KR20060114649A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20060114649A
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Abstract

모드 선택은 인덱서 블록으로부터 처리되는 기판의 외부로의 전송 이전에 수행된다. "처리 순서 우선 모드"가 선택될때, 상기 기판용 전송 통로는 상기 기판의 외부로의 전송 이전에 결정된다. 상기 전송 통로의 결정은 상기 기판이 각각의 병렬 처리를 수행하기 위한 복수의 병렬 처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써 수행된다. 다음으로, 상기 결정된 전송 통로에 근거하여, 상기 전송 통로에 포함된 각각의 기판 처리부에 대해 설정된 처리 조건에 대한 판단이 이루어진다. 그 후, 상기 미처리된 기판은 상기 인덱서 블록으로부터 외부로 전송되며, 상기 결정된 전송 통로를 따라 전송 및 처리된다. 한편, 상기 "작업 처리량 우선 모드"가 선택될 때, 기판은 복수의 병렬 처리부들중 빈 하나로 전송된다.
전송로봇, 인덱서 블록, 병렬처리부, 전송통로

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도1은 본원발명에 따른 기판처리장치의 계획도,
도2는 도1의 기판처리장치에서 액체처리부의 정면도,
도3은 도1의 기판처리장치에서 열 처리부의 정면도,
도4는 도1의 기판처리장치에서 기판적체부 주위에 구조를 도시한 도,
도5a는 도1의 기판처리장치에서 전송로봇의 계획도,
도5b는 도1의 기판처리장치에서 전송로봇의 정면도,
도6은 도1의 기판처리장치에서 제어기술을 도식적으로 보여주는 블록다이어 그램,
도7과 도8은 도1의 기판처리장치에서 병렬처리부를 보여주는 다이어 그램,
도9는 도1의 기판처리장치에서 처리과정을 보여주는 순서도,
도10은 운반통로를 결정하는 예를 보여주는 도이다.
본 발명은 반도체 기판, 액정 표시장치용 유리기판, 포토마스크용 유리기판, 광 디스크용 기판등과 같은 기판위에 노출전의 레지스트 코팅처리과 노출후의 현상처리을 수행하기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체와 액정 표시장치들등은 상기 기판위에 세정, 레지스트 코팅, 노출, 현상, 에칭, 층간 절연막 형성, 열처리, 다이싱(dicing)등을 포함하는 일련의 공정들을 수행함으로써 제조된다. 상기 공정들중에, 기판을 노출유닛에 운반하기 위해 기판위에서 레지스트 코팅처리을 수행하고, 상기 노출유닛으로부터 상기 노출된 기판위에서 현상처리을 수행하기 위해 노출된 기판을 수납하는 장치가 소위 코터 앤 디벨럽퍼(coater-and-developer)로 널리 사용된다.
전체 장치의 처리효율을 높이기 위하여, 상기 코터 앤 디벨럽퍼에는 자주 동일 처리단계에서 동일 조건하에 공정을 처리하기 위해 복수의 병렬처리부들이 제공된다. 예를 들면, 하나의 코터 앤 디벨럽퍼는 두개의 스피닝(spinning)형태의 레지스트액을 이용하여 코팅하기 위한 레지스트 코팅처리유닛들과, 동일 온도에서 설정되어 있으며, 연속적인 가열공정을 수행하는 다섯개의 열판들을 가진다. 그러한 단계는 일련의 공정에서의 작업 처리량의 개념의 병목현상을 야기하는 단계, 즉, 긴 처리시간을 요구하는 단계에 대한 병렬 처리부들을 제공하는 것이 효율적이다.
그러나, 만약 동일한 처리 조건이 병렬공정을 수행하는 복수의 동일 타입의 유닛들에 대해 설정된다면, 실제로 복수의 유닛들 사이에 다소 차이가 있다. 예를 들면, 명세서에서 서로 동일한 복수의 열판들은 130℃의 온도로 설정된다면, 상기 열판들중 하나의 실제온도는 130.2℃이고, 또 다른 하나의 실제 온도는 129.9℃다.
상기 문제를 해결하기 위하여, 일본 특허 공개번호(10~112487(1998))는 병렬공정을 수행하기 위한 기판처리부와, 일대일의 고정 대응으로 다른 병렬공정을 수행하는 다른 기판 처리부를 도입함으로써, 복수의 병렬전송통로들을 한정하는 기술을 개시하고 있다. 이것은 병렬전송통로들중 각각에 대한 고정된 기판 처리 역사를 제공하여줌으로써, 기판들의 품질제어를 용이하게 한다.
최근에, 반도체 디자인 규정들에서 급격한 감축됨에 따라, 상기 기판들의 품질제어의 필요한 레벨이 점점 엄격해지고, 기판들사이에 처리결과에 있어 다양화를 최소화하는 강력한 필요성이 있어 왔다. 그리하여, 종래에 문제가 되지 않았던 병렬공정을 수행하는 복수의 유닛들 사이의 근소한 차이는 그 근소한 차이가 상기 기판들 사이의 처리결과들에서의 변화를 야기하기 때문에, 지금은 문제점으로 인식된다. 따라서, 상기 유닛들간의 근소한 차이마저도제거하는 것이 바람직하다.
그러나, 유닛들사이의 차이의 제거에 대한 일정한 제한이 있으며, 어떤 차이는 불가피하게 제거되지 않은 채로 남아 있다. 게다가, 기판들이 전송되는 병렬처리부들을, 일본 특허 공개번호(10~112487(1998))에 공개된 것처럼, 비록 처리역사가 각각의 병렬 전송통로들에 대해 고정될지라도, 병렬처리를 수행하는 유닛들사이의 차이로부터 기인하는 처리변화들은 다른 병렬 전송통로들을 통과하는 기판들사이에서 발생한다.
본원 발명의 목적은 다른 병렬 처리 부들을 통하는 기판들사이에 처리결과에서 변화를 감소시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본원 발명은 상기 기판을 장치 외부의 노출유닛으로 운반하기 위하여 기판위에서 레지스트코팅과정을 수행하고, 상기 노출 유닛으로부터 반송된 노출된 기판상에서 현상처리을 수행하기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
본원 발명에 따르면, 상기 기판처리장치는 기판을 처리하기 위한 복수의 기판 처리부들을 가지며, 상기 복수의 기판 처리부들은 기판처리부 그룹과, 동일 처리단계에서 동일 조건하에 공정을 수행하는 복수의 병렬처리부들을 포함하는 기판처리부 그룹과, 상기 기판 처리부 그룹에 미처리된 기판을 운반하고, 상기 기판처리부 그룹으로부터 처리된 기판을 수납하는 인덱서부와, 기판을 상기 인덱서부와 상기 복수의 기판처리부들로 운반하기 위한 전송소자와, 미처리된 기판이 상기 인덱서부로부터 상기 기판처리부 그룹으로 운반되기 전에, 미처리된 기판이 상기 복수의 병렬처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써, 상기 미처리된 기판에 대한 전송통로를 미리 결정하는 전송통로 결정소자와, 상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로에 근거하여, 전송통로에 포함되고 노출공결정 이전 단계에서 공정을 수행하는 상기 복수의 기판처리부들중 적어도 하나에 대해 설정된 처리조건을 판단하기 위한 처리조건 제어소자를 포함한다.
상기 판단은 기존에는 상기 기판이 전송되게 되는 각 기판처리부에 대하여 설정된 처리조건에 미리 행해진다. 이것은 다른 병렬처리부들을 통과하는 기판들사이의 처리 결과에 있어서의 변화를 감소시킨다.
본원발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판처리장치는 기판을 처리하기 위한 복수의 기판처리부들을 가지며, 상기 복수의 기판 처리부들은 동일 처리단계에서 동일 조건하에 공정을 수행하는 복수의 병렬처리부들을 포함하는 기판처리부 그룹과, 상기 기판 처리부 그룹에 미처리된 기판을 운반하고, 상기 기판처리부 그룹으로부터 처리된 기판을 수납하는 인덱서부와, 기판을 상기 인덱서부와 상기 복수의 기판처리부들로 운반하기 위한 전송소자와, 상기 미처리된 기판이 상기 인덱서부로부터 상기 기판처리부 그룹으로 운반되기 전에, 미처리된 기판이 상기 복수의 병렬처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써, 상기 미처리된 기판에 대한 전송통로를 미리 결정하는 전송통로 결정소자와, 상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로에 근거하여, 전송통로에 포함되고 노출공결정 이후 단계에서 공정을 수행하는 상기 복수의 기판처리부들중 적어도하나에 대해 설정된 처리조건을 판단하기 위한 처리조건 제어소자를 포함한다.
그러므로, 본원 발명의 목적은 다른 병렬 처리 부들을 통과하는 기판들사이의 처리결과들에서의 변화를 감소시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본원발명의 이 목적들과 다른 목적들, 특징들, 실시예들, 이점들은 다음의 도면들과 결합될 때 본원발명의 다음의 상세한 설명으로부터 더 명백해질 것이다.
본원발명에 따른 바람직한 실시예의 설명 전에 여기에 사용된 용어들이 결정 될 것이다.
기판위에서 레지스트 코팅처리과 현상처리과 같은 액체공정, 냉각공정과 가열공정과 같은 열처리공정, 에지노출공정등을 포함하는 어떤 종류의 공정을 수행하기 위한 처리유닛들은 일반적으로 "기판처리부들"로 언급된다. 용어 "병렬 처리"는 기판위에서 수행된 일련의 공정들중 동일조건을 가지도록 설정되는 복수의 기판처리부들에 의해 병렬로 실행된 과정을 말한다. 용어 "병렬처리부들"는 그러한 병렬공정을 실행하기 위한 기판처리부들을 말한다.
이하, 본원발명에 따른 바람직한 실시예는 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도1은 본원발명에 따른 기판처리장치의 평면도이다.
도2는 도1의 기판처리장치에서 액체처리부의 정면도이다.
도3은 도1의 기판처리장치에서 열 처리부의 정면도이다.
도4는 도1의 기판처리장치에서의 기판적체부들 주위의 구성을 도시한 도이다.
XY평면이 수평면으로 결정되고, Z축이 수직방향으로 연장되도록 결정된 XYZ 직교좌표계가 그 사이의 방향관계를 명확히 하기 위하여 도1 내지 도4에 부가적으로 도시되어 있다.
바람직한 실시예에 따른 기판처리장치는 코팅에 의한 반도체 웨이퍼들 같은 기판상에 반 반사막과 포토레지스트막을 형성하고, 패턴노출과정에 종속된 기판상에 현상처리을 수행하는 장치이다. 본원발명에 따른 기판처리장치에 의해 처리되는 기판들은 반도체 웨이퍼들로 제한되지 않으나, 액정 표시장치등용 유리기판들을 포함할 수도 있다.
바람직한 실시예에 따른 기판처리장치는 인덱서 블록(1), BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)블록(2), 레지스트 코팅블록(3), 현상처리블록(4), 인터페이스블록(5)을 포함한다. 상기 기판처리장치에 있어서, 다섯개의 처리블록들(1~5)이 나란한 관계로 배열된다. 본원발명에 따른 기판처리장치로부터 분리된 외부장치인 노출부(또는, 스테퍼)(EXP)가 제공되고, 상기 인터페이스블록(5)에 연결된다. 이 바람직한 실시예에 따른 상기 기판처리장치와 노출부(EXP)는 LAN선(미도시)을 경유하여 호스트 컴퓨터(100)로 연결된다.
상기 인덱서 블록(1)은 기판처리장치의 외부로부터 BARC블록(2)과 레지스트 코팅블록(3)으로 수납된 미처리된 기판들을 운반하고, 현상처리블록(4)으로부터 기판처리장치의 외부로 수납된 처리된 기판들을 운반하기 위한 처리블록이다. 인덱서 블록(1)은 그 위에 병렬위치에 복수의(이 바람직한 실시예에서, 4) 카셋(또는 캐리어)(C)을 위치하기 위한 테이블(11)과, 상기 카셋(C)들중 각각으로부터 미처리된 기판(W)을 집어내어 상기 카셋(C)들중 각각에 미처리된 기판(W)을 저장하기 위한 기판 운반 장치(12)를 포함한다. 상기 기판운반장치(12)는 테이블을 따라 수평으로 움직일 수 있는 이동가능한 베이스(12a)와 상기 이동 가능한 베이스(12a)위에 장착되어 수평위치에서 기판(W)을 유지하기 위한 홀딩암(12b)을 포함한다. 상기 홀딩암(12b)은 수평면내에서 선회하고, 선회반경방향에서 전후로 움직이며, 상기 이동가능한 베이스(12a)위에서 수직으로(Z방향에서) 움직일 수 있다. 그리하여, 상기 기판운반장(12)는 상기 홀딩암(12b)이 각각의 카셋(C)들에 접근할 수 있도록 하여줌으로써, 각각의 카셋(C)들로부터 미처리된 기판(W)을 집어내어 처리된 기판(W)을 각각의 카셋(C)에 저장시켜준다. 상기 카셋(C)들은 이하의 형태일 수 있다:SMIF(standard mechanical interface) 포드, 저장된 기판(W)을 대기에 노출시키는 OC(open cassette)와, 밀봉된 또는 밀폐된 공간안에 기판(W)을 저장시키는 FOUP(front opening unified pod).
상기 BARC블록(2)은 인덱서블록(1)과 관련하여 인접되게 제공된다. 대기통신을 차단하는 격벽(13)은 인덱서블록(1)과 BARC블록(2)사이에 제공된다. 상기 격벽(13)은 인덱서블록(1)과 BARC블록(2)사이에서의 기판(W)의 운반을 위하여 기판(W)을 그 위에 위치시키도록 수직으로 배열된 1쌍의 기판적체부(PASS1, PASS2)가 제공된다.
상부 기판적체부(PASS1)는 상기 인덱서 블록(1)으로부터 상기 BARC블록(2)으로의 기판(W)의 운반을 위하여 사용된다. 상기 기판적체부(PASS1)는 3개의 지지핀들을 포함한다. 상기 인덱서블록(1)의 기판운반장치(12)는 상기 카셋(C)중 하나로부터 집어낸 미처리된 기판(W)을 기판적체부(PASS1)의 3개의 지지핀들에 위치시킨다. 이후에 설명되는 BARC블록(2)의 전송로봇(TR1)은 상기 기판적체부(PASS1)에 위치한 기판(W)을 수납한다. 한편, 더 낮은 기판적체부(PASS2)는 BARC블록(2)으로부터 인덱서 블록(1)으로의 기판(W)의 운반을 위해 사용된다. 상기 기판적체부(PASS2)는, 또한, 3개의 지지핀을 가진다. 상기 BARC블록(2)의 운반로봇(TR1)은 처리된 기판(W)을 기판적체부(PASS2)의 3개의 지지핀들위에 위치시킨다. 기판운반 장치(12)는 기판적체부(PASS2)에 위치한 기판(W)을 수납하고, 상기 기판(W)을 카셋(C)들중 하나에 저장시킨다. 이후에 설명되는 기판적체부(PASS3~PASS10)의 쌍들이 기판적체부(PASS1, PASS2)의 쌍과 구조가 유사하다.
상기 기판적체부(PASS1, PASS2)는 격벽(13)을 통하여 연장된다. 상기 각각의 기판적체부(PASS1, PASS2)는 그 위의 기판(W)의 존재 또는 비존재를 검출하기 위한 광학 센서(미도시)를 포함한다. 센서들 각각으로부터의 검출신호에 근거하여, 기판운반장치(12)와 BARC블록(2)의 전송로봇(TR1)이 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS1, PASS2)로(또는 로부터) 운반(또는 수납)할 준비가 되어 있는지를 판단한다.
다음으로, 상기 BARC블록(2)을 설명하기로 한다. 상기 BARC블록(2)은 노출되는 동안 발생하는 정재파(定在波) 또는 헐레이션(Halation)을 줄이기 위하여 포토레지스트 막(즉, 상기 포토레지스트 막에 대한 언더코팅막으로써)의 저면부에 코팅함으로서, 반 반사막을 형성하기 위한 처리블록이다. 상기 BARC블록(2)은 반 반사용막으로 기판(W)의 표면을 코팅하기 위한 저면 코팅 처리기(BRC)와, 코팅에 의해 반 반사용막을 형성하는 열공정을 수행하는 한 쌍의 열 처리 타워들(21)과, 기판(W)을 상기 저면 코팅처리기(BRC)와 상기 1쌍의 열 처리 타워들(21)로(또는 로부터) 운반(또는 수납)하기 위한 전송로봇(TR1)을 포함한다.
상기 BARC블록(2)에서, 상기 저면 코팅 처리기(BRC)와 1쌍의 열 처리타워(21)는 상기 전송로봇(TR1)의 반대편에 배열된다. 특히, 상기 저면코팅처리기(BRC)는 기판처리장치의 전면에 있고, 1쌍의 열 처리타워(21)는 그것의 후면에 있다. 게다가, 온도배리어(미도시)는 1쌍의 열 처리타워(21)의 전면에 제공된다. 그리하여, 상기 저면코팅처리기(BRC)에 대한 1쌍의 열 처리타워(21)의 온도의 효과는 저면코팅처리기(BRC)를 1쌍의 열 처리타워(21)로부터 분리되게 위치시키고, 온도배리어를 제공함으로써 회피된다.
도2에 도시된 바와 같이, 상기 저면코팅처리기(BRC)는 서로 구조가 유사하고, 저면에서 상면으로의 순서로 적층된 방식으로 배열된 3개의 코팅 처리 유닛(BRC1, BRC2, BRC3)를 포함한다. 상기 3개의 코팅 처리 유닛(BRC1, BRC2, BRC3)은, 달리 인식되지 않는 한, 총체적으로 저면코팅처리기(BRC)로 언급된다. 각각의 코팅처리유닛( BRC1, BRC2, BRC3)들은 흡입관 아래에 실질적으로 수평의 위치에 기판(W)을 유지하는 동안, 실질적으로 수평면상에 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(22)과, 상기 스핀척(22)에 유지된 기판(W)위로의 반 반사적 막에 대한 코팅액을 투액하기 위한 코팅노즐(23)과, 상기 스핀척(22)을 회전시키기 위한 스핀 모터(미도시)와, 상기 스핀척(22)위에 유지된 상기 기판(W)을 에워싸는 컵(cup, 미도시)등을 포함한다.
도3에 도시된 바와 같이, 상기 인덱서 블록(1)에 인접한 열 처리타워(21)들중 하나는 소정의 온도로 기판(W)을 가열하기 위한 6개의 열판들(HP1~HP6)과, 소정의 온도이하까지 가열된 기판(W)을 냉각시켜 유지시키기 위한 냉각판들(CP1~CP3)을 포함한다. 상기 냉각판들(CP1~CP3)와 상기 열판들(HP1~HP6)은 이 열 처리 타워(21)안에 저면에서 상면으로의 순서로 적층된 방식으로 배열된다. 상기 인덱서블록(1)으로부터 떨어진 열 처리 타워(21)의 다른 하나는 기판(W)에의 레지스트 막의 점착을 향상시키기 위하여 HMDS(Hexamethyldisilazane)의 증기기압내에서 기판(W)을 처 리하기 위하여, 저면에서 상면으로의 순서로 적층된 방식으로 배열된 3개의 점착향상처리부(AHL1~AHL3)들을 포함한다. 도3에 가위표(X)로 표시된 상기 위치들은 배관과 배선구역에 의해 점유되거나 처리유닛들의 차후의 부가를 위해 빈 공간으로 남겨져 있다.
그리하여, 층층으로 코팅처리유닛들 (BRC1~BRC3)과 열 처리유닛들(열판들(HP1~HP6), 냉각판들(CP1~CP3), 그리고 BARC블록(2)내의 점착향상처리부들(AHL1~AHL3))을 적층하는 것은 그것의 풋프린트(footprint)를 감소시키기 위해 상기 기판처리장치에 의해 점유된 더 작은 공간을 제공한다. 1쌍의 열 처리타워(21)의 평행한 배열은 상기 열 처리유닛들의 유지를 용이하게 하고, 상기 열 처리 유닛들용 도관 및 전원공급장치를 더욱 높은 위치로 연장시키기 위한 필요성을 제거하는데 유리하다.
도5a와 도5b는 전송로봇(TR1)을 설명하기 위한 도이다. 도5a는 전송로봇(TR1)의 평면도이고, 도5B는 전송로봇(TR1)의 정면도이다. 상기 전송로봇(TR1)은 실질적으로 수평위치에서 기판(W)을 유지하기 위하여 서로 인접한 한 쌍(상하)의 홀딩암(6a, 6b)을 포함한다. 각각의 홀딩암(6a, 6b)들은 실질적으로 C형상의 평면구조의 말단부와, 아래로부터 기판(W)의 주변의 에지를 지지하여 주기 위하여 실질적으로 C-형태의 말단부의 내부로부터 안쪽으로 돌출한 복수의 핀들(7)을 포함한다.
전송로봇(TR1)은 장치 베이스(또는 장치 프레임)에 고정적으로 장착된 베이스(8)를 더 포함한다. 안내축(9c)은 상기 베이스(8)위에 수직으로 설치되고, 연장 축(9a)은 회전가능하게 장착되어, 상기 베이스(8)위에 수직으로 지지된다. 상기 연장축(9a)을 회전가능하게 구동시키는 모터(9b)는 상기 베이스(8)에 고정적으로 장착된다. 리프트(10a)는 상기 연장축(9a)과 연장되어 맞물리고, 상기 안내축(9c)에 대해 자유롭게 움직일 수 있다. 상기 배열로 인하여, 상기 모터(9b)는 연장축(9a)을 회전가능하도록 구동시키는데, 이에 의해 상기 리프트(10a)는 수직방향에서(Z방향에서) 상승/하강하도록 상기 안내축(9c)에 의해 유도된다.
암베이스(10b)는 수직축 주위로 회전가능하도록 상기 리프트(10a)위에 장착된다. 리프트(10a)는 암베이스(10b)를 회전가능하게 구동시키는 모터(10c)를 포함한다. 상기 설명된 한 쌍(상하)의 홀딩암(6a, 6b)은 상기 암베이스(10b)위에 제공된다. 각각의 홀딩암(6a, 6b)는 상기 암베이스(10b)에 장착된 슬라이딩 구동장치(미도시)에 의해, 독립적으로 수평방향에서(상기 암베이스(10b)의 선회반경 방향에서) 전후로 움직일 수 있다.
상기 배열에 의하여, 전송로봇(TR1)은 각각의 쌍의 홀딩암(6a, 6b)이 독립적으로 기판의 적체부들(PASS1, PASS2)과, 열 처리타워(21)에 제공된 열 처리유닛과, 저면 코팅 처리기(BRC)에 제공된 코팅처리유닛과, 이후에 설명될 기판의 적체부들(PASS3, PASS4)로의 독립적인 근접을 야기시킴으로써, 도5a에 도시된 것처럼, 기판(W)을 상기 기재된 부분들과 유닛들로(또는 로부터) 전송(또는 수납)할 수 있다.
다음으로, 레지스트 코팅블록(3)을 설명하기로 한다. 상기 레지스트 코팅블록(3)은 BARC블록(2)과 현상처리블록(4) 사이에 끼워지도록 제공된다. 대기통신을 차단하는 격벽(25)은, 또한, 레지스트 코팅블록(3)과 BARC블록(2)사이에 제공된다. 상기 격벽(25)에는 각각이 BARC블록(2)과 레지스트 코팅블록(3)사이에서의 기판(W)의 운반을 위하여 그 위에 기판(W)을 위치시키도록 수직으로 배열된 기판적체부(PASS3, PASS4)의 쌍이 제공된다. 상기 기판적체부들(PASS3, PASS4)은 상기 기재된 기판적체부(PASS1, PASS2)와 구조가 유사하다.
상부의 기판적체부(PASS3)는 BARC블록(2)으로부터 레지스트 코팅블록(3)으로 기판(W)의 전송을 위해 사용된다. 특히, 레지스트 코팅블록(3)의 전송로봇(TR2)은 BARC블록(2)의 전송로봇(TR1)에 의해 기판적체부(PASS3)에 위치한 기판(W)을 수납한다. 반면에, 하부의 기판적체부(PASS4)는 레지스트 코팅블록(3)으로부터 BARC블록(2)까지의 기판(W)의 전송을 위해 사용된다. 특히, 상기 BARC블록(2)의 전송로봇(TR1)은 상기 레지스트 코팅블록(3)의 전송로봇(TR2)에 의해 기판적체부(PASS4)상에 위치한 기판(W)을 수납한다.
기판적체부들(PASS3, PASS4)은 격벽(25)을 통해 연장된다. 기판적체부들(PASS3, PASS4)의 각각은 그 위에 기판(W)의 존재 또는 비존재를 검출하기 위한 광센서(미도시)를 포함한다. 각각의 센서들로부터의 검출신호에 근거하여, 전송로봇들(TR1,TR2)이 기판(W)을 기판적체부들(PASS3, PASS4)로(또는 로부터) 운반(또는 수납)할 준비가 되어 있는지를 판단한다. 기판(W)을 냉각시키기 위한 수냉각 형태의 한쌍의(상부 및 하부) 냉각판(WCP)들은 기판적체부(PASS3, PASS4)아래에 제공되고, 상기 격벽(25)을 통해 확장된다.
상기 레지스트 코팅블록(3)은 레지스트 막을 형성하기 위하여 BARC블록(2)에 의해 반 반사막으로 코팅된 기판(W)위로 레지스트를 인가하기 위한 처리블록이다. 이 바람직한 실시예에서, 화학적으로 증폭된 레지스트는 포토레지스트로 사용된다. 상기 레지스트 코팅블록(3)은 하부코팅 막으로 기여하는 반 반사막위의 코팅에 의해, 상기 레지스트 막을 형성하기 위한 레지스트 코팅 처리기(SC)와, 레지스트 코팅 처리를 동반하는 열 처리를 수행하기 위한 1쌍의 열 처리 타워(31)와, 기판(W)을 레지스트 코팅처리기(SC)와 한 쌍의 열 처리타워(31)로(또는 로부터) 운반(또는 수납)하는 전송로봇(TR2)을 포함한다.
상기 레지스트 코팅블록(3)에서, 상기 레지스트 코팅 처리기(SC)와 1쌍의 열 처리타워(31)는 전송로봇(TR2)의 반대편에 배열된다. 특히, 상기 레지스트 코팅 처리기(SC)는 기판처리장치의 전면에 위치하고, 열 처리타워(31)의 쌍은 그 장치의 배면에 위치한다. 게다가, 온도배리어(미도시)는 열 처리타워(31)쌍의 전면에 제공된다. 그리하여, 레지스트 코팅처리기(SC)위의 열 처리타워(31)쌍의 열효과는 레지스트 코팅 처리기(SC)를 열 처리타워(31)쌍들과 격리시키고, 온도배리어를 제공함으로써 방지되게 된다.
도2에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트 코팅 처리기(SC)는 서로 구조가 유사하고, 저면부와 상부의 순서로 적층되는 관계로 배열된 3개의 코팅 처리 유닛들(SC1, SC2, SC3)을 포함한다. 상기 3개의 코팅 처리 유닛들(SC1, SC2, SC3)은, 달리 인식되지 않는 한, 종합적으로 레지스트 코팅 처리기(SC)로 언급된다. 각각의 3개의 코팅 처리 유닛들(SC1, SC2, SC3)은 흡입관 아래에 실질적으로 수평위치에서 기판(W)을 유지하는 동안, 실질적으로 수평면에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(32)과, 상기 스핀척(32)위에 유지된 기판(W)위로 레지스트 액을 투액하기 위한 코팅노즐(33)과, 상기 스핀척(32)을 회전가능하게 구동시키기 위한 스핀모터(미도시), 상기 스핀척(32)에 유지된 상기 기판(W)을 에워싸는 컵(미도시)등을 포함한다.
도3에 도시된 바와 같이, 상기 인덱서 블록(1)에 인접한 열 처리 타워(31)들중 하나는 기판(W)을 소정의 온도로 가열하기 위하여 저면에서 상면의 순서로 적층되는 구조로 배열된 6개의 가열부들(PHP1~PHP6)을 포함한다. 상기 인덱서 블록(1)으로부터 떨어져 위치한 열 처리타워(31)들중 다른 것은 가열된 기판(W)을 소정의 온도로 냉각시키고, 소정의 온도에서 기판(W)을 유지시키기 위해 저면에서 상부의 순서로 적층된 구조로 배열된 냉각판들(CP4~CP9)을 포함한다.
상기 가열부들(PHP1~PHP6)중 각각은 그 위에 위치한 기판(W)을 가열하기 위한 일반적인 열판과, 상기 열판으로부터 격리된 상부에 기판(W)을 위치시키기 위한 임시의 기판적체부과, 상기 열판과 상기 임시의 기판적체부 사이에 기판(W)을 전송하기 위한 로컬 전송장치(34)를 포함한 열 처리유닛이다. 로컬 전송장치(34)는 수직과 전후로 움직일 수 있고, 그 안에 냉각수를 회전시킴으로써 운반되는 기판(W)을 냉각시키기 위한 기구를 포함한다.
상기 로컬 전송장치(34)는 상기 기재된 열판과 상기 전송로봇(TR2)으로부터 임시의 기판적체부의 반대편에, 즉, 상기 기판처리장치의 배면에 제공된다. 상기 임시의 기판적체부는 전송로봇(TR2)을 직면하는 개방측과 로컬 전송장치(34)를 직면하는 개방측을 모두 가진다. 반면에, 상기 열판은 오직 상기 로컬 전송장치(34)를 직면하는 개방측과, 상기 전송로봇(TR2)을 직면하는 폐쇄측을 가진다. 그리하 여, 전송로봇(TR2)과 로컬 전송장치(34) 모두는 임시의 적체부에 접근할 수 있으나, 상기 로컬 전송장치(34)만이 상기 열판에 근접할 수 있다.
기판(W)은 각각의 상기 기재된 가열부(PHP1~PHP6)로 아래 기술된 방식으로 전송된다. 우선, 상기 전송로봇(TR2)은 기판(W)을 상기 임시의 기판적체부의 위로 위치시킨다. 이어서, 상기 로컬 전송장치(34)는 상기 열판에 상기 기판(W)을 전송하기 위한 상기 임시의 적체부로부터 기판(W)을 수납한다. 상기 열판은 상기 기판(W)에 가열처리를 수행한다. 상기 로컬 전송장치(34)는 상기 열판에 의한 상기 열처리에 속한 상기 기판(W)을 꺼내서, 상기 기판(W)을 임시의 기판적체부에 전송한다. 상기 전송과정동안, 상기 기판(W)은 상기 로컬 전송장치(34)의 냉각기능에 의해 냉각된다. 그 후에, 상기 전송로봇(TR2)은 상기 열처리를 하고, 상기 임시의 기판적체부로 전송된 기판(W)을 꺼낸다.
상기에 기술한 바와 같이, 상기 전송로봇(TR2)은 상기 기판(W)을 각각의 가열부(PHP1~PHP6)들에 실내온도에 유지된 임시의 기판적체부로(또한 로부터) 전송(또는 수납)하나, 직접적으로 상기 기판(W)을 상기 열판으로(또는 로부터) 전송(또는 수납)하지는 않는다. 이는 상기 전송로봇(TR2)의 온도상승을 피할 수 있다. 상기 로컬 전송장치(34)를 직면하는 개방측만을 가지는 상기 열판은 상기 열판으로부터 누수된 열기가 상기 전송로봇(TR2)과 상기 레지스트 코팅처리기(SC)에 영향을 미치는 것을 방지해 준다. 상기 전송로봇(TR2)은 기판(W)을 직접적으로 상기 냉각판(CP4~CP9)으로(또는 로부터) 전송(또는 수납)한다.
상기 전송로봇(TR2)이 상기 전송로봇(TR1)의 구조와 정확하게 일치된다. 그 리하여, 상기 전송로봇(TR2)은 각각의 그 한 쌍의 홀딩암들이 독립적으로 상기 기판적체부(PASS3, PASS4)와, 열 처리타워들(31)에 제공된 열 처리유닛과, 레지스트 코팅 처리기(SC)에 제공된 상기 코팅처리유닛과, 후에 설명될 기판적체부들(PASS5, PASS6)로의 근접을 야기시킬 수 있음으로써, 기판(W)을 상기 거론된 부분들과 유닛들로(또는 로부터) 운반(또는 수납)할 수 있다.
다음으로, 현상처리블록(4)을 설명하고자 한다. 현상처리블록(4)은 레지스트 코팅블록(3)과 인터페이스블록(5)사이에 끼워지도록 제공된다. 대기의 통신을 차단하기 위한 격벽(35)은 또한 상기 레지스트 코팅블록(3)과 현상처리블록(4) 사이에 제공된다. 상기 격벽(35)에는 상기 레지스트 코팅블록(3)과 상기 현상처리블록(4)사이의 상기 기판(W)의 전송을 위하여 기판(W)을 그 위에 위치시키도록 수직으로 배열된 기판적체부들(PASS5, PASS6)의 각각의 쌍이 제공된다. 상기 기판적체부(PASS5, PASS6)는 상기 거론된 기판적체부(PASS1, PASS2)의 구조와 동일하다.
상기 상부 기판적체부(PASS5)는 상기 레지스트 코팅블록(3)으로부터 상기 현상처리블록(4)까지의 기판(W)의 전송을 위하여 사용된다. 특히, 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)이 상기 레지스트 코팅블록(3)의 전송로봇(TR2)에 의해 상기 기판적체부(PASS5)위에 위치된 상기 기판(W)을 수납한다. 상기 하부 기판적체부(PASS6)는, 한편으로, 상기 현상처리블록(4)으로부터 상기 레지스트 코팅블록(3)까지의 기판(W)의 전송을 위하여 사용된다. 특히, 상기 레지스트 코팅블록(3)의 전송로봇(TR2)은 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)에 의해 상기 기판적체부(PASS6)위에 위치한 상기 기판(W)을 수납한다.
상기 기판적체부(PASS5, PASS6)는 격벽(35)을 통하여 연장된다. 상기 기판적체부들(PASS5, PASS6)중 각각은 그 위에 기판(W)의 존재 또는 비존재를 검출해주는 광센서(미도시)를 포함한다. 각각의 상기 센서들로부터의 검출신호에 근거하여, 전송로봇(TR2, TR3)이 기판(W)을 기판적체부들(PASS3, PASS4)로(또는 로부터) 운반(또는 수납)할 준비가 되어 있는지를 판단한다. 기판(W)을 냉각시키기 위한 수냉식의 한쌍의(상부 및 하부) 냉각판(WCP)은 기판적체부(PASS5, PASS6)아래에 제공되고, 격벽을 통해 확장된다.
상기 현상처리블록(4)은 노출된 기판(W)위에 현상처리를 수행하기 위한 처리블록이다. 상기 현상처리블록(4)은 상기 현상처리를 수행하기 위하여 패턴으로 노출된 기판(W)위로 현상액을 투액하기 위한 현상처리기(SD)와, 상기 현상처리를 동반하는 열 처리를 수행하기 위한 한 쌍의 열 처리타워(41, 42)와, 기판(W)을 상기 현상 처리기(SD)와 열 처리타워(41, 42)의 쌍으로(또는 로부터) 운반(또는 수납)하는 전송로봇(TR3)을 포함한다. 상기 전송로봇(TR3)은 상기 거론된 전송로봇 (TR1, TR2)에 구조가 정확하게 일치한다.
도2에 도시된 바와 같이, 상기 현상처리기(SD)는 서로 구조가 유사하고, 저면에서 상부로 적층되는 구조로 배열된 5개의 현상처리유닛(SD1, SD2, SD3, SD4, SD5)을 포함한다. 상기 5개의 현상처리유닛(SD1~SD5)은 종합적으로 달리 인식되지 않는 한, 현상처리기(SD)로 불리운다. 각각의 현상처리유닛(SD1~SD5)은 흡입관 아래의 실질적으로 수평위치에서 기판(W)을 유지하는 동안, 실질적으로 수평면에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(43)과, 상기 스핀척(43)위에 유지된 기판(W)위 로 현상액을 투액하기 위한 노즐(44)과, 상기 스핀척(43)을 회전가능하도록, 구동시키기 위한 스핀모터(미도시), 상기 스핀척(43)에 유지된 기판(W)을 에워싸는 컵(미도시)등을 포함한다.
도3에 도시된 바와 같이, 상기 인덱서 블록(1)에 인접한 열 처리 타워(41)는 기판(W)을 소정의 온도까지 가열하기 위하여, 저면에서 상면의 순서로 적층된 구조로 배열된 5개의 열판(HP7~HP11)과, 가열된 기판(W)을 소정의 온도이하로 냉각시키고, 소정의 온도에 기판(W)을 유지시키기 위하여 냉각판(CP10~CP13)을 포함한다. 상기 냉각판(CP10~CP13)과 상기 열판(HP7~HP11)이 저면에서 상부의 순서로 적층된 구조로 배열된다. 상기 인덱서 블록과 떨어져 위치한 상기 열 처리타워(42)는, 한편으로는, 적층된 구조로 배열된 6개의 가열부(PHP7~PHP12)와 냉각판(CP14)을 포함한다. 상기 거론된 가열부(PHP1내지PHP6)와 같이, 각각의 가열부(PHP7~PHP12)는 임시의 기판적체부과 로컬전송장치를 포함하는 열 처리유닛이다. 그러나, 상기 가열부와 상기 냉각부 각각의 임시의 적체부는, 상기 인터페이스 블록(5)의 전송로봇(TR4)을 직면하는 개방측과 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)을 직면하는 폐쇄측을 가진다. 반면에, 상기 인터페이스 블록(5)의 전송로봇(TR4)은 상기 가열부(PHP7~PHP12)와 냉각판(CP14)을 가지나, 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(3)은 상기 열 처리 타워(41)에 합체된 상기 열 처리 유닛에 접근하여 이득을 얻는다.
상기 현상처리블록(4)와 인터페이스 블록(5)사이에 그것에 근접한 기판(W)의 운반을 위하여 서로에게 밀접하게 수직으로 배열된 기판적체부(PASS7, PASS8)의 쌍이 열 처리타워(42)의 맨위층에 합쳐진다. 상기 상부 기판적체부(PASS7)는 상기 현 상처리블록(4)에서 인터페이스 블록(5)로의 기판(W)의 전송을 위해 사용된다. 특히, 인터페이스 블록(5)의 전송로봇(TR4)은 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)에 의해 상기 기판적체부(PASS7)위에 위치한 상기 기판(W)을 수납한다. 하부 기판적체부(PASS8)는, 한편으로, 인터페이스 블록(5)에서 상기 현상처리블록(4)로의 기판(W)의 전송을 위하여 사용된다. 특히, 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)은 상기 인터페이스 블록(5)의 상기 전송로봇(TR4)에 의해 상기 기판적체부(PASS8)위에 위치한 상기 기판(W)을 수납한다. 각각의 상기 기판적체부(PASS7, PASS8)는 상기 현상처리블록(4)의 전송로봇(TR3)을 직면하는 개방측과 상기 인터페이스 블록(5)의 상기 전송로봇(TR4)를 직면하는 개방측을 포함한다.
다음으로, 상기 인터페이스 블록(5)을 설명하기로 한다. 상기 인터페이스 블록(5)은 상기 현상처리블록(4)에 근접하여 제공된 블록이다. 상기 인터페이스 블록(5)은 상기 기판(W)을 운반하는 상기 레지스트 코팅블록(3)에서부터, 상기 본원발명에 따라서, 상기 기판 처리 장치로부터 분리된 외부장치인 노출유닛(EXP)에까지 상기 레지스트 코팅 처리에 의해 그 위에 레지스트 막으로 형성된 기판(W)을 수납한다. 또한, 상기 인터페이스 블록(5)은 노출된 유닛을 전송하기 위한 상기 노출유닛(EXP)로부터 상기 현상처리블록(4)까지 노출된 기판(W)을 수납한다. 상기의 실시예에서, 상기 인터페이스 블록(5)은 기판(W)을 상기 노출유닛(EXP)에 전송하고, 그것으로부터 받기 위한 전송장치(55)와, 상기 레지스트 막으로 형성된 기판(W)의 영역을 노출시키기 위해 한 쌍의 에지 노출유닛(EEW1, EEW2), 그리고 기판(W)을 상기 가열부(PHP7~PHP12)와 상기 현상처리블록(4)에 제공된 냉각판(CP14)과 상기 에 지 노출 유닛 (EEW1,EEW2)으로(또는 로부터) 전송(또는 수납)하기 위한 상기 전송로봇(4)을 포함한다.
도2에 도시된 바와 같이, 각각의 상기 에지 노출 유닛 (EEW1,EEW2)(달리 인식되지 않는다면, 종합적으로 에지 노출유닛으로 거론됨)은 흡입관 아래 실질적으로 수평위치에서 상기 기판(W)을 유지하는 동안 실질적으로 수평면에서 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(56)과, 빛에 상기 스핀척(56)위에 유지된 상기 기판(W)의 영역을 노출시키기 위한 광 방사선 조사장치(57)를 포함한다. 상기 에지 노출 유닛 (EEW1,EEW2)의 쌍이 상기 인터페이스 블록(5)의 중앙에 수직으로 적층된 구조로 배열된다. 상기 에지 노출 유닛(EEW)과 상기 현상처리블록(4)의 상기 열 처리타워(42)에 근접하여 제공된 상기 전송로봇(TR4)은 상기 거론된 전송로봇(TR1~TR3)에 구조가 유사하다.
도2에 또한 인식되는 것처럼, 기판(W)들의 반송을 위하여 반송버퍼(RBF)는 에지 노출 유닛 (EEW1,EEW2)의 쌍 아래에 제공된다. 수직으로 배열된 기판처리부(PASS9, PASS10)의 쌍은 상기 반송버퍼(RBF) 아래에 제공된다. 상기 반송버퍼(RBF)는, 만약 상기 현상처리블록(4)이 어떤 종류의 기능불량과 그 유사한 것들 때문에 상기 기판(W)위에 상기 현상처리를 수행할 수 없다면, 상기 현상처리블록(4)의 상기 가열부(PHP7~PHP12)에 노출 후 가열 공정에 속한 기판(W)을 일시적으로 저장되기 위하여 제공된다. 상기 반송버퍼(RBF)는 층들내에 복수의 기판(W)을 저장할 수 있는 캐비닛을 포함한다. 상기 상부 기판적체부(PASS9)는 상기 전송로봇(TR4)으로부터 상기 전송장치(55)에 까지 기판(W)의 전송을 위하여 사용된다. 상 기 하부 기판적체부(PASS10)는 상기 전송장치(55)로부터 상기 전송로봇(TR4)에까지 기판(W)의 운반을 위하여 사용된다. 상기 전송로봇(TR4)은 상기 반송버퍼(RBF)에 근접하여 이득을 얻는다.
상기 전송장치(55)는 Y방향에서 수평으로 움직일 수 있는 이동하는 베이스(55a)와, 상기 이동하는 베이스(55a)위에 설치되고, 도2에 설명된 바와 같이, 기판(W)을 유지하기 위한 홀딩암(55b)을 포함한다. 상기 홀딩암(55b)은 상기 이동하는 베이스(55a)에 관련하여 중심반경의 방향에서 수직으로 움직이고 선회하며 전후로 움직일 수 있다. 그러한 배열로 인하여, 상기 전송장치(55)는 기판(W)을 상기 노출유닛(EXP)으로(또는 로부터) 전송(또는 수납)하고, 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS9, PASS10)로(또는 로부터) 전송(또는 수납)하며, 상기 기판(W)의 송신을 위하여 기판(W)을 송신 버퍼(SBF)로(또는 로부터) 저장(또는 수납)받는다. 상기 송신 버퍼(SBF)는 상기 노출유닛(EXP)가 상기 기판(W)을 받을 수 없다면 상기 노출처리에 앞서 기판(W)을 일시적으로 저장하기 위해 제공되며, 층내에 복수의 기판(W)을 저장할 수 있는 캐비닛을 포함한다.
깨끗한 공기의 하류는 항상 상기 인덱서 블록(1), 상기 BARC블록(2), 상기 레지스트 코팅블록(3), 상기 현상처리블록(4)과, 그것에 의해 상승된 입자와 각각의 블록에 처리중인 가스흐름의 역효과를 피하게 되도록 위에 설명된 상기 인터페이스 블록(5)으로 공급된다. 게다가, 상기 기판처리장치의 외부환경에 관련하여 조금의 양압력은 입자와 오염물질의 유입을 방지하기 위하여 각각의 블록들(1~5)에 유지된다.
상기 인덱서 블록(1), 상기 BARC블록(2), 상기 레지스트 코팅블록(3), 상기 현상처리블록(4)과 상기 설명된 상기 교차 블록(5)은 이 언급된 실시예의 상기 기판처리장치가 기계적인 조건으로 분리되는 유닛이다. 상기 블록들(1~5)은 개별적인 블록 프레임으로 각각 조립되고, 그것은 상기 기판처리장치를 장착하기 위하여 함께 순서대로 연결된다
한편으로, 상기의 실시예는 다른 타입의 유닛, 즉, 상기 거론된 기계적 분할에 근거한 유닛이 있는 블록들과는 다른, 기판들의 전송에 관한 전송컨트롤유닛을 사용한다. 상기 기판들의 전송에 관한 상기 전송 컨트롤 유닛은 "셀들"로 언급된다. 각각의 셀들은 기판전송을 책임지는 전송로봇을 포함하고, 상기 전송로봇이 기판을 전송하는 전송목적부를 포함한다. 위에서 설명된 각각의 전송로봇은 기판(W)을 셀로 받기 위해 입구기판적체부 또는 셀로부터의 기판(W)의 운반을 위하여 출구기판적체부로 기능을 한다. 셀들사이에 기판들의 운반은 기판적체부를 통해 나타난다. 셀들을 구성하는 전송로봇들은 인덱서 블록(1)의 기판운반장치(12)와 인터페이스 블록(5)의 전송장치(55)를 포함한다.
이 언급된 실시예에서 상기 기판처리장치는 6개의 셀들을 포함한다.:인덱서 셀, BARC 셀, 레지스트 코팅셀, 현상처리셀, 노출후 베이크셀과, 인터페이스 셀. 상기 인덱서 셀은 테이블(11)과 기판운반장치(12)를 포함하여, 결과적으로 기계적 분할을 근거로 한 유닛들중에 하나인 인덱서 블록(1)과 구조가 유사하다. 상기 BARC셀은 저면코팅처리기(BRC)와, 열 처리타워(21)의 쌍과, 전송로봇(TR1)을 포함한다. 상기 BARC 셀은 또한 결과적으로 기계적 분할에 근거한 유닛들중 하나인 BARC블록(2)과 구조가 유사하다. 상기 레지스트 코팅 셀은 상기 레지스트 코팅처리기(SC)와, 열 처리타워 쌍(31)과, 상기 전송로봇(TR2)를 포함한다. 상기 레지스트 코팅 셀은 또한 결과적으로 기계적 분할에 근거한 유닛들중 하나인 상기 레지스트 코팅블록(3)과 구조가 유사하다.
상기 현상처리셀은 현상처리기(SD)와, 열 처리 타워(41)과 전송로봇(TR3)을 포함한다. 상기 전송로봇(TR3)이 위에서 거론된 가열부(PHP7~PHP12)와 열 처리타워의 냉각판(CP14)에 근접하여 이득을 얻을 수 없기 때문에, 상기 현상처리셀은 상기 열 처리 타워(42)를 포함하지 않는다. 이와 관련하여, 상기 현상처리셀은 상기 기계적 분할에 근거한 유닛들중 하나인 상기 기판 처리 블록(4)과 다르다.
상기 노출후 베이크셀은 상기 현상처리블록(4)에 위치한 상기 열 처리 타워(42)와, 인터페이스블록(5)에 위치한 에지노출부(EEW)와, 인터페이스블록(5)에 위치한 전송로봇(TR4)을 포함한다. 즉, 상기 노출후 베이크 셀은 기계적 분할에 근거한 유닛들인 현상처리블록(4)과 상기 인터페이스블록(5)위에 확장된다. 이 방식으로, 노출후 가열처리를 이행하기 위한 가열부들(PHP7~PHP12)과, 상기 전송로봇(TR4)을 포함한 하나의 셀을 구성하는 것은, 열 처리의 실행을 위하여 가열부들(PHP7~PHP12)로 노출된 기판(W)들의 빠른 전송을 하게 한다. 그러한 배열은 패턴이 형성된 기판(W)의 노출후에 가능한 빨리 가열처리하는 것이 필요하게 된 화학적으로 증폭된 레지스트의 사용을 위해 선호된다.
열 처리타워(42)에 포함된 상기 기판적체부들(PASS7, PASS8)은 현상처리셀과 노출후 베이크셀사이에 기판(W)의 운반을 위하여 제공된다.
상기 인터페이스셀은 기판(W)을 외부장치인 노출유닛(EXP)으로(또는 로부터) 운반(또는 수납)하기 위한 상기 전송장치(55)를 포함한다.
상기 인터페이스셀은 상기 인터페이스셀이 상기 전송로봇(TR4)와 에지 노출부(EEW)를 포함하지 않는 점에서 기계적 분할에 근거한 유닛들중 하나인 상기 인터페이스블록(5)과 다르다. 상기 에지 노출부(EEW)아래에 상기 기판적체부들 (PASS9, PASS10)은 상기 노출후 베이크셀의 상기 전송로봇(TR4)과 상기 인터페이스셀의 상기 전송장치(55)사이에 기판(W)의 운반을 위하여 제공된다.
상기 실시예의 기판처리장치에서의 제어기구를 설명하기로 한다. 도6은 제어기구의 개략적 블록다이어그램이다. 도6에 도시된 바와 같이, 이 언급된 실시예의 상기 기판처리장치는 주요콘트롤러(MC), 셀콘트롤러들(CC), 유닛 콘트롤러들로 구성된 3레벨의 제어 체계를 가진다. 상기 주요콘트롤러(MC), 셀콘트롤러들(CC), 유닛 콘트롤러들은 전형적인 컴퓨터의 하드웨어 구조와 구조가 유사하다. 특히, 각각의 콘트롤러들은 다양한 컴퓨터의 연산처리를 수행하기 위한 CPU와, 그 안에 기본 프로그램을 저장하기 위한 ROM 또는 리드 온리(read only) 메모리와, 그 안에 다양한 종류의 정보를 저장하기 위한 RAM 또는 리더블/라이터블(readable/writable) 메모리와, 그 안에 제어 어플리케이션(application)과 데이터를 저장하기 위한 마그네틱 디스크(magnetic disk)등을 포함한다.
제1레벨에서 하나의 주 콘트롤러는 주요 기판처리장치를 위해 제공되고, 원칙적으로 상기 주요기판처리장치의 관리, 주 패널(MP)의 관리, 셀콘트롤러(CC)의 관리를 맡는 역할을 한다. 상기 주 패널(MP)는 주 콘트롤러(MC)에 대한 표시를 함 으로서 기능을 한다. 다양한 명령어는 키보드(keyboard)로부터 주 콘트롤러(MC)로 들어간다. 상기 주 패널(MP)은 사용자가 입력처리를 주 패널(MP)로부터 주 콘트롤러로 수행시키는 터치패널 형태일 것이다.
제2레벨에서 상기 셀 콘트롤러(CC)는 6개의 셀들(인덱서 셀, BARC 셀, 레지스트 코팅셀, 현상처리셀, 노출후 베이크셀과, 인터페이스 셀)과 상호 관련하여 개별적으로 제공된다. 각각의 셀들을 위한 각각의 상기 셀콘트롤러(CC)는 원칙적으로 제1셀을 위한 제1콘트롤러(CC)는 기판(W)이 제1셀에 근접한 제 2셀을 위한 제2셀 콘트롤러로 설정된 기판적체부에 위치하는 것을 지시하는 정보를 보내고, 상기 기판(W)을 수납하는 제2셀을 위한 제2셀 콘트롤러가 상기 기판(W)이 제1셀 콘트롤러뒤에 설정된 기판적체부로부터 받은 것을 지시하는 정보를 보내는 방식으로 정보를 보내고 수납한다. 그러한 정보의 송수신은 주 콘트롤러(MC)를 통하여 실행된다. 상기 셀 콘트롤러(CC) 각각은 기판(W)이 전송로봇콘트롤러(TC)에 대응하는 셀로 전송되는 것을 지시하는 정보를 제공하고, 교대로 설정된 순서에 따라 대응 셀 안에 상기 기판(W)을 회전하게 전송하는 통신전송로봇을 제어한다. 상기 전송로봇콘트롤러(TC)는 상기 통신 셀콘트롤러(CC)에 설정된 어플리케이션의 구동에 의해 이행된 콘트롤러이다.
제3레벨에서 상기 유닛 콘트롤러의 예들은 스핀 콘트롤러와 베이크 콘트롤러를 포함한다. 상기 스핀콘트롤러는 통신셀콘트롤러(CC)로부터 주어진 지시에 따라 통신셀에 제공된 상기 스핀 유닛들(코팅 처리 유닛들과 현상처리 유닛들)을 직접적으로 제어한다. 특히, 예를 들면, 상기 스핀 콘트롤러가 상기 스핀 유닛이 기판(W) 의 회전수를 판단하기 위하여 스핀모터를 제어한다. 상기 베이크 콘트롤러는 통신셀콘트롤러(CC)로부터 주어진 지시에 따라 통신셀에 제공된 상기 열 처리유닛들(열판들, 냉각판들, 가열부들, 등)을 직접적으로 제어한다. 특히, 상기 베이크 콘트롤러는, 예를 들면, 판의 온도등을 판단하기 위하여 열판안에 합체된 히터를 제어한다.
호스트 컴퓨터(100)는 기판처리장치에 제공된 3 레벨 제어층보다 더 높은 레벨 제어기구로서 기판처리장치 열에 LAN선을 경유하여 연결된다. 상기 호스트 컴퓨터(100)는 다양한 컴퓨터의 연산처리를 수행하기 위한 CPU와, 그 안에 기본 프로그램을 저장하기 위한 ROM 또는 리드 온리(read only) 메모리와, 그 안에 다양한 종류의 정보를 저장하기 위한 RAM 또는 리더블/라이터블(readable/writable) 메모리와, 그 안에 제어 어플리케이션과 데이터를 저장하기 위한 마그네틱 디스크등을 포함한다. 상기 호스트 컴퓨터(100)는 전형적인 컴퓨터와 구조가 유사하다. 전형적으로, 이 언급된 실시예에 따른 복수의 기판처리장치는 상기 호스트 컴퓨터(100)에 연결된다. 상기 호스트 컴퓨터(100)는 각각 연결된 기판처리장치에 대한 처리순서와 처리조건들에 대한 설명을 포함하는 방법을 제공한다. 상기 호스트 컴퓨터(100)로부터 제공된 상기 방법은 각각의 기판처리장치들의 주 콘트롤러(MC)의 저장부(e.g. 메모리)에 저장된다.
상기 노출유닛(EXP)은 상기 기판처리장치에 대한 상기 거론된 제어기구의 독립된 분리제어기로 제공된다. 바꿔말하면, 상기 노출유닛(EXP)은 상기 기판처리장치의 주 콘트롤러의 제어하에 구동하지 않으나, 자신의 구동시에는 홀로 제어한다. 그러한 상기 노출유닛(EXP)은 그 자신의 구동을 상기 호스트 컴퓨터(100)로부터 받은 방법에 따라 또한 제어하고, 상기 기판처리장치는 상기 노출유닛(EXP)에 노출처리와 동시에 일어나는 과정들을 수행한다.
이 언급된 실시예의 기판처리장치의 구동을 설명하기로 한다. 우선, 기판처리장치에서 기판(W)의 회전전송을 위한 일반적인 절차를 간략하게 설명하기로 한다. 아래에 설명된 처리 순서는 호스트 컴퓨터로부터 받은 방법의 설명과 일치한다.
우선, 카셋(C)에 저장된 미처리된 기판(W)은 상기 기판처리장치의 외부로부터 AGV(automatic guided vehicle)등에 의해 상기 인덱서 블록(1)으로 전송된다. 다음에, 상기 미처리된 기판(W)은 상기 인덱서 블록(1)으로부터 외부로 운반된다. 특히, 상기 인덱서 셀(또는 인덱서 블록(1)내에 상기 기판운반장치(12)는 미처리된 기판(W)을 설정된 카셋(C)으로부터 집어내어, 상기 미처리된 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS1)에 위치시킨다. 상기 미처리된 기판(W)이 상기 기판적체부(PASS1)에 위치된 후에, 상기 BARC 셀의 상기 전송로봇(TR1)은 상기 미처리된 기판(W)을 받기 위하여 상기 홀딩 암(6a, 6b)들중 하나를 이용한다. 상기 전송로봇(TR1)은 받은 상기 미처리된 기판(W)을 상기 코팅처리유닛(BRC1~BRC3)중 하나로 전송한다. 상기 코팅처리유닛(BRC1~BRC3)에서 상기 기판(W)은 반 반사막용 코팅액으로 스핀코팅(spin-coating)된다.
코팅처리의 종료 후에, 상기 전송로봇(TR1)은 상기 기판(W)을 상기 열판(HP1~HP6)들중 하나로 전송된다. 상기 열판에서 상기 기판(W)을 가열하는 것은 상기 기판(W)위에 하부에 코팅하는 역할을 하는 반 반사막을 형성하기 위하여 상기 코팅액을 말린다. 그런 후에, 상기 전송로봇(TR1)은 상기 열판으로부터 상기 기판(W)을 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 냉각판(CP1~CP3)중 하나로 전송하여, 교대로 상기 기판(W)을 냉각시킨다. 이 단계에서, 상기 냉각판(WCP)들중 하나는 상기 기판(W)을 냉각시키기 위해 사용된다. 상기 전송로봇(TR1)은 상기 냉각된 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS3)위로 위치시킨다.
선택적으로, 상기 전송로봇(TR1)은 상기 기판적체부(PASS1)위에 위치한 상기 미처리된 기판(W)을 상기 점착향상처리부(AHL1~AHL3)중 하나로 전송되는 것이 적합하다. 상기 점착향상처리부(AHL1~AHL3)에서, 상기 기판(W)은 HMDS의 증기압에서 처리되어, 그것에 의해 상기 기판(W)에 대한 상기 레지스트 막의 점착은 크게 향상된다. 상기 전송로봇(TR1)은 상기 점착향상처리에 있는 상기 기판(W)을 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 냉각판(CP1~CP3)중 하나로 전송하여, 차례로 상기 기판(W)을 냉각시킨다. 반 반사막이 상기 점착 향상 처리에 있는 상기 기판(W)위에 형성되는 것이 아니기 때문에, 상기 냉각 기판(W)는 직접적으로 상기 전송로봇(TR1)에 의해 상기 기판적체부(PASS3)위로 위치되진 않는다.
탈수처리는 상기 반 반사막용 상기 코팅 액의 어플리케이션에 앞서 수행된다. 이 경우에, 상기 전송로봇(TR1)은 상기 기판적체부(PASS1)위에 위치한 상기 미처리된 기판(W)을 상기 점착향상처리부(AHL1~AHL3)중 하나로 처음 전송된다. 상기 점착향상처리부(AHL1~AHL3)에서, 탈수를 위해 드문 가열처리(탈수 베이크)는 HMDS의 증기압을 제공함이 없이 상기 기판(W)위에서 수행된다. 상기 전송로봇(TR1)은 탈수를 위한 상기 가열처리에 있는 상기 기판(W)을 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 냉각판(CP1~CP3)에 전송하여, 차례로 상기 기판(W)을 냉각시킨다. 상기 전송로봇(TR1)은 상기 냉각된 기판(W)을 상기 냉각처리유닛(BRC1~BRC3)중 하나로 전송한다. 상기 코팅 처리 유닛(BRC1~BRC3)에서, 상기 기판(W)은 상기 반 반사막에 대해 상기 코팅 액으로 스핀코팅(spin-coating)된다. 그 후에, 상기 전송로봇(TR1)은 상기 기판(W)을 상기 열판(HP1~HP6)중 하나로 전송한다. 상기 열판에 상기 기판(W)을 가열하는 것은 상기 기판(W)위에서 하부에 코팅을 하는 역할을 하는 상기 반 반사막을 형성한다. 그 다음, 상기 전송로봇(TR1)이 상기 기판(W)을 상기 열판으로부터 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 냉각판(CP1~CP3)중 하나로 전송하여, 차례로 상기 기판(W)을 냉각시킨다. 그러면, 상기 전송로봇(TR1)이 상기 냉각된 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS3)위로 위치시킨다.
상기 기판(W)이 상기 기판적체부(PASS3)상에 위치된 후, 상기 레지스트 코팅셀에서의 상기 전송 로보트(TR2)는 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)을 상기 코팅 처리장치들(SC1~SC3)중 하나로 전송한다. 상기 코팅 처리장치들(SC1~SC3)에서, 상기 기판(W)은 상기 레지스트로 스핀-코팅된다. 상기 레지스트 코팅 처리는 정밀한 기판 온도제어를 필요로 하며, 상기 기판(W)은 상기 코팅 처리장치들(SC1~SC3)로 운반되기 전 즉시 상기 냉각판들(CP4~CP9)중 하나로 운반될 수도있다.
상기 레지스트 코팅 처리의 종료 후, 상기 전송 로보트(TR2)는 상기 기판(W)을 상기 가열부들(PHP1~PHP6)중 하나로 운반한다. 상기 가열부들(PHP1~PHP6)에서, 상기 기판(W)을 가열하는 것은 상기 기판(W)상에 레지스트막을 형성하기 위해 상기 레지스트로부터 솔벤트 성분을 제거한다. 그 후, 상기 전송 로보트(TR2)는 상기 가열부들(PHP1~PHP6)중 하나로부터 상기 기판(W)을 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 냉각판들(CP4~CP9)중 하나로 운반하며, 차례로 상기 기판(W)을 냉각시킨다. 그 다음으로, 상기 전송 로보트(TR2)는 상기 냉각된 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS5)상에 위치시킨다.
상기 레지스트 코팅 처리에 의해 그 위에 형성된 상기 레지스트막을 갖는 상기 기판(W)이 상기 기판적체부(PASS5)상에 위치된 후, 상기 현상 처리셀에서의 상기 전송 로보트(TR3)는 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)의 임의의 처리없이도 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS7)상에 위치시킨다. 그 다음으로, 상기 노출후 베이크 셀에서의 상기 전송 로보트(TR4)는 상기 기판적체부(PASS7)상에 위치한 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)을 상기 에지 노출 장치들(EEW1 및 EEW2)중 하나로 운반한다. 상기 에지 노출 장치들(EEW1 및 EEW2)에서, 상기 기판(W)의 주변 에지부는 빛에 노출된다. 상기 전송 로보트(TR4)는 상기 에지 노출 처리중인 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS9)상에 위치시킨다. 상기 인터페이스 셀에서의 상기 전송구조(55)는 상기 기판적체부(PASS9)상에 위치한 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)을 상기 노출장치(EXP)로 전송한다. 상기 노출장치(EXP)로 전송된 상기 기판(W)은 패턴 노출공정에 속하게 된다. 화학적으로 증폭된 레지스트는 이 바람직한 실시예에서 사용되기 때문에, 산(酸)은 상기 기판(W)상에 형성된 상기 레지스트막의 상기 노출부에서의 광화학 반응에 의해 형성된다. 상 기 에지 노출공정에 속한 상기 기판(W)은 상기 전송 로보트(TR4)에 의해 상기 냉각판(CP14)으로 전송될 수도 있고, 상기 노출장치(EXP)로 전송되기전 그 안의 냉각공정에 속할 수도 있다.
상기 패턴 노출공정에 속한 상기 노출된 기판(W)은 상기 노출장치(EXP)로부터 상기 인터페이스 셀로 다시 되돌아 전송된다. 상기 전송구조(55)는 상기 노출된 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS10)상에 위치시킨다. 상기 노출된 기판(W)이 상기 기판적체부(PASS10)상에 위치된후, 상기 노출후 베이크 셀에서의 상기 전송 로보트(TR4)는 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)을 상기 가열부들(PHP7~PHP12)중 하나로 전송한다. 상기 가열부들(PHP7~PHP12)에서, 상기 가열공정(노출후 베이크)은 교차 결합, 중합과 동일 반응 그리고 상기 노출공정 동안 상기 광화학 반응에 의해 형성된 제품을 산(酸) 촉매제로 사용함으로써 상기 레지스트 수지의 유사물이 진행하는 것을 야기시킴으로써, 상기 현상액안에 상기 레지스트 수지의 상기 노출부만의 가용성을 국부적으로 변화시킨다. 냉각 구조를 갖는 상기 로컬 전송장치(상기 가열부들(PHP7~PHP12)중 하나에서의 상기 전송장치; 도1 참조) 상기 노출후 베이크 공정에 속한 상기 기판(W)을 전송함으로써 냉각하여, 상기 화학 반응은 정지한다. 이어서, 상기 전송 로보트(TR4)는 상기 기판(W)을 상기 가열부들(PHP7~PHP12)중 하나로부터 집어내어, 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS8)상에 위치시킨다.
상기 기판(W)이 상기 기판적체부(PASS8)상에 위치된 후, 상기 현상 처리셀에서의 상기 전송 로보트(TR3)는 상기 기판(W)을 수납하며, 상기 기판(W)을 상기 냉 각판들(CP10~CP13)중 하나로 전송한다. 상기 냉각판들(CP10~CP13)에서, 상기 노출후 베이크 공정에 속한 상기 기판(W)은 추가로 냉각되며, 소정의 온도에서 정밀하게 제어된다. 그 후, 상기 전송 로보트(TR3)는 상기 기판(W)을 상기 냉각판들(CP10~CP13)중 하나로부터 집어내어 상기 현상 처리장치들(SD1~SD5)중 하나로 전송한다. 상기 현상 처리장치들(SD1~SD5)에서, 상기 현상액은 상기 기판(W)상에 투액되어 상기 현상 공정이 진행하도록 야기시킨다. 상기 현상 공정의 종료후, 상기 전송 로보트(TR3)는 상기 기판(W)을 상기 가열판들(HP7~HP11)중 하나로 전송한 다음, 상기 냉각판들(CP10~CP13)중 하나로 전송한다.
그 후, 상기 전송 로보트(TR3)는 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS6)상에 위치시킨다. 상기 레지스트 코팅셀에서의 상기 전송 로보트(TR2)는 상기 기판(W)의 임의의 처리없이 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS6)로부터 상기 기판적체부(PASS4)로 전송한다. 다음으로, 상기 BARC 셀에서의 상기 전송 로보트(TR1)는 상기 기판(W)의 임의의 처리없이 상기 기판(W)을 상기 기판적체부(PASS4)로부터 상기 기판적체부(PASS2)로 전송함으로써, 상기 기판(W)은 상기 인덱서 블록(1)에 저장된다. 그 다음, 상기 인덱서 셀에서의 상기 기판 전송장치(12)는 상기 기판적체부(PASS2)상에 유지된 상기 처리된 기판(W)을 소정의 카세트(C)로 저장한다. 그 후, 소정수의 처리된 기판들(W)이 저장된 카세트(C)는 상기 기판 처리장치의 외부로 이송된다. 따라서, 일련의 사진 석판술이 종료된다.
상기 일련의 사진 석판 공정은 복수의 평행 처리부들에 의해 차례로 실행되는 다중 병렬 처리를 포함한다. 도7 및 도8은 본 바람직한 실시예에 따른 상기 기 판 처리장치에서의 병렬 처리부들을 도시한다. 도7은 상기 노출장치(EXP)에서의 상기 노출 공정전의 병렬 공정들을 실행하기 위한 병렬 처리부들을 도시하며, 도8은 상기 노출 공정후의 병렬 공정들을 실행하기 위한 상기 병렬 처리부들을 도시한다. 도7 및 도8에서, 각 열로 평행하게 나란한 관계로 배열되어 도시된 복수의 처리장치들(기판 처리부들)은 레써프(recipe)에 설명된 동일한 처리 단계에서의 동일한 조건하의 공정을 수행하기 위한 일군의 병렬 처리부들이다. 예컨대, 도7상의 3개의 코팅 처리장치들(SC1, SC2, SC3)은 상기 레지스트 코팅 처리단계에서 동일한 조건하에 상기 레지스트 코팅 처리를 수행하기 위한 처리부들이다. 유사하게, 도8상의 6개의 가열부들(PHP7~PHP12)은 상기 노출후 가열 처리단계에서 동일한 조건하에 상기 가열 공정을 실행하기 위한 일군의 병렬 처리부들이다. 상기 병렬 공정을 실행하기 위한 상기 병렬 처리부들은 상기 일련의 사진 석판 공정에 따라 상부~하부 순서로 배열되어 도시되어 있다.
각 군(群)에서의 이들 병렬 처리부들은 동일한 조건하의 공정을 실행하기 위해 제공되며, 이 동일 공정은 각 군(群)에서의 이들 병렬 처리부들에서 실행된다. 예컨대, 상기 코팅 처리장치들(SC1, SC3)에서, 상기 레지스트액은 동일한 기온 및 습도조건하에 동시에 동일한 유속으로 분사되며, 기판들은 동일한 rpm 으로 동일한 시간 동안 회전한다. 따라서, 임의의 병렬 처리부로의 처리되는 기판(W)의 전송은 아무런 차이가 없다. 기본적으로, 예컨대, 상기 기판(W)이 각 병렬 처리공결정 실행의 단계에서 비어 있는 병렬 처리부로 전송될 때에도 동일한 처리 결과는 얻어진다.
그러나, 상기한 바대로, 미세한 차이는 각 군(群)에서의 상기 병렬 처리부들간에 불가피하게 존재하며, 기판들간의 처리 결과들에서의 미세한 변화를 야기시킨다. 예컨대, 상기 코팅 처리장치(SC1)에서의 상기 레지스트 코팅 공정에 속한 기판상에 형성된 레지스트막의 두께와 상기 코팅 처리장치(SC3)에서의 상기 레지스트 코팅 공정에 속한 기판상에 형성된 레지스트막의 두께는 미세 관점으로부터 다른 결과들을 발생한다. 역시 상기한 바대로, 최근의 품질 제어의 요구된 수준 측면에서, 문제점과 동일 처리 결과들에서의 상기 미세한 변화들이 감지되어져 왔다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 따른 상기 기판 처리장치는 하기에 기재되는 처리를 실행한다. 도9는 본 발명에 따른 상기 기판 처리장치에서의 처리의 절차를 도시한다. 처음으로, 상기 인덱서 블록(1)으로부터 미처리된 기판(W)의 외부로의 이송 전에, 상기 장치의 오퍼레이터는 상기 선택된 모드를 상기 기판 처리장치로 입력시키기 위해 기판 전송모드를 선택한다(단계 S1에서). 이 모드 선택은 주 패널(MP)로부터의 직접 입력이나 상기 호스트 컴퓨터(100)를 통해 수행될 수도 있다. 두 개의 선택 가능한 모드들(작업 처리량 우선 모드 및 처리 순서 우선 모드)이 있다.
상기 "처리 순서 우선 모드" 가 선택될 때, 상기 절차는 상기 인덱서 블록(1)으로부터 미처리된 기판(W)의 외부로의 이송 전에 상기 미처리된 기판(W)용의 전송통로가 미리 결정되는 단계(S2)로 진행한다. 상기 전송통로는 상기 주 컨트롤러(MC)에 의해 결정된다. 처리되는 기판(W)이 각각의 병렬 처리공정을 수행하기 위한 상기 병렬 처리부들중 어느 것으로 전송되는지에 대한 결정에 의해 수행된다. 특히, 상기 기판(W)이 상기 반 반사막용 상기 코팅액을 투액하는 상기 병렬 공정을 수행하기 위한 상기 3개의 코팅 처리장치들(BRC1~BRC3)중 어느 것으로 전송되는지가 결정된다. 다음으로, 상기 기판(W)이 상기 후속의 가열 공정(다른 병렬 공정)을 수행하기 위한 6개의 가열판들(HP1~HP6)중 어느 것으로 전송되는지가 결정된다. 후속의 병렬 공정들에서, 상기 기판(W)이 상기 병렬 처리부들중 어느 것으로 전송되는지가 결정됨으로써, 상기 전송 통로가 결정된다. 상기 기판(W)이 상기 병렬 처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정하는데 임의의 판단 기준이 사용될 수도있다. 예컨대, 상기 기판(W)전에 즉시 처리되는 기판이 상기 코팅 처리장치(BRC1)로 전송되는지가 결정되기 때문에, 상기 기판(W)이 상기 코팅 처리장치(BRC1)와 다른 상기 코팅 처리장치(BRC2)로 전송되는지가 결정될 수도 있다. 제1 병렬 처리를 수행하기 위한 제1 병렬 처리부와 제2 병렬 처리를 수행하기 위한 제2 병렬 처리부가 서로 1 대 1 고정 상응하는 상기 전송 통로를 결정하는 것이 항상 필요한 것은 아니다. 예컨대, 상기 제1 기판(W)이 상기 코팅 처리장치(BRC1)로 전송된 후, 상기 가열판(HP1)으로 전송되도록 제1 전송 통로는 제1 기판(W)에 대해 결정되는 반면, 상기 제2 기판(W)이 상기 코팅 처리장치(BRC1)로 전송된 후, 상기 가열판(HP3)으로 전송되도록 제2 전송 통로는 제2 기판(W)에 대해 결정된다.
도10은 상기 방식으로 결정된 상기 전송 통로들의 한 예를 도시한다. 도10에서, 상기 기판(W)이 전송되어지는 목적지들로 결정된 병렬 처리부들은 실선들에 의해 둘러싸여져 있다. 상기 전송 통로들중 한 형태만이 도10에 도시되어 있다. 결정 가능한 다른 전송 통로 형태들의 수는 각각의 병렬 처리를 수행하기 위한 병렬 처 리부들의 수들의 곱과 동일하다.
다음으로, 상기 결정된 전송 통로에 근거하여, 상기 전송 통로에 포함된 상기 기판 처리부들을 위한 그리고 상기 노출 공정 전 및 공정 후의 단계들에서의 상기 공정들을 수행하기 위한 상기 레써프에 설정된 처리 조건들(표준 처리 조건들)에 대한 판단이 이루어지는 단계(S3)로 진행한다.
해당 유닛 컨트롤러는 해당 셀 컨트롤러로부터 주어진 지시에 따라 각 기판 처리부에 대해 설정된 처리 조건을 판단한다. 상기 호스트 컴퓨터(100)로부터 주어진 상기 레써프에 설명된 조건들은 상기 기판 처리부들에 대해 설정되는 상기 처리 조건들에 대한 표준 설정들이다. 예를 들어, 노출 후 110℃의 가열 처리 온도는 상기 호스트 컴퓨터(100)로부터 주어진 상기 레써프에 설명되어 있을 때, 상기 표준 온도는 역시 상기 노출 후 가열 공정을 실행하기 위해 6개의 가열부들(PHP7~PHP12)에 대해 110℃이다. 상기 처리가 상기 조건들에 정밀하게 부합할 때, 상기 레써프에 설명된 조건들은 바람직한 처리 결과(이하, "표준 처리 결과" 라 함)를 제공한다.
단계(S3)에서, 상기 기판(W)이 단계(S2)에서 결정된 상기 전송 통로를 따라 전송될 때, 상기 기판 처리부들에 대한 상기 레써프에 설정된 상기 처리 조건들은 상기 표준 처리 결과를 제공하기 위해 판단된다. 상기 기판 처리부들에 대해 설정된 상기 처리 조건들이 상기 표준 처리 결과를 제공하기 위해 판단되어야 하는 정도에 관한 판단 정보는 미리 검토되고, 실험에 의해 각 전송 통로 형태에 대해 습득되며, 예컨대, 상기 주 컨트롤러(MC)의 저장부에 저장된다. 상기 셀 컨트롤러들 중 각각은 상기 주 컨트롤러(MC)의 상기 저장부로부터 상기 결정된 전송 통로의 형태에 해당하는 상기 판단 정보를 판독하며, 상기 판단 정보에 따라 해당 유닛 컨트롤러로 지시를 내림으로써, 상기 기판 처리부들에 대해 설정된 상기 처리 조건들을 판단한다. 한 예로서, 도10상의 상기 전송 통로가 단계(S2)에서 결정될 때, 도10상의 상기 전송 통로에 해당하는 상기 판단 정보는 판독된다. 예컨대, 상기 판독 판단정보에 따라, 상기 코팅 처리장치(SC3)에 대해 설정된 상기 기판의 rpm 은 상기 레써프에 설명된 상기 표준 rpm 보다 약간 높은 값으로 판단될 수 있으며, 상기 가열부(PHP10)에 대해 설정된 온도는 상기 레써프에 설명된 상기 표준 온도보다 약간 낮은 값으로 판단될 수 있다. 예컨대, 판단 가능한 항목들은 기판의 rpm, 회전 시간, 대기 온도, 대기 습도, 액체가 분사되는 유속율, 분사된 액체의 전체량, 상기 액체 분사의 타이밍, 스핀 장치들(상기 코팅 처리장치들 및 상기 현상 처리장치들)용의 액체의 온도등, 그리고 열 처리장치들(상기 가열판들, 상기 냉각판들, 상기 가열부들 등등)에 대한 온도, 처리 시간등을 포함한다.
상기 판단은 상기 레써프에 설명된 상기 처리 조건들(표준 처리 조건들)의 양호한 판단으로 간주될 수도 있다. 만일 임의의 전송 통로가 단계(S2)에서 결정된다면, 단계(S3)에서의 상기 판단후 상기 전송 통로를 따른 상기 기판(W)의 전송은 표준 처리 결과를 제공한다.
상기 판단이 상기 기판 처리부들에 대해 설정된 상기 처리 조건들에 대해 이루어진 후, 상기 절차는 상기 미처리된 기판(W)이 상기 인덱서 블록(1)으로부터 외부로 전송되는 단계(S4)로 진행한다. 상기 외부로 전송된 기판(W)은 전송되어 단 계(S2)(단계(S5)에서 결정된 상기 전송 통로를 따라 처리된다. 상기 "처리 순서 우선 모드"가 선택될 때, 단계(S2)에서 결정된 상기 전송 통로를 따른 상기 기판의 전송은 확보된다. 예컨대, 도10의 상기 전송 통로가 단계(S2)에서 결정된다는 가정하에 만일 상기 가열부(PHP10)가 상기 노출후 가열 처리단계의 실행시에 점유되면, 상기 가열부(PHP10)가 점유되지 않으며, 실패없이 상기 가열부(PHP10)로 전송되지 않을때까지 상기 기판(W)은 대기 상태에서 유지되도록 제어된다.
이러한 방식으로, 상기 기판은 단계(S2)에서 결정된 상기 전송 통로를 따라 충실하게 전송되며, 일련의 사진 석판 공정들은 단계(S3)에서 판단된 상기 처리 조건들하에서 실행된다.
한편, 상기 "작업 처리량 우선 모드"가 선택될 때, 상기 미처리된 기판(W)은 상기 인덱서 블록(1)(단계(S6)에서)으로부터 외부로 즉시 전송된다. 상기 기판(W)은 상기 레써프에 설명된 상기 처리 절차에 따라 상기 기판 처리부들로 연속적으로 전송된다. 상기 "작업 처리량 우선 모드"에서, 상기 전송 통로는 미리 결정되지 않으나, 상기 기판(W)은 기본적으로 각각의 병렬 처리단계(단계(S7)에서)에서 빈 병렬 처리부로 전송된다. 예컨대, 만일 상기 가열부(PHP9)가 상기 노출 후 가열 처리단계의 실행시에 비어 있다면, 상기 기판(W)은 상기 가열부(PHP9)로 전송된다. 이러한 방식으로, 상기 기판은 상기 기판 처리부들로 연속적으로 전송되며, 일련의 사진 석판 공정들이 실행된다.
상기 "처리 순서 우선 모드" 와 상기 "작업 처리량 우선 모드"간의 비교는 다음과 같다.
상기 "처리 순서 우선 모드"가 선택될 때, 상기 기판은 상기 기판의 외부로의 전송 이전에 결정된 상기 전송 통로에 따라 충실하게 전송된다. 상기 기판이 상기 전송 통로를 따라 전송될 때, 상기 전송 통로에 포함된 상기 기판 처리부들에 대해 설정된 상기 처리 조건들은 상기 표준 처리 결과를 제공하도록 판단된다. 그러므로, 일정한 처리 결과는 항상 발생된다. 달리 말하면, 다른 병렬 처리부들을 통과하는 상기 기판들간의 처리 결과들에서의 변화가 감소한다.
한편, 상기 "작업 처리량 우선 모드"가 선택될 때, 상기 기판(W)은 항상 각각의 병렬 처리단계에서 빈 병렬 처리부로 전송된다. 이것은 상기 "작업 처리량 우선 모드"에서의 상기 작업 처리량이 상기 "처리 순서 우선 모드"에서의 최소한의 것보다 더 낮게 되는 것을 방지한다. 그러나, 상기 기판(W)이 어느 병렬 처리부로 전송되는지가 미리 결정되지 않기 때문에, 상기 "작업 처리량 우선 모드"는 상기 병렬 처리부들간의 미세한 차이의 영향을 제거할 수 없다. 그러므로, 처리 결과들에서의 미세한 변화들이 상기 "작업 처리량 우선 모드"에서의 상기 기판들간에 발생할 가능성이 있다.
따라서, 상기 "처리 순서 우선 모드"는 미세한 변화들을 갖는 안정한 처리 결과를 제공하도록 고안된 기판용으로 선택될 수도있는 반면, 상기 "작업 처리량 우선 모드"는 그 처리 결과가 고정밀도를 갖도록 요구되지 않는 기판용으로 선택될 수도있다.
이상 본 발명에 따른 바람직한 실시예는 설명되었지만, 본 발명은 상기 특정 실시예에 제한되지는 않는다. 예컨대, 상기 병렬 처리부들의 결합은 도7 및 도8에 도시된 것에 제한되지 않지만, 임의의 결합이 상기 병렬 처리 등용으로 필요한 시간에 따라 사용될 수도있다.
부가적으로, 본 발명에 따른 상기 기판 처리장치의 구성은 도1 내지 도4에 도시된 것에 한정되지는 않는다. 그러나, 만일 전송 로보트가 기판(W)을 순환식으로 복수의 처리부들로 전송함으로써, 소정의 공정들이 상기 기판(W)상에서 수행된다면, 상기 기판 처리장치의 구성상의 다양한 수정들이 이루어질 수도있다.
본 발명은 상세히 설명되어 졌지만, 모든 실시 예들에서의 상기 설명들은 예시적이지 제한적인 것은 아니다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 수 많은 변형들 및 수정들이 이루어질 수 있음을 이해할 수 있다.
"처리 순서 우선 모드"가 선택될 때, 상기 기판용 전송 통로는 상기 기판의 외부로의 전송 이전에 결정된다. 상기 전송 통로의 결정은 상기 기판이 각각의 병렬 처리를 수행하기 위한 복수의 병렬 처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써 수행된다. 다음으로, 상기 결정된 전송 통로에 근거하여, 상기 전송 통로에 포함된 각각의 기판 처리부에 대해 설정된 처리 조건에 대한 판단이 이루어진다. 그 후, 상기 미처리된 기판은 상기 인덱서 블록으로부터 외부로 전송되며, 상기 결정된 전송 통로를 따라 전송 및 처리된다. 한편, 상기 "작업 처리량 우선 모드"가 선택될 때, 기판은 복수의 병렬 처리부들 중 빈 하나로 전송된다.

Claims (4)

  1. 기판을 장치의 외부의 노출유닛으로 운반하기 위하여 상기 기판상에서 레지스트 코팅 처리를 수행하고, 상기 노출유닛으로부터 반송된 노출된 기판위에서 현상 처리를 수행하는 기판처리장치에 있어서,
    기판을 처리하기 위한 복수의 기판 처리부들을 가지며, 상기 복수의 기판 처리부들은 기판처리부 그룹과, 동일 처리단계에서 동일 조건하에 공정을 수행하는 복수의 병렬처리부들을 포함하는 기판처리부 그룹과;
    상기 기판 처리부 그룹에 미처리된 기판을 운반하고, 상기 기판처리부 그룹으로부터 처리된 기판을 수납하는 인덱서부와;
    기판을 상기 인덱서부와 상기 복수의 기판처리부들로 운반하기 위한 전송소자와;
    미처리된 기판이 상기 인덱서부로부터 상기 기판처리부 그룹으로 운반되기 전에, 미처리된 기판이 상기 복수의 병렬처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써, 상기 미처리된 기판에 대한 전송통로를 미리 결정하는 전송통로 결정소자와;
    상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로에 근거하여, 전송통로에 포함되고 노출공결정 이전 단계에서 공정을 수행하는 상기 복수의 기판처리부들중 적어도 하나에 대해 설정된 처리조건을 판단하기 위한 처리조건 제어소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판처리 순서를 위한 모드로서 처리순서 우선모드와 작업 처리량 우선모드중 하나의 입력을 받기 위한 모드 입력 소자와;
    상기 처리순서 우선모드가 상기 모드입력소자를 통해 선택될 경우, 상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로를 따라 기판을 전송하고, 상기 작업 처리량 우선 모드가 선택될 경우, 상기 전송통로 결정소자에 의한 상기 전송통로의 결정없이 상기 복수의 병렬처리부들중 비어있는 하나로 기판을 전송하기 위해 상기 전송소자를 제어하는 전송제어소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 기판을 장치의 외부의 노출유닛으로 운반하기 위하여 상기 기판상에서 레지스트 코팅 처리를 수행하고, 상기 노출유닛으로부터 반송된 노출된 기판위에서 현상 처리를 수행하는 기판처리장치에 있어서,
    기판을 처리하기 위한 복수의 기판처리부들을 가지며, 상기 복수의 기판 처리부들은 동일 처리단계에서 동일 조건하에 공정을 수행하는 복수의 병렬처리부들을 포함하는 기판처리부 그룹과;
    상기 기판 처리부 그룹에 미처리된 기판을 운반하고, 상기 기판처리부 그룹으로부터 처리된 기판을 수납하는 인덱서부와;
    기판을 상기 인덱서부와 상기 복수의 기판처리부들로 운반하기 위한 전송소 자와;
    상기 미처리된 기판이 상기 인덱서부로부터 상기 기판처리부 그룹으로 운반되기 전에, 미처리된 기판이 상기 복수의 병렬처리부들중 어느 것으로 전송되는지를 결정함으로써, 상기 미처리된 기판에 대한 전송통로를 미리 결정하는 전송통로 결정소자와;
    상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로에 근거하여, 전송통로에 포함되고 노출공결정 이후 단계에서 공정을 수행하는 상기 복수의 기판처리부들중 적어도 하나에 대해 설정된 처리조건을 판단하기 위한 처리조건 제어소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항3에 있어서,
    기판처리 순서를 위한 모드로서 처리순서 우선모드와 작업 처리량 우선모드중 하나의 입력을 받기 위한 모드 입력 소자와;
    상기 처리순서 우선모드가 상기 모드입력소자를 통해 선택될 경우, 상기 전송통로 결정소자에 의해 결정된 상기 전송통로를 따라 기판을 전송하고, 상기 작업 처리량 우선 모드가 선택될 경우, 상기 전송통로 결정소자에 의한 상기 전송통로의 결정없이 상기 복수의 병렬처리부들중 비어있는 하나에 기판을 전송하기 위해 상기 전송소자를 제어하는 전송제어소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034596A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007114293A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Youthengineering Co., Ltd. ウエハー用保管庫及びその保管制御方法
JP2008233855A (ja) * 2007-02-20 2008-10-02 Nsk Ltd 露光方法
US7745095B2 (en) * 2007-07-05 2010-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and device manufactured thereby
US20090023297A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Sokudo Co., Ltd. Method and apparatus for hmds treatment of substrate edges
US20090179366A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
JP5077764B2 (ja) 2008-04-22 2012-11-21 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP5370806B2 (ja) 2008-04-22 2013-12-18 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP5458633B2 (ja) * 2008-06-20 2014-04-02 株式会社Ｉｈｉ 処理設備及び搬送制御方法
JP5243205B2 (ja) * 2008-11-25 2013-07-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8127713B2 (en) 2008-12-12 2012-03-06 Sokudo Co., Ltd. Multi-channel developer system
JP5562561B2 (ja) * 2009-01-23 2014-07-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5181306B2 (ja) * 2009-01-30 2013-04-10 セメス株式会社 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法
JP5469015B2 (ja) * 2009-09-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP5713081B2 (ja) * 2010-07-09 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5936853B2 (ja) * 2011-12-05 2016-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP2014003164A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体装置の製造システム
CN103208448B (zh) * 2013-03-18 2015-10-21 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体晶圆传输装置
CN103760753B (zh) * 2013-12-31 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 基板烘烤装置及其温度调节方法
CN104091773B (zh) * 2014-07-11 2017-09-29 上海华力微电子有限公司 半导体制造的多平行动态流程控制方法
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN109037111B (zh) 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5536128A (en) * 1988-10-21 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for carrying a variety of products
US5237508A (en) * 1989-08-10 1993-08-17 Fujitsu Limited Production control system
KR940006241A (ko) * 1992-06-05 1994-03-23 이노우에 아키라 기판이재장치 및 이재방법
JP3654597B2 (ja) * 1993-07-15 2005-06-02 株式会社ルネサステクノロジ 製造システムおよび製造方法
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP3507591B2 (ja) * 1995-06-23 2004-03-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
TW309503B (ko) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3892493B2 (ja) * 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JPH10112487A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6082950A (en) * 1996-11-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Front end wafer staging with wafer cassette turntables and on-the-fly wafer center finding
US6203617B1 (en) * 1998-03-26 2001-03-20 Tokyo Electron Limited Conveying unit and substrate processing unit
US6292708B1 (en) * 1998-06-11 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Distributed control system for a semiconductor wafer processing machine
KR100792828B1 (ko) * 2000-06-06 2008-01-14 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4004248B2 (ja) * 2000-09-01 2007-11-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板検査方法
US6535784B2 (en) * 2001-04-26 2003-03-18 Tokyo Electron, Ltd. System and method for scheduling the movement of wafers in a wafer-processing tool
JP3725051B2 (ja) * 2001-07-27 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4149166B2 (ja) * 2002-01-08 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US6954711B2 (en) * 2003-05-19 2005-10-11 Applied Materials, Inc. Test substrate reclamation method and apparatus
US7308329B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-11 Olympus Corporation Method and apparatus for inspecting semiconductor wafer
JP4523513B2 (ja) * 2005-08-05 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置、基板受け渡し方法及び記憶媒体
US7657390B2 (en) * 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034596A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

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