JP4448082B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、基板に対して処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。これらの基板に対する処理の例としては、処理流体（処理液または処理ガス）を用いた処理や熱処理（加熱処理または冷却処理）を挙げることができる。

たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに対して種々の処理を施すために、基板処理装置が用いられる。基板処理装置は、それぞれ基板に対して処理を施す複数の処理ユニットを備えている。個々の処理ユニットには、当該処理ユニットの各部を制御するためのユニットコントローラが備えられている。複数の処理ユニットに対応した複数のユニットコントローラは、基板処理装置全体の制御を司るメインコントローラに接続されていて、このメインコントローラとの間でデータを授受することができるようになっている。メインコントローラは、さらに、必要に応じて、ホストコンピュータに接続されている。

メインコントローラには、複数の処理ユニットにおいて実行すべき基板処理の内容を規定するレシピデータを保持したレシピデータベースが備えられている。このレシピデータベースから抽出した適切なレシピデータが、メインコントローラからユニットコントローラへと送信される。ユニットコントローラは、メインコントローラから与えられたレシピデータに従って処理ユニット内の各部を制御し、基板処理を実行する。

ホストコンピュータは、必要に応じて、メインコントローラに対して、レシピデータを補正するための補正データを与える。この場合、メインコントローラは、レシピデータベースから読み出したレシピデータに対して補正データによる補正を施し、補正後のレシピデータをユニットコントローラに送信する。
補正データの一例は、前工程から当該基板処理装置での処理が開始されるまでの基板の待機時間である。たとえば、レジストをマスクとしたドライエッチング（前工程）を行った後の基板表面に残るレジスト残渣（ポリマー）を除去する基板処理装置の場合には、基板上に残留している微少量のエッチングガスのために、基板の待機時間中に化学反応が徐々に進む。この化学反応は、むろん、基板の待機時間が長くなるほど進行する。そこで、基板の待機時間を補正データとしてメインコントローラに与えると、メインコントローラは、その化学反応の進行に合わせてレシピデータを補正する。

補正データの他の例は、基板処理装置が置かれた雰囲気の温度、湿度、気圧等のデータ（雰囲気状態データ）である。基板処理は、これらの雰囲気条件による影響を受ける。そこで、雰囲気状態データをメインコントローラに与えると、メインコントローラは、その雰囲気状態データに合わせてレシピデータを補正する。
一方、基板上に形成されるパターンの微細化および高精細化に伴い、基板処理装置の形態は、複数枚の基板を一括して処理するバッチ型から、基板を一枚ずつ処理する枚葉型へと移行しつつある。枚葉型の基板処理装置は、たとえば、インデクサ部と基板処理部とを備えている。インデクサ部は、複数枚（たとえば２５枚）の基板を収容可能なキャリヤ（カセット、ポッドその他の基板収容容器）を保持するキャリヤ保持部と、このキャリヤ保持部に保持されたキャリヤに対して基板を出し入れするインデクサロボットとを備えている。基板処理部は、複数の処理ユニットと、この複数の処理ユニットに対して基板を出し入れする基板搬送ロボットとを備えている。この基板搬送ロボットとインデクサロボットとは、基板の受け渡しを行えるように配置される。

未処理の基板は、いずれかのキャリヤからインデクサロボットによって取り出されて基板搬送ロボットに受け渡される。基板搬送ロボットは、受け取った未処理の基板をいずれかの処理ユニットへと搬送し、その処理ユニットに搬入する。処理済みの基板は、基板搬送ロボットによって処理ユニットから搬出され、インデクサロボットに向けて搬送され、このインデクサロボットに受け渡される。インデクサロボットは、受け取った処理済みの基板をいずれかのキャリヤに収納する。
特開平４−３０５２６９号公報

一つのキャリヤに収容された複数枚の基板は、当該基板処理装置にセットされてから、実際に処理ユニットによって処理を受けるまでの待機時間が異なっている。
それにも拘わらず、前述の先行技術では、メインコントローラで補正されたレシピデータに従う共通の処理が複数枚の基板に対して施されるようになっている。したがって、個々の基板に対して最適化された処理を施すことができない。

この問題は、メインコントローラにおいて、個々の基板が実際に処理を受けるまでの時間を予測し、その予測結果に基づいて基板ごとの補正レシピデータを作成することによって解決できると考えられるかもしれない。しかし、基板が実際に処理を受けるまでの時間を正確に予測することは、現実には不可能である。とくに、多数の処理ユニットを備える基板処理装置の場合には、個々の基板がどの処理ユニットで処理を受けるかを事前に予測することが困難な場合が多い。そのため、個々の基板が処理されるまでの待機時間を正確に予測することはできない。しかも、メインコントローラにおいて補正レシピデータを計算する時間のオーバーヘッドが大きくなり、とくに、多数の処理ユニットが備えられる場合には、メインコントローラに処理が集中することにより、無視できないオーバーヘッドが生じるおそれがある。

また、前述の先行技術では、基板処理装置の雰囲気状態の検出結果に応じて、複数の処理ユニットで処理される複数枚の基板に対して、共通の補正レシピデータが適用されてしまう。しかし、実際には、個々の処理ユニットごとに雰囲気状態は異なっており、また、個々の基板が処理されるタイミングでの雰囲気状態が一定に保持される保証もない。
したがって、前述の先行技術では、この観点からも、個々の基板に対して最適化された処理を施すことができているとは言えない。

そこで、この発明の目的は、個々の基板または所定枚数の基板群に対して適切な内容の基板処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に対して処理を施すための処理ユニット（１１〜１４，８１〜８４）と、基板処理の内容（処理手順、処理条件）を表すレシピデータを保持するメインコントローラ（５１）と、前記処理ユニットに備えられ、前記メインコントローラと通信可能に接続されたユニットコントローラ（４１〜４４）と、前記処理ユニットに備えられ、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段（４８，７０，７１，７９）とを含み、前記ユニットコントローラは、前記メインコントローラからレシピデータを受信するレシピデータ受信手段（６８，７６）と、このレシピデータ受信手段によって受信されたレシピデータに対して、前記状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成するレシピデータ補正手段（７２，７３）と、このレシピデータ補正手段によって補正された最終実行レシピデータに従って基板処理を制御する基板処理制御手段（７８）とを含む、基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

この構成によれば、処理ユニットには、当該処理ユニットに供給される基板または所定枚数の基板群（とくに同時に一括処理される基板群）の状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段が備えられている。処理ユニットのユニットコントローラに備えられたレシピデータ補正手段は、状態パラメータ検出手段によって検出された状態パラメータに基づいて、レシピデータを補正する。これにより、個々の基板毎または基板群毎に最適化された最終実行レシピデータが得られる。このようにして、個々の基板に対して適切な内容の基板処理を施すことができる。しかも、レシピデータの補正は、メインコントローラではなく、ユニットコントローラにおいて行われるので、個々の基板毎または個々の基板群毎に対して確実に最適化された最終実行レシピが得られるうえ、メインコントローラにおける処理負荷が過大になるおそれもない。

請求項２記載の発明は、前記ユニットコントローラは、さらに、前記レシピデータ補正手段による補正内容を前記メインコントローラに通知する補正内容通知手段（６９）を含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、個々の処理ユニットにおけるレシピデータの補正内容がメインコントローラに通知されるので、メインコントローラでは、個々の基板または基板群に対する処理の履歴を管理することができる。処理ユニットにおけるレシピデータの補正内容は、メインコントローラにおいて保持され、必要に応じて、ホストコントローラ（５５）や使用者によって参照できるようになっていることが好ましい。

請求項３記載の発明は、前記状態パラメータ検出手段は、前記処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態（基板処理環境データ：温度、湿度、気圧）を検出する雰囲気状態検出手段（４８）を含む、請求項１または２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、個々の処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態に応じてレシピデータに補正を施すことができる。その結果、個々の基板毎または個々の基板群毎の処理状況に応じて基板処理内容を最適化することができ、基板処理品質を一層向上できる。例えば、当該基板処理装置に処理対象の基板が搬入されてから、処理ユニットにおいて実際に基板が処理されるまでの間に、処理ユニットにおける基板処理雰囲気（基板処理環境）が変動する場合もある。このような場合であっても、個々の基板または基板群毎に適切な処理を施すことができる。また、逆に、処理ユニットにおける雰囲気管理を厳密に行う必要がなくなることから、高価な空気調和ユニットを省くことが可能になり、装置のコストダウンを図ることができる。

請求項４記載の発明は、前記状態パラメータ検出手段は、当該基板処理装置による処理前の工程である前工程の終了から当該処理ユニットにおいて処理されるまでの個々の基板または前記所定枚数の基板群の待機時間を求める待機時間演算手段（７０，７１，７９）を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、前工程から実際に処理を受けるまでの待機時間に応じてレシピデータを補正することができる。したがって、前工程の後に基板上で何らかの化学反応が進行し、時間経過に伴って基板表面の状態が刻々と変化していくような場合であっても、処理ユニットでの処理直前の基板の状態に応じた適切な内容の基板処理を行うことができる。これにより、基板処理品質を一層向上することができる。

請求項５記載の発明は、前記待機時間演算手段は、前工程の終了から当該基板処理装置に搬入されて、当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間である第１待機時間に相当するデータを取得する第１待機時間取得手段（６８，７４）と、当該基板処理装置による処理が開始されてから個々の基板または前記所定枚数の基板群に対する前記処理ユニットによる処理が開始されるまでの待機時間である第２待機時間を計測する第２待機時間計測手段（７１）と、前記第１待機時間および第２待機時間を加算して総待機時間を求める総待機時間演算手段（７９）とを含む、請求項４記載の基板処理装置である。

この構成によれば、ユニットコントローラは、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの第１待機時間を取得する一方、その後の待機時間である第２待機時間を計測し、前記第１および第２待機時間を合算することによって、個々の基板または基板群毎の総待機時間を求めることができる。これにより、前工程からの正確な待機時間に基づいてレシピデータを補正することが可能になり、個々の基板または基板群毎に適切な処理を施すことができる。

前記第１待機時間は、たとえば、前工程を経た複数枚の基板を収容したキャリヤ（Ｃ）が基板処理装置に投入され、このキャリヤに保持された複数枚の基板による処理が開始されるまでの待機時間である。前記第２待機時間は、たとえば、前記第１待機時間取得手段によって第１待機時間が取得されてから、個々の基板または基板群が処理ユニットに運ばれてくるまでの待機時間である。

請求項６記載の発明は、前記レシピデータ補正手段は、レシピデータによって指定される複数の処理種別（薬液の種類など）にそれぞれ対応する複数の補正関数または補正テーブルを備え、この補正関数または補正テーブルに従って、前記状態パラメータ検出手段によって検出される状態パラメータに応じた補正をレシピデータに対して施すものである、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、ユニットコントローラにおいて、レシピデータの種別に応じて、状態パラメータに対応した適切な補正を行うことができる。これにより、複数種類のレシピデータに対応した補正処理が可能になる。
前記補正関数の係数または補正テーブルの内容は、たとえば、ホストコントローラや使用者によって変更できるようになっていることが好ましい。これにより、レシピデータの補正の態様を変更することができる。

請求項７記載の発明は、前記メインコントローラは、レシピデータに対する補正データを外部から受け付ける補正データ受付手段（６２，６６）を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
補正データに基づくレシピデータの補正は、メインコントローラにおいて行ってもよいし、ユニットコントローラにおいて行ってもよい。ユニットコントローラにおいて少なくとも一部の補正データに基づくレシピデータの補正を行う場合には、当該補正データは、メインコントローラからユニットコントローラへと送信される。

たとえば、補正データが複数種類の補正要素（ファクター）に関するものを含む場合に、一部の補正要素に関するレシピデータの補正をメインコントローラで行い、残余の補正要素に関するレシピデータの補正をユニットコントローラで行うようにしてもよい。
補正データ受付手段は、ホストコントローラからの補正データを受け付けるものであってもよいし、使用者による補正データの入力を受け付けるものであってもよいし、それらの両方を受け付けるものであってもよい。

請求項８記載の発明は、前記メインコントローラは、前記補正データ受付手段によって受け付けられた補正データの一部または全部を前記ユニットコントローラに送信する補正データ送信手段（６５）をさらに含む、請求項７記載の基板処理装置である。
この構成により、ユニットコントローラにおいて、外部から与えられた補正データに基づくレシピデータの補正を行うことができる。

請求項９記載の発明は、前記補正データ受付手段は、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間を表す待機時間データを受け付ける手段（６２，６６）を含み、前記補正データ送信手段は、前記待機時間データを前記処理ユニットに送信する手段（６５）を含む、請求項８記載の基板処理装置である。
この構成により、ユニットコントローラにおいて、待機時間データに基づくレシピデータの補正を行うことができる。たとえば、請求項５の構成と組み合わせる場合には、ユニットコントローラにおいて、個々の基板または基板群が実際に処理を受けるまでの前工程からの待機時間を演算することができるので、個々の基板または基板群の実際の待機時間に応じた適切な処理を行うことができる。

待機時間データは、待機時間そのものを表す形式のデータであってもよいし、待機時間に対応したレシピデータ補正値を表すものであってもよい。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板に対して処理液を用いた処理を施すための枚葉型の装置であり、半導体製造工場等のクリーンルーム内に設置されて用いられるものである。

この基板処理装置は、基板を収容するキャリヤＣを保持可能であり、このキャリヤＣに対して基板を出し入れするためのインデクサ部１と、このインデクサ部１に結合され、基板に対して処理を施すための処理部２とを備えている。
インデクサ部１は、複数のキャリヤＣを所定の水平方向に沿って保持することができるようになっている。このインデクサ部１は、保持された複数のキャリヤＣに対して、未処理基板の搬出および処理済み基板の搬入を実行するインデクサロボット３を備えている。キャリヤＣは、基板を密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であってもよく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドであってもよく、また、ＯＣ（Open Cassette）であってもよい。

処理部２は、複数（この実施形態では４個）の処理ユニット１１〜１４と、インデクサロボット３から未処理の基板を受け取っていずれかの処理ユニット１１〜１４に搬入し、これらの処理ユニット１１〜１４から処理済みの基板を搬出してインデクサロボット３に受け渡す主搬送ロボット５とを備えている。より具体的には、インデクサ部１におけるキャリヤＣの配列方向に直交する方向に沿って搬送路６が形成されている。この搬送路６に主搬送ロボット５が配置されている。そして、搬送路６の一方側に、２つの処理ユニット１１，１２が搬送路６に沿って配置されており、搬送路６の他方側に残りの２つの処理ユニット１３，１４が搬送路６に沿って配置されている。

処理ユニット１１〜１４には、たとえば、共通の処理を施すことができるものであり、未処理の基板は、いずれかの処理ユニット１１〜１４に搬入されて処理を受ける。より具体的には、未処理の一枚の基板がインデクサロボット３によってキャリヤＣから搬出されて主搬送ロボット５に受け渡される。主搬送ロボット５は、たとえば、基板をそれぞれ保持することができる一対のハンドを備えており、一方のハンドで、いずれかの処理ユニット１１〜１４から処理済みの基板を搬出し、他方のハンドで、当該処理ユニットに対して未処理の基板を搬入する。搬出された処理済みの基板は、主搬送ロボット５からインデクサロボット３に受け渡される。インデクサロボット３は、その処理済みの基板をキャリヤＣに搬入する。

図２は、処理ユニット１１〜１４の構成例を説明するための図解図である。この例では、処理ユニット１１〜１４は、ドライエッチング処理の後の基板Ｗの表面に残るレジスト残渣（ポリマー）を除去するためのポリマー除去処理を実行する。
処理ユニット１１〜１４は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のポリマー除去処理ユニットであり、基板Ｗを水平に保持して回転させるためのスピンチャック２０を処理室２１内に備え、さらに、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面にポリマー除去のための薬液であるポリマー除去液を供給するための薬液ノズル２２と、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に純水を供給するための純水ノズル２３とを備えている。

ポリマー除去液の例としては、有機アルカリ液を含む液体、有機酸を含む液体、無機酸を含む液体、ふっ化アンモン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか１つが使用できる。そのうち、有機アルカリ液を含む液体としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミン、コリンのうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。また、有機酸を含む液体としては、クエン酸、蓚酸、イミノジ酸、および琥珀酸のうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。また、無機酸を含む液体としては、ふっ酸および燐酸のうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。その他、ポリマー除去液としては、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマティックジオール、パークレン、フェノールを含む液体などのうちの少なくともいずれか１つを含む液体があり、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルスルホキシドとモノエターノルアミンとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマティックジオールとの混合液、パーフレンとフェノールとの混合液などのうちの少なくともいずれか１つが挙げられる。その他、トリエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミンなどのアミン類、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。

スピンチャック２０としては、たとえば、基板Ｗのデバイス形成面を上方に向けた状態で、その基板Ｗの非デバイス形成面（下面）を真空吸着することにより、基板Ｗをほぼ水平に保持することができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が用いられている。この真空吸着式のスピンチャック２０は、たとえば、基板Ｗを保持した状態で、基板Ｗのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Ｗを水平面内で回転させることができる。むろん、真空吸着式のものに代えて、基板Ｗの周縁部に当接する複数のチャックピンによって基板Ｗを挟持する形態のメカニカルチャックを適用することもできる。

スピンチャック２０は、処理カップ２４内に収容されている。処理カップ２４は、スピンチャック２０の周囲を取り囲んでいて、底部には、基板Ｗの処理に用いられた後の純水などを排液するための環状の排液溝２５と、基板Ｗの処理のために用いられた後の薬液を回収するための環状の回収溝２６とを有している。排液溝２５と回収溝２６とは、筒状の仕切壁２７で仕切られており、この仕切壁２７の下方には、一端が排液溝２５に臨んで開口した排気路２８が形成されている。排気路２８の他端には、カップ内排気ダクト２９が接続されている。１８は、処理室２１内に清浄空気のダウンフローを送り込むファンフィルタユニット（ＦＦＵ）であり、１９は、処理室２１内の排気のための処理室内排気ダクトである。

処理カップ２４に関連して、基板Ｗから飛散する薬液または純水を捕獲するためのスプラッシュガード３０が設けられている。スプラッシュガード３０は、基板Ｗの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、上方部の内面は、基板Ｗの回転軸線に対向するように開いた断面く字状の排液捕獲部３１となっている。また、スプラッシュガード３０の下方部には、基板Ｗの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜曲面を有する回収液捕獲部３２が形成されている。回収液捕獲部３２の上端付近には、処理カップ２４の仕切壁２７を受け入れるための仕切壁収納溝３３が形成されている。

スプラッシュガード３０は、処理カップ２４に対して昇降可能に構成されており、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周端面に排液捕獲部３１または回収液捕獲部３２を対向させたり、スピンチャック２０に対する基板Ｗの搬入／搬出の妨げにならないように、スピンチャック２０による基板Ｗの保持位置よりも下方に待避したりすることができる。

排液捕獲部３１を基板Ｗの周端面に対向させた状態では、基板Ｗから飛散する薬液または純水を排液捕獲部３１で捕獲することができる。この排液捕獲部３１で捕獲された薬液または純水は、排液捕獲部３１を伝って流下し、処理カップ２４の排液溝２５に集められて、排液溝２５から排液配管２５Ａを通って図外の排液処理設備へ排液される。
また、回収液捕獲部３２を基板Ｗの周端面に対向させた状態では、基板Ｗから飛散する処理液（主として薬液）を回収液捕獲部３２で捕獲することができる。回収液捕獲部３２で捕獲された処理液は、回収液捕獲部３２を伝って流下し、処理カップ２４の回収溝２６に集められて、この回収溝２６から、使用後の処理液を帰還させる処理液帰還配管である回収配管２６Ａを通って、薬液キャビネット（図示せず）へと回収される。

薬液ノズル２２には、薬液キャビネットからの薬液を供給する薬液供給配管３５が接続されている。この薬液供給配管３５の途中部には、薬液供給源側から順に、薬液を処理に適した温度に調節するための温度調節器３６と、薬液ノズル２２からの薬液の吐出を制御するための薬液供給バルブ３７とが介装されている。薬液ノズル２２と温度調節器３６との間には、薬液供給配管３５から分岐する薬液循環配管３８が接続されている。この薬液循環配管３８は、基板Ｗの処理に使用される前の処理液を薬液キャビネットへと帰還させる処理液帰還配管であり、薬液供給バルブ３７の閉成時に、薬液キャビネットから温度調節器３６を通って薬液供給バルブ３７の近く（薬液ノズル２２の近く）に至り、再び薬液キャビネットへと帰還される薬液循環経路を形成する。

純水ノズル２３には、純水供給モジュール（図示せず）からの純水を供給する純水供給配管３９が接続されている。純水供給配管３９の途中部には、純水供給バルブ４０が介装されていて、この純水供給バルブ４０を開閉することにより、純水ノズル２３から基板Ｗに純水を供給したり、基板Ｗへの純水の供給を停止したりすることができる。
処理ユニット１１〜１４には、ユニット内の各部を制御するためのユニットコントローラ４１〜４４がそれぞれ備えられている。このユニットコントローラ４１〜４４は、スピンチャック２０に回転力を与える回転駆動機構４５およびスプラッシュガード３０を昇降させる昇降駆動機構４６の動作を制御し、薬液供給バルブ３７および純水供給バルブ４０の開閉を制御し、さらに、温度調節器３６の通電制御を行う。また、ユニットコントローラ４１〜４４には、個々の処理ユニット１１〜１４の処理室２１内の雰囲気の状態を検出する少なくとも１つの雰囲気状態センサ４８が接続されている。雰囲気状態センサ４８は、基板処理に影響を与える雰囲気状態を検出するものであり、その例としては、処理室内２１の温度を検出する温度センサ、処理室２１内の湿度を検出する湿度センサ、処理室２１内の気圧を検出する気圧センサ、処理室２１の排気流量（処理室内排気ダクト１９内の排気風量）を検出する排気流量センサを挙げることができる。

図３は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。複数の処理ユニット１１〜１４に対応したユニットコントローラ４１〜４４は、ローカルエリアネットワーク５０（たとえば、イーサネット（登録商標））に接続されている。このローカルエリアネットワーク５０には、基板処理装置全体の制御（搬送スケジュールおよび基板処理内容の制御など）を司るメインコントローラ５１が接続されており、さらに、インデクサ部１の制御のためのインデクサコントローラ５２、および主搬送ロボット５の制御のための主搬送コントローラ５３が接続されている。さらに、必要に応じて、メインコントローラ５１に対して補正データ等を外部から与えるためのホストコントローラ５５が接続される。このような構成により、メインコントローラ５１は、ローカルエリアネットワーク５０を介して、ユニットコントローラ４１〜４４、インデクサコントローラ５２、主搬送コントローラ５３およびホストコントローラ５５との間でデータ通信を行うことができる。また、メインコントローラ５１には、操作者とのマンマシンインタフェースを構成する表示部５７および操作部５８（キーボードやポインティングデバイスなど）が接続されている。

メインコントローラ５１は、処理ユニット１１〜１４において実行すべき基板処理内容（処理手順および処理条件）を規定する基本レシピデータを保存するためのレシピデータベース６０と、基本レシピデータに対して施すべき補正内容を規定する補正データを保存する補正データ記憶部６１と、ホストコントローラ５５および／または操作部５８からの補正データの入力を受け付ける補正制御部６２と、補正データに基づいて基本レシピデータに必要な補正を施して実行レシピデータ（補正レシピデータ）を作成する補正処理部６３と、作成された実行レシピデータを保存する実行レシピデータ記憶部６４と、ユニットコントローラ４１〜４４等へのデータ送信のためのデータ送信部６５と、ユニットコントローラ４１〜４４およびホストコントローラ５５等からの各種データを受け付けるデータ受信部６６とを備えている。

基本レシピデータは、操作者が操作部５８を操作することによって作成することができるほか、ホストコントローラ５５からローカルエリアネットワーク５０を介してメインコントローラ５１に与え、レシピデータベース６０に格納することもできる。
補正制御部６２は、ホストコントローラ５５または操作部５８から、外部入力としての補正データを受け付け、これを補正データ記憶部６１に格納する。また、補正処理部６３は、レシピデータベース６０から基本レシピデータを読み出し、これに対して補正データに基づく補正を施して実行レシピデータを作成して、実行レシピデータ記憶部６４に格納する。データ送信部６５は、実行レシピデータ記憶部６４から実行レシピデータを読み出して、ユニットコントローラ４１〜４４へと送信する。

補正データは、基本レシピデータをチューニングするためのチューニングデータである。補正データには、たとえば、前工程における処理条件に対応した補正データや、前工程からの経過時間を表す補正データ（経過時間データ）が含まれる。前工程からの経過時間とは、より具体的には、前工程であるドライエッチングが完了してから当該基板処理装置に基板Ｗを収容したキャリヤＣがセットされ、このキャリヤＣに収容された基板Ｗに対する処理が開始されるまでの基板Ｗの待機時間である。この実施形態では、経過時間データに基づくレシピデータの補正処理はメインコントローラ５１では行われず、ユニットコントローラ４１〜４４において行われるようになっている。そのため、補正制御部６２は、補正データのうち、経過時間データについては、データ送信部６５から、ユニットコントローラ４１〜４４へと送信させる。

経過時間データは、前工程からの経過時間を表す数値データとしてホストコントローラ５５または操作部５８から与えられる場合と、経過時間データに応じた液処理補正時間を表す数値データとしてホストコントローラ５５または操作部５８から与えられる場合とがある。
図４は、ユニットコントローラ４１〜４４の電気的構成を説明するためのブロック図である。ユニットコントローラ４１〜４４は、センサデータ入力部７０と、経過時間計測部７１と、補正データ処理部７２と、補正関数データ保持部７３と、メイン補正データ保持部７４と、ローカル補正データ保持部７５と、実行レシピデータ保持部７６と、最終実行レシピデータ保持部７７と、基板処理制御部７８と、前工程終了から当該処理ユニットにおいて基板Ｗの処理が開始されるまでの総経過時間を演算する総経過時間演算部７９を備えている。さらに、ユニットコントローラ４１〜４４は、メインコントローラ５１からローカルエリアネットワーク５０を介してデータを受信するデータ受信部６８と、ローカルエリアネットワーク５０を介してメインコントローラ５１にデータを送信するデータ送信部６９とを備えている。

センサデータ入力部７０は、雰囲気状態センサ４８からの入力データを受け付ける。経過時間計測部７１は、当該基板処理装置に処理対象の基板Ｗが搬入されてから、個々の基板Ｗが処理ユニット１１〜１４へと搬送されてくるまでの経過時間を計測する。より具体的には、経過時間計測部７１は、メインコントローラ５１から補正データの一部である前記経過時間データがデータ受信部６８によって受信されてからの経過時間を計測する。

メインコントローラ５１から与えられる経過時間データ（第１待機時間）は、データ受信部６８によって取得され、メイン補正データ保持部７４に保持される。総経過時間演算部７９は、メイン補正データ保持部７４に保持されている経過時間データに経過時間計測部７１によって計測される経過時間データ（第２待機時間）を加算することによって、個々の基板Ｗについて、前工程から当該処理ユニットによる処理を受けるまでの総経過時間を表す総経過時間データ（総待機時間）を演算する。

補正データ処理部７２は、センサデータ入力部７０によって取得されたセンサデータおよび総経過時間演算部７９によって演算された総経過時間データに基づき、補正関数データ保持部７３に保持された補正関数データを参照して、実行レシピデータを補正するための補正データを作成する。この補正データは、ローカル補正データ保持部７５に保持される。前記センサデータおよび総経過時間データは、個々の基板Ｗを処理するときの当該基板Ｗの状態（基板自体の状態および基板が置かれた環境）を表すので、以下、総称するときには「状態パラメータ」という。

以下、メインコントローラ５１から与えられてメイン補正データ保持部７４に保持される補正データ（この実施形態では経過時間データ）を「メイン補正データ」といい、ローカル補正データ保持部７５に保持される補正データを「ローカル補正データ」という。
補正関数データ保持部７３には、状態パラメータに基づいて実行レシピデータに対して施すべき補正量を表すローカル補正データを計算するための関数式またはテーブルが保存されている。基板処理に適用される処理レシピ毎（または使用薬液毎）にローカル補正データの計算方法が異なる場合には、処理レシピ毎（または使用薬液毎）に、関数式またはテーブルが補正関数データ保持部７３に保持されることになる。補正関数データ保持部７３に保持される関数の係数またはテーブルの内容は、たとえば、ホストコントローラ５５からの指示または操作部５８を介する使用者の入力によって、変更可能とされていることが好ましい。

補正データ処理部７２は、実行レシピデータ保持部７６に保持された実行レシピデータを参照することによって、補正関数データ保持部７３から当該実行レシピデータに適合する関数式またはテーブルを選択し、その選択された関数式またはテーブルを状態パラメータに適用することによって、ローカル補正データを算出し、ローカル補正データ保持部７５に格納する。

補正データ処理部７２は、さらに、ローカル補正データ保持部７５に保持されたローカル補正データに基づき、実行レシピデータ保持部７６に保持された実行レシピデータに対して補正を施す。実行レシピデータは、メインコントローラ５１からデータ受信部６８によって予め受信され、実行レシピデータ保持部７６に保持されるようになっている。
補正データ処理部７２は、さらに、補正後のレシピデータである最終実行レシピデータを最終実行レシピデータ保持部７７に格納する。この最終実行レシピデータの演算は、この実施形態では、１枚の基板Ｗを処理する毎に行われる。

基板処理制御部７８は、最終実行レシピデータ保持部７７に保持された最終実行レシピデータに従って、スピンチャック２０に回転力を与える回転駆動機構４５およびスプラッシュガード３０を昇降させる昇降駆動機構４６の動作を制御し、薬液供給バルブ３７および純水供給バルブ４０の開閉を制御し、さらに、温度調節器３６の通電制御を行う（図１参照）。

一方、補正データ処理部７２は、ローカル補正データ保持部７５からローカル補正データを読み出して、データ送信部６９を介して、メインコントローラ５１へと送信する。これにより、ユニットコントローラ４１〜４４による実行レシピデータの補正内容がメインコントローラ５１に通知される。この通知を受けたメインコントローラ５１は、内部のメモリ（図示せず）に、受信したローカル補正データを保持する。このローカル補正データは、必要に応じて、ホストコントローラ５５によって取得され、また、操作部５８を操作することにより、使用者によって閲覧される。

図５は、補正関数データ保持部７３に関数式またはテーブルの形式で保持される補正関数（補正曲線）の一例を示す図である。この図５には、前工程であるドライエッチング工程終了からの経過時間（待機時間）と、ポリマー除去液を基板Ｗに供給すべき基本時間（基本レシピデータにより定められる基本液処理時間）に対する補正時間（液処理補正時間）との関係が示されている。より具体的には、処理レシピＡで使用する薬液ａの補正関数Ａａを表す曲線と、別の処理レシピＢで使用する薬液ｂの補正関数Ｂｂを表す曲線とが表されている。

ドライエッチング工程完了後の基板Ｗの表面には、微量のエッチングガスが残留している。この残留エッチングガスの影響によって、化学反応が進行するが、この化学反応は、経過時間が長いほどより進行することになる。そのため、前工程からの経過時間が長いほど液処理補正時間が長くなる。ただし、経過時間に対する液処理補正時間の関係は、ポリマー除去のために基板Ｗに供給される薬液の種類（薬液ａおよびｂ）によって異なる。処理レシピＡ，Ｂでは異なる種類の薬液ａ，ｂが用いられるので、結局、処理レシピによって、経過時間に対する液処理補正時間の関係が異なる。

前工程完了から当該基板処理装置に基板Ｗが搬入されるまでの時間ｔ１を表す経過時間データ（メイン補正データ）は、ホストコントローラ５５または操作部５８から、補正データとして、メインコントローラ５１に与えられる。メインコントローラ５１は、経過時間データを、ユニットコントローラ４１〜４４に引き渡す。
経過時間データは、時間ｔ１の形式で与えられる場合と、時間ｔ１に対応した液処理補正時間Ｔ１の形式で与えられる場合とがある。液処理補正時間Ｔ１の形態で引き渡された場合、ユニットコントローラ４１〜４４の総経過時間演算部７９は、実行レシピデータ保持部７６に保持されている実行レシピデータを参照することによって処理レシピの種類（すなわち、使用薬液の種類）を特定し、さらに、当該処理レシピの種類（薬液の種類）に対応する補正関数を補正関数データ保持部７３の保持データのなかから参照する。そして、この補正関数に基づいて、経過時間ｔ１を求める。

さらに、総経過時間演算部７９は、個々の基板Ｗが処理ユニット１１〜１４に搬入されてポリマー除去液の供給を受ける直前までの時間ｔ２の計測結果を経過時間計測部７１から得て、総経過時間ｔ３（＝ｔ１＋ｔ２）を求める。この総経過時間ｔ３が補正データ処理部７２に引き渡される。補正データ処理部７２は、総経過時間ｔ３を処理レシピの種類（使用薬液の種類）に対応した補正関数に当てはめることによって、液処理補正時間Ｔ３を求め、ローカル補正データとしてローカル補正データ保持部７５に格納する。

このようにして個々の基板Ｗごとに、前工程から液処理直前までの総経過時間ｔ３に応じて、実行レシピデータに補正が加えられることになる。
図６は、前記基板処理装置による基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。前工程（ドライエッチング工程）を終えた基板Ｗは、キャリヤＣに収容された状態で基板処理装置に搬入される（Ｓ１）。その後、ホストコントローラ５５または操作部５８から、メインコントローラ５１に対して、処理条件（レシピの指定および前工程からの経過時間データその他の補正データ）が入力され、さらに、処理開始指示が与えられる（Ｓ２）。

メインコントローラ５１では、補正処理部６３によって、指定されたレシピに対応する基本レシピデータがレシピデータベース６０から読み出され、これに対して、経過時間データ以外の補正データ（たとえば前工程での処理条件に応じた補正データ）に基づく補正が施される。こうして、実行レシピデータが作成されて、実行レシピデータ記憶部６４に記憶される。その後、メインコントローラ５１は、データ送信部６５から、実行レシピデータおよび経過時間データをユニットコントローラ４１〜４４に送信する（Ｓ３）。

その後、インデクサロボット３および主搬送ロボット５の働きによって基板Ｗが、１枚ずつ、処理ユニット１１〜１４へと搬送される（Ｓ４）。
ユニットコントローラ４１〜４４では、センサデータ入力部７０から雰囲気状態データを取り込む。また、メインコントローラ５１から与えられる経過時間データと経過時間計測部７１によって計測される経過時間ｔ２とに基づいて、前工程からの総経過時間ｔ３が算出される（Ｓ５）。

補正データ処理部７２は、雰囲気状態データおよび総経過時間ｔ３を補正関数データ保持部７３に保持されている補正関数に照らして、ローカル補正データを求める（Ｓ６）。この求められたローカル補正データは、データ送信部６９を介して、メインコントローラ５１に通知される（Ｓ６）。このローカル補正データは、メインコントローラ５１のデータ受信部６６によって受信され、前述のとおり、メモリ（図示せず）に記憶されて、プロセスの履歴として保存される。

補正データ処理部７２は、さらに、上記求められたローカル補正データに基づいて、実行レシピデータを補正し、最終実行レシピデータを作成する（Ｓ７）。この最終実行レシピデータは最終実行レシピデータ保持部７７に保持される。基板処理制御部７８は、その最終実行レシピデータに従って、基板処理を実行する（Ｓ８）。基板処理が終了すれば（Ｓ９）、主搬送ロボット５によって処理済みの基板Ｗが搬出され、代わって、未処理の基板Ｗが搬入される。この未処理の基板Ｗに対して、上記の処理が繰り返される。

以上のようにこの実施形態によれば、個々の基板Ｗについて、前工程から液処理直前までの総経過時間が計測され、その総経過時間に応じてレシピデータがユニットコントローラ４１〜４４において補正（チューニング）される。また、個々の処理ユニット１１〜１４における雰囲気状態データに基づくレシピデータの補正もユニットコントローラ４１〜４４において行われる。これによって、個々の基板Ｗに対して最適化された基板処理を実現することができるので、基板処理品質を格段に向上することができる。また、個々の基板Ｗに対するレシピデータの最適化をユニットコントローラ４１〜４４において行う構成であるから、基板処理装置全体の制御を司るメインコントローラ５１の処理負荷が過度に大きくなるおそれがなく、オーバーヘッドが生じる心配もない。

図７は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この図７において、前述の図３に示された各部に対応する部分には、図３の場合と同一の参照符号を付して示す。また、この実施形態の説明において、前述の図４を併せて参照する。
この基板処理装置は、露光機とインライン接続することができる、いわゆるコータ・デベロッパ装置であり、露光機と協働することによって、基板表面にフォトレジストパターンを形成する装置である。より具体的には、この基板処理装置は、基板表面にフォトレジストを塗布するコータユニット８１と、基板表面のフォトレジスト膜を加熱するためのベークユニット８２と、露光機によって露光された後のフォトレジスト膜を現像するためのデベロッパユニット８３と、現像後のフォトレジストパターンをマスクとして、フォトレジストパターン下の薄膜等をエッチングするエッチングユニット８４と、処理を終えた基板を検査するための検査ユニット８５とを備えている。図７では、コータユニット８１、熱処理ユニットとしてのベークユニット８２、デベロッパユニット８３およびエッチングユニット８４が各１個ずつ図示されているが、実際のコータ・デベロッパ装置では、これらのユニットがそれぞれ複数個備えられ、メインコントローラ５１は多数の処理ユニットの制御を司ることになる。

コータユニット８１、ベークユニット８２、デベロッパユニット８３およびエッチングユニット８４には、それぞれ、ユニットコントローラ４１〜４４が設けられている。
たとえば、ベークユニット８２では、露光機による露光処理後のベーク処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）が行われる。このベークユニット８２での露光後ベーク処理の条件を規定する基本レシピデータはメインコントローラ５１のレシピデータベース６０に予め格納されている。

露光後の基板がベークユニット８２に搬入されるのに先だって、ホストコントローラ５５は、露光機における処理データ（たとえば露光量）と、前工程としての露光工程完了から当該基板が当該基板処理装置に搬入されるまでの経過時間を表す経過時間データとを、補正データとして、メインコントローラ５１に与える。
メインコントローラ５１では、補正制御部６２によって、処理データ（たとえば露光量）に基づく基本レシピデータの補正が行われ、実行レシピデータが作成される。より具体的には、補正制御部６２は、露光量が多いほどベーク処理時間を短くするように基本レシピデータを補正して実行レシピデータを作成する。この実行レシピデータが、ベークユニット８２に対応したユニットコントローラ４２に与えられる。また、前記経過時間データもユニットコントローラ４２に与えられる。

ユニットコントローラ４２では、メインコントローラ５１からの実行レシピデータが実行レシピデータ保持部７６に格納される一方、経過時間計測部７１によって、経過時間の計測が行われる。計測される経過時間は、露光機から当該基板処理装置に基板が戻った時間を起点とする経過時間である。より正確には、経過時間計測部７１は、メインコントローラ５１から実行レシピデータおよび経過時間データが与えられることに応答して、経過時間の計測を開始する。経過時間計測部７１は、前記基板がベークユニット８２に搬入されて熱処理を受ける直前までの経過時間を計測する。

総経過時間演算部７９は、メインコントローラ５１から与えられる経過時間データ（メイン補正データ）と、経過時間計測部７１によって計測される経過時間とを加算することによって、前工程（露光工程）からベーク処理直前までの総経過時間を求める。補正データ処理部７２は、求められた総経過時間を、補正関数データ保持部７３に保持されている補正関数に照らして、ベーク温度（ベーク処理時の基板温度）の補正値（ローカル補正データ）を求め、この補正値に基づいて実行レシピデータを補正する。この場合、補正関数データ保持部７３には、露光工程からの経過時間に対するベーク温度補正値の関係を表す補正関数（関数式またはテーブル）が予め保持されている。

補正データ処理部７２は、さらに、必要に応じて、センサデータ入力部７０によって取得される雰囲気状態データを補正関数データ保持部７３に保持されている補正関数に照らしてローカル補正データを作成し、このローカル補正データによって実行レシピデータを補正する。
このようにして、実行レシピデータをユニットコントローラ４２において補正した最終実行レシピデータが得られ、基板処理制御部７８は、その最終実行レシピデータに従って、露光後ベーク処理を実行する。

このように、この実施形態によれば、露光機における処理データ（露光量）に基づく基本レシピデータの補正をメインコントローラ５１において行い、露光処理から基板処理までの経過時間（待機時間）に基づくレシピデータの補正はユニットコントローラ４２において行うようにしている。露光処理を受けたフォトレジスト中では、時間経過に伴って、化学反応が進行し、この経過時間がＣＤ（Critical Dimension:微小線幅）値に影響を与える。そこで、露光工程からベーク処理までの経過時間を個々の基板毎に計測してレシピデータを補正するこの実施形態の構成を採用することにより、個々の基板に対して、適切な露光後ベーク処理を行うことができ、安定したＣＤ値を得ることができる。

以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能である。たとえば、前述の実施形態では、基板を１枚ずつ処理する枚葉式処理ユニットを備えた基板処理装置を例にとったが、この発明は、複数枚の基板に対して一括して処理を施すバッチ式の処理ユニットを備えた基板処理装置に対しても適用することができる。この場合には、一括して同時に処理される複数枚の基板（バッチ）毎に、前工程からの経過時間を求め、それに応じて、ユニットコントローラにおいて、レシピデータの補正を行えばよい。

また、前述の実施形態では、前工程からの経過時間データが、メインコントローラ５１に一旦与えられ、その後に、ユニットコントローラ４１〜４４に与えられる例について説明したが、経過時間データを、メインコントローラ５１を介することなく、ユニットコントローラ４１〜４４に与える構成としてもよい。
さらに、前述の実施形態では、基板処理装置に基板が投入されてから当該基板が処理ユニットで実際に処理されるまでの経過時間を計測するようにしているが、１枚の基板の処理に要する時間がほぼ一定とみなすことができる場合には、処理された基板の枚数を計数し、その計数結果に基づいて経過時間を推定するようにしてもよい。

また、メインコントローラ５１からユニットコントローラ４１〜４４へのデータ（レシピデータおよび経過時間データ）の送信は、ユニットコントローラ４１〜４４がメインコントローラ５１内のデータを参照する形式で行われてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 処理ユニットの構成例を説明するための図解図である。 前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 ユニットコントローラの電気的構成を説明するためのブロック図である。 補正関数データ保持部に関数式またはテーブルの形式で保持される補正関数（補正曲線）の一例を示す図である。 前記基板処理装置による基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。 この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ インデクサ部
２ 処理部
３ インデクサロボット
５ 主搬送ロボット
６ 搬送路
１１〜１４ 処理ユニット
１８ ファンフィルタユニット
１９ 処理室内排気ダクト
２０ スピンチャック
２１ 処理室
２２ 薬液ノズル
２３ 純水ノズル
２４ 処理カップ
２５ 排液溝
２５Ａ 排液配管
２６ 回収溝
２６Ａ 回収配管
２７ 仕切壁
２８ 排気路
２９ カップ内排気ダクト
３０ スプラッシュガード
３１ 排液捕獲部
３２ 回収液捕獲部
３３ 仕切壁収納溝
３５ 薬液供給配管
３６ 温度調節器
３７ 薬液供給バルブ
３８ 薬液循環配管
３９ 純水供給配管
４０ 純水供給バルブ
４１〜４４ ユニットコントローラ
４５ 回転駆動機構
４６ 昇降駆動機構
４８ 雰囲気状態センサ
５０ ローカルエリアネットワーク
５１ メインコントローラ
５２ インデクサコントローラ
５３ 主搬送コントローラ
５５ ホストコントローラ
５７ 表示部
５８ 操作部
６０ レシピデータベース
６１ 補正データ記憶部
６２ 補正制御部
６３ 補正処理部
６４ 実行レシピデータ記憶部
６５ データ送信部
６６ データ受信部
６８ データ受信部
６９ データ送信部
７０ センサデータ入力部
７１ 経過時間計測部
７２ 補正データ処理部
７３ 補正関数データ保持部
７４ メイン補正データ保持部
７５ ローカル補正データ保持部
７６ 実行レシピデータ保持部
７７ 最終実行レシピデータ保持部
７８ 基板処理制御部
７９ 総経過時間演算部
８１ コータユニット
８２ ベークユニット
８３ デベロッパユニット
８４ エッチングユニット
８５ 検査ユニット
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に対して処理を施すための処理ユニットと、
   基板処理の内容を表すレシピデータを保持するメインコントローラと、
   前記処理ユニットに備えられ、前記メインコントローラと通信可能に接続されたユニットコントローラと、
   前記処理ユニットに備えられ、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段とを含み、
   前記ユニットコントローラは、
   前記メインコントローラからレシピデータを受信するレシピデータ受信手段と、
   このレシピデータ受信手段によって受信されたレシピデータに対して、前記状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成するレシピデータ補正手段と、
   このレシピデータ補正手段によって補正された最終実行レシピデータに従って基板処理を制御する基板処理制御手段とを含む、基板処理装置。
2. 前記ユニットコントローラは、さらに、前記レシピデータ補正手段による補正内容を前記メインコントローラに通知する補正内容通知手段を含む、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記状態パラメータ検出手段は、前記処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態を検出する雰囲気状態検出手段を含む、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記状態パラメータ検出手段は、当該基板処理装置による処理前の工程である前工程の終了から当該処理ユニットにおいて処理されるまでの個々の基板または前記所定枚数の基板群の待機時間を求める待機時間演算手段を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記待機時間演算手段は、
   前工程の終了から当該基板処理装置に搬入されて、当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間である第１待機時間に相当するデータを取得する第１待機時間取得手段と、
   当該基板処理装置による処理が開始されてから個々の基板または前記所定枚数の基板群に対する前記処理ユニットによる処理が開始されるまでの待機時間である第２待機時間を計測する第２待機時間計測手段と、
   前記第１待機時間および第２待機時間を加算して総待機時間を求める総待機時間演算手段とを含む、請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記レシピデータ補正手段は、レシピデータによって指定される複数の処理種別にそれぞれ対応する複数の補正関数または補正テーブルを備え、この補正関数または補正テーブルに従って、前記状態パラメータ検出手段によって検出される状態パラメータに応じた補正をレシピデータに対して施すものである、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記メインコントローラは、レシピデータに対する補正データを外部から受け付ける補正データ受付手段を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記メインコントローラは、前記補正データ受付手段によって受け付けられた補正データの一部または全部を前記ユニットコントローラに送信する補正データ送信手段をさらに含む、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記補正データ受付手段は、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間を表す待機時間データを受け付ける手段を含み、
   前記補正データ送信手段は、前記待機時間データを前記処理ユニットに送信する手段を含む、請求項８記載の基板処理装置。

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