TWI323831B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI323831B
TWI323831B TW095112149A TW95112149A TWI323831B TW I323831 B TWI323831 B TW I323831B TW 095112149 A TW095112149 A TW 095112149A TW 95112149 A TW95112149 A TW 95112149A TW I323831 B TWI323831 B TW I323831B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
component
transfer
components
Prior art date
Application number
TW095112149A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200707113A (en
Inventor
Tetsuya Hamada
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg filed Critical Dainippon Screen Mfg
Publication of TW200707113A publication Critical patent/TW200707113A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI323831B publication Critical patent/TWI323831B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41815—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1323831 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種基板處理1置，其用於在曝光之前執 行光阻塗佈製程及在於一基板（諸如半導體基板、用於液 晶顯示設備之玻璃基板、用於光罩之玻璃基板、用於光碟 及其類似物之基板）上曝光之後執行顯影製程。 【先前技術】
眾所周知’半導體及液晶顯示產品及其類似物藉由在以 上所提及之基板上執行一系列製程來製造，其包括清洗、 光阻塗佈、曝光、顯影、钱刻、層間絕緣薄膜形成、熱處 理、分割及其類似製程。一種在基板上執行光阻塗佈製程 以將該基板轉移至-曝光組件並接收來自該曝光組件之一 曝t基板以在該已曝光基板上執行顯影製程之裝置在以上 所提及製程中廣泛用作所謂的塗佈機及顯影器。 且整個裝置之處理效率’此塗佈機及顯影器通常 〃備用於在相同處理步驟中相同條 :並行處理部件。舉例而言，單-塗佈機及顯 ;使用光阻溶液塗佈之兩個 〃、 轉塗佈機），η於“ 先阻塗佈處理組件(旋 之五個… 且用於執行隨後加熱製程 提二=為一步驟(即為需要較長處理時間之㈣ 件以使在—產出㈣ 二理=執行並行處理之複數個相同類型之组件建立 條件’則實際上在複數個組件之間存在輕微差 H0028.doc 1323831 異。。舉例而，’若彼此規格一致之複數個加熱板設定於 130C之溫度，則該等加孰板中 ' … …、板中之者之貫際溫度為 130.2C，且另一加熱板之實際溫度為129 9它。 為了解決此問題’曰本專利特許公開申請案第… 11謂號（1998)揭示-種用於藉由將用於執行—並行製程 之基板處理部件與詩執行另—並行製程之另—基板處理 部件一對-Μ對應來界定複數難行料㈣的技術。
此為並行傳送路徑之每—者提供固定基板處理歷程，進而 有助於基板之品質控制。 隨著近年來半導體設計規則快速縮小之進步，對基板品 質控制之所要等級變得越來越嚴格，且強烈需要最小化基 板之間處理結果的變化。因此，在用於執行並行處理之^ 數個組件之間之輕微差異(其照慣例並非一問題)現在視作 -問題，因為該輕微差異引起基板之間處理結果的變化。 因此’消除組件之間即使輕微之差異為較佳的。 然而，對於組件之間之差異消除存在特定㈣，且某些 差=不可避免地保持未消除。此外，#日本專利特許公開 申》月案第10-112487號中所揭示，即使藉由將並行處理部 件固疋至所傳送之基板來為並行傳送路徑之每一者固定處 里歷私’由於用於執行並行處理之組件之間的差異所產生 之處理變化仍在穿過不同並行傳送路徑之基板之間產生。 【發明内容】 本發明之目的為提供—種基板處理裝置，其用於在一基 板上執行光阻塗佈製程以將該基板轉移至在裝置外部之一 I I0028.doc 1323831 曝光組件且用於在-自該曝光組件返回之已曝光基极 行顯影製程。 根據本發明，該基板處理裝置包含：一基板處理部件 組，其具有用於處理-基板之複數個基板處理部件，其中 該複數個基板處料件包括詩在相同處理步驟中相同條 件下執行處理之複數個並行處理部件；一分度器部件，复 用於將未經處理之基板轉移至基板處理部件組且用於自=
基板處理部件組接收經處理之基板；一傳送元件，其用= f 一基板傳送至該分度器部件及該複數個基板處理部件；、 -傳送路徑界U件，其用於判H經處理之基板將傳 送至該複數個並行處理部件中之哪—者，藉此在該未經處 理之基板自該分度器部件轉移至基板處理部件組之前預先 為該未經處理之基板界定一傳送路徑；及一處理條件控制 几件，其用於基於該傳送路徑界定元件所界定之傳送路徑 來調整為該複數個基板處理部件中之至少一者所建立一 處理條件，該複數個基板處理部件中之至少_者包括 傳送路徑中且在曝光製程之前之—步財執行—製程。… 預先對為每一基板處理部件（基板將傳送到其處）所建立 之處理條件進行調整。此減少穿過不同並行處理部件之基 板之間之處理結果的變化。 土 理=本發明之另-態樣’基板處理裝置包含：_基板處 侔’其具有用於處理一基板之複數個基板處理部 ―’ 5玄複數個隸處理料包括用於在相同處理步驟中相 同條件下執行一製程的複數個並行處理部件；—分度器部 H0028.doc 1323831 件，其用於將一未經處理之基板轉移至該基板處理部件組 且用於自該基板處理部件組接I經處理之基板；一傳送元 件’其用於將一基板傳送至該分度器部件及複數個基板處 理部件；一傳送路徑界定元件，其用於判定-未經處理之 基板將傳送至複數個並行處理部件中之哪一者，藉此在該 未經處理之基板自分度器部件轉移至該基板處理部件组2 前預先為該未經處理之基板界定一傳送路徑；及一處理條 件控制元件，其用於基於該傳送路徑界定元件所界定之傳 送路徑來調整為複數個基板處理部件中之至少一者所建立 之一處理條件，該複數個基板處理部件中之至少一者包括 於該傳送路徑中且在曝光製程之後之—步驟中執行:製 程0 因此’本發明之一目標為提供一種能夠減少穿過不同並 行處理部件之基板之間之處理結果的變化的基板處理裝 置。 自結合隨附ffi式之本發明之以下詳細描述，本發明之此 等及其他目標、特徵、態樣及優勢將變得更明顯。 【實施方式】 在描述根據本發明之較佳實施例之前，將Μ本文 使用之術語。用於在—基板上執行某些種類之處理（ 括諸如光阻塗佈製程及顯影製程之液體製程、諸如冷卻製 ^及加熱製程之熱製程、邊緣曝光製程及其類似製程）之 處理組件-般地稱作”基板處理部件'術語 指由複數個基板處理料並行執行之H該等基板I、 n0028.doc 1323831 理部件經設定以在基板上所執行 條件。術語"並行處理部件”係指 板處理部件。 現將參看圖式詳細描述根據本發明之一較佳實施例。 圖1為根據本發明之基板處理裝置之平面圖。圖2為基板 處理裝置中之液體處理部件的正視圖。圖3為基板處理裝 置中之熱處理部件的正視圖。圖4為展示在基板處理裝置
中之基板停置部件之周圍構造的圖。在圖i至圖4中為闡明 其間之方向關係而額外展示了 χγζ直角座標系統，其中 ΧΥ平面經界定為水平面’且ζ軸經界定為在垂直方向上延 伸0 根據該較佳實施例之基板處理&置為一種用於藉由塗佈 在諸如半導體晶圓之基板上形成抗反射薄膜及光阻薄膜且 用於在一經受圖案曝光製程之基板上執行顯影製程的裝 置。待由根據本發明之基板處理裝置來處理之基板並不限
之一系列製程中具有相同 用於執行此並行製程之基 於半導體晶圓，而可包括用於液晶顯示設備之玻璃基板及 其類似物。 根據該較佳實施例之基板處理裝置包含一分度器區塊 1、 BARC(底部抗反射塗佈）區塊2、一光阻塗佈區塊3、 一顯影處理區塊4及一界面區塊5。在基板處理裝置中該 等五個處理區塊1至5以並排關係配置。提供一曝光組件 (或步進機）EXP，其為與根據本發明之基板處理裝置分離 之外部裝置且連接至界面區塊5。根據此較佳實施例之基 板處理裝置及曝光組件EXP經由LAN線（未圖示）連接至主 110028.doc 1323831 電腦100。 分度器區塊1為—處理區塊’其用於將自基板處理裝置 外部接收之未經處理之基板向外轉移至BARc區塊2及光阻 塗佈區塊3’且用於將自顯影處理區塊4接收之經處理基板 傳送至基板處理裝置之外部。分度器區塊1包含一台I】， 其用於在其上並列置放複數個（在此較佳實施例令為四個） 盒（或載體）c ;及包含一基板轉移機制12，其用於使未經 處理之基板W自盒C之每一者取出，並用於將經處理之基 板:儲存於盒c之每一者中。該基板轉移機制12包括―; 沿者台11水平（在γ方向上）移動之可移動基座12&及一安裝 於該可移動基座12a上且可用於將一基板w固持於水平位 置之固持臂12b。該固持臂12b能夠在可移動基座i2a上垂 直（在Z方向上）移動，在水平面内枢轉且在樞軸半徑之方 向上來回移動。因此，基板轉移機制12可使固持臂12b可 近接每一盒c，進而使未經處理之基板貿自每一盒c中取出 且將經處理之基板W儲存於每一盒。除了將基板臂儲 存於封閉或密封空間之FOUP(前開口式統一容器）之外該 等盒C可為以下類型：SMIF(標準機械界面）容器、及將所 儲存之基板W暴露於大氣中之〇c(開放盒）。 相對鄰近分度器區塊1來提供B ARC區塊2。在分度器區 塊1與B ARC區塊2之間提供用於阻塞氣氛流通之隔板丨3。 該隔板13具備一對垂直配置之基板停置部件pAssi及 PASS2，每一者用於將基板W置放於其上以在分度器區塊ι 與BAHC區塊2之間轉移基板W。 110028.doc 使用上部基板停置部件PASS 1來將基板W自分度器區塊i 傳送至BARC區塊2。基板停置部件PASS 1包括三個支撐插 腳。分度器區塊1之基板轉移機制12將自盒C之一者取出之 未經處理基板W置放於基板停置部件PASS 1之三個支撐插 腳上。稍後將描述之BARC區塊2之傳送自動機TR1接收置 放於基板停置部件PASS 1上之基板W。另一方面，使用下 部基板停置部件PASS2來將基板W自BARC區塊2傳送至分 度器區塊1。基板停置部件PASS2亦包括三個支撐插腳。 BARC區塊2之傳送自動機TR1將經處理之基板w置放於基 板停置部件PASS2之三個支撐插腳上。基板轉移機制12接 收置放於基板停置部件PASS2上之基板W，且將基板W儲 存於盒C中之一者中。稍後將描述之基板停置部件對 PASS3至PASS10在構造上與基板停置部件對PASS1及 PASS2類似。 基板停置部件PASS 1及PASS2延伸穿過隔板13。基板停 置部件PASS 1及PASS2中之每一者均包括一光學感應器（未 圖示）以用於偵測其上是否存在基板W。基於來自感應器中 之每一者之偵測訊號’進行判斷基板轉移機制12及BARc 區塊2之傳送自動機TR1是否準備好將基板w轉移至基板停 置部件PASS2及自基板停置部件PASS 1接收基板W。 接著，將锔述BARC區塊2。BARC區塊2為一用於藉由在 光阻薄膜之底部塗佈（意即，作為光阻薄膜之底塗層薄膜） 來形成抗反射薄膜以減少曝光期間所發生之駐波或光暈的 處理區塊。BARC區塊2包含一用抗反射薄膜塗佈基板貿之 110028.doc 表面的底部塗佈處理器BRC、用於執行熱製程（藉由塗佈 . 而伴隨有形成抗反射薄膜）的一對熱處理塔21，及一用於 將基板W轉移至底部塗佈處理器BRC及該對熱處理塔η且 自底部塗佈處理器BRC及該對熱處理塔21接收基板1的傳 送自動機TR1。 在BARC區塊2中，底部塗佈處理器BRC及該對熱處理塔 21配置於傳送自動機了…之相對側上。具體言之，底部塗 φ 佈處理器BRC位於基板處理裝置之正側上，且該對熱處理 塔21位於其背側上。另外，未圖示之熱障壁提供於該對熱 處理塔21之正側上。因此，藉由將底部塗佈處理器與 該對熱處理塔21間隔開及藉由提供熱障壁來避免底部塗佈 處理器BRC上之該對熱處理塔21之熱效應。 如圖2中所展示，底部塗佈處理器BRC包括三個彼此構 造類似且以自下至上次序之堆疊關係來配置之塗佈處理組 件BRC1、BRC2及BRC3。三個塗佈處理組件BRC1、BRC2 • 及BRC3共同稱作底部塗佈處理器brc，除非另外標識。 塗佈處理組件BRC1、BRC2及BRC3中之每一者包括：一旋 轉夾盤22’其用於在大體水平面上旋轉基板冒同時在吸力 下將基板w固持於大體上水平位置；一塗佈喷嘴23，其用 於將用於抗反射薄膜之塗層溶液塗覆於固持於旋轉夾盤22 上之基板W上；一旋轉馬達（未圖示），其可用於旋轉地驅 動該旋轉夾盤22 ; —環繞固持於旋轉夾盤22上之基板…的 套（未圖示）及其類似物。 如圖3中所示’較靠近分度器區塊1之一熱處理塔21包括 I10028.doc 12 1323831 用於將基板W加熱至預定溫度之六個加熱板HP 1至HP6， . 及用於將經加熱之基板W冷卻至預定溫度且將基板w維持 在該預定溫度之冷卻板CP 1至CP3。在此熱處理塔2 1中， 冷卻板CP1至CP3及加熱板HP1至HP6以自下至上次序之堆 疊關係來配置。較遠離分度器區塊1之另一熱處理塔2 1包 括以自下至上次序之堆疊關係配置之三個黏著促進處理部 ' 件AHL1至AHL3，其用於在HMDS(六甲基二矽氮烷）蒸汽 φ 氣氛中熱處理基板W從而促進光阻薄膜黏著至基板|，圖3 中由十字標記（X)所示之位置由管線及布線部分佔據或被 保存作為將來添加處理組件之空白空間。 因此’以多層形式堆疊塗佈處理組件BrC丨至BrC3及熱 處理組件（BARC區塊2中之加熱板HP1至HP6 '冷卻板cpi 至CP3及黏著促進處理部件AHL1至AHL3)提供由基板處理 裝置所佔據之較小空間以減小其佔據面積。該對熱處理塔 2 1之並排配置有利於幫助維護熱處理組件，且消除熱處理 # 組件所需要之管道及電源設備延伸至更高位置之必要。 圖5A及圖5B為用於說明傳送自動機TR1之圖。圖5A為傳 送自動機TR1之平面圖’且圖沾為傳送自動機1：尺1之正視 圖傳送自動機TR1包括一對彼此接近之（上部及下部）固 持# 6a及6b，该4固持臂用於將基板w固持於大體上水平 位置。固持臂6&及6b中之每一者均包括大體上為C形平面 構型之末端部分及自大體上C形末端部分之内側向内突起 用於自下方支樓基板W之周邊邊緣之複數個插腳7。 傳达自動機TR1進一步包括一固定安裝於裝置基座（或裝 H0028.doc • 13 - 1323831 置框架）上之基座8 ^導軸9C直立式安裝於基座8上，且螺 . 紋軸9a可旋轉地安裝且直立地支撐於基座8上。可旋轉地 驅動螺紋轴9a之馬達9b@]定安裝至基座卜升降機.與螺 紋軸9以累紋嚙纟’且可相對於導軸％自由滑動。藉由此配 置，馬達9b可旋轉地驅動螺紋軸9a，藉此升降機i〇a由導 軸9c導引而在垂直方向（z方向）中上下移動。 . 臂座10b關於一垂直軸柩軸安裝於升降機i〇a上。升降機 Φ 1^含有用於樞轉驅動臂座l〇b之馬達10c。以上所描述之 該對（上部及下部）固持臂63及扑提供於臂座1〇b上。固持臂 6a及6b中之每一者藉由安裝至臂座1〇b之滑動驅動機制（未 圖示）而獨立在水平方向（在臂座1〇b之柩軸半徑方向上）上 來回移動。 藉由此配置，傳送自動機TR1能夠使該對固定臂心及6b 中之每一者獨立地可近接基板停置部件pAssi&pAss2、 …處理塔2 1中所乂供之熱處理組件、底部塗佈處理器brc • 中所知:供之塗佈處理組件及稍後將描述之基板停置部件 PASS3及PASS4，進而如圖5A中所展示將基板…轉移至以 上所提及之部件及組件且自以上所提及之部件及組件接收 基板W。 接著，將描述光阻塗佈區塊3。提供該光阻塗佈區塊3以 夾於B ARC區塊2與顯影處理區塊4之間。用於阻塞氣氛流 通之隔板25亦提供於光阻塗佈區塊3與6八11(：區塊2之間。 該隔板25具備垂直配置之基板停置部件對PASS3及 PASS4，每—者用於將基板W置放於其上以在BARC區塊2 110028.doc 1323831 與光阻塗佈區塊3之間轉移基板W。基板停置部件pASS3& PASS4在構造上類似於以上所提及之基板停置部件PASS1 及 PASS2 » 上部基板停置部件PASS3用於將基板W自BARC區塊2傳 送至光阻塗佈區塊3。具體言之，光阻塗佈區塊3之傳送自 動機TR2接收由BARC區塊2之傳送自動機TR1置放於基板 停置部件PASS3上之基板W。另一方面，下部基板停置部 件PASS4用於將基板W自光阻塗佈區塊3傳送至BARC區塊 2。具體言之，BARC區塊2之傳送自動機TR1接收由光阻 塗佈區塊3之傳送自動機TR2置放於基板停置部件PASS4上 之基板W。 基板停置部件PASS3及PASS4延伸穿過隔板25。基板停 置部件PASS3及PASS4中之每一者包括一光學感應器（未圖 示）’該光學感應器用於4貞測其上是否存在基板W。基於來 自感應器中之每一者之摘測訊號，進行判斷傳送自動機 TR1及TR2是否準備好轉移基板W至基板停置部件pasS3及 PASS4且自基板停置部件PASS3及PASS4接收基板冒。用於 粗略冷卻基板W之水冷式類型的一對（上部及下部）冷卻板 WCP提供於基板停置部件PASS3及PASS4下方，且延伸穿 過隔板25。 光阻塗佈區塊3為用於將光阻塗覆於由BARC區塊2塗佈 有抗反射薄膜之基板W上以形成光阻薄膜的處理區塊。在 此較佳實施例中，經化學放大之光阻用作光阻劑。光阻塗 佈區塊3包含：一光阻塗佈處理器SC，其用於藉由在充當 110028.doc •15· 1323831 底塗層薄膜之抗反射薄 虛心。 相上#佈㈣成光阻-對敌 執订伴酼先阻塗佈製程之熱處理；及值 运自動機TR2，其用於將其缸， 及傳
基板W轉移至光阻塗佈處理SP
及该對熱處理塔3 1，且自并阻泠仗* 〇 C 且目先阻塗佈處理器Sc及該 塔31接收基板W。 /對熱處理 在光阻區塊3中，光阻塗佈處理 舶¥狄油 命儿及及對熱處理塔31 配置於傳送自動機TR2之相對側上。且
處理器sc位於基板處理裝置…/、 先阻塗佈 〜裝置之正側上，且該對熱處理塔31 ^於其背側上。另外’未圖示之熱障壁提供於該對熱處理 » 1之正側上。因此’藉由將光阻塗佈處理器％與該對熱 處理塔31間隔開及藉由提供熱障壁來避免光阻塗佈處判 sc上之該對熱處理塔31之熱效應。 。 如圖2中所展示，光阻塗佈處理器sc包括三個在構造上 彼此類似且以自下至上次序之堆疊關係來配置之塗佈處理 組件SCI、SC2及SCp三個塗佈處理組件％、scusc3 共同稱作光阻塗佈處理器SC，除非另外標識。塗佈處理組 件SCI、SC2及SC3中之每一者包括：一旋轉夾盤32，其用 於在大體水平面上旋轉基板W，同時在吸力下將基板貿固 持於大體上水平位置；一塗佈噴嘴33，其用於將光阻溶液 塗覆於固持於旋轉夾盤32上之基板|上；一旋轉馬達（未圖 示）’其可用於旋轉地驅動該旋轉夾盤32 ; 一環繞固持於 旋轉夹盤32上之基板W的套（未圖示）及其類似物。 如圖3中所示’較罪近分度器區塊1之—熱處理塔η包括 /λ個以自下至上次序之堆璧關係配置之加熱部件PHP1至 110028.doc -16- PHP6 ’其用於將基板|加熱至預定溫度。較遠離分度器區 另熱處理塔3 1包括以自下至上次序之堆疊關係配 f之冷卻板CP4至CP9,其用於將經加熱之基板〜冷卻至預 定溫度且將基板W維持於該預定溫度。 加熱部件PHPUPHP6中之每—者為—熱處理組件，除 了用於加熱置放於其上之基板…之普通加熱板之外，其還 包括一用於將基板W置放於與加熱板間隔開之上部位置中 的臨時基板停置部件，及一用於在加熱板與臨時基板停置 部件之間傳送基板W之局部傳送機制34(參看圖υ。局部傳 f機制34能夠垂直移動及來回移動，且包括—詩藉由循 %其中之冷卻水來冷卻正被傳送之基❹之機制。 局部傳送機们4提供於以上所提及之加熱板及臨時基板 =置部件與傳送自動機TR2相對之側上，_，提供於基板 沒理裝置之背側上。該臨時基板停置部件具有面向傳送自 動機TR2之開放側及面向局部傳送機制处開放側兩者。 另方面，加熱板僅具有面向局部傳送機制34之開放側及 面向傳送自動機TR2之封閉側。因此，傳送自動機加及 局部傳送機制34兩者均可近接臨時基板停置部件，但僅有 局部傳送機制34可近接該加熱板。 基板W以以下待描述之方式傳送至以上所提及加熱部件 PHP1至PHP6中之每一者中。首先，傳送自動機TR2將基 置放於臨時基板停置部件上。隨後，局部傳送機㈣ 自私時基板停置部件接收基板心將該基㈣傳送至加轨 板。加熱板在基板W上執行加熱製程。局部傳送機制“將 110028.doc -17· 1323831 經文加熱板之加熱製程之基板w取出且將該基板w傳送至 臨時基板停置部件。在傳送期間，基板冒由局部傳送機制 34之冷卻功能來冷卻。此後，傳送自動機TR2將經受加熱 製程且被傳送至臨時基板停置部件之基板w取出。 如以上所討論，傳送自動機TR2僅轉移基板貨至每一加 熱部件PHP1至PHP6中保持於室溫下之臨時基板停置部件 且僅自其接收基板W，但是不直接將基板w轉移至加熱板 及自加熱板接收基板W。此避免傳送自動機TR2溫度升 尚。僅具有面向局部傳送機制34之開放側的加熱板防止自 加熱板洩漏之熱氣氛影響傳送自動機TR2及光阻塗佈處理 器SC。傳送自動機TR2直接將基板w轉移至冷卻板cp4至 CP9且自冷卻板CP4至CP9直接接收基板w。 傳送自動機TR2在構造上與傳送自動機TR1完全一致。 因此’傳送自動機TR2能夠使其之該對固持臂中之每一者 可獨立地近接基板停置部件PASS3及PASS4 '熱處理塔” 中所提供之熱處理組件、光阻塗佈處理器sc中所提供之塗 佈處理組件及稍後將描述之基板停置部件PASS5及 PASS6，進而將基板w轉移至以上所提及之部件及組件且 自以上所提及之部件及組件接收基板w。 接著’將描述顯影處理區塊4。提供該顯影處理區塊4以 夾於光阻塗佈區塊3與界面區塊5之間。用於阻塞氣氛流通 之隔板35亦提供於光阻塗佈區塊3與顯影處理區塊4之間。 該隔板35具備垂直配置之基板停置部件對pASS5及 PASS6，每一者用於將基板W置放於其上以在光阻塗佈區 110028.doc •18- 1323831 塊3與顯影處理區塊4之間轉移基板w。基板停置部件 PASS5及PASS6在構造上類似於以上所提及之基板停置部 件PASS1及PASS2 。 上部基板停置部件PASS5用於將基板W自光阻塗佈區塊3 傳送至顯影處理區塊4。具體言之，顯影處理區塊4之傳送 自動機TR3接收由光阻塗佈區塊3之傳送自動機TR2置放於 基板停置部件PASS5上之基板w»另一方面，下部基板停 置部件PASS6用於將基板w自顯影處理區塊4傳送至光阻塗 佈區塊3。具體言之，光阻塗佈區塊3之傳送自動機TR2接 收由顯影處理區塊4之傳送自動機TR3置放於基板停置部件 PASS6上之基板W。 基板停置部件PASS5及PASS6延伸穿過隔板35。基板停 置部件PASS5及PASS6中之每一者包括一光學感應器（未圖 示）’其用於偵測其上是否存在基板We基於來自感應器中 之每一者之偵測訊號，進行判斷傳送自動機TR2及TR3是 否準備好轉移基板w至基板停置部件PASS5及PASS6且自 基板停置部件PASS5及PASS6接收基板W。用於粗略冷卻 基板w之水冷式類型的一對（上部及下部）冷卻板wcp提供 於基板停置部件PASS5APASS6丁方，且延伸穿過隔板 35 ° 顯影處理區塊4為用於在經曝光基板…上執行顯影處理 之處理區塊。顧影處理區塊4包含：一顯影處理器SD，其 用於將顯影溶液塗覆於曝光於一圖案中之基板％上以執行 顯影製程；一對熱處理塔41及42’其用於執行伴隨顯影： 110028.doc •19·
1323831 私之熱製程；及傳送自動機TR3，其用於將基板w轉移至 顯影處理器SD及該對熱處理塔41及42且自顯影處理器SD 及該對熱處理塔41及42接收基板冒。傳送自動機TR3在構 造上與以上所提及之傳送自動機TR1及TR2完全一致。 如圖2中所展示’顯影處理器SD包括五個在構造上彼此 類似且以自下至上次序之堆疊關係來配置之顯影處理組件 SD1、SD2、SD3、SD4及SD5。該等五個顯影處理組件 SD1至SD5共同稱作顯影處理器SD，除非另外標識。顯影 處理組件SD!至SD5中之每一者包括：一旋轉夾盤43，其 用於在大體水平面上旋轉基板貿同時在吸力下將基板貿固 持於大體上水平位置；一喷嘴44，其用於將顯影溶液塗覆 於固持於旋轉夾盤43上之基板w上；一旋轉馬達（未圖 示）’其可用於旋轉地驅動該旋轉夾盤43 ; 一環繞固持於 旋轉夾盤43上之基板W的套（未圖示）及其類似物。 如圖3中所示，較靠近分度器區塊1之一熱處理塔41包括 用於將基板W加熱至預定溫度之五個加熱板只|>7至Hpn， 及用於將經加熱之基板W冷卻至預定溫度且將基板w維持 在該預定溫度之冷卻板CP10至CP13。在此熱處理塔41 中’冷卻板CP 10至CP 13及加熱板HP7至HP 11以自下至上 次序之堆疊關係配置。另一方面’較遠離分度器區塊j之 熱處理塔42包括以堆疊關係配置之六個加熱部件至 PHP12及冷卻板CP14。與以上所提及之加熱部件ρΗρι至 PHP6—樣’加熱部件PHP7至PHP12中之每一者為一包括 臨時基板停置部件及局部傳送機制之熱處理組件。然， 110028.doc -20- 1323831 加熱部件冊7至PHP12中之每—者之臨時基板停置部件及 冷卻板CP14具彳一面向界面區塊5之傳送自動機tr4之開 放側及-面向顯影處理區塊4之傳送自動機τ r 3之封閉側。 換言之，界面區塊5之傳送自冑機TR4可近接加熱部件 PHP7至PHP12及冷卻板CP14，但是顯影處王里區塊4之傳送 自動機TR3不能近接其處。顯影處理區塊4之傳送自動機 TR3可近接倂入熱處理塔41中之熱處理組件。 用於在顯影處理區塊4與鄰近於其處之界面區塊5之間轉 移基板w之彼此接近之垂直配置的基板停置部件對pAss7 及PASS8倂入熱處理塔42之頂層中。上部基板停置部件 PASS7用於將基板w自顯影處理區塊4傳送至界面區塊5。 具體言之，界面區塊5之傳送自動機TR4接收由顯影處理區 塊4之傳送自動機TR3置放於基板停置部件ρΑ%7上之基板 w。另一方面，下部基板停置部件PASS8用於將基板w自 界面區塊5傳送至顯影處理區塊4。具體言之，顯影處理區 塊4之傳送自動機TR3接收由界面區塊5之傳送自動機丁 置放於基板停置部件PASS8上之基板W。基板停置部件 PASS 7及PASS 8中之每一者包括面向顯影處理區塊4之傳送 自動機TR3之開放侧及面向界面區塊5之傳送自動機TR4之 開放側兩者。 接著’將描述界面區塊5。界面區塊5為一提供於鄰近顯 衫處理區塊4處之區塊。界面區塊5接收錯由來自光阻塗佈 區塊3之光阻塗佈製程而在其上形成光阻薄膜之基板w， 以將該基板W轉移至曝光組件EXP ’該曝光組件Εχρ為一 110028.doc 21 1323831 與根據本發明之基板處理裝置分離之外部裝置。又，界面 區塊5自曝光組件Εχρ接收一經曝光之基板w以將該經曝光 基板W轉移至顯影處理區塊*。此較佳實施例中之界面區 塊5包含：一傳送機制55，其用於將基板w轉移至曝光組 件EXP且自該曝光組件Εχρ接收基板w ; 一對邊緣曝光組 件EEW1及EEW2，其用於曝光形成有光阻薄膜之基板臂之 周邊；及傳送自動機TR4,其用於將基板w轉移至顯影處 理區塊4中所提供之加熱部件]?111>7至卩111>12及冷卻板cp14 及邊緣曝光組件EEW1及EE W2，且自顯影處理區塊4中所 提供之加熱部件PHP7至PHP12及冷卻板（：1>14及邊緣曝光組 件EEW1及EEW2接收基板w。 如圖2中所展示，邊緣曝光組件EEW1及EEW2中之每一 者（共同稱作邊緣曝光部件EEW，除非另外標識）包括：一 旋轉夹盤56,其用於在大體水平面上旋轉基板冒同時在吸 力下將基板w固持於大體水平位置，·一光輻射器57，其用 於將固持於旋轉夾盤56上之基板W之周邊曝光，及其類似 物。該對邊緣曝光組件EEW 1及EEW2以垂直堆疊關係配置 於界面區塊5之中心。鄰近邊緣曝光部件EEW及顯影處理 區塊4之熱處理塔42處提供之傳送自動機TR4在構造上類似 於以上所提及之傳送自動機TR1至TR3。 亦如圖2中所說明，用於返回基板w之返回緩衝器rbf提 供於該對邊緣曝光組件EEW1及EEW2之下方，且該對垂直 配置之基板停置部件PASS9及PASS10提供於返回緩衝器 RBF之下方。若顯影處理區塊4由於某種故障及其類似物 110028.doc 22· 1^23831
而不能在基板W上執行顯影製程，則提供返回缓衝器RBF 以臨時儲存經受顯影處理區塊4之加熱部件？11?7至phP12 中之後曝光加熱製程的基板返回緩衝器RBF包括一能 夠以多層形式儲存複數個基板w之箱。上部基板停置部件 PASS9用於將基板w自傳送自動機TR4轉移至傳送機制 55。下部基板停置部件pAssl〇用於將基板貨自傳送機制55 轉移至傳送自動機TR4。傳送自動機TR4可近接返回緩衝 器 RBF 〇 如圖2中所說明，傳送自動機55包括可在γ方向上水平移 動之可移動基座55a及安裝於該可移動基座55a上且用於固 持基板w之固持臂55b。固持臂55b能夠相對於可移動基座 55a在樞軸半徑方向上垂直移動、樞轉及來回移動。藉由 此配置’傳送機制5 5轉移基板W至曝光組件EXP且自其接 收基板W ’轉移基板w至基板停置部件pasS9及PASS10且 自其接收基板W，且將基板w儲存於用於發送基板w之發 送緩衝器SBF中及將基板w自其中取出。若曝光組件Εχρ 不能接受基板w ’則提供發送緩衝器SBF以在曝光製程之 前臨時儲存基板W且該發送緩衝器SBF包括一能夠以多層 形式儲存複數個基板W之箱。 清潔空氣之向下流動總是供應至以上所描述之分度器區 塊1、BARC區塊2、光阻塗佈區塊3、顯影處理區塊4及界 面區塊5’進而避免在個別區塊1至5中之製程中所產生之 上升粒子及氣流之不利效應。另外，在每一區塊丨至5中維 持相對於基板處理裝置之外部環境之輕微的正壓以防來自 110028.doc -23· 1323831 外部環境之粒子及污染物進入區塊1至5。 如以上所描述之分度器區塊1、BARC區塊2、光阻塗佈 區塊3、顯影處理區塊4及界面區塊5為以機械術語來劃分 此較佳實施例之基板處理裝置之組件。區塊1至5分別組褒 成個別區塊框架’其依次連接在一起以構造基板處理裝 置。 · 、 另方面’除了基於以上所提及機械劃分之組件的區塊 之外’此較佳實施例利用另一類型之組件，即關於基板傳 送之傳送控制組件。關於基板傳送之傳送控制組件在本文 中稱作"單元”。該等單元中之每一者包含負責傳送基板之 傳送自動機及一傳送目標部件（傳送自動機將基板傳送至 該處）。以上所描述之基板停置部件中之每一者充當一用 於將基板W接收於一單元中之入口基板停置部件或充當一 將基板W自一單元中轉移出來之出口基板停置部件。單元 之間之基板W之轉移經由基板停置部件來進行。構成單元 之傳送自動機包括分度器區塊1之基板轉移機制12及界面 區塊5之傳送機制55。 在此較佳實施例中之基板處理裝置包含六個單元：一分 又器單元 B ARC單元、一光阻塗佈單元、一顯影處理 =元、-後曝光❹單元及—界面單元。分度器單元包括 台11及基板轉移機制12 ’且因此在構造上與分度器區塊 1(其為基於機械劃分之組件中之-者）類似。BARC單元包 括底部塗佈處S||BRC、熱處理塔對21及傳送自動機 TIU。BARC單元亦因此在構造上與barc區塊2(其為基於 I I0028.doc -24· 1323831 機械劃分之組件中之一者）類似。光阻塗佈單元包括光阻 塗佈處理器SC、熱處理塔對31及傳送自動機TR2〇光阻塗 佈單元亦因此在構造上與光阻塗佈區塊3(其為基於機械劃 分之組件中之一者）類似。 顯影處理單元包括顯影處理器31)、熱處理塔41及傳送 自動機TR3。由於傳送自動機TR3不能近接如以上所討論 . 之熱處理塔42之加熱部件PHP7至PHP12及冷卻板CP14，所 φ 以顯影處理單元不包括熱處理塔42。在此態樣中，顯影處 理單元不同於顯影處理區塊4(其為基於機械劃分之組件中 之一者）。 後曝光烘焙單元包括定位於顯影處理區塊4中之熱處理 塔42、疋位於界面區塊5中之邊緣曝光部件eew及定位於 界面區塊5中之傳送自動機TR4e即’後曝光烘焙單元在顯 影處理區塊4及界面區塊5(兩者為基於機械劃分之組件）上 延伸。以此方式，構成一包括用於執行後曝光加熱製程之 鲁 加件PHP7至PHP12的單元，且傳送自動機TR4允許經 曝光基板w快速傳送至加熱部件PHp7至pHp】2中以執行熱 製程。此配置較佳供化學放大之光阻使用，該化學放大之 光阻在基板W曝光於—圖案中之後要求儘快經受加熱製 程。 提供，，，、處理塔42中所包括之基板停置部件pASS7及 PASS8以用於在顯影處理單元之傳送自動機τ们與後曝光 烘培單元之傳送自動機TR4之間轉移基板w。
界面單元包括傳送機制55，該傳送機制Η用於將基板W 110028.doc •25- 轉移至曝光組件EXP(其為外部裝置）且自其接收基板W。 界面單元與基於機械劃分之組件中之一者的界面區塊5之 不同之處在於該界面單元不包括傳送自動機tr4及邊緣曝 光部件薦。提供邊緣曝光部件EEW下方之基板停置部件 PASS9及PASS1G以用於在後曝光烘培單元之傳送自動機 TR4與界面單（之傳送機制55之間轉移基板w。 將描述此較佳實施例之基板處理裝置中之控制機制。圖 6為控制機制之示意性方塊圖。如圓6中所示，此較佳實施 例之基板處理裝置具有包含主控制器MC、單元控制器Μ 及=件控制器之三階層控制架構。主控制器mc、單元控 制器CC及組件控制器在硬體構造上類似於典型電腦。具 體言之^該等控制器中之每一者包含：一咖，其用於執 订各種什算過程；- R〇M或唯讀記憶體，其用於將基本程 式儲存於其中；- RAM或可讀/可寫入記憶體，其用於將 各種資訊片斷健存於其中；一磁碟，其用於將控制應用程 式及資料儲存於其中，及其類似物。 第一階層處之單—主控制器歡經提供以用於整個基板 處理裝置’且其主要負責整個基板處理裝置之管理、主面 板MP之管理及單元控制器cc之管理。主面板Mp充當用於 主控制之顯示器。各種命令可由鍵盤kb輸人至主控 制器則中。主面板⑽可以觸控面板之形式，使得使用者 自主面板ΜΡ將輸入程序執行至主控制中。 第二階層處之單元控制器cc經個別提供於與六個單元 (分度器單元、BARC單元、光阻塗佈單元、顯影處理單 110028.doc •26· 元、後曝光烘培單元及界面單元）對應之處。單元控制器 CC中之每一者主要負責基板傳送之控制及對應單元中之 組件之管理。具體言之’用於個別單元之單元控制器CC 以以下方式來發送及接收資訊：用於第一單元之第一單元 控制IsCC：將指示基板放於預定基板停置部件上之資訊 發送至用於鄰近於該第一單元之第二單元的第二單元控制 器CC’及用於已接收基板…之第二單元之第二單元控制器 CC將指示基板㈣預定基板停置部件接收之資訊發送回至 第一單元控制IICC。此資訊發送及接收藉由主控制器Mc 來進行。單元控制器CC中之每—者將指示基板料送至對 應單元中之資訊提供至傳送自動機控制器TC，其接著控制 對應傳送自動機以根據預定程序來循環傳送對應單元:之 基板W。傳送自動機控制器TC4藉由對應單元控制器 中之預定應用程式之運行來建構的控制器。 :三階層處之組件控制器實例包括旋轉控制器及烘焙控 制器。旋轉控制器根據由對應單元控制see給出之指令 來直接控制對應單元中所提供之旋轉組件(塗佈處理：： 及顯影處理組件）。具體言之，旋轉控制器控制（例如卜用 於一旋轉組件之旋轉馬達以調整基板，之旋轉數目。供焙 控制器根據由對應單元控制器cc給出之指令來直接㈣ 對應單元中所提供之熱處理組件（加熱板、冷卻板、力L 部件及其類似物)。具體言之，烘培控制器控制(例如)併： 加熱板之加熱器以調整板溫度及其類似物。 經由LAN線連接至基板處理裝置之主電腦1〇〇列為比基 U0028.doc •27- 板處理裝置中所提供之三階層控制架構(參看圖1)更高階層 ，，制機制。主電腦100包含：一CPU，其用於執行各種 计异過程；-RQM或唯讀記憶體，其用於將基本程式儲存 於其中，一 RAM或可讀/可寫入記憶體，其用於將各種資 ^片斷儲存於其中；一磁碟，其用於將控制應用程式及資 料儲存於其中，及其類似物。主電腦100在構造上類似於 典型電腦。通常，根據此較佳實施例之複數個基板處理裝 置連接至主電腦1〇(^主電腦1〇〇將含有關於處理程序及處 理條件之描述的方法提供至連接至其處之基板處理裝置中 的每一者。由主電腦1〇〇所提供之方法儲存於基板處理裝 置之每一者之主控制器厘(：的儲存部件（例如，記憶體）中。 曝光組件EXP具備與以上所提及之基板處理裝置之控制 機制無關的獨立控制器。換言之，曝光組件Εχρ不在基板 處理裝置之主控制器MC之控制下操作，而僅控制其自身 操作。此曝光組件ΕΧΡ亦根據自主電腦1〇〇接收之方法來 控制其自身操作，且基板處理裝置執行與曝光組件Εχρ中 之曝光製程同步之製程。 將描述此較佳實施例之基板處理裝置之操作。首先，將 對用於在基板處理裝置中循環傳送基板w之通用程序給出 簡要描述《以下將描述之處理程序係根據自主電腦1〇〇接 收之方法之描述。 首先，盒c中所儲存之未經處理之基板w藉由AGV(自動 導引車）及其類似物自基板處理裝置之外部傳送至分度琴 區塊1中。隨後，未經處理之基板w自分度器區塊i向外轉 I10028.doc •28· 1323831 移。具體言之，分度器單元（或分度器區塊1)中之基板轉移 機制12將未經處理之基板W自預定盒C取出，且將未經處 理之基板W置放於基板停置部件PASS1上。在未經處理之 基板W置放於基板停置部件PASS 1上之後，BARC單元之傳 送自動機TR1使用固持臂6a及6b中之一者來接收未經處理 之基板W。傳送自動機TR1將所接收之未經處理基板贾傳 • 送至塗佈處理組件BRC1至BRC3中之一者》在塗佈處理組 φ 件BRC1至BRC3中，基板W旋塗有用於抗反射薄膜之塗層 溶液。 在塗佈製程完成之後，傳送自動機TR1將基板W傳送至 加熱板HP 1至HP6中之一者。在加熱板中加熱基板w乾燥 塗層溶液以形成充當基板W上之底塗層之抗反射薄膜β其 後’傳送自動機TR1將基板W自加熱板中取出，且將基板 w傳送至冷卻板<：1>1至(：：1>3中之一者，其依次冷卻基板w。 在此步驟中，冷卻板WCP中之一者可用於冷卻基板w。傳 • 送自動機TR1將所冷卻之基板w置放於基板停置部件 PASS3上。 或者’傳送自動機TR1可用以將置放於基板停置部件 PASS1上之未經處理之基板w傳送至黏著促進處理部件 AHL1至AHL3中之一者。在黏著促進處理部件AHLi至 AHL3中，基板貨係在HMDS之蒸汽氣氛中進行熱處理，藉 以促進光阻薄膜至基板w之黏著。傳送自動機TR1取出經 文黏著促進製程之基板评，且將該基板w傳送至冷卻板 CP 1至CP3中之一者，其依次冷卻基板w。由於無抗反射薄 110028.doc •29·
1323831 膜將形成於經受黏著促進製程之基板w上，因此經冷卻之 基板W藉由傳送自動機TR1而直接置放於基板停置部件 PASS3上。 可在塗覆用於抗反射薄膜之塗層溶液之前來執行脫水製 程。在此情況下’傳送自動機TR1將置放於基板停置部件 PASS 1上之未經處理之基板w首先傳送至黏著促進處理部 件AHL1至AHL3中之一者。在黏著促進處理部件AHL j至 AHL3中，在基板w上執行僅用於脫水之加熱製程（脫水烘 焙）而無需供應HMDS蒸汽氣氛。傳送自動機TR1取出經受 用於脫水之加熱製程之基板W，且將該基板w傳送至冷卻 板CP1至CP3中之一者，其依次冷卻基板w。傳送自動機 TR1將經冷卻之基板w傳送至塗佈處理組件brc 1至BRC3 中之一者。在塗佈處理組件3尺(：1至3尺(：3中，基板w旋塗 有用於抗反射薄膜之塗層溶液。其後，傳送自動機TR1將 基板W傳送至加熱板HP1至HP6中之一者。在加熱板中加 熱基板W，形成充當基板W上之底塗層之抗反射薄膜。其 後，傳送自動機TR1自加熱板取出基板w，且將該基板w 傳送至冷卻板〇1>1至〇：1>3中之一者，其依次冷卻基板w。接 著，傳送自動機TR1將經冷卻之基板冒置放於基板停置部 件PASS3上。 在基板w置放於基板停置部件PASS3上之後，光阻塗佈 單元中之傳送自動機TR2接收基板w’且將該基板w傳送 至塗佈處理組件sclssC3中之一者。在塗佈處理組件sci 至SC3中，基板w旋塗有光阻。由於光阻塗佈製程要求精 110028.doc -30- 1323831 確的基板溫度控制，因此，基板w可在被傳送至塗佈處理 組件SCI至SC3之前，立即被傳送至冷卻板CP4至CP9中之 一者。 在光阻塗佈製程完成$後，傳送自動機TR2將基板W傳 送至加熱部件PHP1至PHP6中之一者。在加熱部件PHP1至 PHP6中，加熱基板W自光阻移除溶劑成份以在基板W上形 成光阻薄膜。其後，傳送自動機TR2自加熱部件PHP1至 PHP6中之一者取出基板W，且將該基板W傳送至冷卻板 CP4至CP9中之一者，其依次冷卻基板W。接著，傳送自動 機TR2將經冷卻之基板W置放於基板停置部件PASS5上。 在藉由光阻塗佈製程而在其上形成光阻薄膜之基板W置 放於基板停置部件PASS5上之後，顯影處理單元中之傳送 自動機TR3接收基板W，且將基板W置放於基板停置部件 PASS7上而無需對基板W進行任何處理。接著，後曝光烘 焙單元中之傳送自動機TR4接收置放於基板停置部件 PASS7上之基板W，且將基板W傳送至邊緣曝光組件EEW1 至EEW2中之一者。在邊緣曝光組件EEW1與EEW2中，基 板W之周邊邊緣部分曝光。傳送自動機TR4將經受邊緣曝 光製程之基板W置放於基板停置部件PASS9上。界面單元 中之傳送機制55接收置放於基板停置部件PASS9上之基板 W，且將該基板W傳送至曝光組件EXP中。傳送至曝光組 件EXP中之基板W經受圖案曝光製程。因為化學放大之光 阻用於此較佳實施例中，所以藉由基板W上所形成之光阻 薄膜之曝光部分中之光化學反應來形成酸。經受邊緣曝光 110028.doc 31
1323831 製私之基板W可藉由傳送自動機TR4來傳送至冷卻板CP 14 • 中且在被傳送至曝光組件EXP之前在冷卻板CP14t經受冷 卻製程。 I受圖案曝光製程之曝光基板W再次自曝光組件Εχρ傳 • 送回至界面單元。傳送機制55將經曝光之基板w置放於基 .板置部件P A S S 1 0上。在曝光基板w置放於基板停置部件 PASS 1 0上之後，後曝光烘焙單元中之傳送自動機tr4接收 • 基板W，且將该基板W傳送至加熱部件pHP 7至PUP 12中之 一者。在加熱部件PHP7至PHpi2f，執行加熱製程（後曝 光烘焙），其藉由將曝光製程期間由光化學反應所形成之 產物用作酸催化劑來引起光阻樹脂之諸如交聯、聚合及其 類似反應之反應的進行，進而局部地僅改變光阻樹脂之經 曝光部分在顯影溶液中之溶解度。具有冷卻機制之局部傳 送機制（加熱部件ρ Η P 7至Ρ Η P i 2中之一者中之傳送機制； 參看圖1)傳送經受後曝光烘焙製程之基板w藉此冷卻該基 • 板貿，藉此以上所提及之化學反應停止。隨後，傳送自動 機TR4自加熱部件PHP7至PHP12中之一者取出基板w，且 將該基板w置放於基板停置部件PASS8上。 在基板W置放於基板停置部件PASS8上之後，顯影處理 單元中之傳送自動機TR3接收基板霄，且將該基板w傳送 至冷卻板CPU)至CP13中之一者。在冷卻板cpi(^cpi3 中，經受後曝光烘焙製程之基板…進一步經冷卻且正好控 制於預定溫度。其後，傳送自動機TR3自冷卻板CP10至 CP13中之—者取出基板w，且將該基板料送至顯影處理 110028.doc -32· 1323831 組件SD1至SD5中之一者。在顯影處理組件SD1至s〇5中， 將顯影溶液塗覆於基板…上以引起顯影製程的進行。在顯 影製程完成之後’傳送自動機TR3將基板w傳送至加熱板 HP7至HP11中之-者，且接著將基板料送至冷卻板⑽ 至CP13中之一者。
PASS6上。光阻塗佈單元中之傳送自動機tr2自基板停置 部件PASS6將基板W轉移至基板停置部件pAss4上而無需 對基板w進行任何處理。接著，BARC單元中之傳送自^ 機TR1自基板停置部件PASS4將基板w轉移至|板停置部 件PASS2上而無需對基進行任何處理，藉此基板赠 存於分度器區塊1中。接著’分度器單元中之基板轉移機 制12將固持於基板停置部件p A s s 2上之經處理基板w儲存 於預定盒c中。其後中儲存預絲目之經處理基板w 因此，完成一系列光
其後，傳送自動機TR3將基板|置放於基板停置部件 之盒C傳送至基板處理裝置之外部 微影製程。 以上所提及之該系列光微影製程包括多個並行製程，其 依次由複數個並行處理部件來執行。圖7及圖8為展示根據 此較佳實施狀基板處理裝置中之並行處理部件的圖。圖 7展示用於在曝光組件Εχρ中之曝光製程之前執行並行製 程之並行處理部件，及圖8展㈣於在曝光製程之後執行 並行製程之並行處理部件。在圖7及圖8中，^成在每一 列中以平行並肩關係配置之複數個處理組件（基板處理部 件）為-組並行處理部件，其用於在方法中所描述之相同 110028.doc -33· 處理步驟中相同條件下之執行製程。舉例而言，圖7中所 展示之三個塗佈處理組件scn、SC2及sC3為一組並行處理 部件，其用於在光阻塗佈製程步驟中相同條件下執行光阻 塗佈製程。類似地，圖8中所展示之六個加熱部件pHp7至 PHP12為一組並行處理部件，其用於在後曝光加熱處理步 驟中相同條件下之執行加熱製程。用於執行並行製程之並
订處理部件展示成根據以上所提及之光微影製程之序列的 自上至下次序來配置。
由於提供每一組中之此等並行處理部件以用於在相同條 件下執行製程，因此在每一組中之並行處理部件中執行相 同製程。舉例而言，在塗佈處理組件sc丨及sc3中，在相 同氣氛溫度及濕度條件下同時以相同速率釋放光阻溶液， 在相同時間週期中以相同rpm旋轉基板。因此，待處理 之基板W傳送至無論哪個並行處理部件基本上無差異。基 =j，（例如）即使當基板…傳送至並行處理部件時（其在執 饤母一並行製程階段中為空閒的）亦可獲得相同處理結 果0 &然而微差異不可避免地存在於每—組中之並行處理 、 門且在基板之間之處理結果中引起輕微變化，如 以上所描述。舉例而言，形成於經受塗佈處理組件sci中 光P塗佈製私之基板上之光阻薄膜的厚度及形成於經受 塗佈處理組件SC3中之光阻塗佈製程之基板上的光阻薄膜 的厚度在微觀觀點上產生不同結p根據近年來品質控制 所要求等級’甚至處理結果中之此等輕微變化亦被視作 110028.doc -34· 問題，亦如以上所描述。 為了解決該問題，根據本發明之純處理裝置執行以下 *述之處S圖9為展不用於根據本發明之基板處理铲 ，中之處理之程相流程圖。首先，在未經處理之基❹ 自分度器區塊1向外韓蒋夕义 锝移之别，裝置之操作者選擇基板傳 送模式以將所選擇之模式輸人基板處理裝置中（在步驟81 中）。此模式選擇可藉由自主面板Mp或經由主電腦⑽直接 幹1入來進行。存在兩個可選擇模式”產出優先模式"及 處理序列優先模式·'。 當選擇"處理序列優先模式"時，程序進行至步驟Μ，立 中用於未經處理之基之傳送路徑在未經處理之基 自=度器區塊！向外轉移之前縣界I傳送路徑由主控 制器MC來界定。該傳送路徑之界定藉由判定待處理之基 板W將傳送至用於執行每—並行製程之並行處理部件中之 哪-者來進行。具體言之，判定基板w將傳送至用於執行 塗覆用於抗反射薄膜之塗層溶液之並行製程的三個塗佈處 理組件BRCH至BRC3中之哪一者。接著，判定基板w將傳 送至用於執行隨後加熱製程（其為另一並行製程）之六個加 熱板HP1至HP6巾之哪-者。對於隨後之並行製程，判定 基板W將傳送至並行處理部件中之哪—者，藉此界定傳送 路徑。任何標準可用於判定基板赠傳送至並行處理部件 中之哪-者。作為-實例’由於敎基板在基板w傳送至 塗佈處理組件BRC1i前立即經處理，因此可判定基板w 將傳送至不同於塗佈處理組件BRC1之塗佈處理組件 110028.doc •35- 1323831 BRC2。並非總是必須界定用於執行第—並行製程一 • 奸處理部件與㈣執行第：並行製程之第：處理部件彼 此一對一固定對應的傳送路徑。舉例而言，者為第— W界定第-傳送路徑以使第一基板w在被傳：至二 =之後傳送至加熱板HP1時，可為第二基板= .以使第二基板w在被傳送至塗佈處理組件 之後傳送至加熱板HP3。 •在二：示Γ上所提及之方式界定之傳送路徑的實例。 為基板_傳送到的目的之並行處理部 繞。圖10中僅展示-種類型之傳送路徑 疋之不同傳送路經類型之數目等於用於執行個別並行製= 之並行處理部件數目之乘積。 山丁氣私 π接:對：：進行至步驟S3’其中基於所界定之傳送路 ur為傳送路徑中所包括之基板處理部件及 為執行曝光製程之前及之後 ”及 ^ ^ ^ / π τ <表私建立的處理條 齡叫準處理條件）進行 單元控制器給出之指令來鮮Α件控制"根據由對應 為母一基板處理部件所建立 =:處主電腦100所給出方法中所描述之條件為用 仏付马基板處理部件建 言，午建立之處理條件的標準設定。舉例而 理溫度時，田述C之後曝光加熱處 時4加熱部件咖⑴肝⑽於 熱製程之標準溫度亦為110。〇。 ^先加 時，該方法中所描述之停件提心：處，全付合條件 稱作”標準處理結果Ί。供所要之處理結果（下文中 n0028.doc 1323831 :步驟S3中’調整在該方法中為基板處 理條件以當基板|沿著步驟s 建之處 . 中所界定之傳送路徑傳送眭 &供標準處理結果。關於為 ' 件應調整至何種程度以提供標準處條 (:審二且藉由試驗為每-傳送路徑類型而獲得，且 (例如^控制讀之儲存部件控制器中者 自主控制器MC之儲存部件结你姐此 百 刑从袖* 件6貝取對應於所界定傳送路徑類 ^的調整資訊，且根據調整資訊給“令至對應 Γ错此調整為基板處理部件所建立之處理條件。作為1 貫例，當如圖1〇中所展示之傳送路徑在步驟S2中界定時， ^於圖1G之傳送路徑之調整資訊被讀取。根據所讀取之 调整貧訊’例如’可將為塗佈處理組件⑽所建 啊調整為-稍微高於方法中所摇述之標準啊的值， 將為加熱部件卿10所建立之溫度調整為—稍微低於方法 中所描述之標準溫度的值。可調整項包括（例如）基板之 -、旋轉時間、氣氛溫度、氣氛濕度、釋放液體之流動 速率、所釋放液體之總量、液體釋放之時序、用於旋轉紐 件（塗佈處理組件及顯影處理組件）之液體及其類似物之， 度、及用於熱處理組件(加熱板、冷卻板、加熱部件及^ 類似物）之溫度 '處理時間及其類似物。 此調整可稱作對該方法中所描述之處理條件（標準處理 條件）之精細調整。若在步驟82中界定任何傳送路徑，則 在步驟S3中之調整之後，基板w沿著傳送路徑之傳送提供 標準處理結果。 〃 110028.doc •37-
在對為基板處理部件所建立之處理條件進行調整之後， 矛王序進行至步驟S4，其中以上所提及之未經處理之基板W 自刀度盗區塊1向外轉移。向外轉移之基板1沿著步驟§2 中所界定之傳送路徑來傳送且處理（在步驟35中）。當選 擇處理序列優先模式"時，確保了基板沿步驟S2中所界定 之傳送路徑來傳送。舉例而言，若假設圖丨〇之傳送路徑在 步驟S2中經界定情況下加熱部件ρΗρι〇在執行後曝光加熱 處理步驟時被佔據，則以上所提及之基板霤經控制以保持 於待命狀態直至加熱部件PHP10變成空閒的且無誤地待傳 送至加熱部件PHP10。 以此方式，基板精確地沿著步驟82中所界定之傳送路徑 來傳送，且一系列光微影製程在步驟S3中所調整之處理條 件下執行。 另方面，當選擇，產出優先模式"時，未經處理之基板 W立即自分度器區塊！向外轉移（在步驟S6中）^基板w根據 方法中所描述之處理程序依序傳送至基板處理部件。在 "產出優先模式”中，未預先判定傳送路徑，但是基板臂基 本上傳送至每一並行處理步驟令之空閒並行處理部件（在 步羯S7中）。舉例而§，若在執行後曝光加熱處理步驟時 加熱部件PHP9為空閒的，則基板冒傳送至加熱部件 HP9。以此方式，基板依序地傳送至基板處理部件，且 執行一系列光微影製程。 以上所描述之"處理序列優先模式”與"產出優先模式，，之 間之比較如下所述。當選擇"處理序列優先模式，，時，根據 U0028.doc •38- 在基板向外轉移之前所界定 板。傳送路徑t所包括迗#來精確地傳送基 ,,y 4產·板處理部件所淦* 4 士 件經調整以基板沿㈣送路 j牛所建立之處理條 果。因此，-直產生栢〜：傳送時提供標準處理結 行處理部件之基板間 =之，穿過不同並 W狂、，°呆的變化減少了。 一方面，當選擇，，產出優先模式 步驟令基板w總是傳送至 在每並灯處理 出優弁槎* 二閒並仃處理部件。此防止，|屋 出優先H巾之產ώ變得 中之產屮缺工^ y至夕處理序列優先模式" ;，…由於未預先判定基板W將傳送至並行虛 理部件中之哪-者，因my5 村得史至並仃處 產出優先模式••不能消除並杆卢 理部件之間之輕微差異的影 月“除並订處 中 θ因此，在"產出優先模式” 中之基板之間可能發生處理結果之輕微變化。 因此’可為意欲提供具有較少變化之穩定處理結果之基 板選擇"處理序列優弁握―、，， ^ 先模式，而可為不要求處理結果具有 較高程度精確度之基板選擇，，產出衫模式"。 雖然上文描述根據本發明之較佳實施例，但是本發明不 限於以上所提及之特定實施例。舉例而言，並行處理部件 之組合並不限於圖7及圖8中所展示之彼等組合，但是可根 據並订製程&其類似物所要求之時間來使用任何組合。 另外，根據本發明之基板處理裝置之構造並不限於圖丄 至圖4中所展不之構造。然而，若傳送自動機將基板…循 %傳迗至複數個處理部件藉此在該基板w上執行預定製 私’則可對基板處理裝置之構造進行多種修改。 雖然已詳細描述本發明，但是前述描述在所有態樣中為 110028.doc -39- 1323831 說明性而非限制性的。應瞭解，在不偏離本發明之範疇的 情況下可作出大量其他修改及變化。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之基板處理裝置之平面圖； 圖2為圖1之基板處理裝置中之液體處理部件的正視圖； 圖3為圖1之基板處理裝置中之熱處理部件的正視圖； 圖4為展示在圖丨之基板處理裝置中之基板停置部件之周 圍構造的圖； 圖5 A為圖1之基板處理裝置中之傳送自動機的平面圖； 圖5B為圖1之基板處理裝置中之傳送自動機的正視圖； 圖6為示意性展示圖丨之基板處理裝置中之控制機制的方 塊圖； 圖7及圖8為展示圖丨之基板處理裝置中之並行處理部件 的圖； 圖9為展示用於在圖丨之基板處理裝置中處理之程序的流 程圖；及 圖1 〇展示經界定傳送路徑之實例。 【主要元件符號說明】 1 分度器區塊 2 底部抗反射塗佈區塊 3 光阻塗佈區塊 4 顯影處理區塊 5 界面區塊 6a 固持臂 110028.doc .1323831
6b 固持臂 8 基座 9a 螺紋軸 9b 馬達 9c 導軸 10a 升降機 10b 臂座 10c 馬達 11 台 12 基板轉移機制 12a 可移動基座 12b 固持臂 13 隔板 21 熱處理塔 22 旋轉夾盤 23 塗佈噴嘴 25 隔板 31 熱處理塔 32 旋轉夾盤 33 塗佈喷嘴 34 局部傳送機制 35 隔板 41 熱處理塔 42 熱處理塔 110028.doc •41 1323831 43 44 55 55a 55b 56 57 100 旋轉夾盤 喷嘴 傳送機制 可移動基座 固持臂 旋轉夾盤 光輻射器 主電腦
I10028.doc • 42·

Claims (1)

  1. 丄 公告本丨 々申請專利範圍： 一種基板處理裝置，其用於在—基板上執行-光阻塗佈 製程以將該基板轉移至—在該裝置外部之曝光組件，且 :於在-自該曝光組件返回之已曝光基板上執行一顯影 裊程，該基板處理裝置包含： ::板處理部件組，其具有用於處理一基板之複數個 二板處理料，該複數個基板處理料包㈣於在相同 處理步驟中相同條侔下舶— '、仃一製程的複數個並行處理部 仔， 一分度器部件，並用私脸,y ^ 基板虚…土八用於將-未經處理之基板轉移至該 暴扳處理部件組且用於自 理之基板；用於自6亥基板處理部件組接收-經處 …傳送兀件，其用於將一基板傳送至該分度器 §亥複數個基板處理部件； 。 一傳送路徑^元件，其用 將傳详s， 禾經處理之基板 肝得送至該複數個並行處 未經處理之美;^白吁八# 一者’藉此在該 組之前預mu— 千轉移至該基板處理部件 預先為該未經處理之基板傳 —處理條件控制元件，1 及 件所界定之哕H亥傳送路徑界定元 心< β得送路徑而調举 中之至少—者所途^ 為6亥複數個基板處理部件 部件中之至，i、—去t —處理條件，該複數個基板處理 之釘^ 包括於該傳送路徑中且在-曝光製程 之别之—步驟中執彳fH 曝光氣釭 2·如請求項丨之基板處理 衣亙其進一步包含： 11002S.doc 模式輸入元件，其用於將一處理庠 產出優先槎處理序列優先模式及一 處理程序之模式；& 用於基板 模式：:控：70件’其用於控制該傳送元件以當經由該 送路擇該處理序列優先模式時，沿著由該傳 當==所界定之該傳送路徑來傳送-基板，且 3. 行處理部件中之—基板傳送至該複數個並 T之 空閒者而無需由兮·禮y 對該傳送路徑之科定。 ㈣輕徑界定元件 種基板處理裝置，其用於一 - n 基扳上執仃一光阻塗佈 程以將該基板轉移至一在該 m ^ , 你/珉罝外口P之曝光組件，且 2在-自該曝光组件返回之已曝光基板上執行一顯影 製孝i，該基板處理裝置包含： 義板理部件組，其具有用於處理—基板之複數個 =處彳件，該複數個基板處理部件包括用於在相同 處理步驟中相同條杜丁抽一 此， π條件下執#_製程的複數個並行處理部 件， 一分度器部件 基板處理部件組 理之基板； ，其用於將一未經處理之基板轉移至該 且用於自该基板處理部件組接收一經處 Γ傳送元件’其用於將—基板傳送至該分度器部件及 該複數個基板處理部件； 一傳送路彳i界定元件，其用㈣m經處理之基板 將傳送至該複數個並行處理部件中之哪一者，藉此在噹 110028.doc •2- 未經處理之基板自該分度 组之前預先為該未經處理之移至該基板處理部件 一處理條件控制元件， 及 件所界定之該傳… 基於该傳送路徑界定元 中之至，▲路㈣調整為㈣數㈣板處理部件 T之至少一者所建立之_ 部件中之至少_者~^ 料’該複數個基板處理 之後之知Φ 料彳 1巾且在—曝光製程 之後之一步驟中執行一製程。 4·如請求項3之基板處理裝置，其進-步包含： 一模式輪入元件，並用 產出…… 處理序列優先模式及- 產出優先杈式中之一者的一輸 處理程序式；& I作為-用於-基板 2送控制元件’其用於控制該傳送元件以當經由該 模式輸人元件選㈣處理序列優先 路徑界定元件所界定 于/σ者该傳泛 ㈣W 疋之D亥傳送路徑來傳送一基板，且當 選擇该產出優先模式時，將一 走 f 基板傳送至該複數個並行 ap件中之一空閒者而益 該傳送路徑之該界定。 傳适路徑界定元件對 110028.doc
TW095112149A 2005-05-02 2006-04-06 Substrate processing apparatus TWI323831B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005134306A JP4444154B2 (ja) 2005-05-02 2005-05-02 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200707113A TW200707113A (en) 2007-02-16
TWI323831B true TWI323831B (en) 2010-04-21

Family

ID=37234591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095112149A TWI323831B (en) 2005-05-02 2006-04-06 Substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20060245855A1 (zh)
JP (1) JP4444154B2 (zh)
KR (1) KR100806418B1 (zh)
CN (1) CN100498547C (zh)
TW (1) TWI323831B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007114293A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Youthengineering Co., Ltd. ウエハー用保管庫及びその保管制御方法
JP2008233855A (ja) * 2007-02-20 2008-10-02 Nsk Ltd 露光方法
US7745095B2 (en) * 2007-07-05 2010-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and device manufactured thereby
US20090023297A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Sokudo Co., Ltd. Method and apparatus for hmds treatment of substrate edges
US20090179366A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
JP5077764B2 (ja) 2008-04-22 2012-11-21 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP5370806B2 (ja) * 2008-04-22 2013-12-18 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP5458633B2 (ja) * 2008-06-20 2014-04-02 株式会社Ｉｈｉ 処理設備及び搬送制御方法
JP5243205B2 (ja) * 2008-11-25 2013-07-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8127713B2 (en) 2008-12-12 2012-03-06 Sokudo Co., Ltd. Multi-channel developer system
JP5562561B2 (ja) * 2009-01-23 2014-07-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US8289496B2 (en) * 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
JP5469015B2 (ja) * 2009-09-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP5713081B2 (ja) * 2010-07-09 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5936853B2 (ja) 2011-12-05 2016-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP2014003164A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体装置の製造システム
CN103208448B (zh) * 2013-03-18 2015-10-21 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体晶圆传输装置
CN103760753B (zh) * 2013-12-31 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 基板烘烤装置及其温度调节方法
CN104091773B (zh) * 2014-07-11 2017-09-29 上海华力微电子有限公司 半导体制造的多平行动态流程控制方法
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN105914167B (zh) 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5536128A (en) * 1988-10-21 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for carrying a variety of products
US5237508A (en) * 1989-08-10 1993-08-17 Fujitsu Limited Production control system
KR940006241A (ko) * 1992-06-05 1994-03-23 이노우에 아키라 기판이재장치 및 이재방법
TW276353B (zh) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP3507591B2 (ja) * 1995-06-23 2004-03-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
TW309503B (zh) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3892493B2 (ja) * 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JPH10112487A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6082950A (en) * 1996-11-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Front end wafer staging with wafer cassette turntables and on-the-fly wafer center finding
US6203617B1 (en) * 1998-03-26 2001-03-20 Tokyo Electron Limited Conveying unit and substrate processing unit
US6292708B1 (en) * 1998-06-11 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Distributed control system for a semiconductor wafer processing machine
KR100792828B1 (ko) * 2000-06-06 2008-01-14 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4004248B2 (ja) * 2000-09-01 2007-11-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板検査方法
US6535784B2 (en) * 2001-04-26 2003-03-18 Tokyo Electron, Ltd. System and method for scheduling the movement of wafers in a wafer-processing tool
JP3725051B2 (ja) * 2001-07-27 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4149166B2 (ja) * 2002-01-08 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US6954711B2 (en) * 2003-05-19 2005-10-11 Applied Materials, Inc. Test substrate reclamation method and apparatus
US7308329B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-11 Olympus Corporation Method and apparatus for inspecting semiconductor wafer
JP4523513B2 (ja) * 2005-08-05 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置、基板受け渡し方法及び記憶媒体
US7657390B2 (en) * 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants

Also Published As

Publication number Publication date
US20100202867A1 (en) 2010-08-12
CN1858654A (zh) 2006-11-08
US20060245855A1 (en) 2006-11-02
JP4444154B2 (ja) 2010-03-31
KR20060114649A (ko) 2006-11-07
TW200707113A (en) 2007-02-16
JP2006310698A (ja) 2006-11-09
KR100806418B1 (ko) 2008-02-21
CN100498547C (zh) 2009-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI323831B (en) Substrate processing apparatus
JP4781832B2 (ja) 基板処理システム、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
TWI425586B (zh) 基板搬送裝置及熱處理裝置
KR100888301B1 (ko) 기판처리시스템 및 기판처리장치
KR100855777B1 (ko) 기판 처리장치와 기판 처리방법
US7364376B2 (en) Substrate processing apparatus
US7512456B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4129215B2 (ja) 基板処理装置
JP4105617B2 (ja) 基板処理装置
JP4080405B2 (ja) 基板処理装置
JP2009032898A (ja) 回転式基板処理装置
JP4202220B2 (ja) 検査装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2010129603A (ja) 基板処理装置
JP2007157896A (ja) 基板処理装置
JP2008251890A (ja) 基板処理装置
JP5270108B2 (ja) 基板処理装置
JP2005093653A (ja) 基板処理装置
JP4255791B2 (ja) 基板処理装置
JP2005093769A (ja) 基板処理装置および気圧調節方法
JP4262037B2 (ja) 基板処理装置
JP4558293B2 (ja) 基板処理装置
JP4323905B2 (ja) 基板処理装置
JP2005101079A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees