JP4786925B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
予め前記処理容器外で被処理基板の赤外線吸収率または赤外線透過率を測定する工程と、
前記赤外線吸収率または赤外線透過率の測定値に応じて、前記被処理基板の前記複数の領域に対応して設けられた前記複数のヒーターへの出力比率を選定する工程と、
前記複数の領域のうち少なくとも1つの領域に設けられた温度検知手段により前記被処理基板の温度を測定し、その測定温度と設定温度との差に応じて前記複数のヒーターへの出力を決定する工程と、
決定された前記複数のヒーターへの出力と前記選定された出力比率に基づき前記複数のヒーターへの出力を行なって被処理基板を加熱する工程と、
を含むことを特徴とする、基板処理方法が提供される。
前記処理容器内で被処理基板を基板載置面に載置する基板載置台と、
前記基板載置台に載置された被処理基板の複数の領域に対応して設けられ、前記複数の領域の温度を独立して調節する複数のヒーターと、
予め前記処理容器外で被処理基板の赤外線吸収率または赤外線透過率を測定するセンサ部と、
前記複数の領域のうち少なくとも1つの領域に設けられた温度検知手段と、
前記センサ部における前記赤外線吸収率または赤外線透過率の測定値に応じて、前記被処理基板の複数の領域に対応して設けられた前記複数のヒーターへの出力比率を選定し、前記温度検知手段により測定した前記被処理基板の測定温度と設定温度との差に応じて前記複数のヒーターへの出力を決定し、決定された前記複数のヒーターへの出力と前記選定された出力比率に基づき前記複数のヒーターへの出力を制御する制御部と
を備え、
前記制御部により前記複数のヒーターへの出力を制御しつつ前記被処理基板を加熱して、前記被処理基板に対して目的の処理を行うことを特徴とする、基板処理装置が提供される。
前記制御プログラムは、実行時に、上記第1の観点の基板処理方法が行なわれるように、基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体が提供される。
すなわち、被処理基板の赤外線吸収率または赤外線透過率を測定することにより、被処理基板の種類に応じて被処理基板に固有な温度変化の挙動に対応した制御を行なうことができる。しかも、被処理基板上の複数の領域に対し、例えば複数のヒーターによる加熱温度をそれぞれ独立して制御することによって、被処理基板の面内位置による温度のばらつきをも解消することができる。
従って、被処理基板に対して、高精度な温度制御が可能となり、例えば面内における比抵抗(Rs)の変動や膜厚の不均一などを解消し、被処理基板の品質の向上を図ることができる。
図5はTiN膜を成膜する際の主要工程を説明するためのフローチャートである。成膜処理に際しては、まず、ヒーター35a,35bによりサセプタ32を所定温度、例えば500〜700℃程度に加熱し、排気装置68によりチャンバー31内を引き切り状態としておく。この状態で、ゲートバルブGを開にして、真空状態のウエハ搬送室5内で搬送装置12のブレード14aまたは14bによりウエハWがセンサ部15を通過するようにして、ウエハWの赤外線透過率(または赤外線吸収率)を測定する(ステップS1)。このセンサ部15による赤外線透過率の測定は、ウエハW毎に実施することが好ましいが、一つのロットで同一種類のウエハWを複数枚処理するような場合には、例えばロット毎に1回だけ測定するようにしてもよい。
まず、ステップS11では、プロセスコントローラ50によって、予め設定されたウエハWの成膜処理温度(設定温度)を取得する。具体的には、制御部50のユーザーインターフェース52から前もって入力し、例えば記憶部53に保存しておいた設定温度を読み出す。なお、記憶部53または任意の記憶媒体から、設定温度の情報を含むレシピを読み出してもよい。
なお、図7のマスターテーブルは、前記のように設定温度毎に作成してもよいが、設定温度によるヒーター35aおよび35bの出力比率の差が少ない場合には、複数の設定温度を含む一定の温度範囲毎に区分したマスターテーブルを用いることもできる。
また、ウエハWを3つ以上の領域に区分して、それぞれに対応して独立的に温度制御可能なヒーターによって加熱を行なうこともできる。
3,4;TiN成膜装置
31;チャンバー
32;サセプタ
35a,35b;ヒーター
40;シャワーヘッド
50;制御部
W……半導体ウエハ
Claims (18)
- 処理容器内で被処理基板を基板載置台に載置し、載置された前記被処理基板の複数の領域に対応して設けられた複数のヒーターにより前記被処理基板を加熱して前記被処理基板に対して目的の処理を行なう基板処理方法であって、
予め前記処理容器外で被処理基板の赤外線吸収率または赤外線透過率を測定する工程と、
前記赤外線吸収率または赤外線透過率の測定値に応じて、前記被処理基板の前記複数の領域に対応して設けられた前記複数のヒーターへの出力比率を選定する工程と、
前記複数の領域のうち少なくとも1つの領域に設けられた温度検知手段により前記被処理基板の温度を測定し、その測定温度と設定温度との差に応じて前記複数のヒーターへの出力を決定する工程と、
決定された前記複数のヒーターへの出力と前記選定された出力比率に基づき前記複数のヒーターへの出力を行なって被処理基板を加熱する工程と、
を含むことを特徴とする、基板処理方法。 - 前記複数のヒーターへの出力比率は、供給電力の比率、供給電圧の比率、供給電流の比率または出力時間の比率から選ばれる1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記複数の領域は、少なくとも、被処理基板の中央部の第1の領域と、その外側部分の第2の領域を含むことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記目的の処理は、被処理基板上に薄膜を形成する成膜処理であることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記温度検知手段は、被処理基板の中央部の前記第1の領域に設けられることを特徴とする請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記複数のヒーターへの出力比率は、予め設定温度毎に作成された被処理基板の赤外線透過率と前記複数のヒーターへの出力比率とを関係づけたテーブルを参照することで決定されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記被処理基板を加熱する工程は、前記選定された出力比率を維持したまま前記複数のヒーターへの出力を増減することにより行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 被処理基板を収容して処理を行なう処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を基板載置面に載置する基板載置台と、
前記基板載置台に載置された被処理基板の複数の領域に対応して設けられ、前記複数の領域の温度を独立して調節する複数のヒーターと、
予め前記処理容器外で被処理基板の赤外線吸収率または赤外線透過率を測定するセンサ部と、
前記複数の領域のうち少なくとも1つの領域に設けられた温度検知手段と、
前記センサ部における前記赤外線吸収率または赤外線透過率の測定値に応じて、前記被処理基板の複数の領域に対応して設けられた前記複数のヒーターへの出力比率を選定し、前記温度検知手段により測定した前記被処理基板の測定温度と設定温度との差に応じて前記複数のヒーターへの出力を決定し、決定された前記複数のヒーターへの出力と前記選定された出力比率に基づき前記複数のヒーターへの出力を制御する制御部と
を備え、
前記制御部により前記複数のヒーターへの出力を制御しつつ前記被処理基板を加熱して、前記被処理基板に対して目的の処理を行うことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記複数の領域は、少なくとも、被処理基板の中央部の第1の領域と、その外側部分の第2の領域と、を含むことを特徴とする、請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターは、前記第1の領域と前記第2の領域に対応して前記基板載置台に埋設された抵抗加熱ヒーターであることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターは、前記第1の領域と前記第2の領域に対応して前記被処理基板から離間した位置に配備されたランプヒーターであることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理装置。
- 被処理基板上に薄膜を形成するための成膜装置であることを特徴とする、請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記温度検知手段は、被処理基板の中央部の前記第1の領域に設けられることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記基板載置台は、その中央下部に設けられた円筒状の支持部材により支持され、前記温度検知手段は前記基板載置台の中央部に設けられることを特徴とする請求項8から請求項13のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、予め設定温度毎に作成された被処理基板の赤外線透過率と前記複数のヒーターへの出力比率とを関係づけたテーブルを参照することで前記温度検知手段の出力を決定することを特徴とする請求項8から請求項14のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記選定された出力比率を維持したまま前記複数のヒーターへの出力を増減することを特徴とする請求項8から請求項15のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載された基板処理方法が行なわれるように、基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載された基板処理方法が行なわれるように、基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005107913A JP4786925B2 (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
PCT/JP2006/307081 WO2006107036A1 (ja) | 2005-04-04 | 2006-04-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN200680000326A CN100587108C (zh) | 2005-04-04 | 2006-04-04 | 基板处理方法和基板处理装置 |
KR1020077014619A KR100887445B1 (ko) | 2005-04-04 | 2006-04-04 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US11/667,945 US8124168B2 (en) | 2005-04-04 | 2006-04-04 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005107913A JP4786925B2 (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006283173A JP2006283173A (ja) | 2006-10-19 |
JP4786925B2 true JP4786925B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37073577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005107913A Expired - Fee Related JP4786925B2 (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8124168B2 (ja) |
JP (1) | JP4786925B2 (ja) |
KR (1) | KR100887445B1 (ja) |
CN (1) | CN100587108C (ja) |
WO (1) | WO2006107036A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5032269B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 |
DE102007061777B4 (de) * | 2007-12-19 | 2010-12-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Vakuumbeschichtung von zu beschichtenden Substraten und Vakkumbeschichtungsanlage |
US20090316749A1 (en) * | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Matthew Fenton Davis | Substrate temperature measurement by infrared transmission in an etch process |
JP5214347B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
KR101182502B1 (ko) | 2008-09-30 | 2012-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 이상 배치 상태의 검지 방법, 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
JP5320171B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US20110185969A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual heating for precise wafer temperature control |
US9070726B2 (en) * | 2009-11-02 | 2015-06-30 | Ligadp Co., Ltd. | Temperature control method of chemical vapor deposition device |
JP5447111B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-03-19 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの熱処理温度を求める方法及びランプ加熱型の気相成長装置における反応炉の温度管理方法 |
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JP5781803B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法及びプラズマ処理システム |
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JP6415971B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
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JP6473659B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2019-02-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6688172B2 (ja) | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
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JP6884082B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-06-09 | 株式会社Screenホールディングス | 膜厚測定装置、基板検査装置、膜厚測定方法および基板検査方法 |
JP6971199B2 (ja) | 2018-05-31 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7094804B2 (ja) * | 2018-07-03 | 2022-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7154160B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2022-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定機構、温度測定方法、およびステージ装置 |
JP2022545499A (ja) * | 2019-08-30 | 2022-10-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子ビームpvd終点検出および閉ループ処理制御システム |
JP7449799B2 (ja) * | 2020-07-09 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度調整方法及び検査装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH06158314A (ja) | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および方法 |
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FR2846786B1 (fr) * | 2002-11-05 | 2005-06-17 | Procede de recuit thermique rapide de tranches a couronne |
-
2005
- 2005-04-04 JP JP2005107913A patent/JP4786925B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-04 KR KR1020077014619A patent/KR100887445B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-04 WO PCT/JP2006/307081 patent/WO2006107036A1/ja active Application Filing
- 2006-04-04 US US11/667,945 patent/US8124168B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-04 CN CN200680000326A patent/CN100587108C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070292598A1 (en) | 2007-12-20 |
CN1969059A (zh) | 2007-05-23 |
CN100587108C (zh) | 2010-02-03 |
KR100887445B1 (ko) | 2009-03-10 |
WO2006107036A1 (ja) | 2006-10-12 |
KR20070090957A (ko) | 2007-09-06 |
US8124168B2 (en) | 2012-02-28 |
JP2006283173A (ja) | 2006-10-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110603 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |