CN1728332A - 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 - Google Patents
热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1728332A CN1728332A CN 200410058984 CN200410058984A CN1728332A CN 1728332 A CN1728332 A CN 1728332A CN 200410058984 CN200410058984 CN 200410058984 CN 200410058984 A CN200410058984 A CN 200410058984A CN 1728332 A CN1728332 A CN 1728332A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium oxide
- dielectric layer
- tin film
- film
- low resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，是于一基板表面上溅镀一氧化物介电层，接著，对该氧化物介电层表面施以含氧的离子束处理，以获得稳定且致密的氧化物介电层，如此，可避免堆叠于氧化物介电层上的氧化铟锡膜产生含氧量变化现象，进而使得氧化铟锡膜具有较佳的热稳定性与较低的电阻比。
Description
技术领域
本发明与氧化铟锡膜有关，详细地说，是指一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法。
背景技术
按，氧化铟锡膜(Indium Tin Oxide film)为触控式面板中的关键材料，其品质的优劣深深影响面板的性能。
为提高氧化铟锡膜的透光度，既有技术是在塑胶基板上，以溅镀(sputtering)制程依序沉积有二氧化钛薄膜(TiO2film)与二氧化硅薄膜(SiO2film)，之后再于该二氧化硅(SiO2)薄膜上堆积该氧化铟锡膜，前述二氧化钛薄膜与二氧化硅薄膜即为氧化物介电层，亦称之为抗反射膜层；在上述结构层中，因二氧化钛薄膜(TiO2film)具高折射率以及二氧化硅薄膜(SiO2film)具低折射率的特性，使得反射光线因光程的差异，造成反射光线相互干涉而抵销，进而达到提高氧化铟锡膜透光度的目的。
惟，当触控式面板在制造过程中经各项处理，如：回火热处理(annealing)、固化(curing)与信赖性测试(Reliability Testing)时，因长时受热易使氧化物介电层所含的氧气因扩散作用而进入氧化铟锡膜内并造成氧化铟锡膜含氧量变化，如此将使得氧化铟锡膜的热稳定性降低及电阻比升高，间接造成氧化铟锡膜品质下降。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，是对氧化物介电层施以含氧的离子束处理，以填补氧化物介电层的空缺，据以获得稳定且致密的氧化物介电层，进而使得氧化铟锡膜具有较佳的热稳定性与较低的电阻比。
为达到上述目的，本发明提供的一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，包含下列步骤：
a.制作氧化物介电层：
是于一基板表面上成长有一氧化物薄膜；
b.氧化物介电层表面处理：
将氧气导入离子源设备中，由氧气通过离子源之后所产生的离子束对该氧化物介电层进行表面处理；
c.制作透明导电膜：
于该经过离子处理后的氧化物介电层上沉积形成一氧化铟锡膜(Indium Tin Oxide film)。
其中该基板由一塑胶本体与一设于该本体一侧面的硬质膜构成，该本体另一侧面构成该基板表面。
其中步骤a包含先于该基板表面上溅镀一层二氧化钛薄膜(TiO2film)，再于该二氧化钛薄膜(TiO2film)上溅镀堆叠有一层二氧化硅薄膜(SiO2film)。
其中在步骤b中还导入有氩气(Ar)，该氧气与氢气的混合气体经过离子源之后形成所需的离子束。
其中该氧化物介电层与该氧化铟锡膜经溅镀制程而制得。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的制作流程图。
图2a-e为本发明上述较佳实施例的制程及结构示意图。
图3为本发明另一较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下，列举本发明的较佳实施例，并配合附图作详细说明。
请参阅图1、2所示，本发明热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，包含下列步骤：
a.制作氧化物介电层：
先将一基板10放置于一溅镀系统的真空反应室(图未示)中，本实施例所使用的基板10由一透明本体11与一设于该本体11一侧面的硬质膜12所构成(参照图2a)，前述本体11是以塑胶材质制成，例如聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyelene Terephthalate，PET)，该本体11另一侧面则构成该基板10的表面10a；另外一提的是，该基板亦可由透明本体两侧面各设一硬质膜而组成，其中一硬质膜的表面即构成该基板的表面。
接著，于溅镀制程中分别以钛材料与硅材料做为靶材(target)，再于溅镀反应室中导入氧气，进而先后于该基板10表面10a沉积形成一二氧化钛薄膜21(TiO2film)(参照图2b)，以及于该二氧化钛薄膜21上堆叠有一二氧化硅薄膜22(SiO2film)(参照图2c)；该二氧化钛薄膜21与该二氧化硅薄膜22即构成氧化物介电层20，由于此制程仍属公知技术，于此不予赘述。
b.氧化物介电层表面处理：
在完成该氧化物介电层20制作后，续将包含该基板10与氧化物介电层20的基材置于一离子处理设备(图未示)中，接著，将氧气导入离子源(ion source)，由氧气通过离子源后所产生的离子束(图2d箭号代表离子束)对该氧化物介电层20进行表面处理，得以填补氧化物介电层20的空缺，据以获得更稳定且致密的氧化物介电层。
在本实施例中，用以产生离子束的离子源制程为线性离子源(linear ionsource)，当然，亦可选择圆形离子源(round ion source)使用。
c.制作透明导电膜：
在完成氧化物介电层20的离子处理之后，续于该氧化物介电层20上制作沉积形成一氧化铟锡膜30(Indium Tin Oxide film)(参照图2e)，该氧化铟锡膜30即为该透明导电膜；本实施例的成膜制作是以溅镀方式制得薄膜。
以上即为本发明热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法。本发明由对具抗反射作用的氧化物介电层20预先经过氧离子处理而提升氧化物介电层20的稳定性与致密性，因此，当尔后的触控式面板在高温作业环境下经各项制作处理时，该氧化物介电层20不易发生氧气扩散情形，如此可避免氧化铟锡膜30产生含氧量变化现象，进而使得该氧化铟锡膜30具有良好的热稳定性与低电阻比的特性，同时，该氧化铟锡膜30具有良好的透光度。
以下表1是本发明在温度150℃及处理时间设定为90分钟的回火条件下，对分别堆积于未经氧离子处理与经过氧离子处理的氧化物介电层上的氧化铟锡膜所进行的面阻值与电阻比检测结果，从该表1所显示的试验数据可知，堆积于经过氧离子处理的氧化物介电层上的氧化铟锡膜的面阻值与电阻比确实偏低。
表1
| 未经氧离子处理 | 经过氧离子处理 | ||
| 回火处理之前 | 面阻值 | 392.5Ω/□ | 280.1Ω/□ |
| 电阻值 | 8.635×10-4Ω/□×cm | 8.635×10-4Ω/□×cm | |
| 回火处理之后 | 面阻值 | 500.8Ω/□ | 253.6Ω/□ |
| 电阻值 | 1.10176×10-4Ω/□×cm | 5.5792×10-4Ω/□×cm | |
另外值得一提的是，本发明在离子表面处理中所导入的气体，亦可为氢气(Ar)与氧气的混合气体。
再者，在制作氧化物介电层方面，可由二氧化钛薄膜与二氧化硅薄膜堆叠层数增加，以提高抗反射的效率，虽然层数的增加将使得氧化铟锡膜的电阻比升高，但，当氧化物介电层预先经过离子处理后，即可使得电阻比明显降低；如图3所示的结构层，其较前述实施例更增加了二氧化钛薄膜21与二氧化硅薄膜22的堆叠，图中箭号代表离子束，在完成离子处理后，再于氧化物介电层20上沉积形成该氧化铟锡膜30，以下表2则说明了上述多层二氧化钛薄膜21与二氧化硅薄膜22的结构，在经过氧离子处理后所测得的氧化铟锡膜的面阻值与电阻比仍属偏低。
表2
| 未经氧离子处理 | 经过氧离子处理 | ||
| 回火处理之前 | 面阻值 | 415.3Ω/□ | 288.8Ω/□ |
| 电阻值 | 9.1366×10-4Ω/□×cm | 6.3536×10-4Ω/□×cm | |
| 回火处理之后 | 面阻值 | 799.2Ω/□ | 303.7Ω/□ |
| 电阻值 | 1.75824×10-4Ω/□×cm | 6.6814×10-4Ω/□×cm | |
以上所述，仅为本发明的较佳可行实施例而已，故举凡应用本发明说明书及申请专利范围所为的等效变化，理应包含在本发明的专利范围内。
Claims (5)
1.一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，包含下列步骤：
a.制作氧化物介电层：
是于一基板表面上成长有一氧化物薄膜；
b.氧化物介电层表面处理：
将氧气导入离子源设备中，由氧气通过离子源之后所产生的离子束对该氧化物介电层进行表面处理；
c.制作透明导电膜：
于该经过离子处理后的氧化物介电层上沉积形成一氧化铟锡膜。
2.依据权利要求1所述热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，其特征在于，其中该基板由一塑胶本体与一设于该本体一侧面的硬质膜构成，该本体另一侧面构成该基板表面。
3.依据权利要求1所述热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，其特征在于，其中步骤a包含先于该基板表面上溅镀一层二氧化钛薄膜，再于该二氧化钛薄膜上溅镀堆叠有一层二氧化硅薄膜。
4.依据权利要求3所述热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，其特征在于，其中在步骤b中还导入有氩气，该氧气与氢气的混合气体经过离子源之后形成所需的离子束。
5.依据权利要求1所述热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，其特征在于，其中该氧化物介电层与该氧化铟锡膜经溅镀制程而制得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410058984 CN1728332A (zh) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410058984 CN1728332A (zh) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1728332A true CN1728332A (zh) | 2006-02-01 |
Family
ID=35927509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200410058984 Pending CN1728332A (zh) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1728332A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103782201A (zh) * | 2011-09-07 | 2014-05-07 | 应用材料公司 | 用于制造在触控面板中使用的透明主体的方法和系统 |
| CN104003346A (zh) * | 2013-02-25 | 2014-08-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种薄膜结构、压力传感器及电子装置 |
| CN110172669A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-27 | 信利光电股份有限公司 | 一种氧化物膜层的制备方法 |
-
2004
- 2004-07-28 CN CN 200410058984 patent/CN1728332A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103782201A (zh) * | 2011-09-07 | 2014-05-07 | 应用材料公司 | 用于制造在触控面板中使用的透明主体的方法和系统 |
| CN104003346A (zh) * | 2013-02-25 | 2014-08-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种薄膜结构、压力传感器及电子装置 |
| CN104003346B (zh) * | 2013-02-25 | 2019-05-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种薄膜结构、压力传感器及电子装置 |
| CN110172669A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-27 | 信利光电股份有限公司 | 一种氧化物膜层的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8313620B2 (en) | ITO-coated article for use with touch panel display assemblies, and/or method of making the same | |
| US20090286071A1 (en) | Transparent conductive film and method for production thereof | |
| KR101156945B1 (ko) | 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법 | |
| KR20090009612A (ko) | 스퍼터링을 통한 무기절연막 형성방법 | |
| JP2004244606A (ja) | 透明バリアフィルム | |
| US10662521B2 (en) | Substrate with transparent electrode and method for manufacturing same | |
| JPWO2004065656A1 (ja) | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JPH08111123A (ja) | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット | |
| US20020034836A1 (en) | Method of manufacturing substrate having transparent conductive film, substrate having transparent conductive film manufactured using the method, and touch panel using the substrate | |
| CN1783429A (zh) | 等离子体控制方法及等离子体控制装置 | |
| CN1728332A (zh) | 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 | |
| JP2004149884A (ja) | Ｉｔｏ透明導電薄膜の成膜方法とｉｔｏ透明導電薄膜、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JP4939176B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| KR101884643B1 (ko) | 아연이 도핑된 주석산화물계 투명 전도성 산화물, 이를 이용한 다층 투명 전도막 및 그 제조 방법 | |
| EP1975273A1 (en) | Multilayer structure, electrode for electrical circuit using same, and method for producing same | |
| US20060011466A1 (en) | Method of fabricting indium tin oxide film with well thermal stabilization and low resistivity | |
| JP2001121641A (ja) | 透明導電積層体 | |
| US20120213949A1 (en) | Method for producing indium tin oxide layer with controlled surface resistance | |
| JP2013084542A (ja) | 透明導電性フィルム及びその製造方法 | |
| CN104766894A (zh) | 一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法 | |
| JPH05290635A (ja) | 透明導電電極及びその製造方法 | |
| KR101782691B1 (ko) | IGZO/Ag/IGZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법 | |
| US20230056688A1 (en) | Liquid crystal cell comprising a stack of functional layers including first and second dielectric layers and a transparent electrode layer each having a refractive index | |
| KR20080006812A (ko) | Ｉｔｏ 이중막 증착방법 및 이에 따라 제조된 ｉｔｏ이중막 | |
| CN213182699U (zh) | 导电薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |