JP7060373B2 - プラズマ処理装置の運転方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の実施例を図1乃至図5を用いて説明する。
図1は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の全体の構成の概略を説明する模式図である。本例のプラズマ処理装置は、真空容器内部の処理室内に配置された半導体ウエハの上面に予め配置されたマスク層を含む複数の膜層を有する膜構造の処理対象の膜層を、処理室内に形成されたプラズマを用いてエッチング処理するプラズマエッチング装置である。
実際に設定する運転条件値=設定した運転条件値+(設定した運転条件値×制御能力低下率)…(数1)
図3は、本発明の実施例に係る各デバイスの制御能力低下率について、時間に伴う変化を示す図である。本例において、図2のテーブルの関数f:202を求めるために、任意のロットの処理の開始前に予め所定の複数の枚数のウエハ104を連続的に処理してデバイスを製造する運転を行う間に、プラズマ処理装置100の複数のデバイス各々のウエハ104の処理を行った時間あるいはウエハ104の枚数の任意の周期毎(所定の処理枚数毎)のデータを検出して制御部112に記憶され、当該データから各周期毎の制御能力低下率が算出されて同様に制御部112内に備えられたRAM,ROMやHDD,CD-ROM等の記憶装置1121に記憶される。
制御能力低下率(%)=100-((実際の運転条件値/設定した運転条件値)×100)…(数2)
この際、求めた制御能力低下率(%)がプラス(+)であれば、実際の運転条件値が設定した運転条件値より低く、マイナス(-)であれば、実際の運転条件値が設定した運転条件値より高いことを示している。
101 真空容器
102 処理室
103 試料台
104 ウエハ
105 マスフローコントローラ
106 コイル
107 プラズマ発生用高周波電源
108 導波管
109 プラズマ
110 バルブ
111 ターボ分子ポンプ
112 制御部
1121 記憶装置
1122 演算器
113 PC
114 下部電極
115 バイアス用高周波電源
116 電圧計。
Claims (5)
- 所定の枚数のウエハを順次真空容器内部の処理室内に配置して当該処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハの上面に予め形成された処理対象の膜層を処理するプラズマ処理装置の運転方法であって、
予め別の複数の枚数のウエハを処理した際に、前記プラズマ処理装置に設定された運転の条件の値と当該設定された運転の条件に対応して処理中に前記プラズマ処理装置で実現された前記運転の条件の実際の値との差の前記複数のウエハの処理された枚数または処理が実施された時間の変化に伴う変化を検出し、
前記所定の枚数のウエハの処理に際して、得られた前記差の変化の情報を用いて補正された前記プラズマ処理装置の運転条件の設定値を用いて前記所定の枚数のウエハを処理することを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記所定の枚数の前記ウエハの表面に、予め前記処理対象の膜層を含む複数の膜層を有
する同じ膜構造が配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記所定の枚数のウエハの処理の前または後に前記処理室の内表面をクリーニングする
工程が実施されることを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
予め定められた時間またはウエハの枚数ごとに検出した前記設定される運転の条件の値
と前記実際の運転の条件の値との前記差の値を補間して得られた情報を用いて補正された前記運転の条件の設定値を用いて前記所定の枚数のウエハの各々の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項4に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
予め定められた時間またはウエハの枚数ごとに検出した前記設定される運転の条件の値
と前記実際の運転の条件の値との前記差の値を補間する際は、前記運転の条件の値の平均
によって得られた情報を用いることを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。
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---|---|---|---|---|
JP2003017471A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2008103424A (ja) | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
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