えることの利点を十分に得られない場合がある。上記最短距離を所定値以下とすることにより、スパッタ室１１内のプラズマ密度を効率良く高めることができる。
　ＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂとしては、インジウム－スズ複合酸化物を含むターゲット（Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２ターゲット）が好適に用いられる。Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２金属酸化物ターゲットが用いられる場合、該金属酸化物ターゲット中のＳｎＯ２の量が、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを加えた重さに対して、０．５重量％～１５重量％であることが好ましく、１～１２重量％であることがより好ましく、２～１２重量％であることがさらに好ましい。ターゲット中のＳｎＯ２の量が少なすぎると、ＩＴＯ膜の耐久性に劣る場合がある。また、ＳｎＯ２の量が多すぎると、ＩＴＯ膜が結晶化され難くなり、透明性や抵抗値の安定性が十分でない場合がある。
　このようなＩＴＯターゲットを用いたスパッタ成膜にあたり、スパッタ成膜装置１００内の真空度（到達真空度）を好ましくは１×１０－３Ｐａ以下、より好ましくは１×１０－４Ｐａ以下となるまで排気して、スパッタ成膜装置１００内の水分や基材フィルム１から発生する有機ガスなどの不純物を取り除いた雰囲気とすることが好ましい。水分や有機ガスの存在は、スパッタ成膜中に発生するダングリングボンドを終結させ、ＩＴＯ等の導電性酸化物の結晶成長を妨げるからである。
　このように排気したスパッタ室１１内に、Ａｒ等の不活性ガスとともに、必要に応じて反応性ガスである酸素ガス等を導入して１Ｐａ以下の減圧下でスパッタ成膜を行う。成膜時のスパッタ室１１内の圧力は０．０５Ｐａ～１Ｐａであることが好ましく、０．１Ｐａ～０．７Ｐａであることがより好ましい。成膜圧力が高すぎると成膜速度が低下する傾向があり、逆に圧力が低すぎると放電が不安定となる傾向がある。
　各ＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂに対するＤＣ電源１６の電力密度は目的とする透明導電層の厚さや比抵抗、生産効率等を考慮して適宜設定することができる。ＤＣ電源１６の電力密度は、０．６Ｗ／ｃｍ２以上９．０Ｗ／ｃｍ２以下が好ましく、０．９Ｗ／ｃｍ２以上８．０Ｗ／ｃｍ２以下がより好ましい。
［透明導電性フィルム］
　上述のＤＣデュアルターゲットスパッタ法により得られる透明導電性フィルムを説明する。図２に示すように、透明導電性フィルム１０では、基材フィルム１上にインジウム－スズ複合酸化物を含む透明導電層２が形成されている。
　＜基材フィルム＞
　基材フィルム１としては、可撓性を有しかつ可視光領域において透明であるものであれば特に制限されず、透明性を有し、ポリエステル系樹脂を構成材料とするプラスチックフィルムが用いられる。ポリエステル系樹脂は、透明性、耐熱性、および機械特性に優れることから好適に用いられる。ポリエステル系樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等が特に好適である。また、プラスチックフィルムは強度の観点から延伸処理が行われていることが好ましく、二軸延伸処理されていることがより好ましい。延伸処理としては特に限定されず、公知の延伸処理を採用することができる。
　基材フィルムの厚みは、２～２００μｍの範囲内であることが好ましく、２～１３０μｍの範囲内であることがより好ましく、２～１１０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。フィルムの厚みが２μｍ未満であると、機械的強度が不足し、フィルムをロール状にして透明導電層２や導電性金属層３を連続的に成膜する操作が困難になる場合がある。一方、フィルムの厚みが２００μｍを超えると、透明導電層２の耐擦傷性やタッチパネルを形成した場合の打点特性等の向上が図れない場合がある。
　基材フィルムには、表面に予めスパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を施して、フィルム基材上に形成される透明導電層２との密着性を向上させるようにしてもよい。また、透明導電層を形成する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗浄などにより、フィルム基材表面を除塵、清浄化してもよい。
　このような基材フィルム１は、長尺フィルムをロール状に巻回したものとして供され、その上に透明導電層２が連続的に成膜されて、長尺透明導電性フィルムが得られる。
　＜透明導電層＞
　透明導電層２の組成は、上述のＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂと同様の組成とすることができる。
　透明導電層の厚みは特に制限されないが、その表面抵抗を１×１０３Ω／□以下の良好な導電性を有する連続被膜とするには、厚みを１０ｎｍ以上とするのが好ましい。膜厚が、厚くなりすぎると透明性の低下などをきたすため、厚みは１５～３５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０～３０ｎｍの範囲内である。透明導電層の厚みが１５ｎｍ未満であると膜表面の電気抵抗が高くなり、かつ連続被膜になり難くなる。また、透明導電層の厚みが３５ｎｍを超えると透明性の低下などをきたす場合がある。
　透明導電層２は結晶質であってもよく、非晶質であってもよい。本実施形態では、透明導電層としてスパッタリング法によってＩＴＯ膜を形成するところ、基材フィルム１の耐熱性による制約があるため、高い温度でスパッタ成膜を行うことができない。そのため、成膜直後のＩＴＯは非晶質膜（一部が結晶化している場合もある）となっている。このような非晶質のＩＴＯ膜は結晶質のＩＴＯ膜に比して透過率が低く、加湿熱試験後の抵抗変化が大きい等の問題を生じる場合がある。かかる観点からは、一旦非晶質の透明導電層を形成した後、大気中の酸素存在下でアニール処理することにより、透明導電層を結晶膜へ転換させてもよい。透明導電層を結晶化することにより、透明性が向上し、さらに加湿熱試験後の抵抗変化が小さく、加湿熱信頼性が向上するなどの利点がもたらされる。
　ＤＣデュアルターゲットスパッタ法では、緻密なＩＴＯ膜を形成可能であることから、透明導電層の比抵抗を低減させることができる。結晶化後の透明導電層２は、比抵抗値として１．２×１０－４Ω・ｃｍ以上６．０×１０－４Ω・ｃｍ以下の低い値を有することが好ましい。比抵抗値は、１．２×１０－４Ω・ｃｍ以上４．０×１０－４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましく、さらには、１．２×１０－４Ω・ｃｍ以上３．５×１０－４Ω・ｃｍ以下であるのが好ましい。
　また、透明導電層２は、エッチング等によりパターン化してもよい。例えば、静電容量方式のタッチパネルやマトリックス式の抵抗膜方式のタッチパネルに用いられる透明導電性フィルムにおいては、透明導電層２がストライプ状にパターン化されることが好ましい。なお、エッチングにより透明導電層２をパターン化する場合、先に透明導電層２の結晶化を行うと、エッチングによるパターン化が困難となる場合がある。そのため、透明導電層２のアニール処理は、透明導電層３をパターン化した後に行うことが好ましい。
＜アンダーコート層＞
　また、基材フィルム１と透明導電層２との間には、誘電体層やハードコート層等のアンダーコート層が形成されていてもよい。このうち基材フィルム１の透明導電層形成面側の表面に形成される誘電体層は、導電層としての機能を有さないものであり、表面抵抗が、例えば１×１０６Ω／□以上であり、好ましくは１×１０７Ω／□以上、さらに好ましくは１×１０８Ω／□以上である。なお、誘電体層の表面抵抗の上限は特にない。一般的には、誘電体層の表面抵抗の上限は測定限界である１×１０１３Ω／□程度であるが、１×１０１３Ω／□を超えるものであってもよい。
　誘電体層の材料としては、ＮａＦ（１．３）、Ｎａ３ＡｌＦ６（１．３５）、ＬｉＦ（１．３６）、ＭｇＦ２（１．３８）、ＣａＦ２（１．４）、ＢａＦ２（１．３）、ＢａＦ２（１．３）、ＳｉＯ２（１．４６）、ＬａＦ３（１．５５）、ＣｅＦ（１．６３）、Ａｌ２Ｏ３（１．６３）などの無機物〔括弧内の数値は屈折率を示す〕や、屈折率が１．４～１．６程度のアクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物などの有機物、あるいは上記無機物と上記有機物の混合物が挙げられる。
　このように、基材フィルムの透明導電層形成面側に誘電体層を形成することによって、例えば透明導電層２が複数の透明電極にパターン化された場合においても、透明導電層形成領域と透明導電層非形成領域との間の視認性の差を低減することが可能である。また、透明基材としてフィルム基材を用いる場合においては、誘電体層がプラスチックフィルムからのオリゴマー等の低分子量成分の析出を抑止する封止層としても作用し得る。
　基材フィルム１の透明導電層２形成面と反対側の面には、必要に応じてハードコート層や易接着層、ブロッキング防止層等が設けられていてもよい。また、粘着剤などの適宜の接着手段を用いて他の基材が貼り合わせられたものや、他の基材と貼り合わせるための粘着剤層等にセパレータ等の保護層が仮着されたものであってもよい。
《第２実施形態》
　第１実施形態では、スパッタ成膜装置１００に１つのスパッタ室１１が備えられているが、スパッタ成膜装置におけるスパッタ室の数は１つに限定されず、２つ又は３つ以上としてもよい。透明導電層の層構成に応じて作動させるためのスパッタ室の数を変更すればよい。すなわち、透明導電層が１層のＩＴＯ膜からなる場合はスパッタ室は１つとし、以降順に、２層のＩＴＯ膜からなる場合はスパッタ室を２つ、３層のＩＴＯ膜からなる場合はスパッタ室を３つ設ければよい。本実施形態では、スパッタ室を３つ備える態様について説明する。
　図３は、本発明の別の実施形態に係るスパッタ成膜装置の構成を示す概念図である。スパッタ成膜装置１１０の基本構成は第１実施形態におけるスパッタ成膜装置１００と同様であるが、スパッタ室１１の他に、スパッタ室１１の上流側にスパッタ室２１が設けられ、スパッタ室１１の下流側にスパッタ室３１が設けられている。従って、スパッタ成膜装置１１０は、合計３つのスパッタ室を備えていることになる。スパッタ室１１と同様、スパッタ室２１、３１にはそれぞれＩＴＯターゲット２３Ａ、２３Ｂ及びＩＴＯターゲット３３Ａ、３３Ｂが備えられており、各ターゲットにＤＣ電源２６、３６が接続されている。これにより各スパッタ室において独立した条件でＤＣデュアルターゲットスパッタ法を行うことができる。
　基材フィルム１は、送り出しロール５３から温度調節ロール５２を経て巻き取りロール５４まで順に搬送されるので、各スパッタ室でスパッタ成膜を行う場合には、スパッタ室２１では基材フィルム１から第１層目のＩＴＯ膜が形成され、続いてスパッタ室１１では第２層目のＩＴＯ膜、スパッタ室３１では第３層目のＩＴＯ膜がそれぞれ形成されることになる。各スパッタ室の条件は同一でも異なっていてもよい。形成される透明導電層２の厚さや比抵抗、光学特性、エッチング性等を考慮して、各スパッタ室でのスパッタ条件を設定すればよい。
　具体的に、スパッタ成膜装置１１０を用いて３層構造の透明導電層を形成した例を以下に説明する。図４は、本発明の別の実施形態に係る透明導電性フィルムの模式的断面図である。透明導電性フィルム１０´は、基材フィルム１上に透明導電層２ａ、２ｂ及び２ｃを順に備えている。各透明導電層はインジウム－スズ複合酸化物の組成が異なっており、酸化インジウムと酸化スズとの合計重量に対する酸化スズの重量比が透明導電層２ａでは０．５重量％～５．０重量％、透明導電層２ｂでは５．０重量％～１５．０重量％、透明導電層２ｃでは０．５重量％～５．０重量％となっている。このような透明導電層をそれぞれ形成するには、スパッタ室２１に装着するＩＴＯターゲット２３Ａ、２３Ｂの組成を０．５重量％～５．０重量％とし、スパッタ室１１に装着するＩＴＯターゲット１３Ａ、１３Ｂの組成を５．０重量％～１５．０重量％とし、スパッタ室３１に装着するＩＴＯターゲット３３Ａ、３３Ｂの組成を０．５重量％～１５．０重量％とすればよい。
《他の実施形態》
　スパッタ成膜装置では、ＤＣ電源とともにマグネット電極（図示せず）を設置して磁場を印加させながらスパッタ成膜を行ってもよい。印加する磁場は成膜速度等を考慮して設定すればよく、例えば２０～１５０ｍＴとしてもよく、３０～１４０ｍＴが好ましい。
　以下、本発明に関して実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。実施例中、特に示さない限り「部」とあるのは「重量部」を意味する。
［実施例１］
　厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレート上に、アンダーコート層として、メラミン樹脂：アルキド樹脂：有機シランの縮合物の重量比２：２：１の熱硬化型樹脂からなる層を厚さが３５ｎｍとなるように形成した。酸化インジウム９０重量％－酸化スズ１０重量％の焼結体材料をターゲット１３Ａ、１３Ｂとして２つ用意し、図１に示すようにスパッタ成膜装置１００における１つのスパッタ室１１にターゲット１３Ａ、１３Ｂを２つ装着し、それぞれにＤＣ電源１６を接続した。次に、スパッタ成膜装置１００内を真空排気により１×１０－４Ｐａとなるまで減圧を行うとともに、基材フィルム１の脱ガスも十分に行った。このように設定したスパッタ成膜装置１００を用いてターゲット１３Ａ、１３Ｂの電力密度をそれぞれ２．１Ｗ／ｃｍ２としたＤＣデュアルターゲットスパッタ法により、上記アンダーコート層上に、アルゴンガス９８体積％と酸素ガス２体積％からなる０．４Ｐａのスパッタ室内雰囲気中で、非晶質で厚さが２５ｎｍのインジウム－スズ複合酸化物からなる透明導電層を形成した。その後、大気雰囲気中、１５０℃で１時間アニール処理を行うことで透明導電層を結晶化させ、透明導電性フィルムを作製した。
［比較例１］
　図１に示すスパッタ成膜装置１００におけるスパッタ室１１に１つのＩＴＯターゲットを装着したこと以外は、実施例１と同様に透明導電性フィルムを作製した。
［比較例２］
　ＤＣ電源に代えてＭＦ－ＡＣ電源（４０ｋＨｚ）をＩＴＯターゲットに接続したこと以外は、実施例１と同様に透明導電性フィルムを作製した。
＜評価＞
　（比抵抗値の測定）
　４端子法を用いて、各透明導電性フィルムの透明導電層の表面抵抗（Ω／□）を測定した。次に、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製）にて透明導電層の膜厚を測定し、測定した表面抵抗と膜厚から比抵抗を算出した。結果を表１に示す。
　なお、表１にはスパッタレートも併せて示す。これは従来のＤＣシングルターゲットスパッタ法を採用する比較例１のスパッタレートを１００％とした際の実施例１及び比較例２の相対比である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　（結果及び考察）
　実施例１では、結晶化後の透明導電層の比抵抗が従来のスパッタ法による比較例１より約１４％低減されていた。これは、ＤＣデュアルターゲットスパッタ法を採用することによりプラズマ密度が高まり、緻密なＩＴＯ膜が成膜されたことに起因すると考えられる。また、２つのＩＴＯターゲットのそれぞれにＤＣ電源を接続しているので、スパッタレートを比較例１の２倍にすることができ、ＩＴＯ成膜の高速化を図ることができる。なお、比較例２ではターゲットを２つ用いているものの、ＭＦ－ＡＣ電源により交互にプラズマ放電されることになり、かえってスパッタレート及び比抵抗ともに劣ることとなった。
　　１　　基材フィルム
　　２、２ａ、２ｂ、２ｃ　　透明導電層
　　１０、１０´　　透明導電性フィルム
　　１１、２１、３１　　スパッタ室
　　１３Ａ、１３Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、３３Ａ、３３Ｃ　　ターゲット
　　１６、２６、３６　　ＤＣ電源
　　１００、１１０　　スパッタ成膜装置

Claims (3)

  1. 　基材フィルム上にインジウム－スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、
    　前記スパッタ法は、スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法である透明導電性フィルムの製造方法。
  2. 　前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  3. 　前記スパッタ成膜装置には、２つ以上のスパッタ室が設けられており、
    　各スパッタ室において独立してＤＣデュアルターゲットスパッタ法により前記透明導電層を形成する請求項１又は２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
     
     
PCT/JP2014/075206 2013-09-26 2014-09-24 透明導電性フィルムの製造方法 WO2015046208A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201480047600.1A CN105492655A (zh) 2013-09-26 2014-09-24 透明导电性膜的制造方法
KR1020167001691A KR20160061961A (ko) 2013-09-26 2014-09-24 투명 도전성 필름의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-199499 2013-09-26
JP2013199499A JP6239330B2 (ja) 2013-09-26 2013-09-26 透明導電性フィルムの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015046208A1 true WO2015046208A1 (ja) 2015-04-02

Family

ID=52743344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/075206 WO2015046208A1 (ja) 2013-09-26 2014-09-24 透明導電性フィルムの製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6239330B2 (ja)
KR (1) KR20160061961A (ja)
CN (1) CN105492655A (ja)
TW (1) TWI555869B (ja)
WO (1) WO2015046208A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6412539B2 (ja) 2015-11-09 2018-10-24 日東電工株式会社 光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
TWI629693B (zh) * 2017-03-08 2018-07-11 南臺科技大學 軟性透明導電膜及其製造方法
JP7280036B2 (ja) * 2018-12-17 2023-05-23 日東電工株式会社 導電性フィルムの製造方法
WO2021240962A1 (ja) * 2020-05-25 2021-12-02 日東電工株式会社 光透過性導電性シートの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011046050A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムの製造装置及び製造方法
JP2012246552A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置並びにガスバリアフィルム
JP2013084542A (ja) * 2011-09-29 2013-05-09 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4473852B2 (ja) * 2006-11-07 2010-06-02 株式会社大阪真空機器製作所 スパッタ装置及びスパッタ方法
JP4917897B2 (ja) * 2007-01-10 2012-04-18 日東電工株式会社 透明導電フィルムおよびその製造方法
JP4667471B2 (ja) 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
CN101877372B (zh) * 2010-05-20 2012-07-25 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池的背电极膜层

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011046050A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムの製造装置及び製造方法
JP2012246552A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置並びにガスバリアフィルム
JP2013084542A (ja) * 2011-09-29 2013-05-09 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105492655A (zh) 2016-04-13
KR20160061961A (ko) 2016-06-01
TW201516171A (zh) 2015-05-01
TWI555869B (zh) 2016-11-01
JP6239330B2 (ja) 2017-11-29
JP2015063743A (ja) 2015-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5914036B2 (ja) 導電性積層フィルムの製造方法
JP5543907B2 (ja) 透明導電性フィルムおよびその製造方法
EP2701161B1 (en) Transparent conductive film
JP2012112031A (ja) 透明導電性フィルムの製造方法
JP6239330B2 (ja) 透明導電性フィルムの製造方法
JP5515554B2 (ja) 透明導電性薄膜の製造方法
JP2012172219A (ja) 透明導電性積層体及びその製造方法
JP2007311041A (ja) 結晶性ＺｎＯ系透明導電薄膜の成膜方法、結晶性ＺｎＯ系透明導電薄膜及びフィルム、並びに抵抗膜式タッチパネル
JP2013073851A (ja) 透明導電性積層体およびその製造方法
JP6562985B2 (ja) 透明導電性フィルムの製造方法
JP2007311040A (ja) 結晶性ｉｔｏ薄膜の成膜方法、結晶性ｉｔｏ薄膜及びフィルム、並びに抵抗膜式タッチパネル
JPH09226046A (ja) 透明導電性積層体及びその製造方法
JP6396059B2 (ja) 透明導電フィルムの製造方法
JP2014218726A (ja) 透明電極付き基板およびその製造方法、ならびにタッチパネル
JPH06251632A (ja) 屈曲性に優れた透明導電性フィルムおよびその製造法
WO2015125512A1 (ja) 透明導電体の製造方法及び透明導電体の製造装置
JP4410846B2 (ja) ＳｉＯ２膜を有する積層体と透明導電積層体の製造方法
JP6097117B2 (ja) 積層体およびフイルム
JP2001283645A (ja) 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP7378938B2 (ja) 光透過性導電フィルム
JP2024075826A (ja) 透明導電性膜の製造方法、及び透明導電性フィルムの製造方法
JP2007187994A (ja) 反射防止膜及び光学フィルター
JP2023160846A (ja) 光透過性導電フィルム
JP2008269822A (ja) 透明導電性積層体

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480047600.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14850040

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167001691

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14850040

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1