KR101156945B1 - 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법은 유리기판 또는 필름상에 형성되는 투명도전막과; 상기 투명도전막상에 용액공정에 의해 전도성금속을 그리드 패턴으로 코팅하여 형성되는 그리드 패턴층; 및 상기 투명도전막과 상기 그리드 패턴층 상에 용액공정에 의해 전도성고분자를 코팅하여 형성되는 전도성고분자 코팅층를 포함하며; 상기 전도성고분자 코팅층은 상기 전도성고분자 코팅후 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하여 이루어짐으로써, 유리기판 또는 필름에 물리증착법(PVD) 및 용액공정을 통해 터치패널용 투명도전막을 형성함으로써 낮은 온도에서의 투명도전막 형성시 발생되는 특성 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법{A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFATURING THE SAME FOR TOUCHPANEL}
본 발명은 디스플레이(Display)의 제작 방법에 관한 것으로서, 특히, 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
터치 패널(touch panel), PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 등과 같은 디스플레이 소자의 투명 전극으로 이용되는 투명 도전막은 진공에서 물리증착방법(PVD : Physical Vapor Deposition) 또는 화학기상증착방법(CVD : Chemical Vapor Deposition)으로 형성할 수 있다. 특히, ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zine Oxide) 또는 ATO(Antimony Tin Oxide) 타겟을 사용하는 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 등의 여러 가지 물리적 방법이 적용되고 있는데, 이들은 주로 20 Ω/Å 이하의 작은 면저항을 갖는 투명도전막 형성에 사용되며, 스퍼터링 방법이 가장 보편적으로 사용되고 있다.
한편, 스퍼터링 방법에 따라 투명도전막의 전도도, 투명도, 표면 조도에서 큰 차이가 나며, 주로 직류 마그네트론 스퍼터링 방법이 선호되고 있다.
현재 저항면 터치스크린에 사용되는 투명 전극은 주로 400Ω/Å 내지 500Ω/Å의 면저항을 갖는 투명도전막이 사용되고 있으며, 이는 스퍼터링 방법으로 제조되고 있다.
이하, 종래 기술에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래의 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예 흐름도이다.
즉, 종래의 터치패널용 투명도전막 제조방법에 의하면, 유리 기판 상에 투명도전막을 물리증착방법 등을 통해 도포한 후(S1), 열처리를 실시하고 있다(S2). 물리증착방법으로는 상기한 바와 같이, 스퍼터링 등이 이용되고 있다.
한편, 결정성이 좋은 투명도전막을 제조하기 위한 열처리 온도는 600℃ 이상인 것이 바람직하다(Thin solid films, 411(2002)56-59, 515 (2007) 3797-3801).
그러나, 일반적으로 유리 기판의 연화(softening) 온도가 530 ℃ 이하인 것을 감안하면, 투명도전막의 열처리 과정에서 유리기판의 변형이 일어나므로 열처리 온도를 낮추어야 하는데, 이에 따라, 터치패널용 투명도전막의 특성이 불량해 진다는 문제점이 발생되고 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 유리기판 또는 필름에 물리증착법 및 용액공정을 통해 터치패널용 투명도전막을 제조하기 위한 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 특징은, 유리기판 또는 필름상에 형성되는 투명도전막과; 상기 투명도전막상에 용액공정에 의해 전도성금속을 그리드 패턴으로 코팅하여 형성되는 그리드 패턴층; 및 상기 투명도전막과 상기 그리드 패턴층 상에 용액공정에 의해 전도성고분자를 코팅하여 형성되는 전도성고분자 코팅층을 포함하며; 상기 전도성고분자 코팅층은 상기 전도성고분자 코팅후 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하여 이루어진다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 특징은, 터치패널용 투명도전막 제조방법에 있어서, 유리기판 또는 필름상에 투명도전막을 형성하는 단계와; 상기 투명도전막상에 용액공정에 의해 전도성금속을 코팅하여 그리드 패턴층을 형성하는 단계와; 및 상기 투명도전막과 상기 그리드 패턴층상에 용액공정에 의해 전도성고분자를 코팅하여 전도성고분자 코팅층을 형성하는 단계를 구비하며; 상기 전도성고분자 코팅층은 상기 전도성고분자 코팅후 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하여 이루어진다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조장치 및 방법은 유리기판 또는 필름에 물리증착법(PVD) 및 용액공정을 통해 터치패널용 투명도전막을 형성함으로써 낮은 온도에서의 투명도전막 형성시 발생되는 특성 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도1은 종래의 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예 흐름도
도2는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막의 일실시예를 나타낸 도면
도3은 도2의 Ag 그리드 패턴층의 정면을 나타낸 도면
도4는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 흐름도
도5는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후 박막조사량에 따른 면저항 측정 결과를 나타낸 그래프
도6은 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후의 AFM 데이터를 나타낸 영상 사진
도7은 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후 박막조사량에 따른 투과율상관관계를 나타낸 그래프
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도3은 도2의 Ag 그리드 패턴층의 정면을 나타낸 도면이며, 도4는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 흐름도이다.
도2 내지 도4에 도시된 바와 같이, 유리기판(100) 또는 필름(미도시)상에 물리증착법인 RF 스퍼터링방법 또는 롤투롤(roll-to-to) 스퍼터링방법을 이용하여 1,000Å ~ 2,000Å 두께의 투명도전막(200)을 형성(ST1)하는 전처리 과정을 수행한다. 여기서, 상기 투명도전막(200)은 ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zine Oxide), ZnO 또는 FTO(Fluorine Tin Oxide) 중 어느 하나이다.
이어 상기 형성된 투명도전막(200)상에 도3에 도시된 바와 같이, Ag 그리드 페이트(미도시) 또는 마스크를 이용하여 용액공정에 의해 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 전도성금속을 스크린 프린팅 코팅하여 3㎛ ~ 5㎛ 두께의 Ag 그리드 패턴층(300)을 형성(ST2)하고 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하여 저온 소성(ST3)한다. 이때 저온 소성 온도의 범위는 100℃ ~ 500℃이고, 최적의 온도는 150℃이다. 여기서, 상기 Ag 그리드 패턴층의 자외선 조사시, 상기 자외선의 광량은, 50eV 내지 500eV이고, 상기 자외선의 조사 시간은, 5분 내지 25분이다.
이후, 상기 투명도전막(200)과 상기 경화된 Ag 그리드 패턴층(300)상에 용액공정으로 1,000Å ~ 3,000Å 두께의 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)) 코팅층(400)을 스핀코팅 또는 바코팅에 의해 형성(ST5)한다. 여기서, PEDOT:PSS 코팅층(400)은 PEDOT:PSS와 PEG(Poly Ethlene Glycol)가 혼합된 전도성고분자 또는 PEDOT:PSS와 PEO(Poly Ethlene Oxide)가 혼합된 전도성고분자로 코팅층을 형성할 수도 있다.
이어, 상기 형성된 PEDOT:PSS 전도성고분자 코팅층(400)에 열경화나 자외선 조사(ST6)에 의한 건조의 후처리과정을 수행하여 최종적으로 터치패널용 투명도전막을 형성한다. 여기서, 상기 Ag 그리드 패턴층의 자외선 조사시, 상기 자외선의 광량은, 50eV 내지 500eV이고, 상기 자외선의 조사 시간은, 5분 내지 25분이다.
상기와 같이 투명도전막(100)의 일실시예인 ITO/Ag 그리드 패턴층(300)/PEDOT:PSS 코팅층(400)으로 형성된 것을 본 발명에서는 터치패널용 투명도전막으로 명명하기로 하고 이것이 가능한 이유를 다음과 같이 설명한다.
도5는 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후 박막조사량에 따른 면저항 측정 결과를 나타낸 그래프이고, 도6은 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후의 AFM 데이터를 나타낸 영상 사진이며, 도7은 본 발명에 따른 터치패널용 투명도전막 제조방법의 일실시예에 의한 자외선 조사 후 박막조사량에 따른 투과율상관관계를 나타낸 그래프이다.
상기에서 설명된 본 발명을 통해 제조된 터치패널용 투명도전막의 특성을 검증하기 위하여, PVD 및 용액공정방법으로 1000Å ~ 3000Å ITO/Ag/PEDOT:PSS두께로 증착된 박막의 표면의 변화 및 물성의 변화를 관찰하고, 터치패널용 투명도전막을 제조하기 위해 PVD 코팅 후 자외선 조사 방법(UV-Irradiation)으로 이온에너지를 조사한 뒤, 투명도전막의 형태의 상관관계를 조사한다. 여기서, 자외선 조사 방법(UV-Irradiation)에서 조사된 광량이온에너지는 100eV ~ 350eV 범위에서 조사되고, 광량에너지의 변화에 따른 ITO/Ag/PEDOT:PSS 박막의 물성과 특성을 관찰한다.
상기 특성 검사 결과, 도5에 도시된 바와 같이, UV-Irradiation 광량이온에너지의 조사량에 따라 박막의 특성이 변화되었고, UV-Irradiation 광량이온에너지의 조사되지 않은 박막에 비해 현저한 특성이 있다. 이러한 결과를 알기 위해서, XRD, SEM, AFM, UV-VISIBLE 등의 분석 방법을 통해서 에너지 조사량에 상관관계를 관찰하고, UV 광량의 따른 표면의 볼륨비의 증가 및 표면거칠기 비율에 따라서 ITO/Ag/PEDOT:PSS코팅층으로 형성된 투명도전막의 터치패널용의 가능성을 확인할 수 있다.
본 발명에 의해 ITO/Ag/PEDOT:PSS코팅층으로 형성된 터치패널용 투명도전막의 특성 검사를 위한 구체적인 실험방법은 다음과 같다.
첫 번째 검사 과정은, 상기에서 설명된 전처리 과정을 통해 기판 상에 투명도전막을 제조하는 과정이다. 즉, 특성 검사를 위해 투명도전막의 하나인 ITO박막을 유리기판 및 필름 위에 적측 성장시키는데, 이때, 물리증착법(PVD)의 하나인 RF 스퍼터링방법을 이용한다. 여기서, 타겟의 소스는 Tin이 5% 도핑된 ITO 타겟을 사용한다. 박막을 성장시키는데 필요한 기판은 무알카리글레스 및 PET 기판을 사용한다. 기판의 세척순서는 먼저 TCE, 아세톤, 에탄올, 메탄올, 증류수로 각각 10분간 세척을 한 뒤, 마지막으로 de-ionized water로 10분간 기판을 세척을 행하고 질소를 불어 주어 이를 세척한다. ITO 박막의 증착은 고순도 아르곤 가스(99%) 2sccm을 챔버(chamber) 안에 5분간 불어 넣어 준 뒤, palsma discharge current 100Kw로 고정시켜 놓고, 증착을 한다. 유리기판 위의 ITO 박막의 증착 속도는 석영 진동판(quartoscillator)을 이용한 두께 측정 모니터(thickness monitor) 통하여 0.2 A/sec로 나타났으며, 모니터에 1000Å ~ 2000Å의 두께가 측정될 때까지의 ITO 박막을 증착시켰다.
두 번째 검사 과정은, 상기 첫 번째 검사 과정에서 형성된 투명도전막에, 은이나 구리등을 용액공정으로 메쉬나 테이프캐스팅 방법으로 코팅한 뒤, 150℃의 저온 공정으로 UV조사나 열경화방법으로 열처리하여 소성한다.
한편, 필름의 단계인 경우는 롤투롤 스퍼터링방법에 의해 형성된 투명도전막에 UV-curimg 장비를 이용하여 광량을 50eV ~ 350eV까지 변화하였고, UV-Irradiation 조사를 10분간 행한 다음, 박막의 물성을 고찰하였다. 박막의 결정성은 X선 회절분석기(Rigaku X-ray diffractor- RINI/DAX 2500)을 사용하여 관찰을 하였고 박막의 표면 및 단면의 모양을 관찰하기 위해 전계 주사 현미경 FE-SEM(Marker : Hitachi S-4200 Field-Emission Scanning Electron Microscopy)을 이용하였고, 표면의 형상을 관찰하기 위하여 AFM(Atomic Force Microscopy:PSI)을 이용하였다. 또한, 증착된 박막을 van der pauw 4-point 측정법을 이용하여 전기적인 특성을 고찰하여 보았다.
한편, 구체적인 분석을 위해서 Haze meter(HM-150, MCRL, japan) 및 UV-VISIBLE, XRD, SEM, AFM 등의 분석기기가 이용되었으며, 투명도전막의 박막 두께는 1000Å ~ 3000Å으로 하였다.
UV 조사 시간을 10분으로 한 경우에, UV-Irradiation의 조사광량 및 범위 및 투과율 측정값은 아래의 [표 1]과 같다.
종류 150eV 250eV 350eV 투과율
1,000 489 223 300 88%
2,000 366 180 281 85.5%
3,000 328 139 270 81.8%
또한, UV 조사후 박막조사량에 따른 면 저항 측정결과는 아래의 표2 및 표3과 같다.
1) 면 저항결과(Ag 그리드 패턴이 없는 경우 면저항 결과)
종류 100 150 투과율
1,000 689 670 81%
2,000 545 580 79.5%
3,000 370 490 76.8%
2) 면저항 측정결과(Ag 그리드 패턴 적용 후 면저항 결과)
종류 150eV 250eV 350eV 투과율
1,000 489 223 300 88%
2,000 366 180 281 85.5%
3,000 328 139 270 81.8%
또한, 자외선 조사 후의 AFM 데이터를 나타낸 영상 사진은 도6에 도시된 바와 같으며, 투과율 상관관계는 도7에 도시된 바와 같다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의해 형성된 터치패널용 투명도전막의 특성 검증을 위해, Tin(5wt %)가 도핑된 ITO 박막을 150 저온공정에서 유리기판 및 PET기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하였으며, 동시에 자외선 조사 방법(UV-Irradiation)을 이용하여 이온에너지를 변화시켜가면서 ITO/Ag/PEDOT:PSS 광학적 결정구조, 미세구조, 표면형상의 구조를 분석하였는바, 그 결과는 다음과 같다.
첫째, 자외선 조사 방법(UV-Irradiation)에 의해 자외선을 조사한 결과, Å 박막은 이온의 에너지에 큰 의존성을 나타내었으며, 이온조사농도에 따라 표면의 이동도의 증가와 결함에 의하여 영향을 받았다. 이온에너지 증가에 따라 미세한 GRAIN의 형성으로 변화하였으며, 이온에너지가 225eV 경우 박막의 구조를 갖는 미세구조와 표면거칠기의 제어가 나타났다. 작은 표면거칠기는 표면의 산란을 제어하여 광투과도를 나타내었으나, 이온빔의 에너지가 증가함에 따라 원인은 알수가 없으나 표면의 거칠기가 증대되어 면저항 및 투과도가 저하되는 요인을 가지게 되었다.
둘째, 자외선 조사 방법(UV-Irradiation)의 10분 ITO/Ag/PEDOT:PSS 경우 조사결과에 따라 이온에너지가 225eV 경우, 광투과도 85% , 면저항 320O-1000/a를 범위를 갖는 터치패널용 ITO/Ag/PEDOT:PSS 박막의 가능성을 보였다.
상기한 바와 같은 결과들을 통해, 본 발명에 따라 투명도전막/Ag/PSS으로 형성된 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법은, 자외선 조사시간을 5분 ~ 25분으로 한 경우에 성능이 우수함을 알 수 있으며(상기 특성 검사에서는 5분을 기준으로 하였음), 도8에 도시된 바와 같이, 광량은 50eV ~ 500eV(특히, 250eV)로 유지한 경우에 그 성능이 가장 우수함을 알 수 있었다.
한편, 종래의 터치패널용 투명도전막 제조방법의 후처리 과정에서 적용되었던 열처리과정은, 표면의 거칠기를 제어하는 방법이 어려웠으나, 자외선 조사 방법을 이용하고 있는 본 발명은, 조사광량에 따라 표면거칠기 및 입자 사이즈를 제어하여 다양하게 변경시킬 수 있다는 장점이 있다.
즉, 상기한 바와 같은 결과들을 통해, 본 발명에 따라 투명도전막/Ag/PSS으로 형성된 투명도전막은 터치패널용 투명도전막으로 사용할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위 및 그와 균등한 것들에 의하여 정해져야 한다.
100 : 유리 기판 200 : 투명도전막
300 : Ag 그리드 패턴층 400 : PEDOT:PSS 코팅층

Claims (34)

  1. 유리기판 또는 필름상에 형성되는 투명도전막과;
    상기 투명도전막상에 용액공정에 의해 전도성금속을 그리드 패턴으로 코팅하여 형성되는 그리드 패턴층; 및
    상기 투명도전막과 상기 그리드 패턴층 상에 용액공정에 의해 전도성고분자를 코팅하여 형성되는 전도성고분자 코팅층을 구비하며;
    상기 전도성고분자 코팅층은 상기 전도성고분자 코팅후 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막은 물리증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 물리증착법으로는 RF 또는 롤투롤 스퍼터링 방법이 적용되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투명도전막은 상기 RF 또는 롤투롤 스퍼터링 방법에 의해 1,000Å ~ 2,000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전도성금속은 은(Ag) 또는 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 그리드 패턴층은 용액공정에 의해 그리드 페이스트 또는 마스크를 이용하여 스크린 프린팅되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 그리드 패턴층은 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하는 소성을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 소성은 100℃ ~ 500℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 필요한 광량은,
    50eV 내지 500eV인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 소요되는 시간은,
    5분 내지 25분인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전도성고분자 코팅층은 스핀코팅 또는 바코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전도성고분자 코팅층은 상기 스핀코팅 또는 바코팅에 의해 1,000Å ~ 3,000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS+PEG 또는 PEDOT:PSS+PEO인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 필요한 광량은,
    50eV 내지 500eV인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 소요되는 시간은,
    5분 내지 25분인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막.
  18. 터치패널용 투명도전막 제조방법에 있어서,
    유리기판 또는 필름상에 투명도전막을 형성하는 단계와;
    상기 투명도전막상에 용액공정에 의해 전도성금속을 코팅하여 그리드 패턴층을 형성하는 단계와; 및
    상기 투명도전막과 상기 그리드 패턴층 상에 용액공정에 의해 전도성고분자를 코팅하여 전도성고분자 코팅층을 형성하는 단계로 이루어지며;
    상기 전도성고분자 코팅층은 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하는 소성을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 투명도전막은 물리증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 물리증착법으로는 RF 또는 롤투롤 스퍼터링 방법이 적용되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 투명도전막은 상기 RF 또는 롤투롤 스퍼터링 방법에 의해 1,000Å ~ 2,000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 그리드 패턴층은 용액공정에 의해 그리드 페이스트 또는 마스크를 이용하여 스크린 프린팅되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 전도성금속은 은(Ag) 또는 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  24. 제18항에 있어서,
    상기 그리드 패턴층은 열경화 또는 자외선 조사로 열처리하는 소성을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  25. 제24에 있어서,
    상기 소성은 100℃ ~ 500℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 필요한 광량은,
    50eV 내지 500eV인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 소요되는 시간은,
    5분 내지 25분인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  28. 제18항에 있어서,
    상기 전도성고분자 코팅층은 스핀코팅 또는 바코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 전도성고분자 코팅층은 상기 스핀코팅 또는 바코팅에 의해 1,000Å ~ 3,000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  30. 제18항에 있어서,
    상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  31. 제18항에 있어서,
    상기 전도성고분자는 PEDOT:PSS+PEG 또는 PEDOT:PSS+PEO인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  32. 삭제
  33. 제18항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 필요한 광량은,
    50eV 내지 500eV인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
  34. 제18항에 있어서,
    상기 자외선 조사에 소요되는 시간은,
    5분 내지 25분인 것을 특징으로 하는 터치패널용 투명도전막 제조방법.
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