CN101566903B - 透明导电膜及应用其的具耐写性高穿透度电阻式触控面板 - Google Patents

Abstract

透明导电膜及应用其的具耐写性高穿透度电阻式触控面板，该透明导电膜包括一第一基材；一第一硬化处理层设置于第一基材上；一胶体用于结合第一基材无硬化层的一侧与第二基材；一第一介电层设置于第二基材的另一侧，其光学折射率为n1；一第二介电层设置于第一介电层的下侧，其折射率为n2；一第一导电层设置于第二介电层的下侧，其折射率为n3，各膜层材料的折射率符合n2<n3≦n1的关系式，符合基材/高折射率/低折射率/高折射率的膜堆架构，可形成一种抗反射膜层，达到提升该透明导电膜在可见光范围内的光学穿透率。本发明采用多层结构使得透明导电膜中的导电层有效增加外在应力容许承受能力，增加触控面板的结构强度与提高触控面板的耐书写性。

Description

透明导电膜及应用其的具耐写性高穿透度电阻式触控面板

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜在电阻式触控面板的应用，尤其涉及一种具耐写性的高光学穿透度导电膜与使用此种透明导电膜的电阻式触控面板。

背景技术

透明导电膜(transparent conductive film)为电阻式触控面板主要元件之一。电阻式触控面板(resistive-type touch panel)主要由量度及比较电阻/电压的变化从而计算出触按点的位置。一般的电阻式触控面板的结构含有两片镀有氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)的导电层，这两片导电层间由微细且透明的绝缘颗粒(spacer dot)隔开，当手指或笔尖触按电阻式触控面板时(即如图1所示的硬化处理层36)，两片导电层因接触而产生电讯号，从而可由搭配的控制IC计算触按点的位置。

电阻式触控面板常见结构如图1所示，包括：一第一基材31；一第一导电层32，设置于第一基材31上；多数个间隔器33，设置于第一导电层32上；一第二导电层34，位于该些间隔器33上；一第二基材35设置于第二导电层34上；以及一第一硬化处理层36，设置于第二基材35上，则可防止第二基材35刮伤，且可选择具有雾度的硬化处理层以达抗炫光的效果。

当使用者长期在第一硬化处理层36上书写或触摸操作时，施加在第一硬化处理层36的作用力，会直接作用于第二基材35上，且直接的传递到第二导电层34、间隔器33、第一导电层32及第一基材31上，在耐书写测试中较易造成透明导电膜与触控面板本身结构的损坏。

进一步分析现有技术的触控面板中透明导电膜的工作方式，当按压触控面板输入信号时，该外在作用力施加于表面硬化层，透明导电膜形变的情形就如图2所示。第二基材35与其上的第二导电层34，因受作用力产生塑性变形弯曲，此时基材与导电层所承受的应力与应变量相关于基材与导电层的厚度与杨氏系数。在反复手写输入信号时，由于基材35的回弹塑性变形与承受周期性反复应力，容易对于导电层造成疲劳破坏。

使用此种现有技术的触控面板，基材在形变过程中所承受的作用力将直接转移到第二导电层34，尤其是经数万次反复书写输入时，过大或持续累积的外在力将使得导电层34产生内应力，使其容易发生微小裂痕或从基材剥离，造成导电层本身导电率急遽降低，触控面板感应电路因而无法判读或误判输入点位置，失去应有的输入接口功能。

触控面板的一般耐写性测试是，使用聚缩醛制成笔尖为0.8mm圆直径的书写笔头，并且垂直施以荷重250公克的重量，在触控面板上的斜对角直线来回书写。对一般现有技术的触控面板而言，在大约经过三万次写划后，将造成导电层划线区域附近导电率严重降低，使其失去该有的功能。

此外，一般触控面板的下方装置有液晶显示器(LCD)，LCD的影像光线穿透第一基板31与第一导电层32，进入介于两导电层之内的空气介质中，再穿过第二导电层34的界面，并进入基材35，此时光传导由折射率为n_air＝～1的空气介质进入不相同折射率的导电层与基材中，因为折射率无法匹配的问题而产生反射现象，可能造成约15％光线强度损失，即在使用现有技术的透明导电膜制作成触控面板时，即有约15％光信号强度因为透明导电膜中的各层材料介质间折射率不匹配的原因而损失，而大幅降低触控面板的可阅读性。

如上所述，现有技术的透明导电膜与触控面板具备了不耐书写与光学穿透特性不佳的缺点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具耐写性且高光学穿透度的透明导电膜与使用该透明导电膜的电阻式触控面板，以解决现有技术的透明导电膜与触控面板具备了不耐书写与光学穿透特性不佳的问题。

本发明中具耐写性且高光学穿透度的透明导电膜与使用该透明导电膜的电阻式触控面板光学与机械特性的改善是通过结合光学膜层设计与在结构中加入缓冲层设计达成的。

根据本发明的实施例，本发明揭露一种透明导电膜，其包括一第一基材；一第一硬化处理层，设置于该第一基材的一面；一第二基材；一胶体，用于结合该第一基材的无硬化处理的一面与该第二基材；一第一介电层，设置于该第二基材的下侧；一第二介电层，设置于该第一介电层的下侧；与一第一导电层，设置于该第二介电层的下侧。

根据本发明的实施例，本发明也揭露一种具耐写性的电阻式触控面板，其包括一第一基材；一第一硬化处理层，设置于该第一基材的一面；一第二基材；一胶体，用于结合该第一基材的无硬化处理的一面与该第二基材；一第一介电层，设置于该第二基材的下侧；一第二介电层，设置于该第一介电层的下侧；一第一导电层，设置于该第二介电层的下侧；一第三基材；一第二导电层，设置于该第三基材上；以及多数个间隔器，该第二导电层之上。

通过本发明的实施，可以达到下列的功效：

一、可提高透明导电膜与整体触控面板的光学穿透率。

二、可增加透明导电膜的结构强度。

三、可提高触控面板的耐书写性。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，特列举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为一现有触控面板的示意图；

图2为现有的透明导电膜受到外界力作用时，其结构变形示意图；

图3为本发明的一种透明导电膜的示意图；

图4为本发明的一种具耐写性的电阻式触控面板的示意图；

图5为本发明的一有加入缓冲层的透明导电膜结构受到外界力作用时，结构变形示意图；

图6为本发明的一种透明导电膜的另一实施例的示意图；

图7为本发明的一种具耐写性的电阻式触控面板的示意图；

图8为一现有透明导电膜的穿透光光谱图；

图9为一现有透明导电膜加入缓冲层后的穿透光光谱图；

图10为本发明具耐书写与高穿透的透明导电膜的穿透光光谱图。

其中，附图标记：

11：第三基材           12：第二导电层

13：间隔器             14：第一导电层

15：第一基材                            16：第一硬化处理层

17：第二介电层                          18：第一介电层

20：具耐写性的电阻式触控面板            21：第二基材

22：胶体                                23：第二硬化处理层

31：第一基材                            32：第一导电层

33：间隔器                              34：第二导电层

35：第二基材                            36：第一硬化处理层

具体实施方式

以下说明高光学穿透度导电膜的设计，一般触控面板用的透明导电膜是由PET与镀在其上的ITO的薄膜层所构成，即在图1中，第二基材是PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，Polyethylene Terephthalate，PET)，而第二导电层是ITO层，此种透明导电膜的设计，其抗反射效果不佳，即使调整ITO膜层厚度，整体的光学穿透度可提升空间也非常有限。然而利用光学设计的手段，可在既有的ITO-PET结构上再进行多层膜结构设计，而使光学特性得到大幅度改善。例如，如图3所示，首先在PET基板(如附图的第二基材21)上镀上高折射率材料(即第一介电层18，其折射率为n1)，而后再镀上低折射率材料(即第二介电层17，其折射率为n2)，最后再镀上ITO层(如附图的第一导电层14)，其折射率为n3，并且选择介电层材料使其折射率符合n2<n3≦n1的关系。从镀膜层的顺序来说，符合依序为PET基板/高折射率/低折射率/高折射率的排列方式，此种排列方式有机会利用光学干涉原理达到低反射的目的，也就是说光信号在进入第一导电层接口后，反射的强度可以减少，进而大幅提升透明导电膜的光学穿透度。在此多层膜的设计架构下，还可通过各膜层不同的折射率与厚度的设计，达到宽波幅或在特定的波长范围之内的抗反射效果。

如图3所示，为本发明的一种透明导电膜的示意图。透明导电膜包括有依序堆栈的一第一基材15；一第一硬化处理层16设置于第一基材15上；一胶体22用于结合第一基材15无硬化层的一侧与第二基材21；一第一介电层18设置于第二基材21的下侧，其光学折射率为n1；一第二介电层17设置于第一介电层18的下侧，其折射率为n2；一第一导电层14设置于二介电层17的下侧，其折射率为n3。其中各膜层材料的折射率必须符合：n2<n3≦n1的关系式。因此符合了光学设计中第二基材/高折射率/低折射率/高折射率低反射膜层设计的架构，从而达到提升透明导电基板在可见光范围光学穿透率的目的。

第一基材15，通过一胶体22与第二基材21结合，胶体22为透明光学粘胶，胶体22的厚度为2～50μm，一般所使用的透明光学粘胶可为丙烯酸系粘着剂、聚硅氧粘着剂、橡胶粘着剂等。第一基材15与第二基材21为透明塑料基材，可为聚酯、聚碳酸酯、聚亚酰胺酯、压克力或聚醚酯所制成，这些透明塑料的折射率为1.5～1.8。第一基材15与第二基材21的厚度约为10～250μm。

第一介电层18，设置于第二基材21的下侧，其也为一透明介电层，厚度系约5～150nm。折射率为1.8～2.4。第一介电层18的材料可以为二氧化钛(TiO₂)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化锆(ZrO₂)或氧化锌(ZnO)等金属氧化层。

第二介电层17，设置于第一介电层18的下侧，其也可以为一透明介电层，为二氧化硅、氧化硅(SiOx，1≦x≦2)或其它无机金属氧化物。第二介电层17的厚度约为5～150nm。第二介电层17的折射率为1.3～1.6。

第一硬化处理层16，设置于第一基材15上，第一硬化处理层16为透明的硬化处理层，可由硅树脂(silicon derived resins)、压克力(acrylicsderived resins)、氨基钾酸脂(urethane derived resins)或醇酸树脂(alkydderived resins)等材料制成。第一硬化处理层16的厚度约为2～15μm，第一硬化处理层16的光学雾度(haze range)约为0.5％～10％。当雾度较低时，第一硬化处理层16较为透明及清晰，当雾度较高时，仍然为透明状，但此时则具有抗炫光的功效。

第二基材21一般为透明的高分子材料，例如PET，而第一介电层18因要求高折射率的关系，则可选用如二氧化钛(TiO₂)或氧化铌(Nb₂O₅)的无机材料，如此材料的选择可能导致第二基材21与第一介电层18之间的接着力问题，此问题可通过先在第三基材上制作一第二硬化处理层23而得到解决，此一接着加强层一般可为一表面硬化层或一氧化硅(SiOx，1≦x<2)层。

第一导电层14，制作于第二介电层17的下侧，第一导电层14材料为氧化铟锡层、氧化铟锌层(IZO，Indium Zinc Oxide)、氧化铝锌层(AZO，AluminumZinc Oxide)或氧化锑锡层(ATO，Amt imony Tin Oxide)，其厚度约为10～100nm。第一导电层14的折射率约为1.8～2.2，一般折射率为2.0。若透明导电层为一氧化铟锡层，一般来说此氧化铟锡层中SnO₂/(InlO₃+SnO₂)的重量比例在3wt％～15wt％之间，当比例低于3wt％时，表面电阻系数过高，难以重复形成良好的导电性膜，当该比例大过于15wt％时，导电性膜的结晶化变差，容易造成透明度下降与导电性降低。

一般在实际触控面板应用中，导电层必须有较高的导电性，较高的穿透率与较稳定的化学特性。这些特性限制了导电层的杨氏系数与厚度等机械特性，因而也决定了当导电基材承受外在施加力时，导电层所承受的应力及应变量。如图5所示，本发明利用加入一胶体22以结合一缓冲层(如附图的第二基材21)的新结构，作为改善传统导电层所直接承受的应力，此时导电层所受应力与应变值可大幅改善。

如图4所示，此一触控面板结构为应用上述强化第二基材与第一介电层间接着力的透明导电膜，其包括：一第三基材11；一第二导电层12，设置于第三基材11上；多数个间隔器13，设置于第二导电层12上；一第一基材15；一第一硬化处理层16设置于第一基材15上；一胶体22用于结合第一基材15无硬化层的一侧与第二基材21；一第一介电层18设置于第二基材21的下侧，折射率为n1；一第二介电层17设置于第一介电层18的下侧，其折射率为n2；一第一导电层14设置于第二介电层17的下侧，其折射率为n3。且各膜层的折射率的关系式必须符合：n2<n3≦n1。

根据本发明的实施例，通过增设缓冲层，将可以相对增加透明导电膜整体的强度，此时将可更有效降低导电层中内应力。而连接两基板所使用高分子胶体，必须具有高度光学稳定性与机械稳定性，使其在触控面板使用过程中，长期接受照光也不会产生光学性质衰退，长期受到重复手写输入的应力变形，仍能保持原有的机械弹性强度。另外，因为胶体为一高分子弹性体，在手写输入时，胶体因本身的弹性体特性，可改变本身形体以适应基材之间弯曲变形，同时胶体也可均匀传递其所受的应力，因此可以吸收基材弯曲变形过程中的部分应力，并调和两基材间的应力，避免应力集中造成破坏，进而增加触控面板的结构强度与提高触控面板的耐书写性。针对本发明设计的耐书写触控面板进行耐写性测试，用聚缩醛制成笔尖为0.8mm圆直径的书写笔头，并且垂直施以荷重250公克(克)的重量，在触控面板上的斜对角直线来回书写。当来回15万次划线后其导电层划线区域附近导电率仍然维持正常，其耐书写性比起现有触控面板来说大幅提升许多。

另一实施例的透明导电膜可如图6所示，包括有依序堆栈的一第一基材15；一第一硬化处理层16设置于第二基材上；一胶体22用于结合第二基材无硬化层23的一侧与第二基材21；一第二硬化处理层23，设置于第二基材的下侧；一第一介电层18设置于第二硬化处理层23的下侧，折射率为n1；一第二介电层17设置于第一介电层18的下侧，其折射率为n2；一第一导电层14设置于第二介电层17的下侧，其折射率为n3，且各膜层的折射率的关系必须符合：n2<n3≦n1。

如图6所示，为透明导电膜的另一实施例，于第一介电层18与第二基材21间，进一步设置有一第二硬化处理层23，若此第二硬化处理层23为一接着加强层，则是为树脂类的透明有机材料，厚度约为1～15μm；若此第二硬化处理层23为一SiOx(1≦x<2)层，则此介电材料的厚度只需3～200nm。

依上述结构，第二基材21下方共设置第一介电层18、第二介电层17与第一导电层14等多数个膜堆，其中通过先沉积第一介电层18与第二介电层17于第二基材21上，可以有效降低因聚酯、聚碳酸酯、聚亚酰胺酯、压克力或聚醚酯等类基材在压制或挤制的制作过程中，在其表面上产生的加工纹路导致表面粗糙度过高。因此，通过本发明专利中此多数个膜堆设置，另可提高基板平整度，进而使得设置于上方的第一导电层14可以形成连续膜层结构，有效增进整体膜堆光学穿透率，同时提升导电层的电阻值均匀性，其所获得均匀电阻值将直接反应在导电基材制作成触控面板时，其信号输入的精确性与书写的流畅性，也为本发明专利中特性之一。

另外通过在第二基材21下方设计多层膜沉积堆栈，可以改善聚酯、聚碳酸酯、聚亚酰胺酯、压克力或聚醚酯等类基材在制作、运送以及存放过程中，容易发生的吸水与吸湿等问题。其中吸水与吸湿等现象，容易导致一般透明导电膜的导电性与光学性质衰退。本专利该项基材与多层膜沉积堆栈设计因为可以改善阻水阻气等功能，其多数个膜堆设计更可增加触控面板的使用寿命。

如图7所示，此一触控面板结构为应用上述强化第二基材与第一介电层间接着力的透明导电膜，其包括：一第三基材11；一第二导电层12，设置于第三基材11上；多数个间隔器13，设置于第二导电层12上；一第一基材15；一第一硬化处理层16设置于第一基材15上；一胶体22用于结合第一基材15无硬化层的一侧与第二基材21；一第二硬化处理层23设置于第二基材21的下侧；一第一介电层18设置于第二硬化处理层23的下侧，折射率为n1；一第二介电层17设置于第一介电层18的下侧，其折射率为n2；一第一导电层14设置于第二介电层17的下侧，其折射率为n3。且各膜层的折射率的关系式必须符合：n2<n3≦n1。

如图4与图7所示，第三基材11，其主要功能是提供触控面板结构上的支撑。第三基材11可以为一透明玻璃或一透明塑料基板，其主要是使用聚碳酸酯(polycarbonate derived resins)、压克力(acrylics derived resins)、聚酯(polyester derived resins)、聚亚酰胺(polyimide derived resins)、聚醚酯(polyethersulfon derived resins)等其中一种材料制成。第三基材11的厚度约为0.3～5mm，其折射率为1.5～1.8。

第二导电层12，设置于第三基材11上，其也为一透明导电层，一般为氧化铟锡层、氧化铟锌层(IZO，Indium Zinc Oxide)、氧化铝锌层(AZO，AluminumZinc Oxide)或氧化锑锡层(ATO，Amtimony Tin Oxide)。第二导电层12的厚度约为10～100nm，折射率为1.8～2.2，一般折射率为2.0。

在本发明中第二介电层17、第一介电层18、第二导电层12、第一导电层14及接着加强层的SiOx膜可由干式镀膜法形成，包含真空蒸镀法、真空溅镀法、等离子辅助化学气相沉积法、化学气相沉积法、离子镀覆法等。而第一硬化层与接着加强层中的硬化层可由湿式涂布方式形成在基材表面，可使用的涂布方式有喷泉涂布、模涂、旋转涂布、喷涂、凹版图布、辊涂、棒涂等方式，硬化方式并无特别限定，但以电离放射线硬化较佳。能量线源的照射量以紫外线波长为365nm的积分曝光量来计算时，以100～5000mJ/cm²较佳。当照射量低于100mJ/cm²时，由于硬化不完全可能造成硬度变差，当照射量高于5000mJ/cm²时，硬化层透明度会降低。

间隔器13，可通过网板或钢板印刷方式，设置于第二导电层12上，用以产生间隔的作用，使第二导电层12与第一导电层14，只有在使用者进行操作按压时，才会产生接触导通的现象。

图8为现有技术的透明导电膜的穿透光光谱图，其ITO厚度约为25nm，折射率2.05时，在光波长为400～700nm的可见光范围内，平均穿透率为84.3％，就在光学而言，此一传统结构受到空气、单导电层、基板、硬化层等折射率无法匹配而产生严重反射现象，造成约15％光信号损失，因而降低该导电膜制作为触控面板元件的可读性。而在耐书写性来说此现有透明导电制成触控面板后，容易因为长时间书写造成导电膜失去导电功能，使得整个触控面板失去作用。为了改善耐书写性不佳的问题，在现有透明导电膜中通过光学胶来结合一缓冲层，来改善现有触控面板在被触碰或书写时产生的内应力问题，虽可延长触控面板的使用寿命，但仍有光学穿透度不足的问题，如图9为现有透明导电膜加入缓冲层后的穿透光光谱图，在光波长为400～700nm的可见光范围内，平均穿透率仅有83.6％。

本发明专利为同时改善耐书写性与光学穿透度不佳的问题，在第一基材上以光学胶结合第二基材(缓冲层)后，并使用多层膜的光学设计，在第二基材下方依序设置第一介电层18选择材料为TiO₂，其厚度约14nm，折射率为2.34；第二介电层17选择材料为SiO₂，其厚度约为50nm，折射率为1.46；第一导电层14选择材料为ITO，其厚度为25nm，折射率约为2.05。如图10所示为本发明中具耐书写与高穿透的透明导电膜的穿透光光谱图。此元件经由设计后，利用光学干涉原理达到抗反射作用，在光波长为400～700nm可见光范围内，此多层结构导电层的平均光学穿透率为89.4％，显示吾人可通过多层结构设计达到拓宽波长宽域的作用，在此实施例中，在波长550nm处，其光学穿透度可达90.1％。由本发明的透明导电膜制成的具耐书写与高光学穿透度触控面板，用聚缩醛制成笔尖为0.8mm圆直径的书写笔头，并且垂直施以荷重250公克的重量，在面板上斜对角直线来回书写，其耐书写性可达15万次以上。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：

一第一基材；

一第一硬化处理层，设置于该第一基材的一面；

一第二基材；

一胶体，用于结合该第一基材的无硬化处理的一面与该第二基材；

一第一介电层，设置于该第二基材的下侧；

一第二介电层，设置于该第一介电层的下侧；以及

一第一导电层，设置于该第二介电层的下侧；

其中，该第一导电层的折射率为n3，n3介于1.8～2.2，该第一介电层的折射率为n1，n1介于1.8～2.4，该第二介电层的折射率为n2，n2介于1.3～1.6，该第一基材的折射率为1.5～1.8，该第二基材的折射率为1.5～1.8，这些折射率的关系式符合n2＜n3≤n1。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，，该第一导电层的厚度为10～100nm，该第一介电层的厚度为5～150nm，该第二介电层的厚度为5～150nm，该第一基材的厚度为10～250μm，该胶体的厚度为2～50μm，该第二基材的厚度为10～250μm，该第一硬化处理层的厚度为2～15μm。

3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一介电层与该第二基材间，进一步设有一第二硬化处理层，该第二硬化层的厚度为1～15μm，其中，该第二硬化层为树脂类的透明有机材料。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，该第一介电层与该第二基材间，进一步设有一SiOx层，其中1≤x＜2，该SiOx层的厚度为3～200nm。

5.一种具耐写性的电阻式触控面板，其特征在于，包括：

一第一基材；

一第一硬化处理层，设置于该第一基材的一面；

一第二基材；

一胶体，用于结合该第一基材的无硬化处理的一面与该第二基材；

一第一介电层，设置于该第二基材的下侧；

一第二介电层，设置于该第一介电层的下侧；

一第一导电层，设置于该第二介电层的下侧；

一第三基材；

一第二导电层，设置于该第三基材上；以及

多数个间隔器，设置于该第二导电层之上，以使该电阻式触控面板受到一外力按压时，使该第一导电层与该第二导电层电性导通；

其中，第二导电层的折射率为1.8～2.2，该第一导电层的折射率为n3，n3介于1.8～2.2，该第二介电层的折射率为n2，n2介于1.3～1.6，该第一介电层的折射率为n1，n1介于1.8～2.4，该第一基材的折射率为1.5～1.8，该第二基材的折射率为1.5～1.8，该些折射率的关系式符合：n2＜n3≤n1。

6.根据权利要求5所述的具耐写性的电阻式触控面板，其特征在于，该第一介电层与该第二基材间，进一步设有一第二硬化处理层。

7.根据权利要求6所述的具耐写性的电阻式触控面板，其特征在于，该第三基材厚度为0.3～5mm，该第二导电层厚度为10～100nm，该第一导电层的厚度为10～100nm，该第一介电层的厚度为5～150nm，该第二介电层的厚度为5～150nm，该第一基材的厚度为10～250μm，该胶体的厚度为2～50μm，该第二基材的厚度为10～250μm，该第一硬化处理层的厚度为2～15μm，该第二硬化处理层的厚度为1～15μm，其中，该第二硬化层为树脂类的透明有机材料。

8.根据权利要求5所述的具耐写性的电阻式触控面板，其特征在于，该第一介电层与该第二基材间，进一步设有一SiOx层，其中1≤x＜2。

9.根据权利要求8所述的具耐写性的电阻式触控面板，其特征在于，该氧化硅层的厚度系为3～200nm。

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