JPH03278524A - 半導体基板加熱装置 - Google Patents
半導体基板加熱装置Info
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- JPH03278524A JPH03278524A JP7988090A JP7988090A JPH03278524A JP H03278524 A JPH03278524 A JP H03278524A JP 7988090 A JP7988090 A JP 7988090A JP 7988090 A JP7988090 A JP 7988090A JP H03278524 A JPH03278524 A JP H03278524A
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- semiconductor substrate
- infrared rays
- infrared light
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 10
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の加熱装置に関し、外光ランプを使
用する加熱装置に関する。
用する加熱装置に関する。
特に赤
従来、この種の半導体基板加熱装置は、半導体基板の表
面又は裏面に赤外光ランプから赤外光を照射する構造で
あるが、その半導体基板の温度の制御は、赤外光の強度
と照射時間を定めることにより行われている。赤外光の
強度と照射時間は、実際の作業を行う前に標準的な半導
体基板で、強度１時間と基板温度の関係を測定して定め
られる。
面又は裏面に赤外光ランプから赤外光を照射する構造で
あるが、その半導体基板の温度の制御は、赤外光の強度
と照射時間を定めることにより行われている。赤外光の
強度と照射時間は、実際の作業を行う前に標準的な半導
体基板で、強度１時間と基板温度の関係を測定して定め
られる。
上述した従来の半導体基板加熱装置は、特定の半導体基
板を標準として、赤外光の強度と照射時間を定めておき
、実際の作業では半導体基板の状態に関係なく定められ
た強度と時間で赤外光が照射される方式となっている。
板を標準として、赤外光の強度と照射時間を定めておき
、実際の作業では半導体基板の状態に関係なく定められ
た強度と時間で赤外光が照射される方式となっている。
所望の基板温度を得るための赤外光の強度と時間はある
値に定められるが、半導体基板の赤外光の吸収率及び反
射率は、膜付着の状態で大きく異なり、その結果として
加熱時の基板温度が基板状態で大きく異なる。
値に定められるが、半導体基板の赤外光の吸収率及び反
射率は、膜付着の状態で大きく異なり、その結果として
加熱時の基板温度が基板状態で大きく異なる。
このように、従来の基板加熱装置では、基板状態によら
ず一定の赤外光強度と時間で加熱が行われるため、基板
状態の差による基板温度の差が生ずるという欠点がある
。基板状態の差により発生する温度差の例として、基板
を裏面から加熱した場合の加熱特性の差を第３図に示す
。図中ａはＳｉ基板表面に膜が付いていない場合、ｂは
表面に熱酸化膜５０００Ａが付いている場合の加熱特性
である。
ず一定の赤外光強度と時間で加熱が行われるため、基板
状態の差による基板温度の差が生ずるという欠点がある
。基板状態の差により発生する温度差の例として、基板
を裏面から加熱した場合の加熱特性の差を第３図に示す
。図中ａはＳｉ基板表面に膜が付いていない場合、ｂは
表面に熱酸化膜５０００Ａが付いている場合の加熱特性
である。
本発明の目的は、一定出力で加熱する場合に生ずる半導
体基板の種類又は基板状態により生ずる基板温度の変動
を阻止できる半導体基板加熱装置を提供することにある
。
体基板の種類又は基板状態により生ずる基板温度の変動
を阻止できる半導体基板加熱装置を提供することにある
。
本発明の半導体基板加熱装置は、半導体基板を加熱する
赤外光ランプと、該赤外光ランプの赤外光強度制御する
ランプ出力制御回路と、加熱前に半導体基板の赤外光透
過率及び反射率を測定するための測定用の放射源、透過
光センサー及び反射光センサーと、赤外光透過率及び反
射率測定結果より照射する赤外光強度を制御する演算回
路とを含むことを特徴として構成される。
赤外光ランプと、該赤外光ランプの赤外光強度制御する
ランプ出力制御回路と、加熱前に半導体基板の赤外光透
過率及び反射率を測定するための測定用の放射源、透過
光センサー及び反射光センサーと、赤外光透過率及び反
射率測定結果より照射する赤外光強度を制御する演算回
路とを含むことを特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の概略図である。
は本発明の一実施例の概略図である。
半導体基板２に赤外光ランプ１より赤外光を照射し、加
熱を行う。このとき赤外光強度は演算回路８より送られ
る信号Ａにより制御される。
熱を行う。このとき赤外光強度は演算回路８より送られ
る信号Ａにより制御される。
加熱が開始される前に半導体基板２の赤外光透過率７反
射率が測定される。すなわち測定用放射源５よりランプ
出力のピーク波長と等しいピークを有する赤外光が放射
され、半導体基板を透過した赤外光は透過光用センサー
３で測定１反射光は反射光用センサー４でそれぞれ測定
される。測定用放射源の出力８．透過光用センサーから
の信号ように演算出力される。ここでＡｏは外部からの
赤外光強度設定値、ａ、ｂは補正の強度を定める定数で
任意に設定可能である。この構造にすることにより半導
体基板の赤外光透過率や反射率が高く、加熱効率が悪い
ときには自動的に赤外光強度が高くなり補正される。従
って外部からの設定値が同じでも基板状態により赤外光
強度が自動補正されるため基板状態の差による基板温度
差の発生が防止できる。
射率が測定される。すなわち測定用放射源５よりランプ
出力のピーク波長と等しいピークを有する赤外光が放射
され、半導体基板を透過した赤外光は透過光用センサー
３で測定１反射光は反射光用センサー４でそれぞれ測定
される。測定用放射源の出力８．透過光用センサーから
の信号ように演算出力される。ここでＡｏは外部からの
赤外光強度設定値、ａ、ｂは補正の強度を定める定数で
任意に設定可能である。この構造にすることにより半導
体基板の赤外光透過率や反射率が高く、加熱効率が悪い
ときには自動的に赤外光強度が高くなり補正される。従
って外部からの設定値が同じでも基板状態により赤外光
強度が自動補正されるため基板状態の差による基板温度
差の発生が防止できる。
第２図は本発明の実施例２の概略図である。半導体基板
２は透過光用センサー３１反射光用センサー４．測定用
赤外光放射源５により赤外光の透過率１反射率を測定し
た後に、赤外光ランプ上部へ搬送され透過率１反射率測
定結果により補正された赤外光強度信号Ａで加熱される
。シーケンスコントロール回路９は各半導体基板の位置
と各基板に対応する補正された赤外光強度信号を記憶し
ており、赤外光強度を基板毎に制御する構造となってい
る。スパッタ装置等の基板加熱で、加熱位置で赤外光の
透過率１反射率測定ができない場合に有効である。
２は透過光用センサー３１反射光用センサー４．測定用
赤外光放射源５により赤外光の透過率１反射率を測定し
た後に、赤外光ランプ上部へ搬送され透過率１反射率測
定結果により補正された赤外光強度信号Ａで加熱される
。シーケンスコントロール回路９は各半導体基板の位置
と各基板に対応する補正された赤外光強度信号を記憶し
ており、赤外光強度を基板毎に制御する構造となってい
る。スパッタ装置等の基板加熱で、加熱位置で赤外光の
透過率１反射率測定ができない場合に有効である。
以上説明したように、本発明の半導体基板加熱装置では
半導体基板の赤外光の透過率１反射率の基板間の変動に
よる被加熱効率の変動に対し、予め透過率１反射率を測
定し、赤外光ランプ出力を補正することにより、一定出
力で加熱する場合に生ずる半導体基板の種類や基板状態
による基板温度の変動を防止できる効果がある。
半導体基板の赤外光の透過率１反射率の基板間の変動に
よる被加熱効率の変動に対し、予め透過率１反射率を測
定し、赤外光ランプ出力を補正することにより、一定出
力で加熱する場合に生ずる半導体基板の種類や基板状態
による基板温度の変動を防止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の概略図、第２図は第２の実
施例の概略図、第３図は半導体基板を６０秒間加熱した
場合に基板状態の差により発生する加熱特性の差を示す
グラフである。 １・・・赤外線ランプ、２・・・半導体基板、３・・・
透過光用センサー、４・・・反射光用センサー、５・・
・測定用赤外光放射源、６・・・反射板、７・・・ラン
プ出力制御回路、８・・・演算回路、９・・・シーケン
スコントロール回路。
施例の概略図、第３図は半導体基板を６０秒間加熱した
場合に基板状態の差により発生する加熱特性の差を示す
グラフである。 １・・・赤外線ランプ、２・・・半導体基板、３・・・
透過光用センサー、４・・・反射光用センサー、５・・
・測定用赤外光放射源、６・・・反射板、７・・・ラン
プ出力制御回路、８・・・演算回路、９・・・シーケン
スコントロール回路。
Claims (1)
- 半導体基板を加熱する赤外光ランプと、該赤外光ラン
プの赤外光強度を制御するランプ出力制御回路と、加熱
前に半導体基板の赤外光透過率及び反射率を測定するた
めの測定用放射源、透過光センサー及び反射光センサー
と、赤外光透過率及び反射率測定結果より照射する赤外
光強度を制御する演算回路とを含むことを特徴とする半
導体基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7988090A JPH03278524A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7988090A JPH03278524A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278524A true JPH03278524A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13702556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7988090A Pending JPH03278524A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278524A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033306A1 (fr) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement thermique et substrat a semi-conducteur monocristal |
| JP2001056544A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2006093302A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006179837A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、ウェハおよびウェハの製造方法 |
| JP2008518472A (ja) * | 2004-10-26 | 2008-05-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シリコンウエハを熱処理するのに有用な低温型パイロメトリーのための方法及び装置 |
| JP2010141344A (ja) * | 2003-06-30 | 2010-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| US8124168B2 (en) * | 2005-04-04 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP7988090A patent/JPH03278524A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033306A1 (fr) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement thermique et substrat a semi-conducteur monocristal |
| US5913974A (en) * | 1996-03-07 | 1999-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heat treating method of a semiconductor single crystal substrate |
| JP2001056544A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2010141344A (ja) * | 2003-06-30 | 2010-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2006093302A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP2006179837A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、ウェハおよびウェハの製造方法 |
| US8124168B2 (en) * | 2005-04-04 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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