JP6415971B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置10の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置10の全体構成の一例を示す。基板処理装置10は、ウェハに処理を施す処理部12と、ウェハを処理部12に搬入及び搬出する搬入出部14と、基板処理装置10を制御する制御部20とを備えている。本実施形態にかかる基板処理装置10は、クラスターツール型(マルチチャンバタイプ)の基板処理装置である。ただし、基板処理装置10は、クラスターツール型に限らない。
次に、本実施形態によるウェハの位置検出方法について説明する。初めに位置検出条件の設定について、図3を参照しながら説明した後、本実施形態にかかる位置検出処理について、図4を参照しながら説明する。
オペレータは、ディスプレイ26に表示された設定画面から位置検出条件を設定する。図3は、一実施形態に係る位置検出条件の設定画面の一例を示す。図3の(a)は、ディスプレイ26に表示された設定画面のうち、全体カウンタのみの位置検出条件が設定されている場合を示す。全体カウンタは、レシピの種類を問わず、同一のPM内で処理されるウェハの処理回数(処理されたウェハの枚数)をカウントし、積算値としてRAM23等に記憶する機能を有する。図1に示す基板処理装置10では、PM1の全体カウンタ、PM2の全体カウンタがそれぞれ設けられてもよい。この場合、各全体カウンタは、それぞれのPM内で処理されるウェハの処理回数を別々にカウントする。
本実施形態にかかる位置検出処理の一例について、図4を参照しながら説明する。本実施形態にかかる位置検出処理は、制御部20により制御される。これにより、制御部20によって位置検出器11を経由して位置検出が行われるウェハが選択される。
次に、図7及び図8を参照して、上記実施形態の変形例にかかる位置検出時の判定処理について説明する。
(1)LLM1,2からTMを経由してPM1,2に搬送される際
(2)PM1からTMを経由してPM2に搬送される際(PM2からTMを経由してPM1に搬送される際)
(3)PM1、2からTMを経由してLLM1,2に搬送される際
本変形例では、ウェハの位置ずれ量の許容範囲である閾値がPM毎に設定され得る。閾値は、PMの経時変化が許容範囲を超えたことを示すずれ量の値に設定される。また、PM毎にウェハを搬入するときの閾値と、ウェハを搬出するときの閾値とを設定できる。
ウェハを搬入及び搬出するときの閾値は、次のPMにウェハを入れるべきではない位置ずれ量の限界値を示す。また、ウェハを搬入及び搬出するときの閾値は、左右、上下及び回転方向のウェハの位置ずれを示してもよい。本変形例によれば、PM毎に搬入時の閾値及び搬出時の閾値が設定される。このようにウェハの位置ずれをPM毎に、搬入及び搬出において細かく制御することで、基板処理装置10をより安全に使用できる。
本実施形態にかかる位置検出時の判定処理の一例について、図8を参照しながら説明する。本実施形態にかかる位置検出処理は、制御部20により制御される。本処理が実行する前に、PM毎に搬入における位置ずれの閾値と、搬出における位置ずれの閾値とが予め設定されている。例えば、PM1への搬入における位置ずれの閾値が閾値「A」として設定され、PM1からの搬出における位置ずれの閾値が閾値「B」として設定されている。同様に、PM2への搬入における位置ずれの閾値が閾値「C」として設定され、PM2からの搬出における位置ずれの閾値が閾値「D」として設定されている。
本実施形態にかかる基板処理装置10は、図1に示すクラスターツール型の基板処理装置10に限らない。例えば、本実施形態にかかる基板処理装置10は、図9に示す構成の基板処理装置10であってもよい。
12:処理部
14:搬入出部
15:搬入出室
20:制御部
21:CPU
22:ROM
23:RAM
24:HDD
25:入出力I/F
26:ディスプレイ
PM:プロセスモジュール
TM:トランスファーモジュール
LLM:ロードロックモジュール
LP:ロードポート
Claims (5)
- 基板を処理するプロセスモジュールと、
基板の位置を検出する位置検出器と、
同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちから、設定されたプロセスモジュールの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御する制御部と、を有し、
前記プロセスモジュールは、複数のレシピのいずれかに設定された手順に従い基板を処理し、
前記制御部は、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちの所定のレシピにより処理される基板のうちから、設定された所定のレシピの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板に対してレシピ毎に蓄積された、位置ずれ量と測定間隔との相関関係のデータに基づき、位置検出条件の設定や更新を自動で行うように前記位置検出器を制御する、基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記プロセスモジュール毎に設定された、搬入時及び搬出時のそれぞれの位置ずれの閾値に基づき、前記プロセスモジュールの搬入時及び搬出時の少なくともいずれかにおいて基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記測定された基板の位置のずれが閾値よりも大きい場合、通知を行う、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記プロセスモジュールの測定間隔の設定及び前記レシピの測定間隔の設定の有効又は無効を設定し、
前記設定が有効なプロセスモジュールの測定間隔及び前記所定のレシピの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御する、
請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 基板を処理するプロセスモジュールと、基板の位置を検出する位置検出器と、制御部とを有する基板処理装置における基板処理方法であって、
前記制御部により同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちから、設定されたプロセスモジュールの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記プロセスモジュールは、複数のレシピのいずれかに設定された手順に従い基板を処理し、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちの所定のレシピにより処理される基板のうちから、設定された所定のレシピの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板に対してレシピ毎に蓄積された、位置ずれ量と測定間隔との相関関係のデータに基づき、位置検出条件の設定や更新を自動で行うように前記位置検出器を制御する、基板処理方法。 - 基板を処理するプロセスモジュールと、基板の位置を検出する位置検出器と、制御部とを有する基板処理装置を使用してコンピュータに実行させる基板処理プログラムを記録した記録媒体であって、
前記制御部により同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちから、設定されたプロセスモジュールの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記プロセスモジュールは、複数のレシピのいずれかに設定された手順に従い基板を処理し、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板のうちの所定のレシピにより処理される基板のうちから、設定された所定のレシピの測定間隔に応じて選択された基板の位置を測定するように前記位置検出器を制御し、
前記同一のプロセスモジュール内で処理される基板に対してレシピ毎に蓄積された、位置ずれ量と測定間隔との相関関係のデータに基づき、位置検出条件の設定や更新を自動で行うように前記位置検出器を制御する、
処理をコンピュータに実行させる基板処理プログラムを記録した記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014262860A JP6415971B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
| US14/970,714 US9824861B2 (en) | 2014-12-25 | 2015-12-16 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium recording substrate processing program |
| TW104142872A TWI679721B (zh) | 2014-12-25 | 2015-12-21 | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體 |
| KR1020150183716A KR102423378B1 (ko) | 2014-12-25 | 2015-12-22 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014262860A JP6415971B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016122775A JP2016122775A (ja) | 2016-07-07 |
| JP6415971B2 true JP6415971B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=56165072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014262860A Active JP6415971B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9824861B2 (ja) |
| JP (1) | JP6415971B2 (ja) |
| KR (1) | KR102423378B1 (ja) |
| TW (1) | TWI679721B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6635888B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2020-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム |
| CN113496908B (zh) * | 2020-04-08 | 2024-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备 |
| TW202224882A (zh) * | 2020-11-12 | 2022-07-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 偵測裝置、處理系統及搬運方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043394A (ja) | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 位置ずれ検出装置及び処理システム |
| JP2004241428A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4786925B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007251090A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置の搬送位置合わせ方法、真空処理装置及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5242906B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
| JP6013792B2 (ja) | 2012-06-12 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び基板搬送装置 |
| JP6094148B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2014
- 2014-12-25 JP JP2014262860A patent/JP6415971B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-16 US US14/970,714 patent/US9824861B2/en active Active
- 2015-12-21 TW TW104142872A patent/TWI679721B/zh active
- 2015-12-22 KR KR1020150183716A patent/KR102423378B1/ko active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102423378B1 (ko) | 2022-07-22 |
| TW201635417A (zh) | 2016-10-01 |
| KR20160078901A (ko) | 2016-07-05 |
| US9824861B2 (en) | 2017-11-21 |
| JP2016122775A (ja) | 2016-07-07 |
| US20160190024A1 (en) | 2016-06-30 |
| TWI679721B (zh) | 2019-12-11 |
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