KR20140058895A - 전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법 - Google Patents

전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20140058895A
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Abstract

본 발명은 나노 와이어 형태의 전도성 고분자로부터 형성되는 NW 층 위에 투명 전도성 산화물 층을 도입함으로써 전극 표면의 표면 거칠기 및 헤이즈를 감소시키고 열 안정성이 향상된 것을 특징으로 하는 복합체 전극을 제공한다. 상기 복합체 전극은 2층, 3층 또는 다층 구조의 층상 구조로 이루어진다. 또한 본 발명은 전도도가 낮고 광안정성 등이 떨어지는 전도성 고분자의 단점을 보완하기 위하여 복합체 전극에 포함되는 전도성 고분자로서 표면에 전도성이 높은 쉘 층을 형성한 코어-쉘 구조의 전도성 고분자를 이용한다.

Description

전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법{Laminated electrodes including conducting polymers and method of the same}
본 발명은 전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극로서 전극 표면에서의 높은 표면 거칠기(roughness) 및 헤이즈(haze)가 개선된 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
투명 전도성 전극(TCEs; Transparent Conductive Electrodes)의 중요성은 터치 패널, 평판 디스플레이, 다른 광전자 소자등의 응용을 위해 그 중요성이 날로 커져가고 있다. ITO 는 유기 태양전지 등의 분야에서 현재 투명 전극으로 가장 폭넓게 사용되는 재료이지만 소성 재료이므로 공정 온도가 높고 외부의 물리적인 자극에 의하여 깨지기 쉬우며 휨 변형 등에 취약하다. 또한 폴리머 기판 위에 코팅했을때 기판을 구부리면 막이 부서지는 단점이 있다. 그리고, 무엇보다 In의 희소성으로 인하여 가격이 점점 증가하고 있으며, 그 공급에 있어 문제점이 대두되고 있는 현실이다.
최근 이러한 ITO의 문제점들을 해결하기 위한 방안으로 플렉서블 투명 전극이면서 ITO를 대체 할 수 있는 재료로 주목받고 있는 것에 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브, 그래핀, 그리고 금속 나노와이어 및 나노 입자가 있다.
그러나 탄소 나노 튜브 또는 그래핀은 전도도가 낮고 투과도 향상이 어렵다. 또한 Ag 나노와이어로 대표되는 금속 나노와이어는 가격이 높아 Ag 나노와이어만으로 투명 전극 제조시 가격이 비싸고 투명 전극 제조시 표면이 거칠어(roughness) TFT 등의 소자 구현을 위한 다음 소재의 적층 인쇄가 매우 어렵다. 그리고 잉크젯 프린팅이 어렵고 고온 공정이 불가능하다는 등 공정이 제한적이며 스트레칭에 따라 전도도가 감소되는 현상을 보인다.
한편 전도성 고분자는 유연성이 좋고, 우수한 광전자 특성을 갖고 있어 이로부터 얻어진 전극은 투명성과 유연성을 유지하고 구부리거나(bending)/스트레칭 등의 물리적인 외부 자극에 상대적으로 안전하다. 또한 저온 소성이 가능하며 ITO 전극과 유사한 효율을 얻을 수 있으므로 ITO 대체 유망 전극 재료로 특히 연구 조명을 받고 있다. 그러나 전도성 고분자는 전기 전도성 면에서 ITO 또는 금속 나노구조의 소재들과 비해 비교적 낮으며 광안정성을 포함한 안정성이 떨어진다는 단점이 있다.
전도성 고분자의 전도성을 향상시키기 위하여 그 내부에 금속 재료들을 함침시키기거나 표면에 도포하는 등 폴리머와 금속 재료를 결합시키는 방안이 강구되고 있다. 그러나 폴리머와 금속 재료는 재료의 성질상 결합이 잘 되지 않아 제품 적용이 가능한 구조로의 생산이 어려우며 그 제조 공정도 복잡하다. 또한 한번 결합된 이후에도 쉽게 분리되어 버리는 경우가 많다.
또한 나노 와이어 형태의 전도성 고분자는 금속 와이어의 경우와 마찬가지로 전극 표면에서 높은 표면 거칠기(roughness) 및 이에 따라 헤이즈(haze) 가 증가하고 박막 전기 소자를 단락 시킬 수 있는 문제가 있다. 따라서 나노 와이어 구조의 전도성 고분자를 전극에 적용하는 데에 있어서 과제는 높은 표면 거칠기를 없애는 것이다. 이를 위해 층 표면을 다른 투명 전극 소재로 표면 거칠기를 메워주거나 또는 나아가 도포(적층)하는 방법이 시도되어 왔다. 그러나 이 또한 나노 와이어 구조의 높은 표면 거칠기로 인하여 다음 층의 적층이 곤란하다는 문제가 있다.
본 발명은 고가의 전극 소재를 대체할 수 있는 소재로서 향상된 전기 전도성을 갖는 전도성 고분자를 포함하며 표면의 높은 거칠기가 제거되고 헤이즈가 감소된 복합체 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 우수한 열 안정성을 가짐으로써 다양한 온도의 공정 조건을 갖는 디바이스에의 적용이 가능한 복합체 전극을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기와 같은 특징을 갖는 복합체 전극을 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 기판 상에 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 갖는 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 형성된 NW 층; 및
상기 NW 층 상으로 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)로부터 형성된 TCO 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극을 제공한다:
[식 1]
Figure pat00001
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
바람직하게, 상기 코어의 전도성 고분자는 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체로부터 중합된 것이다.
[식 2]
Figure pat00002
바람직하게, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO), 알루미늄 산화아연(Aluminium Zinc Oxide, AZO) 및 갈륨 인듐 산화물(Galium Indium Oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1 종 이상이다.
바람직하게, 상기 NW 층 및 TCO 층은 하나 이상 포함되는 적층 구조를 이룬다.
본 발명은 기판 상에 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 갖는 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 NW 층을 형성하는 단계; 및 상기 UV 처리된 금속 나노와이어 층 상에 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극의 제조방법을 제공한다:
[식 1]
Figure pat00003
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
바람직하게, 상기 NW 층을 형성하는 단계 후에, 250 내지 270 nm 파장의 UV를 10 내지 20분간 조사하여 UV 처리하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 NW 층을 형성하기 전에 기판 상에 투명 전도성 산화물을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면 코어-쉘 구조의 나노 와이어 형태의 전도성 고분자 및 투명 전도성 산화물을 복합체 전극의 소재로 이용함으로써 전극 표면의 거칠기 및 헤이즈를 감소시키고 높은 투과도, 표면성 및 다음 층에 대하여 우수한 접착력을 갖는 전극을 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 전극은 우수한 열 안정성을 가짐으로써 다양한 온도의 공정조건을 갖는 디바이스에 적용이 가능하다.
도 1은 나노 와이어 구조의 전도성 고분자 합성의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에서 사용하는 나노 와이어 형태의 전도성 고분자 제조 과정을 도식화한 것이다.
본 발명은 코어-쉘 구조의 나노 와이어 형태의 전도성 고분자로부터 형성되는 전극 표면의 거칠기 및 헤이즈를 감소시키기 위하여 그 층 상에 투명 전도성 산화물 층을 포함하여 복합체를 이루는 전극을 제공한다.
구체적으로 본 발명은 기판 상에 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 갖는 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 형성된 NW 층 및
상기 NW 층 상으로 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)로부터 형성된 TCO 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극을 제공한다:
[식 1]
Figure pat00004
상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
상기 코어의 전도성 고분자는 이에 제한되는 것은 아니나 모노머로서 하기식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체를 모노머로 하여 합성된다.
[식 2]
Figure pat00005
상기 모노머의 바람직한 예는 피롤(pyrole), 아닐린(aniline) 또는 씨오펜(thiophene)이다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 코어의 전도성 고분자는 계면활성제로부터 템플레이트로 형성된 헥사고날의 원통형 구조 내부에서 촉매에 의한 모노머의 폴리머리제이션 반응을 통해 나노 와이어 형태로 제조된다. 상기 계면활성제로는 옥틸트리메틸암모늄 브롬(OTAB), 데실트리메틸암모늄 브롬(DeTAB), 도데실트리메틸암모늄 브롬(DTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 브롬(TTAB), 세틸트리메틸암모늄 브롬(CTAB) 등의 양이온 계면활성제를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 일 실시예로서 나노 와이어 구조의 전도성 고분자 합성의 개념도이다.
0.01 내지 0.9 몰 농도의 계면활성제를 1 내지 3 시간 300 내지 600 rpm의 속도로 교반하여 마이셀(micelle)을 형성하고, 그로부터 원통형 구조의 템플레이트를 형성한다. 다음으로 전도성 고분자 합성을 위한 모노머를 상기 계면활성제에 대하여 50 내지 100 중량부로 주입한 후 원통형 구조 내부에 존재하는 모노머에 대해 중합 반응을 일으킨다. 상기 반응에는 촉매로서 과산화수소, 큐밀페록사이드, 삼염화철(Fe(III)Cl3), 암모늄퍼설페이트, 염화산구리를 사용할 수 있다. 제조된 전도성 고분자는 도시된 바와 같이 나노 와이어 구조이다. 이때 적당한 사이즈를 갖는 나노 와이어 구조를 형성하기 위하여 반응 온도는 1 내지 40 ℃로 하는 것이 바람직하다.
다음으로 전도성 고분자 표면에 쉘 층을 형성하기 위하여 상기 식 1로 표현되는 전구체 용액을 천천히 투입한다. 상기 전구체는 비극성의 용매에 대하여 높은 용해도를 가지며 비극성 및 극성에 대하여 분배 평형을 이룬다. 이에 따라 쉘 층 형성을 위한 반응, 즉 전구체가 환원되는 속도가 조절되어 기존의 다른 전구체 물질에서 흔히 발생하는 응집 현상(aggregation)이 일어나지 않는다. 그러므로 상기 전구체를 사용하는 경우 전구체로부터 환원된 금속 물질이 쉘 층을 형성하지 않고 서로 뭉쳐 응집물을 이루는 것을 막을 수 있다. 상기 전구체를 사용하면 응집 현상이 일어나지 않도록 산화환원 반응의 속도를 조절하는 것이 가능하므로 응집 현상없이 전도성 고분자의 표면에 흡착되어 균일하게 형성된 쉘 층을 갖는 코어-쉘 구조를 형성할 수 있다. 또한 쉘 층 형성 시 반응 온도 및 전구체의 농도를 조절함으로써 목적으로 하는 두께의 쉘 층을 갖는 전도성 고분자를 제공할 수 있다. 그러므로 상기 전구체로부터 형성된 쉘 층을 포함하는 전도성 고분자는 목적에 따라 조절된 두께의 쉘 층을 가지게 되고 전도성 향상 효과가 뛰어나다.
상기 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 기판 상에 NW 층을 형성하기 위해 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 잉크젯 코팅(inkjet), 슬롯 코팅(slot coating), 그라비아(gravure), 그라비아 오프셋(gravure offset), 리버스 오프셋(reverse offset) 등의 공정을 실시한다. 일 실시예로서 스핀 코팅에 의할 경우 500 내지 4000 rpm에서 10 내지 30 초 동안 실시할 수 있다.
다음으로 상기 NW 층 표면에 대하여 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)을 도포하여 TCO 층을 형성한다. 투명 전도성 산화물로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO), 알루미늄 산화아연(Aluminium Zinc Oxide, AZO), 갈륨 인듐 산화물(Galium Indium Oxide) 등을 사용할 수 있다.
TCO 층을 형성하기 위하여 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 잉크젯 코팅(inkjet), 슬롯 코팅(slot coating), 그라비아(gravure), 그라비아 오프셋(gravure offset), 리버스 오프셋(reverse offset) 등의 공정을 실시한다. 일 실시예로서 스핀 코팅에 의할 경우 1000 내지 4000 rpm에서 10 내지 30 초 동안 실시할 수 있다.
상술한 바와 같이 제조된 본 발명의 복합체 전극은 NW 층의 표면 거칠기를 낮추어주기 위해 용매가 제거된 NW 층의 빈 공간을 TCO로 채우는 구조이다. 따라서 NW 층 형성 후 그 표면은 TCO 로 도포되어야 한다.
상기 복합체 전극에서 NW 층의 나노 와이어들은 TCO에 의해 빈 공간이 채워지고 NW 층을 이루는 전도성 고분자 표면의 쉘 층이 TCO에 의해 바인딩되어 있는 형태이다. 이같은 구조로 인해 상기 전극은 높은 공정 온도에서도 쉘 층의 끊어짐 또는 뭉침 현상이 방지된다. 나아가 부분적으로 쉘 층의 끊어짐 또는 뭉침이 발생하더라도 상대적으로 높은 열 안정성을 갖는 코어의 전도성 고분자는 끊어지지 않으므로 전도도가 유지된다. 그러므로 본 발명의 복합체 전극은 우수한 열적 안정성을 가지며 다양한 온도의 공정 조건을 요구하는 디바이스 제조에의 적용시 유리한 장점을 갖는다.
또한 전극 표면의 거칠기를 감소시키는 것은 다음 소재의 적층 인쇄를 용이하게 한다. 그러므로 본 발명의 전극은 예로서 TFT 등 소자 구현을 위한 적층 구조의 형성에 유리하다.
한편, 본 발명에서는 NW 층 형성 후에 TCO 층과의 층간 접착력을 향상시키기 위하여 바람직하게 NW 층 표면에 대해 UV 처리를 한다. UV 는 공기 중에 있는 산소 분자를 분해시켜 오존을 형성하고 형성된 오존은 다시 분해되면서 산소 원자(activated oxygene)를 형성한다. 이러한 산소 원자는 NW 층 표면의 나노 와이어와 반응하여 층 표면을 친수성 성질로 활성화시켜 다음 층에 대한 접착력을 향상시킨다. 또한 UV 처리 전 불균일한 접착력을 갖고 있던 표면에 동일한 파장 및 세기의 UV 조사를 함으로써 표면 접착력을 균일하게 조절한다. 따라서 UV 처리된 NW 층은 다음의 TCO 층에 대해 균일하게 향상된 접착력을 갖게된다. UV 처리를 위해 일 실시예로서 250 내지 270 nm 파장의 빛을 10 내지 20분간 조사한다.
상기 UV 처리는 NW 층에 대해서 뿐만 아니라 TCO 층에 대해서도 실시될 수 있다. 즉 다층 구조의 복합체 전극을 형성할 때에 다음 층과의 접착력을 향상시키는 수단으로 이미 적층된 표면에 대하여 UV를 조사하는 것이 바람직하다. 또한 UV 처리에 앞서 NW 층 또는 TCO 층을 형성한 후에는 용매를 증발시키고 층 구조를 고정시키며, 층 구조의 내부에서 대부분의 유기물을 분해 및 제거하여 세정하기 위하여 열처리를 실시할 수 있다. 상기 열처리는 일 단계 또는 이 단계로 실시될 수 있다. 일 단계로 실시할 경우 130 내지 150 ℃의 온도에서 1 내지 2 분간 수행할 수 있고, 이 단계로 실시할 경우 130 내지 150 ℃의 온도에서 1 내지 2 분간 수행한 후 후속적으로 250 내지 300℃의 온도에서 30 내지 40 분간 수행할 수 있다.
본 발명의 복합체 전극은 NW 층 및 TCO 층을 하나 이상 포함할 수 있다. 예로서 NW/TCO의 2층 구조, 또는 도 2에 도시된 바와 같이 TCO/NW/TCO의 3층 구조 또는 NW/TCO 배열이 반복된 다층 구조가 될 수 있다. 즉 NW 층 위로 TCO 층이 도포되는 구조라면 각 층의 수에 제한 없이 본 발명의 복합체 전극 구조가 된다.
이하 실시예에 의해 본 발명을 설명한다. 그러나 이것은 발명의 이해를 돕기 위한 것이므로 본 발명에 이에 한정되는 것으로 이해되어서는 안된다.
실시예 1
1. 나노 와이어 형태의 전도성 고분자 합성
(1) PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))의 합성
25℃로 설정된 항온조 내에 설치된 1 L의 반응 용기에 증류수 50 ml 및 계면활성제로서 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(Dodecyltrimethylammonium bromide,DTAB) 0.1 g을 넣고 용해 시킨 용액을 3 시간 동안 300 rpm의 속도로 교반하여 실린더형 마이셀을 형성하였다. 여기에 모노머로서 3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜(3,4-Ethylenedioxythiophene)을 상기 계면활성제에 대하여 50 중량부 투입하였다. 10 ㎖의 증류수에 상기 계면활성제에 대하여 10 중량부의 삼염화철(Fe(III)Cl3)을 녹인 후, 얻어진 용액을 반응 용기에 첨가하였다. 25℃에서 약 4 시간 정도 교반하며 반응시킨 후 약 500 ㎖의 메탄올을 반응 용기에 첨가하였다. 반응 용액을 분별 깔대기로 옮긴 후, 부드럽게 몇 번 흔들어 용액을 혼합하였다. 나노 중합체(폴리페돗 나노 섬유)의 분리속도를 높여주기 위하여, 비용매인 이소옥탄 100 ㎖ 을 첨가하였다. 침전된 폴리페돗을 회수하기 위해서 이소옥탄과 메탄올의 위층을 피펫을 사용하여 제거하였다. 남은 하층을 상온에서 자연 증발시켜 폴리페돗 나노 섬유를 얻었다.
(2) 쉘 층의 형성
25℃로 설정된 항온조 내에 설치된 100ml의 반응 용기에 증류수 50 ml 및 상기 제조된 폴리페돗 나노 섬유 0.1g을 넣고 용해시켰다. 여기에 자일렌 20ml에 쉘 층 형성을 위한 전구체로서 상기 나노 섬유 대비 100 중량부의 은 2-메틸 헵타노에이트(Ag 2-metyl heptanoate) 및 나노 섬유 대비 0.1 중량부의 트리에틸아민(triethylamne)을 용해시킨 용액을 첨가하였다. 그런 다음 실온에서 shaker 로 1시간 반응하여 쉘 층이 형성되게 하였다.
2. 복합체 전극(ITO/NW/ITO) 제조
유리 기판(2cmⅩ2cm) 상에 ITO 잉크를 스핀 코팅(LAURELL사 model : WS-650MZ-8NPP)장치에서 2000 rpm로 20 초간 코팅하여 스핀 코팅하였다. 코팅된 ITO 층을 140 ℃에서 2 분 동안, 300 ℃에서 30 분간 열처리 하였다. 소성된 ITO 층에 수은 증기 램프(Mercury vapor lamp)를 사용하여 254 nm의 파장을 10 분간 조사하였다. UV 처리된 ITO 층 위에 상기 제조된 전도성 고분자를 포함하는 잉크(무수 옥탄 25중량%)를 상기 스핀 코팅 장치에서 1000 rpm로 10 초간 스핀 코팅하였다. 다음으로 코팅된 NW 층을 140 ℃에서 90 초 동안 열처리하였다. 소성된 NW 층에 수은 증기 램프(Mercury vapor lamp)를 사용하여 254 nm의 파장을 15 분간 조사하였다. 그런 다음 UV 처리된 NW 층 위에 ITO 잉크를 상기 스핀 코팅 장치에서 2000 rpm로 20 초간 코팅하여 스핀 코팅하였다. 코팅된 ITO 층을 140 ℃에서 2 분 동안, 300 ℃에서 30 분간 열처리 하였다. ITO/NW/ITO 층으로 이루어지는 3 층 구조의 복합체 전극을 완성하였다.
실시예 2
실시예 1에서 기판 상에 ITO 층을 형성하는 과정을 생략하는 것을 제외하고 동일한 방법으로 NW 층 및 ITO 층을 순서대로 형성하여 NW/ITO 2 층으로 이루어지는 2층 구조의 복합체 전극을 제조하였다.
평가
상기 실시예 1 및 2에서 얻은 투명 복합전극의 면저항값과 투과도를 다음과 같은 방법으로 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
면저항1) 표면 거칠기2) (Ra) 투과도3)
실시예 1 15.5 Ω/sq 1.5 nm 88 %
실시예 2 20.1 Ω/sq 1.6 nm 90 %
1) 면저항값 : BEGA(사) RS8-1G 모델의 4 point probe를 사용하여 측정
2) 투과도 : JASCO(사) V-600 모델의 UV-spectroscopy를 사용하여 400~800nm
파장을 투과하여 측정한 평균값
3) 표면거칠기 : 나노시스템(사) 3D surface profiler 측정기로 측정
상기 표 1을 통해 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법에 따라 제조된 복합체 전극은 도전성, 표면거칠기 및 투과도가 우수함을 확인할 수 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 갖는 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 형성된 NW 층; 및
    상기 NW 층 상으로 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)로부터 형성된 TCO 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극:
    [식 1]
    Figure pat00006

    상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
  2. 제 1 항에서,
    상기 코어의 전도성 고분자는 하기 식으로 표현되는 방향족의 헤테로사이클릭 화합물 또는 그 유도체로부터 중합된 것을 특징으로 하는 복합체 전극:
    [식 2]
    Figure pat00007
  3. 제 1 항에서,
    상기 투명 전도성 산화물은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO), 알루미늄 산화아연(Aluminium Zinc Oxide, AZO) 및 갈륨 인듐 산화물(Galium Indium Oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 복합체 전극.
  4. 제 1 항에서,
    상기 NW 층 및 TCO 층은 하나 이상 포함되는 적층 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 복합체 전극.
  5. 기판 상에 코어의 전도성 고분자 표면에 하기 식으로 표현되는 전구체로부터 형성된 쉘 층을 갖는 나노 와이어(NW) 형태의 전도성 고분자로부터 NW 층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 나노와이어 층 상에 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO)을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극의 제조방법:
    [식 1]
    Figure pat00008

    상기 식에서 X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.
  6. 제 5 항에서,
    상기 NW 층을 형성하기 전에 기판 상에 투명 전도성 산화물을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극의 제조방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에서,
    제 5항의 상기 NW 층 또는 제 6항의 상기 투명전도성 층에, 250 내지 270 nm 파장의 UV를 10 내지 20분간 조사하여 UV 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 전극의 제조방법.
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